GB/T1551-2009硅单晶电阻率测定方法

根据GB/T1551-2009标准，硅单晶电阻率的测定方法应该如下：

一、测量前准备工作

1. 清洗样品表面，去除污物和氧化层；
2. 用酒精或其他溶剂擦拭样品表面，使其完全干燥；
3. 将样品放入真空炉中，进行退火处理，使其温度升至800℃以上，保持30分钟以上，以消除杂质影响；
4. 冷却样品至室温；
5. 对样品进行光洁处理，以保证表面平整。

二、测量步骤

1. 将经过处理的样品安装到电阻率仪上，并加以固定，确保与电极接触良好；
2. 根据电阻率仪的操作说明，进行测量；
3. 多次重复测量，取平均值作为结果。

三、注意事项

1. 样品表面应该完全干燥，否则会影响电阻率的测量结果；
2. 在退火过程中，要控制温度和时间，避免对样品造成损害；
3. 电极接触要保证良好，以保证测量精度；
4. 多次重复测量，取平均值可以提高测量精度。

总之，根据GB/T1551-2009标准，硅单晶电阻率的测定方法需要经过严格的前期处理和精细的测量步骤，才能得到准确的测量结果。