硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1557-2018

硅晶体是半导体器件中最常用的材料之一。其中间隙氧含量对半导体器件的性能有着重要的影响，因此中间隙氧含量的测定十分重要。

根据国家标准GB/T1557-2018，可以采用红外吸收法来测定硅晶体中间隙氧含量。

具体操作步骤如下：

1. 样品制备：首先需要将硅晶体样品进行抛光和清洗等预处理工作，然后在真空条件下加热处理，去除表面氧化物。
2. 红外吸收测量：将样品放入红外光谱仪中，使用红外光谱仪进行扫描，并记录吸收谱线。
3. 分析：根据吸收谱线，可以计算出硅晶体中间隙氧含量的值。

总之，采用红外吸收法来测定硅晶体中间隙氧含量，是一种准确、可靠的方法。