用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法

近年来，随着半导体技术的不断发展，人们对于尺寸越来越小的芯片需求也越来越大。在芯片设计过程中，对于材料的选择和性能的测试显得尤为重要。其中，硅外延层中净载流子浓度的测试是一个关键问题。

传统的测试方法需要使用复杂的设备和技术，成本高、时间长、效率低，并且需要对样品进行破坏性测试。而本文介绍的方法只需要使用栅控和非栅控二极管的电压电容关系就可以完成测试，具有快速、精确、非破坏性等优点。

在实际测试中，首先需要通过光刻技术制备出具有不同掺杂浓度的硅外延层样品。然后，将样品分别与栅控二极管和非栅控二极管连接，测量其电容和电压之间的关系。

由于栅控二极管和非栅控二极管中的载流子浓度不同，当施加一定电压时，二极管的电容变化也会不同。通过对比不同载流子浓度下的电容变化曲线，可以得到硅外延层中净载流子浓度的值。

该方法符合GB/T14863-2013标准，测试结果精确可靠。因此，在半导体材料的选择和芯片设计过程中，可以采用本文介绍的方法进行净载流子浓度的测试。