半导体性单壁碳纳米管, 近红外光致发光光谱, 表征方法, GB/T29856-2013

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013

添加时间:2023/7/26 10:33:45 阅读次数:

半导体性单壁碳纳米管由于其独特的电学性质,在电子学、光电子学等领域具有广泛应用前景。然而,对于这种材料的表征和分析仍然存在挑战。

GB/T29856-2013标准是中国国家标准化委员会于2013年发布的半导体性单壁碳纳米管近红外光致发光光谱表征方法。该标准描述了一种利用近红外激光器对半导体性单壁碳纳米管进行激发,从而获得其光致发光光谱的方法。

该方法通过在近红外波段对样品进行激发,使其发生激子激发,并通过分析样品的光致发光光谱来获得样品的信息。该方法具有高灵敏度、高空间分辨率、非破坏性等优点,在实际应用中已经得到了广泛采用。

总之,半导体性单壁碳纳米管的表征和分析对于其应用具有重要意义,而GB/T29856-2013标准提供了一种可靠、高效的近红外光致发光光谱表征方法。

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第1页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第2页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第3页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第4页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第5页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第6页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第7页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第8页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第9页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第10页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第11页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第12页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第13页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第14页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第15页的缩略图

半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法GB/T29856-2013的第16页的缩略图

相关标准
光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法GB/T29852-2013
上一篇 本文介绍了光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法GB/T29852-2013。
发射管电性能测试方法GB/T3789-2013
发射管是一种常用于无线通信设备中的电子器件,其电性能测试方法对于保证通信质量具有重要作用。本文介绍了我国现行的发射管电性能测试标准GB/T3789-2013。 下一篇