用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的规程GB/T35309-2017

多晶硅是由许多单晶硅晶体交错组成的一种晶体材料，具有优异的光电性能和机械性能，被广泛应用于电子、太阳能等领域。颗粒状多晶硅作为多晶硅的一种形式，其生产和加工更为方便，已经成为电子工业中最重要的硅材料之一。然而，颗粒状多晶硅的质量很大程度上影响了电子产品的品质和可靠性，因此如何对其进行科学准确的评价显得尤为重要。

GB/T35309-2017规程是我国针对颗粒状多晶硅质量评价制定的标准。其中，区熔法和光谱分析法被广泛应用于颗粒状多晶硅的质量评价。

区熔法

区熔法是一种通过熔化样品并在恒温下保持一段时间后冷却结晶来评价材料纯度的方法。在颗粒状多晶硅的评价中，区熔法通常用于检测杂质元素的含量。该方法可以将杂质元素分别分配到熔体和晶体中，从而使杂质元素的含量可视化、定量化。

GB/T35309-2017规程中对区熔法的要求十分严格，包括样品准备、实验条件、数据处理等方面。例如，在样品准备时，需要严格控制样品的质量、形状及大小，以保证实验结果的可靠性。在实验条件方面，规程规定了合适的熔点范围、熔炉温度、熔炉气氛等参数，确保实验的准确性。在数据处理方面，规程还详细说明了如何计算杂质元素含量，并对计算结果提出了要求。

光谱分析法

光谱分析法是一种通过测量材料特定波长下吸收或发射的特定光线来分析样品成分的方法。在颗粒状多晶硅的评价中，光谱分析法常用于检测主元素、杂质元素和晶格缺陷等。

与区熔法相比，光谱分析法具有操作简单、速度快、非接触性强等优点。同时，该方法适用于大批量样品的快速分析，可以快速筛选出质量问题颗粒状多晶硅，有利于工业生产的高效率和低成本。

GB/T35309-2017规程中对光谱分析法的要求同样十分严格。例如，在样品制备方面，需要严格控制样品的形状、大小和厚度等参数。在实验条件方面，规程规定了合适的波长范围、光密度等参数，以保证实验的准确性。在数据处理方面，规程还详细说明了如何选择合适的校正方法，并对结果提出了要求。

综上所述，GB/T35309-2017规程中的区熔法和光谱分析法是评价颗粒状多晶硅质量的重要手段。通过严格遵守规程的要求，可以对颗粒状多晶硅进行准确科学的评价，为电子工业的发展提供有力支持。