半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GB/T6616-2009

半导体硅片是现代电子器件制造中必不可少的原材料之一。而硅片的电阻率和硅薄膜的薄层电阻则是决定半导体器件性能的重要参数。为了精确测量这些参数，国家标准GB/T6616-2009规定了一种非接触涡流法的测试方法。

半导体硅片电阻率测试方法

首先，将待测试的硅片样品放到测试台上，在样品表面喷洒透明导电液，然后用高频电源产生交变电磁场，使硅片样品表面感应出涡流。通过检测电磁场的变化来计算出硅片的电阻率。

硅薄膜薄层电阻测试方法

硅薄膜的薄层电阻测试方式与硅片电阻率测试方法类似。不同之处在于，在样品表面喷洒透明导电液前，需要先将待测试的硅薄膜样品进行微加工，制成符合要求的点状或线状电极。然后再采用非接触涡流法测试其电阻。

使用非接触涡流法测试半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻的优点在于无需接触测试样品，避免了测试过程中对样品造成的损伤。同时，该方法具有高精度、高重复性等优点，可广泛应用于半导体器件的研发、生产和质量控制等环节。

总之，国家标准GB/T6616-2009规定的半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法是一种精确、可靠的测试方法，为半导体器件制造提供了可靠的技术支持。