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电感耦合等离子体质谱法测定硅外延用三氯氢硅化学分析方法中的13种元素含量

添加时间:2023/7/31 14:59:18 阅读次数:

硅外延是半导体器件制造中常用的一种材料。为了保证硅外延的质量,需要对其进行严格的化学分析。其中,三氯氢硅是一种常用的分析试剂,可以用于测定多种元素的含量。

GB/T29056-2012是一项关于硅外延用三氯氢硅化学分析方法中13种元素含量测定的标准,其中包括了硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑等元素的测定内容。

试验方法

1. 样品制备:首先将硅外延样品进行预处理,然后使用三氯氢硅溶液对其进行分解。

2. 电感耦合等离子体质谱法测定:将分解后的样品加入电感耦合等离子体谱仪中进行检测。在测量过程中,需要对13种元素分别进行测定,并通过质量分析得出其相对含量。

分析

GB/T29056-2012标准采用了电感耦合等离子体质谱法测定硅外延用三氯氢硅化学分析方法中13种元素含量,该方法具有灵敏度高、准确性好等优点。通过对该标准的分析,可以得出以下结论:

1. 硼、磷、铝等元素是硅外延中的常见杂质元素,其含量对器件的电性能等方面有较大影响。

2. 钼、铬、钴等元素在硅外延中通常被添加,可起到改变其电性能等方面的作用。

3. 电感耦合等离子体质谱法是一种较为常见的分析方法,其可同时测定多种元素,并且具有高灵敏度和准确性等优点,适用于硅外延中杂质元素含量的测定。

总之,GB/T29056-2012标准提供了一套完整、系统的硅外延用三氯氢硅化学分析方法中13种元素含量测定方法,对硅外延的质量保证起到了重要作用。

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