太阳能级硅片,硅料,氧,碳,硼,磷,测定,二次离子质谱法,GB/T32281-2015

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015

添加时间:2023/7/4 19:05:12 阅读次数:

太阳能是未来能源发展的趋势之一,而太阳能电池的核心部件就是太阳能级硅片。其中的氧、碳、硼和磷等元素的含量对太阳能电池的性能有着重要影响,因此需要对这些元素的含量进行精确测定。

目前广泛应用的方法主要包括ICP-OES、AAS、ICP-MS等。然而,这些方法存在着分析时间长、分析精度低、检测限较高等问题。相比之下,二次离子质谱法具有灵敏度高、分析速度快、检测限低等优点,已成为太阳能电池材料中氧、碳、硼和磷含量测定的重要方法之一。

二次离子质谱法是利用二次离子质谱仪对样品进行分析,该方法所需样品量小,同时还可以对其他元素进行测定。此外,该方法还可以通过控制加速电压和离子束束流密度来实现不同深度的分析。

二次离子质谱法在国内得到了广泛应用,并已制定了相应的标准GB/T32281-2015。该标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷含量的测定方法、仪器设备要求、测试数据处理等内容,为太阳能电池材料中氧、碳、硼和磷含量的测定提供了科学可靠的依据。

总之,二次离子质谱法是一种灵敏度高、分析速度快、检测限低的太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷含量测定方法,其依据的标准GB/T32281-2015对于保障太阳能电池材料质量、推动太阳能发电产业发展具有重要意义。

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第1页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第2页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第3页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第4页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第5页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第6页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第7页的缩略图

太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定二次离子质谱法GB/T32281-2015的第8页的缩略图

相关文章
相关标准

氟硼酸钾

石油产品热值测定法

苯结晶点测定法

硅片翘曲度测试自动非接触扫描法GB/T32280-2015
上一篇 本文介绍了一种硅片翘曲度测试的方法——自动非接触扫描法,以及该方法所依据的标准GB/T32280-2015。
窑炉上部用耐火材料抗气体腐蚀性试验方法GB/T32283-2015解读
本文从试验方法的角度,对GB/T32283-2015标准中窑炉上部用耐火材料抗气体腐蚀性试验方法进行详细解读。 下一篇