氧化铟锡靶材GB/T20510-2017介绍

氧化铟锡靶材是一种重要的薄膜材料，在信息存储、平面显示、太阳能电池等领域得到广泛应用。根据国家标准GB/T20510-2017的要求，氧化铟锡靶材应该具有以下技术要求：

• 化学成分：In2O3-SnO2或In2O3-SnO2-ZnO
• 形状：圆形或方形，直径或边长一般为1英寸或2英寸；厚度一般为0.125英寸至0.25英寸之间。
• 密度：≥6.8g/cm³
• 导电率：≥100S/cm
• 纯度：≥99.99%

氧化铟锡靶材的制备方法主要有物理气相沉积法、溅射法和热蒸发法等。其中，物理气相沉积法是一种常用的制备方法，其原理是将高纯度的氧化铟锡材料加热至高温，使其升华成为气态，然后在基底表面进行凝固形成靶材。

氧化铟锡靶材具有良好的导电性能、光学性能和化学稳定性，可以制备出优质的透明导电薄膜。未来随着技术的不断进步和应用领域的拓展，氧化铟锡靶材的市场需求将会进一步增长。