微机电系统（MEMS）技术基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法GB/T34900-2017

微机电系统（MEMS）技术是指将微纳米尺度的机械、电子、光学等功能组件集成在一起，形成一个完整的系统。MEMS技术的发展在现代科技领域中扮演着至关重要的角色，因为它可以在小型化的同时提高系统的性能和可靠性。

然而，由于微小尺寸带来的表面效应和材料力学特性变化等问题，MEMS器件的设计和制造都是非常复杂的。其中，微结构的残余应变是评估MEMS器件性能和可靠性的重要指标之一。

传统的微结构残余应变测量方法通常基于SEM或EBSD等技术，但这些方法存在着一些缺陷，如成本高、测试速度慢、数据处理复杂等。为了克服这些问题，研究人员们开始将光学干涉技术应用于微结构残余应变测量中。

所谓光学干涉技术，是指通过光的干涉现象来探测样品内部的形变和应变信息。在微结构残余应变测量中，光学干涉技术可以通过测量MEMS器件表面发生形变时引起的光程差变化，从而推算出残余应变大小。

基于光学干涉的微结构残余应变测量方法具有以下优点：

• 测试速度快，可实现对大量样品的高通量测试；
• 测试精度高，能够实现微米级别的应变测量；
• 无需接触样品表面，避免了机械干扰对测试结果的影响；
• 适用范围广，可测试各种类型的MEMS器件。

此外，GB/T34900-2017标准对基于光学干涉的微结构残余应变测量方法进行了规范和标准化，使得测试结果更加可靠和准确。

总之，基于光学干涉的微结构残余应变测量方法在MEMS技术领域中具有广泛的应用前景，可以提高MEMS器件的性能和可靠性，促进MEMS技术的发展。