微束分析, 会聚束电子衍射, 薄晶体厚度, GB/T20724-2021
微束分析薄晶体厚度的会聚束电子衍射测定方法GB/T20724-2021解析
添加时间:2023/5/2 12:42:42 阅读次数:
本文旨在介绍GB/T20724-2021标准中关于微束分析薄晶体厚度的会聚束电子衍射测定方法。该标准是为了实现对薄晶体厚度进行精确测量的方法,提供技术指导和参考。
微束分析(Microanalysis)是一种通过对样品进行成分分析以及显微结构表征的技术手段。其中,会聚束电子衍射(CBED)是一种常用的技术手段之一。
薄晶体厚度是指薄晶体的厚度或者说是晶格沿着某个方向的周期性长度。测定薄晶体厚度是分析薄晶体结构的重要步骤。
GB/T20724-2021标准规定了使用会聚束电子衍射法测定薄晶体厚度的方法。具体步骤如下:
- 将待测薄晶片放置在透明的细线状样品支架上,需要确保样品和支架之间的接触面积尽可能小。
- 将支架安装到会聚束电子衍射台架上,并且通过微调节器来精确定位。
- 根据需要选择合适的会聚镜头和参数设置,使得会聚点能够恰好覆盖在薄晶体的表面上。
- 记录会聚点位置及其对应的参数设置。
- 旋转薄晶片,再次重复以上步骤,直到记录到足够数量的会聚点数据。
- 根据测量的数据计算薄晶体厚度。
该标准的实施可以有效地提高薄晶体厚度的测量精度。但是,在进行实际操作时,需要注意样品制备、设备操作等方面的细节问题,以避免可能存在的误差。
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