绝缘栅双极型晶体管的词汇及文字符号GB/T17008-1997

什么是绝缘栅双极型晶体管（IGBT）？

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种高压、大电流功率半导体器件。它结合了场效应晶体管（FET）和双极型晶体管（BJT）的优点，具有低开关损耗、高输入阻抗、高工作频率和可控性好等优点，被广泛应用于电力电子、交通运输、照明、机械控制等领域。

IGBT的词汇及文字符号

在国家标准GB/T17008-1997中，对于IGBT的词汇及文字符号做出了详细的规定，包括：

• 绝缘栅双极型晶体管：Insulated gate bipolar transistor（IGBT）
• 相反极性IGBT：Complementary IGBTs
• 漏极电流：Collector leakage current（ICLR）
• 饱和电压降：Saturation voltage drop（VCEsat）
• 静态工作点：Static operating point
• 开关时间：Switching time
• 耐受瞬态电压：Transistor surge voltage rating（VCEO(sus)）
• 大信号增益：Large signal gain
• 导通电阻：On-state resistance（Rson）
• 崩溃电压：Breakdown voltage（BVces）

IGBT在GB/T17008-1997中的规定

GB/T17008-1997是国家制定的电子元器件术语标准，其中也对IGBT做出了详细的规定。例如：

• 对于工作频率低于1kHz的IGBT，应当使用直流电源进行测试，并对激励电路进行特殊设计。
• 对于具有多个负载循环的IGBT，应当在每个负载循环中测量一次。
• 对于峰值电流超过20A的IGBT，应当采用二极管桥式整流测试。
• 对于大功率IGBT，要求其漏极电流小于规定值，否则将会导致高温下的损失和可靠性问题。

总结

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种重要的功率半导体器件，在电力电子等领域得到了广泛应用。国家标准GB/T17008-1997对于IGBT的词汇及文字符号进行了详细规定，并对其测试、性能等方面做出了具体要求。在使用IGBT时，需要遵守相关标准，以确保其性能和可靠性。总结

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种重要的功率半导体器件，在电力电子等领域得到了广泛应用。国家标准GB/T17008-1997对于IGBT的词汇及文字符号进行了详细规定，并对其测试、性能等方面做出了具体要求。在使用IGBT时，需要遵守相关标准，以确保其性能和可靠性。