电工术语电力半导体器件

电工术语电力半导体器件

国家标准 GB/T2900.32一94 电工术语电力半导体器件 Electrotechniealterminology Powersemiconductordevice 1994-05-16发布 1995-01-01实施 国家技术监督局 发布国家标准
国家标准 GB/T2900.3294 电工术语电力半导体器件 代替GB2900.32一82 Electrotechnicalterminology Powersemiconductordevice 本标准参照采用了国际电工委员会(IEC)出版物747《半导体器件》和出版物50(521《国际电工词 汇 半导体器件和集成电路》中有关整流管,晶体管,晶闸管及其通用的术语 主题内容与适用范围 本标准规定了电力半导体器件的专用术语 本标准适用于制订标准、编订技术文件,编写和翻译专业手册、教材及书刊 基础术语 2 2.1物理学名词 2.1.1半导体semiconductor 一种电阻率通常在金属和绝缘体之间,并在一定温度范围内载流子浓度随温度升高而增加的物 质 2.12本征半导体intrinsicsemicomdetor，I-型半导体I-typesemiconduetor 一种在热平衡下传导电子和可动空穴密度几乎相等的高纯半导体或完全相等的理想半导体 2.1.3非本征半导体extrinsicsemiconduetor 一种载流子浓度取决于杂质或其他缺陷的半导体 2.1.4 N 型半导体N-typesemiconduetor;电子型半导体eleetronsemiconductor 一种在热平衡下传导电子密度显著大于可动空穴密度的非本征半导体 2.1.5P型半导体P- -typesemiconduetor;空穴型半导体holesemiconduectot -种在热平衡下可动空穴密度显著大于传导电子密度的非本征半导怀 2.1.6结junetion 在半导体中或金属与半导体之间,具有不同电特性两区域之间的过渡区域 2.1.7PN结PNjunetion 半导体P型区和N型区之间的结 2.1.8合金结alloyedjunction 由 -种或几种金属材料与半导体晶体合金化形成的结 2.1.9扩散结diffusedjunction 由杂质扩散进入半导体晶体内形成的结 2.1.10生长结grownjunetion 由熔融态半导体生长晶体形成的结 2.1.11外延结epitaxyjunction 在半导体晶体衬底上,沉积生长晶体形成的结 国家技术监督局1994-05-16批准 1995-01-01实施
GB/T2900.32一94 21.12键合结bondingjunetion 由不同导电性能的两种半导体晶体直接键合形成的结 2.1.13突变结abruptjunctionm 在杂质浓度梯度的方向上,结的宽度远小于空间电荷区宽度的一种结 2.1.14缓变结progressivejunetion 在杂质浓度梯度的方向上,结的宽度与空间电荷区宽度差不多的一种结 2.1.15欧姆接触ohmiccontact 电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触 2.1.16杂质impurity 单元素半导体中的掺杂原子; 化合物半导体中的掺杂原子,或较化合物半导体理想比例成分多出(或缺少)的原子 b. 21.17传导电子 conductionelectrons 在电场或浓度梯度的作用下,半导体导带中能自由流动的电子 2.1.18传导电流conduetioncurrent 在外电场的作用下,自由电荷载流子在物质中的定向运动 2119空穴 hole 特性象正电荷载流子、在正常填满的能带中出现的空位 2.1.20电荷)载流子charge)carrier 半导体中的自由传导的电子、空穴或离子 2.1.21多数载流子majoritycarrier 大于(自由)载流子总浓度半数的一种载流子 2122少数载流子minority carr1er 小于(自由)载流子总浓度半数的一种载流子 non-eguilibriumcarrier 2.1.23过剩载流子 ;非平衡载流子 excesscarrie 超过按热平衡方法确定的载流子数量的传导电子或空穴 nminority 2.1.24体寿命(少数载流子的bulklifetimeof carrier 在均匀半导体的体内,过剩少数载流子密度因复合减小到其初始值的1/e时所需要的时间 spacech8 (ofsemiconductor 2.125空间电荷区(半导体的 hargeregion 净电荷密度不为零的区域 注;净电荷密度由传导电子,空穴、离化的受主和施主决定 2.1.26耗尽层depletionlayer 可移动的载流子密度不足以中和固定的施主和受主净电荷密度的区域 2.1.27击穿(反向偏置PN结的breakdownofareversebiasedPNjunetion 由高动态电阻状态转变到初始低动态电阻状态时,所观察到反向电流开始剧烈增加的现象 2.1.28雪崩击穿(半导体PN结的avalanehebreakdown(ofasemiconductorPNjunction 在强电场的作用下,半导体中一些自由载流子获得能量并电高产生新的电子-空穴时,致使自 由载流子倍增引起的击穿 2.1.29雪崩电压avalanchevoltage 产生雪崩击穿所施加的电压 2.1.30热击穿(半导体PN结的thermalbreakdownofasemiconductorPNjuncetion) 由于耗散功率和结温的相互促增作用,使载流子累积增加引起的击穿 2.1.31穿通(在两个PN结之间punch-through(betweentwoPNjunetion 两个PN结的空间电荷区由于其一或两者的扩展而至相接触造成的导电现象
GB/T2900.32一94 2.1.32光电效应photoelectriceffect 由于辐射和物质之间的相互作用而吸收光子并随即产生可移动载流子的现象 2.1.33光(生)伏(打)效应photovoltaiceffect 产生电动势的一种光电效应 2.2通用术语 2.2.1端(半导体器件的terminal(ofasemiconductordeviee) 半导体器件上连接外部导体的有效连接点 22.2端子(半导体器件的》terminal(ofasemiconduetardeviee) 用以连接器件本体和外部导体的导电件 223电极(半导体器件的》 electrode(ofasemiconductordevice 半导体器件规定区域与端子之间提供电接触的部分 22.4正向(PN结的orwarddiretion(ofaPNjunetion) 连续(真流)电流沿PN结低阻流通的方向 reversedirection 2.2.5反向(PN结的 ofaPNjunetion 连续(直流)电流沿PN结高阻流动的方向 2.2.6(等效)结温(virtual)junetiontemperature 基于半导体器件的热电校准关系,通过电测量得到的结温 2.2.7额定结温 ratedjunetiontemperature 半导体器件正常工作时所允许的最高结温,在此温度下,一切有关的额定值和特性都应得到保 证 2.2.8贮存温度storagetemperature 半导体器件在没有任何电压施加情况下的存放温度 2.29热降额因数thermalderatingfactor 由于环境和管壳温度的增加,耗散功率额定值必须减小的比例 2.2.10管壳温度casetemperature 在半导体器件管壳规定点测得的温度 2.2.11基准点温度referencepointtemperature 在半导体器件的管壳或管壳紧密接触的散热器上规定的并可以测量的点的温度 2.2.12热阻thermalresistance 在热平衡条件下,两规定点(或区域)之间温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比 结壳热阻为半导体器件结温和管壳规定点的温度差与器件耗散功率之比,散热器热阻为散热 器上规定点和环境规定点温度的差与产生这两点温差的耗散功率之比 注，假定器件耗散功率产生的全部热流流经热阻 2.2.13瞬态热阻抗 transientthermalimpedance 在某一时间间隔末,两规定点(或区域)温差变化与引起这一温差变化在该时间间隔初始按阶 跃函数变化的耗散功率之比 thermalinm 2.2.14脉冲条件下的热阻抗 impedanceunderpulseconditions 由脉冲功率产生的最大结温和规定外部基准点温度的差与由规定周期序的矩形脉冲在器件中 产生的耗散功率幅值之比 注;忽略初始瞬态现象,并假定直流功率耗散为零 脉冲条件下的热阻抗以脉冲持续时间为函数,以占空因数为参数给出 2.2.15热容(半导体器件的thermalcapaeitance(ofaseniconduetordeviee 作为热量贮存在器件里的能量与器件结温和规定外部基准点温度的差之商
GB/T2900.32-94 2.2.16(等效)热网络equivalentthermalnetwork -种表示半导体器件在电负荷下的热状态和结温特性,包含热阻、热容和热流源的网络 此网 络仿效电网络的分析方法,用于计算温度 迷假设了由耗散功率产生的全部热流流经等效热网络 应尽可能采用只有一个热流源的等效热网络,以使热流对应半导体器件产生的全部耗散功率 2.2.17(等效)热网络热容equivalentthermalnetworkcapacitance -种表征等效热网络贮存热量的能力 2.2.18(等效)热网络热阻equivalentthermalnetworkresistance -种表征等效热网络阻止热流的能力 2219紧固力[力矩]tghten Cctorque preSSure 保证电力半导体器件与散热器具有良好热接触的组装压力C力矩 2.3电力半导体器件类型 231半导体器件 semiconductordevice 基本特性由半导体内载流子流动决定的器件 232电力半导体器件 powersemiconductordevice 主要用于电力系统的半导体器件,它包括各种整流二极管、晶闸管、晶体管、半导体模块和组件 等 2.3.3半导体)二极管(semiconductor)diode 具有两个电极和不对称电压-电流特性的两端半导体器件 23.4(半导体)整流(二极)管semiconduetorreetiferdiode 一种用于整流、并包括与它连接的安装及冷却附件(如有)的半导体二极管 2.35半导体整流堆semiconductorreetifierstack" 个或数个整流管,连同它(它们)的封装外壳,冷却附件(如有电联结和机械联结组成的单 由一一 一整装器件 2.3.6高压整流堆highvoltagereetifierstack -种显示整流臂特性,而反向能承受数干伏以上电压的半导体整流堆 2.3.7普通)整流(二极)管reetiferdiode 对反向恢复时间和反向浪涌功率没有特别要求,并主要用于工频的整流臂 23.8雪崩整流(二极)管avalaneheretiferdiode 一种具有一定雪崩击穿特性;并能在规定时间内承受一定反向浪涌功事的整流管 2.3.9可控雪崩整流(二极)管controlledavalancherectiferdiode 一种具有最大和最小击穿电压特性,并被额定在反向击穿区域稳定条件下运行的整流管 2.3.10快速整流(二极)管fastrecoveryreetiferdiode -一-种反向恢复时间较短,恢复电荷量较少,可以在400H以上颜率工作的整流管 23.11高温整流(二极)管hugehtemperaturereetiferdiode 一种叭结工作结温通常在175C或更高温度的整流管 23.12晶(体)闸(流)管 thyristor 一种包括三个或更多的结,能从断态转入通态,或由通态转入断态的双稳态半导体器件 注;“晶闹管”一词是包括所有PNPN类型开关管族系的泛称术语,在不致引起含混或误解时,它本身可以用 来表示晶闸管族系的任何一种器件,如晶闸管常用来表示以往称之为可控硅整流元件的反向阻断三极晶 闸管 2.313反向阻断二极晶围管 blockingdiodethyristor reverSe -种对负阳极电压没有开关作用,而只垦现反向阻断状态的二端晶闸管
GB/T2900.32一94 blocking飞 23.14反向阻断(三极)晶闸管 reverse triodethyristor -种对负阳极电压没有开关作用,而只呈现反向阻断状态的三端晶闸管 23.15普通三极)晶闸管triodethyristor -种对开关时间等参数没有特别要求,并主要用于工频的反向阻断三极晶闸管 2.3.16快速(三极)晶闸管fastswitchingtriodethyristor 一种对开,关时间等参数有特别要求,可以在400Hz以上频率工作的反向阻断三极晶闸管 23.17门极关断晶闸管(GTO晶闸管gateturn-offthyristor(GTothyristor) -种施加适当极性门极信号,可从通态转换到断态或从断态转换到通态的三端晶闸管 2.3.18逆导二极晶闸管 reverse conduetingdiodethyristor 一种对负阳极电压没有开关作用,而当该电压量级与通态电压比拟时,能通过大电流的二端晶 闸管 2.3.19逆导(三极)晶闸管reverseconduetingtriodethyristor 一种对负阳极电压没有开关作用,而当该电压量级与通态电压比拟时,能通过大电流的三端晶 闸管 2.3.20双向二极晶闸管bidireetionaldiodethyristor;diac -种在主特性的第一和第三象限内具有基本相同转换性能的二端晶闸管 2321双向(三极)晶闸管 bidireetionaltriodethyristor;triac -种在主特性的第一和第三象限内具有基本相同转换性能的三端晶闸管 23.22P-门极晶闸管P-gatethyristor -种门极接至紧靠阴极的P区的晶闸管,这种器件通常在门极-阴极间加一正信号,使之进入 通态(见图1) 图1P-门晶闸管示意图 2.3.23N-门极晶闸管N-gatethyristo.t 一种门校接至紧常阳极的N区的晶闹管,这种器件通常在门极-阳板间加一负倍号,使之进入 通态(见图2) 图2N-]极晶闸管示意图
GB/T2900.32-g4 2.324光控晶闸管photothyristor;lightaetivitedthyristor -种以光信号或光电信号触发使之进入通态的晶闸管 2.3.25静电感应晶闸管staticinduetionthyristor(SITH) -种利用空同电荷层厚度随门板反向电压和阳极电压变化的静电感应作用来挖制导电能力 具有两端开通和门极反向电压关断能力的晶闸管 2.3.26金属-氧化物-半导体门极)控制)晶闸管;MOS门控晶闸管metal-oxide-semiconductor gatecontrolthytistor(MCT 一种具有开通和关断两个门极,此两个门极是金属-氧化物-半导体场效应结构的晶闸瞥 2.3.27不对称(三极)晶闸管 uriodethyristor asymmetrical 额定反向电压显著低于额定断态电压的三端晶闸管 注;不对称晶闸管包括不对称反向阻断三极晶闸管和(不对称)门极关断晶闸管 2.3.28单向晶闸管unidireetionalthytistor 只对正的阳极电压转换的晶闸管 注:单向晶闸管包括反向阻断二极(或三极)晶闸管、P-门极晶闸管和N-门极晶闸管等 晶闸瞥分类有按端子数、电压-电流特性第三象限功能、控制的物理类别、门极控制能力和控制层类别 等原则,本术语按第三象限功能分类原则而来 2.3.29晶体管 tranSistor --种能提供功率放大并具有三个或三个以上端子的半导体器件 注;主要用于功率变换,电流一般在20A以上的晶体管通常称为巨型晶体瞥(GTR 2.3.30结型晶体管junctiontransisto: -种具有一个基区和两个或更多结的晶体管 注:结型晶体管的工作取决于注入基区的少数载流子 2.3.31双极结型晶体管bipolarjunetiontransistor 一种至少有两个结,功能既取决于少数载流子又取决于多数载流子的晶体管 2.3.32单极型晶体管unipolartransistoe -种电流流动机理主要取决于多数载流子的晶体管 2.3.33双向晶体管bidirectionaltransistot 把通常指定为发射极(或源极)和集电极(或漏极)互换,而具有基本相同特性的一种双极结型 晶体管 场效应晶体管feldefettransistor 2.3.34 -种由栅极端和源极端之间施加电压产生的电场来控制通过导电沟道的电流的晶体管 2335静电感应晶体管 staticinductiontransistor(SIT -种利用空间电荷层厚度随栅极反向电压和收集极-发射极电压变化的静电感应作用来控制 导电能力,具有两端开通和栅极反向电压关断能力的晶体管 transistor(IGBT 2.336绝缘栅双极晶体管insulated- ebipolas dt-gate -种控制电极是场效应栅极,主电流路径的主要部分是双极基区因而具有较低串联内阻的晶 体管 in 2.3.37绝缘栅场效应双极晶体管 nsulated-gatefield-efeettransistor or(IGFET 一种具有一个或多个与沟道电绝缘的栅极的场效应晶体管 2.338金属-氧化物-半导体场效应晶体管;MOS场效应晶体管metal-oxide-semiconductorfield-ef fecttransist tor(MOSFET 每个栅极和沟道之间的绝缘层是氧化物材料的一种绝缘栅场效应晶体管 2339瞬态过电压抑制器transientovervoltagesuppresor
GB/T2900.32-94 一种利用阻断电流-电压特性的陡度区来限制瞬态过电压的半导体器件 2.3.40光电导管photocondetivecel 利用光电导效应的器件 2.3.41光(生伏打)电池photovoltaiccell 利用光生伏打效应的器件 232(半导体)模块 semiconductormodule 由两个或多个半导体分立器件管芯(芯片)和可能带有的其他元器件相连接,并通常用绝缘材 料作为外亮封装和具有一定电路功能的整体单元 semiconductorassemble 2.3.43半导体)组件 由两个或多个半导体分立器件的端子、散热体和可能带有的其它元器件相连接,并组装成具有 一定电路功能的单元 注，模块一般不可拆卸,组件应可拆卸,拆卸后各分立器件应具有组装前的规定性能 2.4附件及结构 2.4.1散热器(电力半导体器件用heatsink(orpowersemiconductordevice) 由散热体、导电端子、紧固件及绝缘件(若有)等组成的,对电力半导体器件有散热功能的一套机 械结构 2.4.2散热体radiator 由基板(或连有基肋)和叶柱,或带有导电排构成的,对散热器的散热功能起主要作用的导热体 2.43管壳(电力半导体器件用case(forpowersemiconduetordevice)1package(forpowersemi conductordevice 通过端子或散热器与电路连接并用来保护管芯不受影响的器件外表部分 瞥壳按外形和安装方式分为螺栓形,平底形、平板形(圆盘形)等多种 螺栓形管壳由管帽和瞥 座(底座)组成 2.4.4管座(管壳的);底座(管壳的base(ofacase' 安装管芯的管壳那部分 2.4.5管帽(管壳的cap(ofacase 密封在管座上用以防止管芯不受环境影响的管壳那部分 2.4.6(半导体)片wafer(ofasemiconductor 能制作一个或若干个器件(芯片)的半导体材料薄片或扁平圆片 2.4.7芯片ehip;die 具有一个或多个PN结的半导体片 2.4.8管芯(半导体器件的die(ofsemiconduetordevice) 包括有芯片及其上下导电材料,不包括管壳的半导体器件那部分 2.4.9螺栓形结构studmountedconstruetion 系指器件管壳为螺栓形的外部结构,如器件带散热器,系指器件与散热器以螺钉对螺孔相接触 的组装配合结构 2.4.10平底形结构latbaseconstruction 系指器件管壳为平底形的外部结构,如器件带散热器,系指器件与散热器以单面式平面接触的 组装配合结构 2.4.11平板形(圆盘形)结构discconstrueton 系指器件管壳为平板<圆盘)形的外部结构,如器件带散热器,系指器件与散热器以双面式平面 对平面相接触的组装配合结构.
GB/T2900.32一94 整流二极管 3.1一般术语 3.1.1正向forwarddirection 连续(直流)电流沿整流管低阻流通的方向 3.1.2反向reversedirection 连续(直流)电流沿整流管高阻流动的方向 3.13阳极端子(整流管的或整流堆的anodeterminal(ofasemiconduectorrectifierdiodeoreeti fierstack 正向电流由外部电路流入的端子 3.1.4阴极端子(整流管的或整流堆的cathodeterminal(ofasemiconductorreetifierdiodeorrec tifierstack 正向电流向外部电路流出的端子 3.15整流堆臂 rectifierstackarm 以电路两个端子为界、具有基本上只在一个方向传导电流特性的那部分整流堆 注:整流堆臂包括一个或数个串联、并联或串并联的整流二极管,并作为一个整体运行,即整流堆臂可以是整 流堆的一部分或全部 3.2额定值和特性 3.2.1正向电压(整流管的forward olege(of 就emiconduectorretiferdiode) 由正向电流流通在两端子间降落的电压 3.22正向(峰值)电压peaktorwardvolage 整流管通以不倍或规定倍数额定正向平均电流值时的瞬态峰值电压 3.2.3反向电压(整流管的reversevoltage(ofasemiconductorreetifierdiode 沿整流管高阻方向施加的电压 3.2.4反向连续(直流)电压(整流管的continuous(directreversevoltage)(ofasemiconduector rectifierdiode 加在整流管上的恒值反向电压 3.2.5反向工作峰值电压(整流管的erest(peak)workingreversevoltage(ofasemiconduetorrec tifierdiode 整流管或整流堆两端出现的最大瞬时值反向电压,但不包括所有的重复和不重复瞬态电压 3.2.6反向重复峰值电压(整流管的repetitvepeakreversevolage(ofasemicondetorrectifier diode 整流管或整流堆两端出我的重复最大瞬时值反向电压,包括所有的重复瞬态电压,但不包括所 有的不重复瞬态电压 327反向不重复蜂值电压(整流臂的》 non-repetitivepeakreversevolta (ofasemniconductor tage rectifierdiode 整流管或整流堆两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压 迷，重复电压通常是电路的函数,并使器件耗散功事增加,不重复瞬态电压通常由外因引起,井假定其影响在 第二次不重复瞬态电压来临之前已完全消失 32.8击穿电压(半导体器件的breakadown volege (ofasemiconductordevice 通过结的反向电流大于规定值时的反向电压 3.2.9正向电流forwardcurrent 沿整流管低阻方向流通的电流
GB/T2900.32一94 3.2.10正向平均电流meanforwardcurrent 正向电流在一个周期内的平均值 wardcurrent vepeakfor 3.2.11正向重复峰值电流repetitiv 包括所有重复瞬态电流的正向峰值电流 注:正向峰值电流与正向平均电流有一个系数关系,此系数由电路和电源电压波形决定 3.2.12正向过载电流overloadforwardcurrent -种持续工作将使结温超过额定值,而通过限制持续时间使结温不超过额定值的正向电流 注，根据应用需要,器件可频繁承受此过载电流,但同时应承受正常工作电压 3.2.13正向浪涌电流surgeforwardcurrent -种由于电路异常情况(如故障)引起的,并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电 流 注，浪涌电流,在器件寿命期内应限制出现的次数 3.2.14'值(整流管的2tvalueofasemiconductorrectifierdiode) 正向浪涌电流的平方在电流浪涌持续时间内的积分 reversecurrent(ofasemiconductorreetifierdiode 3.2.15反向电流(整流管的 在负阳极电压下的电流 3.2.16反向重复峰值电流(整流管的repetitivepeakreversecurrentofasemiconductorreetifier diode 整流管加上反向重复峰值电压时的峰值电流 rectifierdiode 3217反向恢复电流(整流管的reverserecoverycurent(ofasemiconduetor 在反向恢复期间产生的反向电流部分 3218恢复电荷(整流管的recoveredcharge(ofasemiconduetorrectifierdiode) 整流管从规定的正向电流条件向规定的反向条件转换期间,所存在的全部电荷 ;恢复电荷包括贮存的载流子和耗尽层电容两部分电荷 3.2.19总耗散功率totalpower dsipation 在规定条件下由正向和反向电流产生的耗散功率之和 3.2.20正向耗散功率forwardpowerdissipation 正向电流产生的耗散功率 3.2.21正向平均耗散功率meanforwardpowerdissipation 瞬时正向电压与瞬时正向电流的乘积在一个周期内的平均值 32.22反向耗散功率reversepowerdissipation 反向电流产生的耗散功率 3.2.23反向浪涌耗散功率(雪崩和可控雪崩整流管的 disipation(f surgereversepower avalaneheandcontrolledavalanehereetifierdiodes) 在反向工作时,由浪涌发生而在整流管中引起的耗散功率 turn-onpowerdissipationofasemiconductorrectifierdiode) 3.2.24开通耗散功率(整流管的 当整流管从反向向正向转换时,在反向电压和正向电流变化期间,整流管内的耗散功率 32.25关断耗散功率(整流管的》 turn-ofpowerdissipation(oasemiconductorrectifierdiode 当整流管从正向向反向转换时,在正向电流和反向电压变化期间,整流管内的耗散功率 -curentcharaeteristic(v-1eharacteristie 3226伏安特性(Vy1特性》volager 包括正向和反向的电压-电流特性,通常用曲线表示 3.2.27正向特性forwardcharacteristic 表示正向蜂值电压与正向峰值电流的函数关系曲线
GB/T2900.32一94 3.2.28正向特性近似直线straightlineapproximationoftheforwardcharaeteristie 正向特性曲线上两规定点相连的直线,此直线用以近似表示正向电压-电流特性 3.2.29正向)门槛电压forwardthresholdvolta aage 由正向特性近似直线与电压轴的交点确定的正向电压值 3-230正向斜率电阻forwardsloperesistance 由正向特性近似直线的斜率确定的电阻值 reverserecoverytime(ofasemiconductorrectifierdiode 32.31反向恢复时间(整流管的 当从正向向反向特换时,从电流过零瞬间起,到反向电道从峰值m.减小到某一规定傲(如图3 所示)或到反向电流外推的零点(如图4所示)止的时间间隔 注所谓外推是由两规定点A.B连线延长与时间轴的交点(见图). 图;测试向恢划的电流波形 图4测试反向恢复时间的电流波形 3.232正向恢复时间forward recoverytime 从零或从规定的反向电压向规定的正向偏置条件瞬时转换以后,电流或电压恢复到规定值所 需的时间 3.2.33正向恢复电压forwardrecoveryvoltage 从零或从规定的反向电压向规定的正向电流瞬时转换以后,在正向恢复时间期间出现的变化 电压 10
GB/T2900.32-94 晶体管 4.1 -般术语 基极端baseterminal 连至基区的外部有效连接点 4.1.2集电极端colleetorterminal 连至集电区的外部有效连接点 4.1.3发射极端emitterterminal 连至发射区的外部有效连接点 发射结emiterjunetion 4.1.4 通常是正向偏置的位于基区和发射区之间的结,多数载流子通过这个结变成少数载流子 41.5集电结 collectorjunction 通常是反向偏置的位于基区和集电区之间的结,少数载流子通过这个结变成多数载流子 4.1.6基区 base regiIon 发射结和集电结之间的区域 region 4.1.7发射区emitter 发射结和发射极之间的区域 41.8集电区colleetorregion 集电结和集电极之间的区域 oield-effecttransistor 4.1.9栅区(场效应晶体管的gate 栅极控制电压产生的电场起作用的区域 source(offield-effecttransistor 4.1.10源区(场效应晶体管的 多数载流子流入沟道的起始区域 drain(offield-efecttransistor 4.1.11漏区(场效应晶体管的 多数载流子从沟道流入的区域 4.1.12共基极(配置 commonbasearrangement 基极端对输入电路、输出电路共用,输入端为发射极端输出端为集电极端的双极结型晶体管 的一种电路配置 commoncollectorarre 4.1.13共集电极(配置 angement 集电极端对输入电路、输出电路共用,输入端为基极端,输出端为发射极端的双极结型晶体管 的一种电路配置 4.1.14共发射极(配置 commonemitter(arrangement) 发射极端对输入电路、输出电路共用,箱入端为基极端,输出端为集电极端的双极结型晶体管 的一种电路配置 42额定值和特性 42.1集电极-发射极饱和电压colector-emittersaturationvolage 在规定的基极电流和由外电路限定的集电极电流条件下,集电极和发射极两端之间的剩余电 压 4.2.2基极-发射极饱和电压base-emittersaturationvoltage 晶体管在饱和区和规定的基极电流、集电极电流条件下,基极和发射极两端之间的电压 42.3静态正向电流传比staticforwardceurrenttransferratio 输出电压保持不变时的直流输出电流对直流输入电流之比 4.2.4集电极-基极截止电流collector-basecut-offcurrent 1
GB/T2900.32-94 在发射极断路(=0)和规定的集电极-基极电压条件下,流过集电极-基极结的反向电流 t-offcurrent 4.2.5发射极-基极截止电流emitter-base cut 在集电极断路(c=0)和规定的发射极-基极电压条件下,流过发射极-基极结的反向电流 4.2.6集电极-发射极截止电流collector-emittercut-of current 和规定的集电极发射被电压条件下,流过集电极-发射做前的反问电流 在基极断路(I一 4.2.7发射极-基极反向电压emitter-basereverse volege 集电极断路(lc=0)时的发射极和基极两端之间的反向电压 4.2.8延迟时间(开关晶体管的delaytime(ofaswitehingtransistor 晶体管在由不导通态向导通态转换期间,输入端外加脉冲一初始值和载流子产生的输出端脉冲 一初始值之间的时间间隔 注，两初始值分别对应输入脉冲幅值的10%和输出脉冲幅值的10%(见图5). 0%6 W"% 编入林冲 0% 国% -制% 输出脉冲 10% I0% 图5开关晶体管的脉冲特性示意图 -延迟时间;t,一上升时间;t,--贮存时间;t一下降时间 4.2.9上升时间(开关晶体管的 risetimeofaswitchingtransistor) 晶体管在由不导通态向导通态转换期间,输出端的脉冲幅度分别达到规定的下限和上限两瞬间 之间的时间间隔 注:下限和上限通常分别为输出脉冲幅值的10%和90%见图5). 4.2.10载流子贮存时间(开关晶体管的carrierstoragetirme(ofaswitchingtransistor) 从施加到晶体管输入端的脉冲开始下降起,至载流子在输出端产生的脉冲开始下降止的时间 间隔 注，两开始下降点通常分别是输入脉冲幅值的90%和输出脉冲幅值的90%(见图5). 4211下降时间(开关晶体管的》 falltime(ofaswitchingtransistor 晶体管在由导通态向不导通态转换期间,输出端的脉冲幅度分别达到规定的下限和上限两瞬 间之间的时间间隔 注，上限和下限通常分别为输出脉冲幅值的90%和10%(见图5). 晶闸管 注，带星号(*)的术语不适用双向晶闸管 5.1 -般术语 12
GB/T2900.32一94 mainterminals 5.1.1主端子 通过主电流的两个端子 5.1.2阳极端子anodeterminal 正向电流由外部电路流入的端子 5.1.3阴极端子cathodeterminal 正向电流向外部电路流出的端子 mainterminal1(ofabi-directionalthyristor 51.4主端子1(T)(双向晶闸管的 用T标称的主端子,对于双向三极晶闸管、T,端子靠近门极,并与门极端子组成门极电流回路 见图6). T0 图6双向晶闸管符号 注;r,端子的位置相当于P门极反向阻断三极晶闸管的阴极端子 5.1.5主端子2(T)双向晶闸管的mainternminal2(ofabidireetionalthyristor 用r,标称的主端子,对于双向三极晶闸管、T,端子较T,端子远离门极(见图6). 注:T端子的位置相当于P门极反向阻断三极晶闸管的阳极端子 5.1.6门极端子gateterminal 只流出或流进控制电流(通常称之为门极电流)的端子 5.1.7主电压prineipalvoltage 主端子之间的电压(电位差) 注;如为反向阻断或逆导晶闸管,当阳极电位高于阴极电位时,则以主电压为正,当阳极电位低于阴极电位时 则以主电压为负 如为双向晶闸瞥,则必须规定与主端子1,2有关的主电压极性 5.1.8主电流prineipalcurrent 通过阳极、阴极或端子T,T的电流 5.19阳极(阴极)电压 anode(cathode)voltage 阳极端子对阴极端子之间的电压(电位差 迷，当阳极电位高于阴极电位时,则以阳极电压为正,当阳极电位低于阴极电位时,则以阳极电压为负 5.1.10主(电压-电流>特性 prinecipal(voltage-currentcharacteristic 以门极电流(如有>为参数的主电压与主电流之函数关系，一般用图示法表示(对双向晶闸管 见图7) 13
GB/T2900.32一94 消象刚 第象限 酒态 负微分电AK区 转折点 断态 第四象限 第三象限 图7双向二极和三极晶闸管的主(电压-电流)特性 曲线A适用于零值门极电流的双向三极晶闸管或双向二极晶闸管;曲线B适用于门极电流大于零 的双向三极晶闸管 5.1.11阳极(电压-电流)特性(单向晶闸管的) charaeteristic(ofaunidi anode(oltagecurent) reetionalthyristor 以门极电流(如有)为参数的阳极电压与阳极电流之函数关系,，-般用图示法表示(见图8) -象N 第._.象刚 染 通态 负微分电阻区 转折点 反向阻断状态 反向穿区 -反向导酒 第四象 第三象限 图8单问二极和二骰晶闸管的阳嵌(电压-电流)特性 第一象限;曲线A适用于零值门极电流的情况 曲线B适用于门极电流大于零的情况 第三象限;曲线a适用于反向阻断晶闸管 曲线b适用于不对称晶闸管 曲线c适用于逆导晶闸管 5.1.12通态on-state 14
GB/T2900.32一94 对应于晶闸管主特性之低电阻,低电压部分的状态 注，如为逆导晶闸管,这一定义只适用于正阳极电压 5.1.13断态offstate 对应于晶闸管主特性之原点与转折点之间高电阻小电流的状态 5.1.14反向阻断状态reversebloekingstate 对应于反向阻断晶闸管阳极特性中反向电压小于反向击穿电压的状态 negativedifferentialresistanceregion 5115负(微分电阻区 主特性中微分电阻为负的区域 5.1.16转折点 breakoverpoint 主特性曲线微分电阻为零,且主电压到达最大值的任何点 5.1.17转折电压breakovervoltage 对应于转折点的主电压 5.1.18转折电流breakovereurrent 对应于转折点的主电流 5.2额定值和特性 正向电压(晶闸管的)forwardvolage(fathyristor) 5.2.1 正的阳极电压 on-statevolta 5.2.2通态电压 age 晶闸管处于通态时的主电压 523通态(峰值)电压peakou n-statevoltas age 晶闸管通以其倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值电压 5.2.4断态电压off-statevote age 晶闸管处于断态时的主电压 5.2.5断态连续(直流)电压continuous(direct)off-statevolta age 晶闸管处于断态时承受的恒值主电压 crest(peak)workingofstatevoltage 5.2.6断态工作峰值电压 晶闸管两端出现的最大瞬时值断态电压，但不包括所有的重复和不重复态电压 5.2.7断态重复峰值电压repetitvepekofstatevolte tage 晶闸管两端出现的重复最大瞬时值断态电压,包括所有的重复瞬态电压,但不包括所有的不重 复瞬态电压(见3.2.7注). off-state olage 5.2.8断态不重复峰值电压 non-repetitive peak 晶闸臂两端出现的不重复最大瞬时值的瞬变断态电压见3.2.7注). reversevoltage(ofathyristor 5.2.9反向电压(晶闸管的)" 阳极对阴极为负值的电压 52.10反向连续(直流)电压(晶闸管的)" ontinuousdireetreversevotage(ofathyis stor 晶闸管处于反向阻断状态时承受的恒值主电压 5.2.11反向工作峰值电压(晶闸管的 Geak)workinxreerevolege(athyrtisop) crest 反向阻断晶闸瞥两端出现的最大瞬时值反向电压,但不包括所有的重复和不重复瞬态电压 volrage(ofathsyristor) 52.12反向重复峰值电压(晶闸管的)repettvepeak reverSe 反向阻断晶闸管两端出现的最大瞬时值反向电压,包括所有的重复瞬态电压,但不包括所有的 不重复瞬态电压(见3.2.7注). ettve 5.2.13反向不重复峰值电压(晶闸管的 epeakreversevoltage(ofathyristor) non-repet 反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压(见3.2.7注). 15
2900.32- GB/T -94 5.2.14反向击穿电压reversebreakdownvotage 反向阻断晶闸管的反向电流大于规定值时的反向电压 5.2.15门极电压gatevoltage 门极端子与规定主端子之间的电压 5.2.16门极正向电压forwardgatevoltage 在P-门极晶闸管中为正的门极-阴极电压;在N-门极晶闸管中为负的门极-阳极电压 5.2.17门极正向峰值电压" peakforwardgatevoltage 门极正向电压的最大瞬时值,包括所有的门极正向瞬态电压 5.2.18门极反向电压reversegatevoltage 在P-门极晶闹管中为负的门极-阴校电压;在N-门股晶闹管中为正的门极-阳极电压 5.2.19门极反向峰值电压 gatevoleage peakreverse 门极反向电压的最大瞬时值,包括所有的门极反向瞬态电压 5.220门极触发电压getetrig8ervoege 产生门极触发电流所需的门极电压 5.221门极不触发电压 gatenon-tregervoltage 不致使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压 5.222门极关断电压gateturn-ofvolage 产生门极关断电流所需要的门极电压 注:不是所有晶间瞥都能用门极关断 5.2.23通态电流on-statecurrent 晶闸管处于通态时的主电流 5.2.24维持电流holdingcurent 使晶闸瞥维持通态所必须的最小主电流 5.2.25擎住电流latehingceurrent 晶闸臂刚从断态转入通态,并移除触发信号之后,能维持通态所需的最小主电演 注;擎住电流值与工作条件有关 continuousdirect 5.2.26通态直流电流 on-statecurrent 不随时间变化或随时间变化很小以致可以忽略的通态电流 5.2.27通态平均电流meanon-statecurrent 通态电流在一个整周期内的平均值 5.2.28通态方均根电流R.M. s. on-statecurrent 通态电流在一个整周期内的方均根值 5.2.29通态重复峰值电流repetitivepeakon-statecurrent 包括所有重复瞬态电流的通态峰值电流 5.2.30通态过载电流 overloadon-statecurrent -种持绩工作将使结温超过额定值,而通过限制持续时间使结温不超过额定值的通态过载电 流 注，根据应用要求,器件可频繁承受此过载电流,但同时应承受正常工作电压 5231通态浪涌电流 surgeon-statecurrent 一种由于电路异常情况(如故障)引起的,并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电 流 5.232P值(晶闸管的Fvalue(ofathyristor) 通态浪涌电流的平方在电流浪涌持续时间内的积分 16
GB/T2900.32-g4 5.2.33断态电流of-statecurrent 晶闸管处于断态时的主电流 5.2.34断态重复峰值电流repetitivepeakoff-statecurrent 晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流 5.235反向电流(晶闸管的 reversecurrentofathyristor) 在负阳极电压下的主电流 5.2.36反向阻断电流 reverseblockingcurrent 反向阻断晶闸管处于反向阻断状态时的反向电流 5.2.37反向重复峰值电流(晶闸管的)repetitivepeakreversecurrent(ofathyristor 晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流 controlcurrent 5.2.38门极电流gatecur rent;控制电流 对主电流起控制作用,并流经门极端子的电流 5.2.39门极正向电流"forward gatecurrent 对应于门极正向电压的门极电流 5.240门极正向峰值电流”peakforwardgatecurent 包括所有门极正向瞬态电流的最大瞬时值门极正向电流 5.2.41门极反向电流"reversegatecurrent 对应于门极反向电压的门极电流 5.2.42门极触发电流gatetriggercurent 使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电流 5.2.43门极不触发电流gatenon-triggercurent 不致使晶闸管从断态转入通态的最大门极电流 5.2.44门极关断电流gateturn-offcurrent 使晶闸管由通态转入断态所必需的最小门极电流 注;不是所有晶闸管都能用门极关断 5.245断态电压临界上升率eritiealraeofnisefof-satevoltage 在规定条件下,不导致从斯态到通态转换的最大主电压上升奉 5.2.46通态电流临界上升率eriticalrateofriseofon-statecurrent 在规定条件下,晶闸臂能承受而无有害影响的最大通态电流上升率 5.2.47(门极控制)开通时间gatecontroledturn-ontime 用门极触发脉冲使晶闸管从断态转入通态所需要的时间间隔 注，这一时间间隔,一般由门极脉冲前沿的规定点起,到主电压从初始值降至规定值止,开通时间为延迟时间 与上升时间之和,图9是通常采用的示例 17
2900.32一94 GB/T O %V %li b 图9晶闸管的开通特性 vaw-门极睡值电压,v-断态蟀值电压l-(门极控制)开通时间d-(们门极控制)延迟时间， -(门极控制)上升时间;曲线(a)引起开通的门极脉冲;曲线(6)主电压波形 5.2.48(门极控制)延迟时间gatecontrolleddekaytime 在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中,从门极脉冲前沿的规定点起,到主电压下降 到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔 rolledrisetime 5.2.49(门极控制上升时间gatecontr 在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中,从主电压初始值附近的规定值起,到主电压 降至某一规定值止的时间间隔 gatecontroledturn-offtime(of 5.2.50门极控制关断时间(门极关断晶闸管的 gateturn-off thyristor 当用门极脉冲使晶闸管从通态转入断态时,从施加规定波形的反向门极电流脉冲某一规定点 起,到主电流降至某一规定值l.时间间隔 门极控制关断时间为贮存时间与下降时间自之和 诧不是所有的晶闸管都能用门极关断 图10是道常采用的示例 18
GB/T2900.32一94 I0la lm b lw%lm 图1o门极关断晶闸管的关断特性 laM一门极峰值电流;lM通态蜂值电流一门极控制关断时间， 曲线(a)-引起关断的门极脉冲;曲线(6)一主电流波形 5.2.51(电路换向)关断时间eireuitcommutatedturn-offtime;电路换向恢复时间eireuitcommu- tatedrecoverytime 外部使主电路转换动作后,从主电流下降至零值瞬间起,到晶闸管能承受规定的断态电压而不 致过零开通止的时间间隔 5.2.52反向恢复时间(反向阻断晶闸管的reverserecoverytime(ofareverseblockingthyristor) 当从通态向反向阻断态转换时,从电流过零瞬间起,至反向电流从峰值le减小到某一规定值 止(见图3),或至反向电流外推的零点为止(见图4)的时间间隔 注，所谓外推是由两规定点A,B连线延长与时间轴的交点(见图4). 5.253反向恢复电流<晶闸管的) reverserecoverycurrent(ofathyristor 在反向恢复期间产生的反向电流部分 5.254恢复电荷(晶闸管的》 recoveredcharge(ofathyristor 从规定的通态电流条件向规定的反向条件切换后,在规定的积分时间内,晶闸管恢复的总电 荷 迷;恢复电荷包括贮存的载流子和耗尽层电容两部分电荷 52.55换向电压临界上升率(双向晶闸管和逆导晶闸管的eritealrateofriseofcommutatng oltage geofbidireetionalthyristorandreverseconduetingthyristor) 紧接在相反方向通态电流(双向晶闸管)或反向电流(逆导晶闸管)导通后,不引起从断态到通 态转换的最大主电压上升率 5.256换向电流临界下降率(双向晶闸管和逆导晶闸管的eritiealratefaofeommutatingcue rent(ofbidirectionalthyristorandreverseconductingthyristor 当双向晶闸管由一个通态方向或逆导晶闸瞥由反向向相反方向转换时,所允许的最大通态电 流下降率,超过此下降率,晶闸管自动进入通态,即换向失败 5.2.57通态耗散功率on-statepowerdissipation 通态电流产生的耗散功率 5.2.58通态耗散平均功率rmeanon-statepowerdissipationm 瞬时通态电压和瞬时通态电流的乘积在一个整周期内的平均值 5.2.59门极平均功率meangatepower 19
GB/T2900.32-g4 在规定条件下,门极正向所允许的最大平均功率 5.2.60门极峰值功率peakgatepower 在规定条件下,门极正向所允许的门极峰值电流和门极峰值电压乘积的最大值 5.2.61通态特性on-statecharacteristie 表示通态主电压(峰值)与主电流(峰值)的函数关系曲线 5.2.62通态特性近似直线straightlhneapproximationoftheon-statecharacteristic 通态特性曲线上两规定点相连的直线,此直线用以近似表示通态电压特性 5.2.63(通态)门槛电压(on-state)thresholdvoltage 由通态特性近似直线与电压铀的交点确定的通态电压值 5.2.64通态斜率电阻on-statesloperesistance 由通态特性近似直线的斜率确定的电阻值 5.2.65开通耗散功率(晶闸管的turn-onpowerdissipation(ofathyristor 当晶闸管从断态向通态转换时,在断态电压和通态电流变换期间,晶闸管内的耗散功率 5.2.66关断耗散功率(晶闸管的turn-offpowerdissipation(ofathyristor 当晶闸管从通态向断态或向反向阻断态转换时,在通态电流和断态电压或和反向阻断电压变 化期间,晶闸管内的耗散功率 20
GB/T2900.32-g4 汉语索引 断态电压临界上升率 5.2.45 断态工作峰值电压 5.2.6 半导体 断态连续(直流)电压 2.1.l 5.2.5 G半导体)二极管 2.3.3 多数载流子 2.l.21 (半导体)模块 2.3.42 4.6 (半导体)片 2." 半导体器件 额定结温 2.3.l 2.2.7 半导体整流堆 2.3.5 (半导体)整流(二极)管 3.4 2 (半导体)组件 2.3.43 发射极极截止电流 4.2.5 本征半导体 发射极-玉极反向电压 21.2 4.2.7 2.3.27 不对称(三极)晶闸管 发射嵌端 4l.3 发射结 4.l.4 发射区 4.l.7 场效应晶体管 2. 3.34 反向 3.l.2 穿通(在两个PN结之间 2.1.31 反向(PN结的 2.2.5 传导电流 2.1.18 反向不重复烽峰值电压(晶闸管的 2.13 5 2.1.17 传导电子 反向不重复峰值电压(整流管的 3 .2.7 反向重复峰值电流(晶闸管的 5. 3 2. 反向重复峰值电流(整流管的 3.2.16 2.3.32 单极型晶体管 反向重复峰值电压(晶闸管的 52.12 2.3.28 单向晶闸管 反向重复峰值电压(整流管的 3.2.6 2.2.6 等效)结温 反向电流(晶闸管的 35 5.2 2.2.16 3.2.15 等效)热网络 反向电流(整流管的 等效)热网络热容 9 2.2.17 5.2. 反向电压(晶瞥的 等效)热网络热阻 反向电压(整流臂的 2.2.18 3.2.3 2.1.20 5.2.11 电荷)载流子 反向工作峰值电压(晶闸管的 电极(半导体器件的 3.2.5 反向工作峰值电压(整流管的) 电力半导体器件 3.2.22 反向耗散功率 (电路换向)关断时间 反向恢复电流(晶闸管的》 5.2.53 电路换向恢复时间 反向恢复电流(整流管的 3.2.17 电子型半导体 反向恢复时间(反向阻断晶闸管的 2.1.4 5.2.52 端(半导体器件的) 反向恢复时间(整流管的 2. 2 3.2.31 端子(半导体器件的) 反向击穿电压 5.2.14 断态 反向浪诵耗散功率(雪崩和可控雪朋 S" 断态不重复峰值电压 3.2.23 断态重复峰值电流 反向连续(直流)电压(晶闸管的 5.2.34 5.2.10 断态重复峰值电压 反向连续(直流)电压(整流臂的) 3 2. 断态电流 反向阻斯电谎 5.2.33 5.2.36 断态电压 反向阻断二极晶闸管 5.2.4 2.3.13 21
GB/T2900.32一94 反向阻断(三极)晶闸管 2.3.14 反向阻断状态 击穿电压(半导体器件的 3.2.8 2.1.3 非本征半导体 击穿(反向偏置PN结的 2.1.23 2.1.27 非平衡载流子 基极端 3.2.26 4l.1 伏安特性((v-I特性 4.2.2 基极-发射极饱和电压 15 负(微分电)阻区 5. 基区 基准点温度 2.2. 集电极端 高温整流(二极)管 2. 3.11 集电极-发射极饱和电压 4.2. 高压整流堆 集电极-发射极截止电流 2.6 1.14 共发射极(配置 集电极-基极截止电流 4.2.4 13 共集电极(配置 集电结 4.1.5 12 共基极(配置 集电区 2.66 关断耗散功率(晶闸管的 键合结 2.1.12 关断耗散功率(整流管的 25 结 2.1.6 管壳(电力半导体器件用) 结型晶体管 2.3.30 管壳温度 2.2.10 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 2.3.38 瞥帽(管壳的 2.4.5 金属-氧化物-半导体门(极)控(制)晶闸管 管芯(半导体器件的 2. .3.26 2.44 管座(管壳的) 紧固力 2.2.19 40 光电导管 紧固力矩 2.2.19 光电效应 2. 1.32 晶体瞥 2.3.29 光控晶闸管 2.3.24 晶(体)闸流)管 2.3.12 光(生伏打)电池 静电感应晶体管 2.3.35 2.3.41 光(生)伏(打)效应 静电感应晶闸管 2.3.25 2. 33 过剩载流子 静态正向电流传输比 .2.3 4 23 2.3.37 绝缘栅场效应双极晶体管 绝缘栅双极晶体管 2.3.36 2.l.26 耗尽层 合金结 . 2 l. 开通耗散功率(晶闸管的 5.2.65 缓变结 2l.14 开通耗散功率(整流管的 3.2.24 换向电流临界下降率(双向晶闸管和逆 3. 9 可控雪崩整流(二极)管 2 导晶闸管的) 5.2.56 空间电荷区(半导体的 2.1.25 换向电压临界上升率(双向晶闸管和逆 空穴 2.1.19 导晶闸管的) 5.2.55 空穴型半导体 2.1.5 恢复电荷(晶闸管的) 5.2.54 控制电流 5.2.38 3.2.18 恢复电荷(整流管的 快速(三极)晶闸管 3. 2. 16 快速整流(二极)管 .3.10 p 扩散绪 3. 9 l. I-型半导体 2.1.2 '值(晶闸管的 5.2.32 P值(整流管的 漏区(场效应晶体管的 3.214 4.1.11 22
GB/T2900.32-g4 螺栓形结构 PN结 24.9 2.1.7 平板形(盘形)结构 2.4.l1 平底形结构 2.4.10 MOs场效应晶体管 2.3.38 普通三极)晶闸管 2.3.15 MOS门控晶闸管 2.3.26 普通)整流(二极)管 2.3.7 门极不触发电流 5.2.43 门极不触发电压 5.2.21 门极触发电流 .2.42 擎住电流 5 5.2.25 门极触发电压 5.2.20 门极电流 5.2.38 门极电压 5.2.15 热击穿(半导体PN结的 2.I.30 门极端子 热降额因数 5.l.6 2.2.9 门极反向电流 热容(半导体器件的 2.2.15 5.2.41 门极反向电压 热阻 5.2.18 2.2.12 5.2.19 门极反向峰值电压 5.2.6 门极峰值功率 5.2.44 门极关断电流 散热器(电力半导体器件用 24.l 门极关断电压 5 散热体 2.4.2 门极关断晶闸管(GTO晶闸管 栅区(场效应晶体管的) 4.l.9 门极控制关断时间<门极关断晶闸管的 上升时间(开关晶体管的 4.2.9 少数载流子 5.2.50 21.22 门极控制)开通时间 生长结 22 1.10 双极结型晶体管 门极控制)上升时间 2.3.31 5.2.49 门极控制)延迟时间 双向二极晶判管 5.2.48 2.3.20 门极平均功率 双向晶体管 2.3.33 5.2.59 门]极正向电流 双向(三极)晶闸管 5.2.39 2.3.21 门极正向电压 瞬态沾电压抑制器 16 5.2 2.3.39 瞬态热阻抗 门极正向峰值电流 5.2 40 2.2.13 门极正向峰值电压 脉冲条件下的热阻抗 体寿命(少数载流子的 2.l.2! 通态 5.l.12 N型半导体 通态重复峰值电流 2.1.4 5.2.29 N-门极晶闸管 2.3.23 通态电流 5. 2.23 通态电流临界上升率 逆导二极晶闸管 2 .3.18 . 2.46 2.3.1g 逆导(三极)晶闸管 通态电压 5. 2.2 通态方均根电流 5.2.28 通态(蜂值)电压 5 2 欧姆接触 2.1.15 通态过载电流 5.2.30 通态耗散功率 5.2.57 通态耗散平均功率 5.2.58 P型半导体 通态浪涌电流 2. 1.5 5.2.31 P-门极晶闸管 2.3.22 通态)门槛电压 5.2.63 23
2900.32-g4 GB/T 通态平均电流 5.2.27 载流子贮存时间(开关晶体管的 4.2.10 通态特性 5.2.61 整流堆臂 3. 1.5 通态特性近似直线 5.2.62 正向 通态斜率电阻 5.2.64 正向(PN结的 2. 2. 通态直流电流 5.2.26 正向重复峰值电流 3. 2. 突变结 2.1.13 正向电流 .2.9 正向电压(晶闸管的 5.2. 正向电压(整流管的 3. 2. 正向(峰值)电压 外延结 2.1.11 3. 2.2 维持电流 5.2.24 正向过载电流 3.2.12 正向耗散功率 3. 2. 20 正向恢复电压 3. 2. 33 下降时间(开关晶体管的 4.2.11 正向恢复时间 3. 2. 32 芯片 2.4.7 正向浪涌电流 3. 2. 13 雪崩电压 2. .1.29 正向门槛电压 3. 2. 29 雪崩击穿(半导体PN结的 正向平均电流 2. .1.28 3. 2. 10 雪崩整流(二极)管 2.3.8 正向平均托散功率 3 2. 21 正向特性 3.2. 2 正向特性近似直线 3.2.28 延迟时间(开关晶体管的) 正向斜率电阻 4.2.8 3.2.30 阳极(电压-电流)特性(单向晶闸管的 主电流 5.1 .8 主电压 5.1.1l 5.1.7 阳极端子 主(电压-电流)特性 5.1.2 5.1.10 阳极端子(整流管的或整流堆的 主|子 3.1.3 5.1.1 阳极(-阴极)电压 主端子1(T,)(双向晶闸管的 51.9 5.1. 阴极端子 主端子2(T.)(双向晶闸管的 5.1.3 5.1.5 阴极端子整流管的或整流堆的) 贮存温度 3.l 4 2.2.8 源区(场效应晶体管的 转折点 110 5.l.16 转折电流 5.l.18 转折电压 5.l.17 杂质 总耗散功率 2.l1.16 3.2.19 24
GB/T2900.32?94 ? 2.1.13 abruptjunction 2.1.8 alloyedjunction 5. 1 .9 anode(cathodevoltage 5. 1. 2 anodeterminal anodeterminaloasemiconductorrectifierdiodeorrectifierstack 3.1.3 5.1.11 -currentcharacteristic(ofaunidirectionalthyristor anode(voltage- 22 3.27 ymmetricaltriodethyristor 2. 1.28 avalanchebreakdown(ofasemiconducturPNjunction 2. 3.8 avalancherectifierdiode 1 29 2. avalanchevoltage base(ofacase 2.4.4 4.1.6 baseregion 4.l.1 baseterminal 2 mittersaturationvoltage 4.2. bidirectionaldiodethyristor 2.3.20 2 .3.33 bidirectionaltransistor .3.21 2. bidirectionaltriodethyristor 2. 3. .31 bipolarjunctiontransistor 2.1.12 bondingjunction 2.1.27 breakkdown(ofareversebiasedPNjunction 3.2.8 breakdownvoltage(ofasemiconductordevice) 5.l.18 breakovercurrent 5.1.16 breakoverpoint 5.1.17 breakkovervoltage bulklHifetime(ofrminoritycarrier) 2.1.24 cap(ofacase) 2.4.5 4.2.10 carrierstoragetime(ofaswitchingtransistor 2 4.3 caseforpowersemiconductordevice casetemperature 2.2.10 5.1.3 cathodeterminal cathodeterminal(ofasemiconductorrectifierdiodeorrectifierstack 3.1.4 (chargecarrier 2.1.20 chip 2.4.7 5.2.51 circuitcommutatedrecoverytime circuitcommutatedturn-offtime 5.2.51 25
GB/T2900.32?94 collector-basecut-offcurrent 4.2. collector-emittercut-offcurrent 4.2.6 collector-emittersaturationvoltage 4.2. collectorjunction 5 PTT egiOn ase statevoltage 26 11O11C Pn direct On-statecur (direct asemiconductorrectifierdiode reverSevOltage inuousdirect thyristor reverSevoltage 38 ContrOlcurrent controlledavalancherectifierdiode crest(peakworking -StateVoltage 2 crcstpeakworkingreverse semiconductorrectifierdiode 2. crest(peakworkingreverse criticalrateofallofcomm bidireetional thyrIStorandreverSeconductingthyristor 2.56 criticalrateofriseofcomnutatingvoltage thyristorandreverseconductingthyristor 5.2.55 criticalrateofriseofof[-statevoltage 5.2.45 critiealrateofriseofon-statecurrent 5.2.46 delaytime(ofaswitchingtransistor 4.2. 8 depletionayer 2.1.26 diac 2.3.20 2 die semicnductordevice 2 die diffusedjunction 2. . discconstruction drainoffield-effeettransistor 4.1.11 electrode(ofasemiconductordevice 2.2.3 electronsemiconductor 2.1 enmitter-basecut-ofcurrent 2 4. 5 emitter-basereversevoltage 4.2. emitterjunction 4 4.1. 26
GB/T2900.32-g4 4.1.7 emitterregion emitterterminal 4.l.3 22 1.1l epitaxyjunetion 2.2.16 eouivalentthermalnetwork 2.2.17 equivalentthermalnetworkcapacitance 2.2.18 cquivalentthermalnetworkresistance 2.1.23 excesscarrier 2.1.3 extrinsicsemiconductor alltieofaswitchingtransistor 4 -2.1l astrecoveryrectifierdiode 2.3.10 2.3.16 fastswitchingtriodethyristor fieldeffecttransistor 2.3.34 2.4.10 baseconstruction 3.2.2? iorwardcharacteristic curren 2.9 ? 1.1 direction 3. PN 2 direction unction .24 IOO 5.2.39 gatecurrent 5.2 16 forwardgatevoltage powerdissipation 3.2.20 3. 2.32 recoverytime for 3. 2. 33 M recoveryvoltage 2.30 3. IO wardsloperesistance 3.2.29 forwardthresholdvoltage forward ofasemiconductorrectifierdiode voltage 2.1 3. forward 5.2.1 olage ofathyristor) 5.2.48 gatecontrolleddelaytime 5.2.49 gatecontrolledrisetime gateturn-ofthyristor gatecontrolledturn-offtime 5 2.50 2.38 55 gatecurrent gatecontroledturn-ontime 5. ? 47 5 2 gatenon-trigger 43 5.2.21 gatenon-triggervoltage field-effect gate 5.16 gateterminal 5.2.42 gatetrlIggercurrent gatetriggervoltage 5.2.20 gateturn-offcurrent 5.2.44 gateturn-offthyristor(GTOthyristor 2.3.17 27
GB/T2900.32?94 offvolege 5.2.22 gateturn 5.2.15 gatevoltage" 2.1.10 grownjunetion H 2.4.1 semiconductordevice heatsink(orpower 2.3.11 hightemperaturerectifierdiode 2. highvoltagerectifierstack 3.6 holdingcurrent 5.2.24 2.1.19 hole holesemiconductor 2.1.5 2.1.16 impuriiy IGBT 2 3.36 insulatedgatebipolartransistor nsulated-gatefield-etffeettransistor(IGFET) 2.3.37 intrinsicsemiconductor 2.1.2 1'tvalue(ofasemiconductorrectifierdiode 3.2.14 ?value(ofathyristor 5.2.32 I-typeserniconductor 2.1.2 2.1.6 junction junctiontransistor 2.3.30 latchingcurrent 5.2.25 activitedthyristor 2.3.24 ight M mainterminal1(ofabi-direct 5.1.4 etonaltlyristoe mainterminal2(ofabi-directionalthyristor) 5.1.5 rmainterminals 5.l.1 2.1.21 majOrItycarrIer rmeanforwardcurrent 3.2.10 dissipation 3.2.21 fOrward 5.2.59 gate 5.2.27 5.2.58 meanOn-statepowerdisspation metal-oxide-semiconductofield-effecttransistorM0SFET 22 .3.38 lbyrfistor(McT) metal-oxide-semiconductorgatecontrol 2.3.26 minoritycarrier 2.1.22 28
GB/T2900.32-94 negativedifferentialresistanceregion 5.1.15 -gatethyristor 2.3.23 non-equilibriumcarrier 2.1.23 2 non-repetitivepeakoff-tatevoltage 5. non-repetitivepeakreversevoltage aseniconductorrctifierdiode non-repetitivepeakreverse voltage(ofathyristor N-typesemiconductor off-state 5.1.13 TaTe 5.2.33 5.2. 2.1.15 5. characteristic 6 powerdissipation tatesloperesistance thresholdvoltage -SAe 63 Gn-statevoltage 5. 3. overloadforwardcurrens overloadon-statecurrent 5.2.30 packageoforpowersemiconductordevice 243 peakforwardgatecurrent 5.2.40 peakforwardgatevoltage 5.2.17 peakforwardvoltage 3.2.2 peakgatepower 5.2.60 peakon-statevoltage 2. peak 5.2 VO gate 2.3.22 Dhoto 1CO 2.3.24 2.3. T 32 Dhotoolraiccell 2.3 Dhotovoltaicefifect 1.33 PNjunctionm 2.1 powersemiconductordevice 2.3. 2 principalcurrent 5.1.8 principalvoltage 5 l.7 29