硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1557-2006

硅晶体是半导体材料中应用最广泛的一种，其质量的好坏直接影响到器件性能。其中间隙氧含量是硅晶体质量的重要指标之一，因此精确测量硅晶体中间隙氧含量具有重要意义。GB/T1557-2006标准规定了硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法。

1. 实验原理

硅晶体中间隙氧含量的测量基于红外吸收光谱技术。硅的红外吸收峰位于800~1100cm^-1的区域，而其中间隙氧（Oi）的吸收峰位于1040~1150cm^-1的区域。通过对硅晶体进行红外吸收光谱测量，可以得到中间隙氧的含量。

2. 测量方法

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法主要包括以下步骤：

1. 样品制备：将待测硅晶体研磨成粉末，并通过筛网过滤，选择颗粒均匀的样品。
2. 样品处理：将样品放置于真空中或高纯氮气中处理，以去除表面吸附的气体和水分。
3. 光谱测量：使用红外光谱仪对样品进行扫描，记录红外吸收光谱。
4. 数据处理：根据吸收峰的位置和强度计算中间隙氧的含量，计算公式如下：

其中，COi为中间隙氧的含量（cm^-3），AOi为中间隙氧的吸收峰强度，k为吸收系数，L为光程。

3. 实验注意事项

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法需要注意以下事项：

1. 样品制备需要避免使用金属刀具和容器，以防污染。
2. 样品处理时需要保持环境干燥和清洁，避免水分和杂质的干扰。
3. 光谱测量时需要保证光程一致，同时需要对空白样品进行测量并作为参考。
4. 数据处理时需要根据实际情况选择合适的计算公式，并进行有效的数据校正和误差分析。

4. 结论

硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法是一种简单、快速、准确的测量方法，能够满足工业生产和科学研究的需要。该方法符合GB/T1557-2006标准，可广泛应用于硅晶体质量控制和研究领域。