水平法砷化镓单晶及切割片GB/T11094-2007

一、水平法砷化镓单晶的制备方法

水平法砷化镓单晶是制备高性能半导体器件的重要材料。其制备方法如下：

1. 选择高纯度的金属镓和砷化镉作为原料，按照一定摩尔比混合均匀。
2. 将混合后的粉末装入石英玻璃坩埚中，在氮气气氛下进行预热处理。
3. 将坩埚放入铂舟中，通过加热使得原料在坩埚中熔化，并保持一定的超稳态条件。
4. 用水平拉扯法将熔融状态下的原料拉制成单晶。
5. 冷却至室温，取出单晶。

二、切割片的制备

切割片是将水平法砷化镓单晶切割成一定尺寸和方向的小块，用于制备半导体器件。其制备方法如下：

1. 将水平法砷化镓单晶进行机械抛光。
2. 在抛光后的单晶表面涂覆照相胶，并通过紫外线照射形成图案。
3. 将涂有照相胶的单晶放入稀盐酸中腐蚀，使得未涂有照相胶的部分被腐蚀掉。
4. 取出切割片并进行清洗处理。

三、技术规范GB/T11094-2007

技术规范GB/T11094-2007是对水平法砷化镓单晶及切割片的生产和检验的标准化要求。其中包括了以下内容：

• 材料制备的要求，包括原料、设备、工艺流程等。
• 单晶与切割片的尺寸和形状要求。
• 物理性能测试方法和标准。

以上是关于水平法砷化镓单晶及切割片的制备方法和技术规范GB/T11094-2007的介绍。