直排四探针法, 硅外延层, 扩散层, 离子注入层, 薄层电阻, GB/T14141-2009

用直排四探针法测定硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法

添加时间:2023/9/17 12:59:07 阅读次数:

直排四探针法是一种常用的材料电学性质测试方法。它通过测量在物体表面接触的四个探针之间的电阻值,来计算物体表面的电阻率。

对于硅外延层、扩散层和离子注入层等薄层材料,由于其厚度很小,所以只能使用非侵入性测试方法进行测试,而直排四探针法就是一种非侵入性测试方法。

在进行直排四探针法测试时,需要先将四个探针平行地插入被测试物体表面,并分别给它们施加电流。然后,通过测量四个探针之间的电压值,就可以计算出被测试物体表面的电阻率。

而对于硅外延层、扩散层和离子注入层等薄层材料,由于它们的厚度很小,所以直排四探针法可以准确地测量它们的电阻值。

GB/T14141-2009是我国国家标准中关于直排四探针法测定薄层电阻的标准。该标准规定了直排四探针法测试时的探针尺寸、间距、电流等参数,以及测试时要注意的事项。

使用直排四探针法测定硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法如下:

  1. 制备样品:将被测试的硅外延层、扩散层或离子注入层样品放置在测试台上。
  2. 接触探针:将四个探针平行地插入被测试物体表面,并分别给它们施加电流。
  3. 测量电阻值:通过测量四个探针之间的电压值,计算出被测试物体表面的电阻率。

在进行直排四探针法测试时,要注意以下事项:

  1. 探针的尺寸、间距和电流等参数应符合GB/T14141-2009标准。
  2. 探针与被测试物体表面的接触应良好。
  3. 在测试过程中,不能有其他热源或磁场等对测试结果产生干扰的情况。
  4. 测试结束后,应及时清洗测试台和探针,以免对下一次测试造成影响。

总之,直排四探针法是一种准确测量硅外延层、扩散层和离子注入层等薄层材料电阻的方法。通过该方法可以快速、准确地测试薄层材料的电阻值,并在制备过程中对其进行监控和调整,从而提高产品质量和稳定性。

当然,在使用直排四探针法测试硅外延层、扩散层和离子注入层等薄层材料电阻时,还需要结合实际情况对测试结果进行分析和判断,以得出更为准确的结论。

总之,直排四探针法是一种准确测量硅外延层、扩散层和离子注入层等薄层材料电阻的方法。通过该方法可以快速、准确地测试薄层材料的电阻值,并在制备过程中对其进行监控和调整,从而提高产品质量和稳定性。
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