锑化铟多晶、单晶及切割片

锑化铟多晶、单晶及切割片

国家标准 GB/T11072一2009 代替GB/T110721989 化钢多晶单晶及切割片 ndiumantimonidepoyerystal,singleerystalsandas-eutsliees 2009-10-30发布 2010-06-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管蹬委员会国家标准
GB/T11072一2009 锦化钢多晶、单晶及切割片 范围 1.1本标准规定了锄化多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等 1.2本标准适用于区熔法制备的锄化钢多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锄 化钢多晶、单晶及切割片 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准 GB/T4326非本征半导体晶体霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8759化合物半导体单晶晶向X衍射测量方法 锄化钢单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 GB/T11297 产品分类 3.1导电类型,规格 3.1.1多晶 多品的导电类型为n型,按载流子迁移率分为三级 3.1.2单晶 锦化钢单晶按导电类型分为】型和p型,以掺杂剂、载流子浓度和迁移率分类,按直径与位错密度 分为三级 3.1.3切割片 按3.1.2分类与分级,其厚度不小于500 Am 3.2牌号 3.2.1锄化圜多晶与单晶的牌号表示为 InSb 用PlnSb表示锄化钢多晶,MlnSb表示锄化胭单晶; 化学元素符号表示掺杂剂; -阿拉伯数字表示产品等级 若产品不掺杂或不分级,则相应部分可省略 3.2.2锄化锯单晶切割片牌号表示为:
GB/T11072一2009 口InSb MInsb表示锄化锻单晶 化学元素表示掺杂剂; CS表示切割片; -阿拉伯数字表示产品等级 若产品不掺杂或不分级,则相应部分可省略 注:1级掺缔化钢单晶切割片表示为: MIlnSbTeCS-1 技术要求 多晶 多晶不应有裂纹和机械损伤,不允许有夹杂物 4.1.2多晶的电学性能应符合表1的规定 表1多晶的电学性能(77K 载流子浓度 迁移率 导电类型 级别 [cm/(V s] cm 5×10~1×10 >6×10 5×1o31×10 >5×10i一6×10 5×1o13~1×10 >4×10'5×10 4.2单晶及切割片 4.2.1单晶及切割片不得有裂纹、空洞和李晶线等缺陷,切割片表面不得有肉眼可见的刀痕,因切割而 引起的缺口或崩边应在2mm以内 4.2.2非掺杂和掺杂锦化钢单晶的电化学性能与位错密度应符合表2的规定,用于磁敏元件的绐化钢 单晶及切割片的电学性能应符合表3的规定 表2非掺杂和掺杂化钢单晶电学性能(77K)和位错密度 位错密度 导电 载流子浓度！ 迁移率 电阻率 直径 牌号 掺杂剂 m 类型 ￥/(Vs)] cmm一" Q cm mm [em 不大于 500 MInSb 非掺杂 15)×10 >4.5×10 >0.027 10200 1000 500 1×X1ols7×1ol8 MnSb-Te Te 0.0260.0001 10200 2.4X101X10" 1000 500 MInSbSn 1×10s7×1o 2.4×1o1×X10lo.026~0.000 10~200 Snm 1000
GB/T11072一2009 表2(续 位错密度 导电 载流子浓度 迁移率！ 电阻率 直径 牌号 掺杂剂 em [cnm/(Vs) 类型 cm Qcm mmm 不大于 500 MlnSbGe Ge 1×10一9×10 1×10'6×10 0.620.012 10200 1000 500 1×10s9×1o MlnSbZn 1×1o'6×10 0.62~0.012 10200 1000 500 MInSb(Cd CC 1×10s9×1o 1×10'6×10 0.62~0.012 10~200 1000 表3用于磁敏元件的锦化钢单晶电学性能300K 载流子浓度/cm 迁移率， 位错密度 直径/ 导电类型掺杂剂 晶向 [em'/(Vs)],不小于 不大于 cm- ,不大于 mm 2.3×1o 6.5×X1o1 500 111 非掺杂 l0200 非掺杂 2.3×10 6.5×10 1000 10200 1ll 4.2.3锄化钠单晶棒两端面的法线方向与所要求的晶向偏离应不大于3" 切割片的晶向偏离应不大 于0.5 4.2.4切割片厚度及偏差见表4 表4切割片的厚度及偏差 直径D >10~20 >2030 >3040 >40~50 >50 mm 厚度/am, 500 600 800 1000 1200 不小于 厚度偏差" 士20 十30 士25 士35 士40 Am 4.2.5非掺杂和掺杂单晶及切割片按位错密度和直径分为三级,见表5 表5位错密度等级 位错密度Nm7 直径D/ 发 别 (个cm mm 100 30200 <100 30 100500 30200 >500~1000 10一200 4.2.6111)晶面切割片的参考面如图1所示 其直径、参考面长度及其偏差见表6
GB/T11072一2009 110)土1" 120" Il1)In (110)土5” l10)士0,5” 1 图 111)晶面的切割片参考面 表6切割片直径、参考面长度及其偏差 单位为毫米 副参考长度B 直径 直径偏差 主参考长度B 主参考长度偏差 不大于 12 40 士5 士3 12 50 士5 士3 18 100 士5 32 士3 150 士5 57 士3 37 200 士5 62 士3 42 试验方法 5.1锄化钢多晶、单晶及切割片的表面质量用目视或用5~10倍放大镜检查 5.2锄化圜多晶、单晶及切割片的电学性能测量按GB/T4326进行 5.3化钢单晶晶向测定按GB/T8759进行 5.4锄化钢单晶棒及切割片的直径用精度为0.1mm游标卡尺测量,切割片的厚度用精度为0.01 mm 的千分尺测量 5.5 铺化钢单品的位错窑度观酬按GB/T11297进行 检验规则 6.1产品由供方技术监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准规定,并填写产品质量证明书 需方可对收到的产品进行检验,若检验结果与本标准规定不符时,在收到产品之日起两个月内向 供方提出,由供需双方协商解决 单晶应逐根进行电学性能,位错密度和表面质量等检验 6.3 6.4单晶位错密度检测试样从单晶头、尾取样,在(111)钠面进行检测 切割片按总片数的5%抽样 但不应少于3片 6.5如检验结果有一项不合格,则加倍取样进行该不合格项目复验,若仍有一项不合格时,则重新组批 验收 标志、包装、运输和储存 7.1每根单晶或多晶装人聚乙烯袋内,再置于适宜的包装盒中,四周用软物塞紧,以防碰伤 切割片用 软物包裹,置于特殊的厚泡沫塑料中,再装人硬质塑料盒或有机玻璃盒内 最后将装有产品的包装盒置 于木箱内,四周用软物塞紧,钉盖固紧
GB/T11072一2009 7.2包装盒上应注明:供方名称、产品名称、产品编号、产品牌号、产品质量或面积、各项检验结果及生 产日期 外包装箱上应注明:产品名称、产品牌号,批号、产品净重、供方名称,出厂日期、需方名称与地 址,并有“小心轻放”和“防潮”等字样或标志 7.3每批产品应附有质量证明书,注明 a)供方名称 D 产品名称; 产品牌号 o' 批号; d) e) 净重和件数; 各项分析检验结果及检验部门印记; g 本标准编号; h 出厂日期 产品在运输过程中要防止碰撞、防潮和化学物质腐蚀 产品应存放在干燥和无腐蚀性气氛中 7.5 订货单(或合同)内容 本标准所列村料的订货单(或合同)内应包插下列内容 D)产品名称 b) 牌号 e)数量， d 本标准编号; 其他 e)