电子显微镜, 高角环形暗场法, 纳米技术, 贵金属纳米颗粒
电子显微镜成像高角环形暗场法GB/T34831-2017在纳米技术贵金属纳米颗粒中的应用
添加时间:2023/6/6 9:53:06 阅读次数:
本文介绍了GB/T34831-2017标准中的高角环形暗场法在纳米技术贵金属纳米颗粒中的应用。
随着纳米技术的快速发展,贵金属纳米颗粒作为一种重要的材料正在越来越多地被应用于各种领域。然而,由于其小尺寸和特殊结构,对其进行表征和研究是一项非常具有挑战性的任务。
电子显微镜是目前最常用的纳米结构表征手段之一。其中,高角环形暗场法是一种广泛应用于纳米颗粒领域的成像技术。与传统的成像方式不同,高角环形暗场法可以通过控制硅片倾斜度和衬底厚度,实现对样品内部缺陷和晶格结构的成像。
在GB/T34831-2017标准中,高角环形暗场法被提出作为一种纳米颗粒表征方法。通过该方法可以对贵金属纳米颗粒进行三维成像和定量分析。同时,该方法还可以用于实现单个纳米颗粒的光学性质研究、晶体生长动力学研究等。
贵金属纳米颗粒具有极大的应用潜力,但从事相关研究人员需要掌握适当的成像技术和方法。高角环形暗场法作为一种非常有效的纳米颗粒表征方式,为贵金属纳米颗粒的研究提供了有力的支持和保障。
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