敏感元器件术语

敏感元器件术语

国家标准 GB/T4475-1995 语 器 件术 敏感元 Termsofsensor 1g95-07-24发布 1996-04-01实施 国家技术监督局 发布国家标准
目 次 主题内容与适用范围 术语 2.1通用术语 ， 2.2热(温)敏元器件术语 " 2.3光敏元器件术语 10 2.4压敏元器件术语 2.5湿敏元器件术语 e 气敏元器件术语 22 2.7磁敏元器件术语 a 2.8力敏元器件术语 2.9离子敏元器件术语 出 2.10生物敏元器件术语 33 2.11放射线敏元器件术语 2.12纤维光学敏感元器件术语 33 中文索引 35 英文索引 42
国家标准 GB/T4475一1995 敏感元器件术语 代替GB4475一84 Termsofsensor 主题内容与适用范围 本标准规定了敏感元器件的术语及定义,包括热(温)敏,光敏、压敏,湿敏、气敏,磁敏、力敏、离子 敏、生物敏、放射线敏和纤维光学敏感元器件11个部分 本标准适用于敏感元器件的生产、使用、科研和教学等方面,作为统一技术用语的依据 术语 2.1通用术语 2.1.1敏感元器件sensor 敏感元器件是敏感元件和敏感器件的总称,是能够感受某种物理量、化学量生物量并将其转变 为电信息的元器件 2.1.2敏感体sensingbody 构成敏感元器件的、能够感受和转换信息的主体 2.1.3敏感元件sensingelement 由具有电阻、电容电感等性能的敏感体构成的,其性能随感受的信息变化而变化的敏感元器 件 2.1.4敏感器件sensingdevyiee 由具有结特性和电动势等性能的敏感体构成的其某一性能随感受的信息变化而变化的敏感元 器件 2.1.5上限类别温度uppercategorytemperature 元器件设计用于连续工作的最高环境温度 2.1.6下限类别温度lowercategorytemperature 元器件设计用于连续工作的最低环境温度 2.17类别温度范围categorytemperaturerange 元器件能连续工作的环境温度范围 maximumsuface 2.18表面最高温度 temperature 元器件外表面(包括引出端)上的最热点的温度 minimumsuface 2.1.9表面最低温度 temperature 元器件外表面(包括引出端)上的最冷点的温度 2.1.10额定温度ratedt temperture 元器件在额定值下可连续工作的最高环境温度 2.1.11允许偏差tolerance 实际值与标称值之间允许的最大偏差范围 国家技术监督局1995-07-24批准 1996-04-01实施
GB/T4475--1995 2.1.12耐久性endurance 元器件在规定的试验条件下,经过规定的时间后,其电参数变化的特性 2.1.13稳定性stability 元器件在规定的条件下储存、试验或使用时,经历规定的时间后,保持原来参数的特性 2.1.14重复性repeatabilty 同一元器件在相同条件下多次重复测试时特性的符合程度 2.1.15互换性interechangeability 同一型号和规格的任一批元器件在整机上互换后能够保证整机主要技术指标符合要求的特 性 2.2热(温)敏元器件术语 2.2.1热(温)敏元器件分类术语 2.2.1.1热(温)敏元器件temperaturesensitiveelementanddevice 对温度变化敏感的敏感元器件 2212热敏电阻器thermistor 电阻值随其阻体温度变化而呈显著变化的电阻器 221.3正温度系数(PTC)热敏电阻器positivetemperature coefficient(PTC)thermistor 在工作温度范围内,零功率电阻值随温度增加而增加的热敏电阻器 2.2.1.4负温度系数(NTC)热敏电阻器negativetemperaturecoeffieientNTC)thermistor 在工作温度范围内,零功事电阻值随温度增加而减小的热敏电阻器 缓变型正温度系数热敏电阻器 2.2.1.5 positivegraduallychangedtemperaturecoeffiecientthermis tOr 在工作温度范围内,零功率电阻值不发生跃变的正温度系数热敏电阻器 阶跃型正温度系数热敏电阻器(PTc.S热敏电阻器》positvestep-funection 2.2.1.6 temperatureco- effieientthermistor(PTc-Sthermistor) 当温度升至某一规定值时,零功率电阻值随温度的增加呈阶跃式增加的热敏电阻器 2.2.1.7临界温度热敏电阻器criticaltemperaturethermistot 在某一温度时,零功率电阻值呈跃减(对NTC热敏电阻器)或跃增(对PTC热敏电阻器)的 热敏电阻器 2.2.1.8线性热敏电阻器linearthermistoe 在工作温度范围内,电阻温度特性呈线性或接近线性关系的热敏电阻器 2.2.1.9直热式热敏电阻器direetlyheatedthermistor 由环境温度变化或由电流通过敏感体而引起其温度变化的热敏电阻器 2.2.1.10旁热式热敏电阻器indireetlyheatedthermistor 带有与热敏感体电绝缘的加热器的热敏电阻器 2.2.1.11普通热敏电阻器commonthermistor 主要用作常温温度补偿的热敏电阻器 2.2.1.12测温热敏电阻器temperaturemeasurethermistor 主要用作温度测量的热敏电阻器 2.2.1.13控温热敏电阻器temperaturecontrolthermistor 主要用作温度控制的热敏电阻器 2.2.1.14高温热敏电阻器hightemperaturethermistor 主要用于高温度范围(350C以上)温度测量与控制的热敏电阻器 22.1.15低温热敏电阻器lowtemperaturethermistor
GB/T4475-1995 主要用于低温度范围(一55C以下)温度测量与控制的热敏电阻器 2.21.16消磁热敏电阻器degaussingthermistor 主要在消磁回路中作消磁用的正温度系数热敏电阻器 221.17稳压热敏电阻器 stabilivoltthermistor 主要用于稳定低电压的负温度系数热敏电阻器 2.2.1.18微波功率测量热敏电阻器mierowavepowermeasurethermistoe 主要用于测量超高频小功率的热敏电阻器 2.2.1.19流速测量热敏电阻器velocitymeasurethermistor 主要用于流体速度(流量)测量和控制的热敏电阻器 2.2.1.20绝缘型热敏电阻器insulatedthermistor 能经受规定的绝缘电阻和耐电压试验的热敏电阻器 2.2-1.21非绝缘型热敏电阻器non-insulatedthermistor 不要求进行绝缘电压和绝缘电阻试验的热敏电阻器 2.2.1.22密封型热敏电阻器envelopedthermistor 具有密封结构,能满足密封要求的热敏电阻器 2.2.1.23非密封型热敏电阻器non-envelopedthermistor 不具有密封结构和性能的热敏电阻器 2.2.1.24薄膜型热敏电阻器thinfilmthermistor 将热敏材料用蒸发,溅射等方法在基片上形成薄膜制成的热敏电阻器 2.2.1.25厚膜热敏电阻器thickfilmthermistor 将热敏材料用丝网印刷、涂敷等方法在基片上形成厚膜制成的热敏电阻器 22.1.26片式热敏电阻器ehip thermistor 片式无引线的适于表面组装的热敏电阻器 2.2.127单晶热敏电阻器monocrystalthermistor 用单晶材料制成的热敏电阻器 2.2.1.28多晶热敏电阻器multi-erystalthermistor: 用多晶材料制成的热敏电阻器 22129非晶半导体热敏电阻器 amorphoussemiconductorthermiStor 用无定形结构的半导体材料制成的热敏电阻器 22130有机半导体热敏电阻群 organicsemiconductorthermistot 用有机半导体材料制成的热敏电阻器 22131金属热敏电阻器 metaltemperaturethermistor 利用金属的电阻值随温度变化的特性制成的热敏电阻器 2.2.1.32铂热敏电阻器platiniumtemperaturethermistor 利用铂的电阻值随温度变化的特性制成的热敏电阻器 2.2.1.33金属氧化物热敏电阻器metaloxidethermistor 用金属氧化物材料制成的热敏电阻器 2.2.1.34热电偶thermalcouple 两种金属丝构成闭合回路,当两个接点温度不同时产生热电动势,利用电动势检测温度的元 件 2.2.1.35电容式温敏元件capacitivetemperaturesensitiveelenment 利用热敏材料在居里温度附近电容量变化的特性制成的温敏元件 22-.136热释电型温敏器件pyroelectrictemperaturesensitivedevice
GB/T4475-1995 利用材料热释电效应制成的温敏器件 22137温敏二极管 temperaturesensitivediode 利用半导体二极管的温度特性制成的温敏器件 22138温敏晶体管 temperaturesensitivetransistor 利用晶体管的温度特性制成的温敏器件 2.2.1.39温敏闸流晶体管thermosenstor 控制极采用温度触发方式,专门用于测温和控温的一类闸流晶体管 2.2.1.40集成温敏器件integratedeireuittemperaturesensitivedevice 将感温元器件与其它电子元器件集成在一起的温教器件 2.2.1.41压电(石英)型温敏器件pioz0electricquartztemperaturesensitivedevice 利用压电石英晶体的弹性模量(频率)随温度变化这一特性制成的可作温度标定用的温敏器 件 2.2.1.42压电声表面波(SAw)温敏器件piozoeleetricsurfaceacousticwave(SAw)temperature sensitivedevice 利用声表面波振荡频率随温度变化这一特性制成的温敏器件 2.2.2热温)敏元器件性能参数术语 2.2.2.1零功率电阻值zero-powerresistance 在规定温度下测量热敏电阻器的电阻值,当由于电阻体内部发热引起的电阻值变化相对于总 的测量误差来说可以忽略不计时测得的电阻值 2222标称零功率电阻值(Rnnominalzero-powerresistance(Rn) 热敏电阻器的设计电阻,通常标志在其上 也称额定零功率电阻值 2.2.23电阻-温度特性resistance/temperaturecharacteristie 热敏电阻器的零功率电阻与电阻体温度之间的关系 负温度系数热敏电阻器的电阻温度特性可用下式近似表示 R一4ean 式中:R 温度为T时热敏电阻器的电阻值; A 与热敏电阻器材料物理特性及几何尺寸有关的系数; B- -热敏指数 T" 热力学温度 b 阶跃型正温度系数热敏电阻器的电阻温度特性如图1所示
GB/T4475-1995 lgR R6 R. 厂=25c 图 22.2.4最小电阻值Rmn(对PTC热敏电阻器 Rml.(orPTCthermistor minimunresistance 正温度系数热敏电阻器电阻温度特性曲线上最低点的零功率电阻值(见图1). 22.2.5最小电阻值Rm.(对NTC热敏电阻器 minimunresistanceRa.(forNTCthermistor 在上限类别温度下热敏电阻器的零功率电阻值 switchin 2.2.2.6开关温度T,(对PTC热敏电阻器 ingtemperatureT,(forPTCthermistor 正温度系数热敏电阻器的电阻值开始发生跃增时的温度(见图1) 2.22.7临界温度(对临界温度热敏电阻器》eritiealtemperature(orcTR 临界温度热敏电阻器的电阻值开始发生跃减(对NTC热敏电阻器)或跃增(对PTC热敏电 阻器)时的温度 2.2.2.8开关电阻值R,(对PTC热敏电阻器switchingresistanceR,(forPTCthermistor 在正温度系数热敏电阻器的电阻温度特性曲线上对应于开关温度的零功率电阻值见图1) maximumvotage(orPrcthermistor) 2.2.2.9最大电压(对PTC热敏电阻器 在规定的环境温度和静止空气中,允许连续施加到热敏电阻器上并保证热敏电阻器正常工作 在PTC特性部分的最大直流电压 22210最大电压(对NTC热敏电阻器) maximumvoltage(forNTCthermistor: 在规定的环境温度下,不使热敏电阻器引起热失控所允许连续施加的最大直流电压 222.11温度T,(对PTC热敏电阻器》 temperature T,(orPTCthermistor 在电阻温度特性的PTC部分保证最小零功率电阻值R,所选择的温度(见图1) 2.2.2.12电阻值R,(对PTC热敏电阻器) res1stance R,(GforPTCthermistor 在最大电压(见图1)下测量温度T,时的零功率电阻 该电阻值为最小值(见图1). 2.2.2.13零功率电阻温度系数Gtemperaturecoefieientatzero-powerofresistance的 在规定温度下,热敏电阻器的零功率电阻值的相对变化率与引起该变化的相应温度之比 零功率电阻退度系数用下式表示 青“ a=
GB/T4475一1995 式中:aT -零功率电阻温度系数; Rr -在规定温度下热敏电阻器的零功率电阻值; T 热力学温度 2.2.2.14电阻比resistanceratio 热敏电阻器对应于两个不同温度下零功率电阻的比值 222.15B值Bvalue B值是负温度系数热敏电阻器的热敏指数 它被定义为在两个温度下零功率电阻值的自然 对数之差与这两个温度的倒数之差的比值 B值用下式表示: TT 3 B= -有如岚 式中R -温度T，时的零功率电阻值; R: -温度T时的零功率电阻值 factor8 2.2.2.16耗散系数dissipation 在规定的环境条件下,热敏电阻器耗散功率的变化与热敏电阻体相应温度变化之比 22217热时间常数 thermaltimeconstantT 在零功率条件下,当温度发生突变时,热敏电阻体的温度变化了始末两个温度差的63.2% 所需的时间 2.2.2.18电压-电流特性voltage/ceurrentcharacteristie 在规定温度和静止空气中,热平衡时热敏电阻器的端电压与其稳态电流之间的关系 2.2.2.19电流-时间特性 current/timecharacteristiC 热敏电阻器加上工作电压后,通过电阻体的电流随时间的变化关系 currentlimitationcharacteristic(forPTCthermistor 2.2.2.20限流特性(对PTC热敏电阻器 当正温度系数热敏电阻器的端电压达到某一特定值时,流经热敏电阻器的电流在一定范围 内不再随外加电压的增加而变化的特性 2.2.221稳压特性(对NTC热敏电阻器》voleges stabilecharacteristic(forNTCthermistor 当流经稳压热敏电阻器的电流达到某一特定值时,热敏电阻器的端电压在一定范围内不再 随电流的增加而变化的特性 2.2.2.22旁热特性indirectlyheatedcharacteristie 旁热式热敏电阻器的零功率电阻与加热器中的电流(或功率)之间的关系 功率灵敏度 powersensitivity 2.2.2.23 在工作点附近,热敏电阻器电阻值的变化量与引起这一变化量的耗散功率变化量之比 2.2224加热器的热效率 fidieney yofheater thermal 当旁热式热敏电阻器中的热敏元件受热使电阻值由某一值变到另-值时,引起此电阻值变 化的直热功耗与旁热功耗之比. 22225工作点电阻 resistanceof tngpoint operati 在规定的环境条件下,施加一定功率使热敏电阻器达到的某一规定的电阻值 22226工作点功率powerofoperatingpoint 在规定的环境条件下,热敏电阻器的电阻值达到工作点电阻值时,在热敏电阻体或加热器上 所耗散的功率 22227额定功率rateddissipation
GB/T4475一1995 在规定条件下,热敏电阻器能长期连续正常工作允许施加的最大功率 2.2.2.28额定工作电流ratedoperatingcurrent 热敏电阻器在工作状态下规定的最大电流值 22.2.29微分电阻differentialresistance 热敏电阻器电压-电流特性曲线上某指定点切线的斜率 即;dV/ar 2.2.2.30控温点温度temperatureoftemperaturecontrolatoperationpoint 阶跃型热敏电阻器作控温用时出现最大零功率电阻温度系数时的温度 2.2.231控温点电阻 resistanceoftemperaturecontrolatoperationpoint 对应于阶跃型热敏电阻器控温点温度的零功率电阻值 2.2.2.32绝缘电阻 insulationresistance 在规定的环境条件下,直热式热敏电阻器连接在一起的引出端与外层封装面之间或旁热式 热敏电阻器的热敏元件与加热器之间的直流电阻值 2.2.233绝缘电压 iisolationvoltage 在连续工作条件下,允许加到直热式热敏电阻器连接在一起的引出端与外层封装面之间或 旁热式热敏电阻器的热敏元件与加热器之间的最大峰值电压 23光敏元器件术语 2.3.1光敏元器件分类术语 231.1光敏元器件photosensingelement anddevice 对光信息敏感的敏感元器件 光敏电阻器photore 2.3.1.2 ,photcondue uctivecel SIStOr 电阻值随入射光强弱而变化的半导体电阻器 23.1.3紫外光光敏电阻器ultra-violetphotoresistor 响应峰值波长在紫外光范围内的光敏电阻器 2.3.1.4可见光光敏电阻器visiblelightphotore es1stor 响应峰值波长在可见光范围内的光敏电阻器 2.3.1.5红外光光敏电阻器infra-redphotoresistor 响应峰值波长在红外光范围内的光敏电阻器 2.3.1.6光敏电位器photo-potentiometer 电阻值随入射光在光敏层上的位置变化而变化的电位器 2.3.1.7晒光敏电阻器seleniumphotoresistor 用半导体晒材料制成的光敏电阻器 2.3.1.8硫化光敏电阻器cadmiumsulfidephotoresistor 用单晶或多晶硫化制成的光敏电阻器 23.19晒化光敏电阻器cadmiumselenidephotoresistor 用单晶或多晶晒化制成的光敏电阻器 2.3.1.10硫化锌光敏电阻器zincsulfdephotoresistor 用单晶或多晶硫化锌制成的光敏电阻器 2.3.1.11硫晒化光敏电阻器cadmiumsulfideandcadnmiumselenidephotoresistor 用硫化和晒化制成的光敏电阻器 23.1.12硫化铅光敏电阻器leadsulfidephotoresistort 用单晶或多晶硫化铅制成的光敏电阻器 23.113锦化铅光敏电阻器eadantmondepotoresistoe 用单晶或多晶化铅制成的光敏电阻器
GB/T4475-1995 2.3.1.14谛汞光敏电阻器mercury -cadmiumtelluridephotoresistor 用单晶或多晶帝汞制成的光敏电阻器 ctricdiode 23.1.15光敏(光电)二极管photoelec 利用光伏效应制成的半导体二极管 phot oelectricdiode 2.3.1.16雪崩光敏(光电)二极管breakdown 利用PN结的雪崩击穿特性制成的光敏二极管 2.3.1.17紫外光敏(光电)二极管ultravioletphotoelectricdiode 响应波段为紫外光的光敏(光电)二极管 2.3.1.18可见光敏(光电)二极管visiblephotoeleetricdiode 响应波段为可见光的光敏(光电)二极管 2.3.1.19红外光敏(光电)二极管infraredphotoeleetriediode 响应波段为红外光的光敏(光电)二极管 2.3.1.20光敏(光电)晶体管photoelectrictransistor 能把光信号转换成电信号,并将信号电流放大的双极型晶体管 2.3.1.21光控晶体闸流管(光敏流管photosenstor 由光辐射触发的一种闸流管 23.2光敏元器件性能参数术语 2.3.2.1色温colourtemperature 光源的颜色与理想黑体辐射的特征颜色相同时,黑体的热力学温度即为光源的色温 标准光源standardiuminane 2.3.2.2 能发出标准色温的光源 2.3.23伏安特性volteage/eureetcharacteristie 在某一恒定光照下,光敏电阻器的电流与外加直流电压之间的关系 2.3.2.4最高工作电压rmaximumoperatingvoltage 在额定功耗下,在暗态(照度为零勒克斯)时,光敏电阻器所允许承受的最高电压 2.3.2.5暗电阻darkresistance 光敏电阻器在照度为零勒克斯时的电阻值， 2.3.2.6亮电阻lightresistance 光敏电阻器受到光照时的电阻值 2.3.2.7初暗电阻initialdarkresistance 光敏电阻器经历规定的光照后,撒去光照并经过规定时间测得的暗电阻值 2.3.2.8初亮电阻initiallightresistance 光敏电阻器经过规定时间的储存或弱光照工作后,接受光照并经过规定时间测得的亮电阻 值 2.3.2.9平衡暗电阻balanceddarkresistance 光敏电阻器经历规定的光照后,撤去光照再经过足够长的时间,待阻值变化率小于规定值时 测得的暗电阻值 23.2.10平衡亮电阻balancedlightresistance 光敏电阻器经过规定时间的储存或弱光照工作后,接受光照再经过足够长的时间,待阻值变 化率小于规定值时测得的亮电阻值 23.2.11暗电流darkcurrent 在规定的外加电压作用下,照度为零勒克斯时流过光敏电阻器的电流 232.12亮电流lightcurrent
GB/T4475一1995 在规定的外加电压作用下,受到光照时流过光敏电阻器的电流 23213初暗电流intaldakcurent 光敏电阻器经历规定的光照后,撒去光照并经过规定的时间测得的暗电流值 23214初亮电流intialgehrcuremt 光敏电阻器经过规定时间储存或弱光照工作后,接受光照并经过规定的时间测得的亮电流 值 232.15平衡暗电流balanceddark.curene 光敏电阻器经历规定光照后,撒去光照再经过足够长的时间,待电流变化率小于规定值时测 得的暗电流值 2.3.2.16平衡亮电流balancedlighteurrent 光敏电阻器经过规定时间的储存或弱光照工作后,接受光照再经过足够长的时间,待电流变 化率小于规定值时测得的亮电流值 2.32.17光电流photoelectriccurrent 光敏电阻器的亮电流与暗电流之差 2.3.2.18阻值比resistanceratio 光敏电阻器的暗电阻与亮电阻之比 2.3.2.19电阻灵敏度resistancesensitivity 光敏电阻器的暗电阻同亮电阻之差与暗电阻之比 2.3.2.20电流灵敏度(或称光电灵敏度、积分灵敏度eurrentsensitivity(photoelectricsensitivity, integralsensitivity 光敏电阻器光电流与照射到其上的光通量之比 2.3.2.21比灵敏度(或称比积分灵敏度、比光电灵敏度)speeificsensitivity(speeificintegralsensi tivity,speeificphotoeleetricsensitivity 单位电压下的电流灵敏度 23222光谱灵敏度spetralsensitivity 用等能量的各种单色光照射光敏电阻器时得到相应的灵敏度系列 23223光阅值photothreshold 光敏电阻器的亮电流与其噪声电流相等时的最小入射光通量 23224相对光谱灵敏度 relativespectralsensitivity 光敏电阻器某一波长的灵敏度与光谱灵敏度最大值之比 23225光谱特性(光谱响应) eharacteristic spectral (spectralresponse 光敏电阻器相对光谱灵敏度与波长的关系曲线 23226光谱响应范围(波长响应范围) spectralresponserangewavelengthresponserange 光敏电阻器光谱响应曲线上对光具有一定敏感程度的光谱区间 2.3227响应蜂值波长 wavelengthofpeakresponsive 光敏电阻器光谱响应曲线上最大灵敏度处的波长值 2.3.2.28照度特性iuminationcharacteristie 外加电压一定时,光敏电阻器亮电流或亮电阻与光照强度的关系 2.3.2.29照度指数(?值 lluminationexponent(value 表征光敏电阻器照度特性非线性程度的指数,即照度特性在双对数座标中近似线性部分的 斜率,它与亮电流,光照强度的关系为" I=KL
GB/T4475一1995 式中;！ -亮电流; K比例系数; 光照强度， I" 照度指数 2.3.2.30前历效应(记忆效应)historyefect(memoryefect) 上一次照射强度或黑暗状态及持续时间对光敏电阻器特性参数的影响 2.3.2.31亮态前历效应lightstatehistoryefect 上一次光照强度及持续时间对光敏电阻器特性参数的影响 23.232暗态前历效应darkstatehistoryeffect 上一次黑暗状态及持续时间对光敏电阻器特性参数的影响 23.233响应时间responsetime 光敏电阻器从接受或切断稳态照明的瞬间开始,至亮电流值变化到稳态值的规定比例所需 要的时间 risetime 232.34上升时间 光敏电阻器从接受稳态照明的瞬间开始,至亮电流值上升到稳态值的规定比例所需要的时 间 2.3235下降时间falltine 光敏电阻器从切断稳态照明的瞬间开始,至亮电流值下降到稳态值的规定比例所需要的时 间 23236频率特性 freguencycharacteristic 光敏电阻器亮电流或亮电阻随照射光调制频率(单位时间亮暗变换次数变化的关系 23.237电阻温度系数 temperaturecoefficientof resistance 在一 一定光照下,温度每变化1c,光敏电阻器亮电阻的相对变化率 2.3.2.38电流温度系数 temperturecoefficientofcurrent 在一定光照下,温度每变化1c,光敏电阻器亮电流的相对变化率 2.3.2.39额定功率rateddissipationm 在规定条件下,光敏电阻器长期连续正常工作所允许耗散的最大功率 2.4压敏元器件术语 2.4.1压敏元件分类术语 2.4.1.1压敏元件voltagedependentelement 利用物质对电压信息敏感的特性制成的敏感元件 2412压敏电阻器 vatistor(voltegedependentresistor 在一定温度下,其电导值随电压的增加而急速增大的敏感元件 该特性可用下面两个公式之一表示: v=c！ 或 I=A” 式中:！ -流过压敏电阻器的电流; V 施加在压敏电阻器上的电压 8- 电流指数; 电压指数; 10
GB/T4475一1995 A和C 常数 2.413压敏电容器voltagedependentcapacitor 在一定温度下,当电压超过某一临界值时,其电容随电压变化而急剧变化的敏感元件 2.4.1.4碳化硅压敏电阻器siliconcarbidevaristor 以碳化硅为主体材料制成的压敏电阻器 oxidevaristor 2.4.1.5氧化锌压敏电阻器zine 以氧化锌为主体材料的压敏电阻器 241.6硅压敏电阻器siliceonaristor 以单晶硅为主体材料的压敏电阻器 2.41.7错压敏电阻器 germanumvar1stor 以单晶错为主体材料的压敏电阻器 2.41.8体型压敏电阻器bulkype VarIStOr 伏安特性的非线性主要由电阻体本身的半导体性质所形成的压敏电阻器 241.9结型压敏电阻器junetiontypevaristor 伏安特性的非线性主要由电阻体与金属电极间的非欧姆接触所形成的压敏电阻器 2.4.1.10膜状压敏电阻器fimformvaristor 电阻体为膜状的压敏电阻器 2.4.1.11对称型压敏电阻器symmetricvaristor 正反方向伏安特性相同的压敏电阻器 2.4.1.12非对称型压敏电阻器non-symmetrievaristor 正反方向伏安特性不同的压敏电阻器 2.4.1.13过电压保护型压敏电阻器overvoltageproteetionvaristos: 主要用于吸收过电压的压敏电阻器 2.4.1.14高能型压敏电阻器highenergyvaristo 主要用于吸收大能量的压敏电阻器 2.4.1.15高频型压敏电阻器highfrequeneyvaristor: 主要用于高频电路中的压敏电阻器 2.4.1.16防雷型压敏电阻器lightningarrestervaristos 主要用于吸收大气过电压和操作过电压的压敏电阻器 2.4.1.17消噪型压敏电阻器suppressednoisevaristor 主要用于消除电噪声的压敏电阻器 2.4.1.18高温型压敏电阻器hightemperaturevaristor 用于环境温度高于350C的压敏电阻器 2.4.1.19指示型压敏电阻器indicatingvaristor 能显示功能劣化的压敏电阻器 241.20组合型压敏电阻器combinevaristor 把多个敏感体组合而成的压敏电阻器 2.4121多功能型压敏电阻器mwltifunetionvaristor 具有多种功能特性的压敏电阻器 242压敏无器件性能、参数术语 2421零功率电流 zeropowercurrent 在规定环境条件下测量压敏电阻器时,所消耗的平均功率足够低,由发热引起的端压降蜂值 的变化可以忽略不计的蜂值电流 1
GB/T4475一1995 2.42.2零功率电压zeropowervoltage 与零功率电流相对的端压降蜂值 伏安特性volkage/curentcharaecteristie 2.4.2.3 压敏电阻器的电流与电压之间的关系,用下式表示 U=c！" 或 I=4U” 式中;1 流过压敏电阻器的电流; 加在压敏电阻上的电压; U 电流指数; 3 电压指数; A和C 常数 2.42.4静态电阻staticresistance 压敏电阻器伏安特性曲线上某指定点所对应的电压与电流的比值 2.4.2.5动态电阻dynamicresistance 压敏电阻器伏安特性曲线上某指定点切线的斜率即dv/dl 2.4.2.6电流指数8eurrentindex8 在给定的外加电压作用下,压敏电阻器伏安特性曲线上某点的动态电阻与静态电阻的比值 由3.4.1.2条的公式(5),3可按下面的公式来确定 -" 9 为了计算方便,可用下面的公式: ogn 3= (10 g7T og 总是小于1的 2.42.7电压指数yvoltageindex? 在给定的外加电压作用下,压敏电阻器伏安特性曲线上某点的静态电阻与动态电阻的比值 由3.4.1.2条的公式(6),?可按下面的公式来确定 7= -最 11 为了计算方便,可用下面的公式 Log == iogV ?总是大于1的 12
GB/T4475-1995 2428压敏电压varistorvotage 在规定的温度和直流电流下,压敏电阻器两蹦的电压值 2.429标称压敏电压nominalvarstorvoltage 压敏电阻器的设计电压,通常标志在其上. maximuncontineousDCvoltage 242.10最大连续直流电压 在环境温度25C时,可以施加在元件上连续工作的最大直流电压(纹波小于5%). maximumcontineousACvoltage 242.11最大连续交流电压 在环境温度25C时,可以施加在元件上连续工作的波形基本上是正弦波(总谱波睹变小于 5%)的最大交流电压有效值 注通常这个电压应是电源电压的1.1倍 2.4.2.12最大峰值电流rmaximumpeakcurrent 在环境温度25C时,对于规定的脉冲次数而言,压敏电阻器中允许通过的每个脉冲的最大 电流值 2.4.2.13标称电流nominalcurrent 压敏电阻器的设计电流 2.4.2.14漏电流leakageceurrent 在25C或其它规定的温度下,施加最大连续直流电压时,压敏电阻器中流过的电流值 242.15绝缘电压isolationvoltage 在连续工作条件下,允许加到压敏电阻器引出端与任何导电安装面之间的最大峰值电压 2.42.16绝缘电阻insdlationreistance 压敏电阻器引出端与任何导电安装面之间的直流电阻值 2.42.17电压温度系数volagetemperaturecoefeent 在规定的温度范围内,当压敏电阻器温度每变化1C时,压敏电压的相对变化率 2.4218电压变化率olagechange ratio 压敏电阻器试验前后,压敏电压的相对变化率 2.4.2.19对称度symmetry 在规定环境条件下,先后给压敏电阻器通过正反向等量电流时,其端压降的相对变化率,.即 S=(V一V/V100% 式中S -对称度; V、V -端压降(V;>V). 2.4.2.20能量容量energycapacity 保证压敏电阻器正常工作时,压敏电阻器所能承受的最大脉冲能量 2.4.2.21固有电容 naturalcapacitance 压敏电阻器本身所固有的电容量 2.4.2.22脉冲电流寿命pulsecurrentlifetime 在规定环境条件下,给压敏电阻器施加规定的连续等间隔的脉冲电流波,压敏电阻器仍能保 持正常工作所能经受脉冲波的最大次数 2.4223能量寿命 lifetime energy 在规定环境条件下,给高能压敏电阻器施加规定的等间隔等能量的矩形脉冲电流波,压敏电 阻器仍能保持正常工作所能经受矩形脉冲电流波的最大次数 24224前历效应historyefet 13
GB/T44751995 上一次电作用对压敏电阻器某一特性参数的影响 242.25电源电压supplyvoktage 指系统的标定电压,系统的一些工作特性就是以这个电压表示的 24226脉冲电压pulseevotage 将一个规定的脉冲电流施加在压敏电阻器上时,其引出端上出现的电压峰值 24227等级电压(保护水平gradevoluge(protetionlevel 在标准大气压条件下,压敏电阻中通过8/20然s等级电流脉冲(见2.4.2.28)或其它规定波 形的电流脉冲时,其两端呈现的电压峰值,有时也称限制电压或残压 2.4.2.28等级电流gradecurrent 等级电流是这样一个电流峰值,它等于以每分钟二次的方式用8/204s脉冲电流冲击10o 次,压敏电阻器可以通过的最大峰值电流的1/10. 2.4.2.29电压比(限压比,残压比voltageratio 表征压敏电阻器限制性能有效程度的品质因素 当用8/204s或其它规定脉冲波和规定电 流峰值冲击压敏电阻器时,压敏电阻器两端的峰值电压与压敏电压之比 2.4.2.30脉冲电流pulsecurrent 可使用两种类型的脉冲电流 第一种波形是;电流从零值以很短的时间上升到峰值,然后以近似于指数的或过阻尼正弦振 荡的波形下降到零，这种类型的波形以视在波前时间T和视在半峰值宽度T,表示 如图 2所示 电流蜂值的% 时间(线性坐标 图2 第二种波形近似于方波,用视在峰值宽度T,和视在总宽度T来表示 如图3所示 14
GB/T4475一1995 电该峰值的% u%以内 lw 可吓能的极性反转 2.4.2.31视在波前时间Tsightpro-wavetimeT 脉冲电流从峰值的10%到90%的时间间隔的1.25倍 如果波前有振荡,则10%和90%的 点应当根据通过这些振荡所画的平均曲线来确定,但振荡的峰值要小于平均曲线的土5% 2.4.2.32视在原点osightoriginalspotO 电流达到峰值的10%这一点以前的0.1×T时刻,对于线性扫描的波形图来说,该点是指 通过波前的10%和90%点所作的直线与X轴的交点 2.4.233视在半峰值宽度T，sighthalfpeakvaluewidthT 从视在原点到波尾上电流第一次下降到半峰值的时间间隔 2.4.2.34方波脉冲电流的视在峰值宽度Tsightpeakvaluewidthofsquarewavepulsecurrent T 电流值大于峰值90%的持续时间 24235方波脉冲电流的视在总宽度Tsighttotal、 widthofs squarewavepulsecurrentT 脉冲电流大于峰值10%的持续时间,如果波前上有振荡,则应按平均曲线来确定达到10% 的时刻 2.4236额定功率rateddissipation 压敏电阻器在85士2C的环境温度下,连续施加工频电压1000h时的最大平均功率 2.5湿敏元器件术语 251湿敏元器件分类术语 2.5.1.1湿敏元器件humiditysensor 电参数随环境湿度变化明显变化的敏感元器件 2.5.1.2绝对湿度敏感元器件absolutehumiditysensor 测定绝对湿度的湿敏元器件 25.13相对湿度敏感元器件relativehumiditysensor 测定相对湿度的湿敏元器件 2.5.14露点湿敏元件(露点元件dew-pointhumidirysensor 用露点温度表示气体湿度的湿敏元件 2.51.5结露湿敏元件dewhumiditysensor 15
GB/T4475一1g95 在 一定湿度下,当出现结露时电参数发生急剧变化的湿敏元件 2.5.1.6电阻式湿敏元件humiditysensitiveresistor 电阻值随环境湿度变化的湿敏元件 2.5.1.7电容式湿敏元件humiditysensitivecapacitot 电容量随环境湿度变化的湿敏元件 25.1.8正特性电阻式湿敏元件positivechareteristichumidtysensitiveresistor 电阻值随湿度增大而增大的湿敏元件 25.19负特性电阻式湿敏元件 negativecharacteristichumiditysensitiveresistor 电阻值随湿度增加而减少的湿敏元件 2.5.1.10正温度系数湿敏元件positivetemperaturecoeffiecienthumiditysensitiveresistor 在恒定湿度下,电阻值随温度增加而增大的湿敏元件 2.5.1.11负温度系数湿敏元件 negativetemperaturecoefficienthumiditysensitiveresistor 在恒定湿度下,电阻值随温度增加而减少的湿敏元件 2.5.1.12电解质湿敏元件electrolytehumiditysensor 用电解质材料制成的湿敏元件 2.5.1.13有机)高分子膜湿敏元件polymerfilnmhumiditysensor 用有机高分子材料制成的湿敏元件 25.1.14金属氧化物湿敏元件metal-oxidehunmiditysensor 用金属氧化物材料制成的湿敏元件 2.5.1.15陶瓷湿敏元件ceramichumiditysensor 用陶瓷材料制成的湿敏元件 2.5.1.16铬酸镁-二氧化钛陶瓷湿敏元件rmagnesiumchromiumspineltitaniumoxideceramiehu miditysensor 用铬酸镁-二氧化钛多孔陶瓷制成的湿敏元件 2.5.1.17氧化铁湿敏元件ironoxidehumiditysensor 用铁氧化物制成的湿敏元件 2.5.1.18氧化铝湿敏元件alumiumoxidehunmiditysensor 用多孔氧化铝膜制成的湿敏元件 2.5.1.19氧化锂湿敏元件lithiumchloridehumiditysensor 用氯化锂制成的电解质式湿敏元件 25.1.20多孔二氧化硅湿敏器件poly-holesiliconoxidehumiditydevice 用在硅单晶片上形成多孔二氧化硅感湿层制成的湿敏器件 2.5.1.21湿敏二极管 nniditydiode hum 利用结的反向电流或反向击穿电压随环境湿度变化的特性制成的湿敏器件 2.5122湿敏M0s场效应晶体管huaidairyM05FET 在MOS场效应晶体管的栅极上涂覆一层感湿膜而制成的湿敏器件 25.1.23集成湿敏器件integratedcireuithumidirysensor 将湿敏元器件与其它电子元器件集成在一起的湿敏器件 2.5124石英谐报式湿敏器件(压电型湿敏器件 quartzresonancetypehumiditysensor 在石英谐振电极表面涂教高分子材料制成的湿敏器件 252湿敏元器件性能参数术语 2.5.2.1湿度humidity 丧示空气中水分子含量的物理量 可用绝对湿度、相对湿度、露点等表示 16
GB/T4475一1995 2.5.2.2绝对湿度absolutehumidity 单位体积空气中所包含的水燕汽质量 一般用一立方米空气中所含水燕汽的克数来表示 25.23相对湿度relativehumidity 空气中实际所含水燕汽峦度和同温度下饱和水熬汽密度的百分比.也就是实际水燕汽压强和 同温度下饱和水蒸汽压强的百分比 252.4露点dew-point 空气在气压不变下为了使其所含水燕汽达到饱和状态时所必须冷却到的温度叫作露点或露 点温度 2.5.2.5结露(凝露condensation" 当物体表面温度低于环境空气的露点温度时,水蒸汽在物体表面上冷凝的现象 2.5.2.6吸湿absorptionofmoisture 水燕汽分子进入或附着于敏感体的过程 2.5.2.7脱湿releasingofrmoisture" 水蒸汽分子离开敏感体的过程 2.5.2.8全量程湿度all-rangehumidity 0100%的相对湿度 2.5.2.9湿度量程humidityrange 湿敏元器件技术规范规定的感湿范围 2.5.2.10湿度特性humiditycharacteristie 湿敏元器件电参量随湿度变化的关系 2.5.2.11开关特性switchingcharaeteristic 湿敏元器件电参量在湿度达到某一值时所发生的跃变特性 2.5.2.12升湿待性曲线characteristiccurveforrisinghumidity 湿度由低到高改变时,湿敏元器件湿度特性的曲线 2.5.2.13降湿特性曲线characteristiccurveforfallinghumidity 湿度由高到低改变时,湿敏元器件湿度特性的曲线 2.5.2.14灵敏度 sensitivity 在温度恒定的条件下,相对湿度改变1%时,湿敏元器件电参量的变化值 umidirybyeteeisefet 25.2.15湿滞效应 hum 湿敏元器件升湿和降湿时,在同一湿度下电参量的不一致现象 humidity 2.5.2.16湿滞回线 ityhysteresisloop 湿敏元器件湿滞效应的曲线 25.2.17热滞效应 thermalh hysteresisefect 在一定湿度下,湿敏元器件从一个环境温度移入另一个环境温度时,电参数的滞后现象 25218热滞时间thermalbysteresis time 在一定湿度下,湿敏元器件从一个环境温度移入另一个环境温度时,电参数达到平衡所需的 时间 2.5.2.19响应时间 responsetime 在一定温度下,当相对湿度发生定量跃变时,湿敏元器件的电参量达到稳态变化量的规定比 例所需要的时间 25220升湿响应时间 timefor risinghumidity respPonse 湿敏元器件升湿时的响应时间 25.2.21降湿响应时间 responsetimeforfalinghunmidity 17
GB/T4475-1995 湿敏元器件降湿时的响应时间 2.5.2.22抗露resistancetodew-fal 湿度特性不受湿敏体表面结露影响的能力 2.5.2.23风速效应windspeedefeet 环境风速对湿度特性的影响 2.5.2.24气压效应pressureefect 环境大气压对湿度特性的影响 2.5.2.25表面污染surfacepolution 能使敏感体功能部分失效或完全失效的表面沾污 2.5.2.26线性度linearity 湿敏特性曲线与最佳拟合直线的最大偏差 2.5.2.27漂移率driftrate -定时间内电参量的最大相对漂移值 2.5.2.28准确度accuracy 实际湿度特性和技术规范规定的标准特性之间平均偏离的程度 25.2.29分辨率resoluton 湿敏元器件检测湿度最小变化的能力 25230温度系数temperturecoelfeene 当环境湿度恒定时,温度每变化1c,引起元件指示湿度的变化量 2.5.231耐热温度resistaneeoemperature 湿敏元器件在非工作状态能经受的最高温度 2.5.232老化特性agingcharacteristie 在规定条件下湿敏元器件湿度特性与时间的变化关系 25.2.33额定电流ratedcurrent 湿敏元器件长期连续正常工作所允许通过的最大电流 25.2.34额定电压ratedvoltage 混敏元器件长期连续正常工作允许随加的最大电压 25.235平衡温度balancedtemperature 加热式露点元件的敏感体的水蒸气压和空气的水蒸气压达到平衡时的温度 25.236起动时间startingtime 加热式露点元件自起动至敏感体温度达到平衡温度时所需要的时间 2.5.2.37起动电流startingcurrent 加热式露点元件起动时,通过敏感体的最大电流 2.5.2.38起动功率startingpower 加热式露点元件起动时,敏感体耗散的最大功率 2.5.2.39时间-温度曲线time/temperaturecurve 用以表示加热式露点元件起动特性的起动时间和平衡温度的关系曲线 2.6气敏元器件术语 2.6.1气敏元器件分类术语 2.6.1.1气敏元器件gassensor 电参数随环境气体种类或浓度变化而变化的敏感元器件 2.6.1.2半导体气敏元件semieonductorgassensor 用半导体材料制成的气敏元件 18
GB/T4475一1995 2.6.1.3二氧化锡气敏元件tinoxidegassensor 用二氧化锡为主体材料制成的气敏元件 2.6.1.4氧化锌气敏元件zincoxidegassensor 用氧化锌为主体材料制成的气敏元件 2.6.1.5氧化铁气敏元件ironoxidegassensor 用氧化铁为主体材料制成的气敏元件 sensitivere 2.6.1.6电阻式半导体气敏元件(气敏电阻器 resistivesemiconductorgassensorgas sistor 电阻值随环境气体种类和浓度变化而变化的气敏元件 26.1.7表面电阻控制型半导体气敏元件surfaceresistiveypesemiconduetorgssenso: 与被检测气体接触时引起敏感体表面电导率发生变化的气敏元件 2.6.1.8体电阻控制型半导体气敏元件bulk resistivetypesemiconductorgassensor 与被检测气体接触时,敏感体体电阻发生变化的气敏元件 261.9烧结型气敏元件sintered gassensor 将一定配比的气敏材料,掺杂剂、粘合剂混合研磨,制成浆料,成型,然后在一定温度下烧结而 成的气敏元件 2.6110复合氧化物气敏元件compoundoxidegasensor 用复合氧化物为主体材料制成的气敏元件 2.61.11P型金属氧化物(半导体)气敏元件Ptypemetaloxide(emiecondetop) gassensor 用P型金属氧化物半导体材料制成的气敏元件 26.1.12N型金属氧化物(半导体》 )气敏元件N-typemetaloxide(semiconductor gassensor 用N型金属氧化物半导体材料制成的气敏元件 2.6.1.13直热式气敏元件direetlyheatedgassensor 加热器在敏感体内的气敏元件 2.6.1.14旁热式气敏元件indirectlyheatedgassenso.t 加热器与敏感体分离的气敏元件 2.6.1.15薄膜型气敏元件thinfimgassensor 利用蕉发,溅射或等离子沉积等方法,在绝缘基片上沉积薄膜敏感材料制成的气敏元件 2.61.16厚膜型气敏元件thickfflmgassensor 将敏感材料的浆料印刷或涂敷在绝缘基片上制成的气敏元件 26.1.17超微粒气敏元件ultrafineparticlesgassensor 用平均粒度为纳米级的气敏材料制成的气敏元件 2.6.1.18有机半导体气敏元件organicsemiconduetorgassensot 用有机半导体材料制成的气敏元件 2.6.1.19固体电解质气敏元件solideleetrolytegassensor 用固体电解质作隔膜制成电池的气敏元件 2.6.1.20接触燃烧饶式气敏元件catalyticcombustiongassensor 由检测元件和补偿元件组成 当接触可燃性气体时,在检测元件表面产生燃烧,使其铂丝电 阻发生变化以此检测可燃性气体的气敏元件 2.6.121稳定氧化氧敏元件stabilizedzirconiaoxygen.sensore 用Y.O稳定的氧化错作隔膜制成的浓差电池型气敏元件 2.6.1.22热传导型气敏元件thermalconduetivitygassensor: 利用元件电导率随环境气体种类和浓度不同热导率不同而变化的特性制成的气敏元件 分 19
GB/T4475-1995 为固体热传导型和气体热传导型 2.6.1.23多层膜气敏元件multilayerilmgassensor 用燕发或溅射等方法,将不同气敏材料分层沉积在基片上制成选择性的气敏元件 2.6.1.24混合厚膜气敏器件mixthickfilmgassensor 由在陶瓷基片上采用印刷技术制作的集成混合厚膜制成的气敏器件 2.6.1.25气敏肖特基二极瞥schottkygassensitivediode 利用金属和半导体界面处有气体存在时,其整流特性发生变化的特性制成的气敏器件 2.6.1.26气敏MOS场效应晶体管gasMOSFET 栅极覆有对特定气体敏感的材料制成的场效应晶体管 2.6.127MOs电容型气敏器件MOSgassensitivecapacitor 利用电极上涂有敏感材料的M0S电容的电容-电压特性随气体变化而变化的特性制成的 气敏器件 2.6.1.28伽伐尼电池型气敏器件galvaniccell-t -typegassensor 由两个电极、隔膜和电解液构成的电池,通过检测气体与电极的反应电流来确定气体浓度的 气敏器件 261.29定电位电解式气敏器件 constantelectricalpotentialeleetrolysisgassensor 由气体电极和电解质溶液构成的,在特定电位下电解气体时通过测定其电解电流来确定气 体浓度的气敏器件 2.6130压电型气敏器件(石英谐振式气敏器件pio0electrie icgassensorquartzresonancegas sensor 在石英振子电极上涂有对气体敏感的物质,当吸附气体时引起振子振动频率变化的气敏器 件 26131集成气敏器件Ic(integtedcireut)gassensor 将气敏元器件与其它电子元器件集成在一起的气敏器件 2.6.2气敏元器件性能参数术语 2.62.1标定气体中电压voltagein.calibratedges 在工作条件下,在标定气体中负载电阻两端的电压 2.6.2.2标定气体中电流currentincalibrated gas 在工作条伴下,在标定气体中通过负载电阻上的电流 2.6.2.3清沽空气中电压voltageincleanair 在规定工作条件下,元件在清洁空气中负载电阻两端的电压 2.6.2.4清洁空气中电流currentinceanair 在规定工作条件下,元件在清洁空气中通过负载电阻上的电流 2.6.2.5清洁空气中电阻resistanceincleanair 在规定工作条件下,元件在清洁空气中的稳态电阻 2.6.2.6检测气体中电阻resistanceindetectedgas 在规定工作条件下,元件在规定浓度检测气体中的稳态电阻 2.6.2.7特征浓度电阻比resistanceratioofeharacteristicconcentrations" 在规定工作条件下,元件对同一检测气体,两种不同特征浓度下的稳态电阻之比. 2.6.2.8加热电压heatingvotage 加热器两端施加的电压 2629加热电流heatingcurent 通过加热器的电流 20
GB/T4475一1995 2.6.2.10加热功率heatingpower 加热器的耗散功率 2.6.2.11灵敏度sensitivity 在规定工作条件下,气敏电阻器在清洁空气中的稳态电阻值与在规定浓度检测气体中的稳 态电阻值之比 灵敏度用下式表示: (14 S=R,/Rag 式中;S -灵敏度; R,-清洁空气中的稳态电阻值， -检测气体中的稳态电阻值 Re 2.6.2.12气体分辨率relativesensitivity 在规定工作条件下,元件在干扰气体中的稳态电阻值与在规定浓度的检测气体中的稳态电 阻值之比 气体分辨率用下式表示; D=R./R (15 式中，D 气体分辨率; -干扰气体中的稳态电阻值 Re R -检测气体中的稳态电阻值 2.6.2.13温度系数temperaturecoeffieient 元件在规定浓度的检测气体中,环境相对湿度为50%,环境温度在T~T区间内,温度每 变化1C,单位阻值电阻的变化率 一般用表示 温度系数用下式表示: og[R.T/R.7 8= (16 式中A逛度系数 R,(T)T,温崖下的稳态电阻值 R..(T)-T温度下的稳态电阻值; T、T;端点温度 2.6.2.14湿度系数hunmiditycoefficient 元件在规定浓度的检测气体中,环境温度为40C,环境相对湿度在H~H区间内,湿度每 变化1%,单位阻值电阻的变化率 一般用8表示 湿度系数用下式表示: RC/RH A= 17 一六 H， a 式中A湿度系数 21
GB/T4475一1gg5 R.(H -H湿度下的稳态电阻值 Ra.(H. H湿度下的稳态电阻值 H、H 端点湿度 262.15灵敏度时间特性 imecharacteristicofsensitivity 气敏元器件连续工作时,灵敏度随时间变化的特性 2.6.2.16初期稳定时间initialstabilizedtime 气敏元器件经一定时间不通电放置后,再通电工作,电阻值达到稳定时所需要的时间 2.6.2.17响应时间responsetime 在最佳工作条件下,气敏元器件接触待测气体后,负载电阻的电压(电流)变化到规定值所需 要的时间 2.6.2.18恢复时间recoveredtinme 在最佳工作条件下,气敏元器件脱离被测气体后,负载电阻上的电压(电流)恢复到规定值所 需要的时间 2.6.2.19长期工作变化特性long-termoperatingcharacteristic 气敏电阻器在自然环境气氛中长期通电,其电阻值随气温、湿度等季节性变化呈周期性变化 的特性 2.63气敏元器件其它术语 2.63.1测量回路measurementcireuit 测量气敏元器件电参数使用的电路 2632测量条件 measurementcondition 测量气敏元器件的环境条件及电路条件 26.33测量电压 volage measurement 测量回路的电源电压 263.4测量电流 measurementcurrent 通过测量回路的总电流 26.3.5负载电阻 loadresistor 测量回路中,作为取样用的电阻 2.6.3.6最佳工作条件optimumconditionm 根据气教元件稳定性、灵敏度、响应时间与恢复时间等参数所选定的最佳测量电压,加热电压 及负载电阻等条件 26.3.7加热器heater 为了调节敏感体工作温度而使用的加热装置 2.63.8标定气体calibratedgas" 按规定的配气法配成标定浓度的气体 2.6.3.9清洁空气cleanair 气体成分及飘尘符合规定的环境空气 2.7磁敏元器件术语 2.7.1磁敏元器件分类术语 2.7.1.1磁敏元器件magneto-sensor 利用具有磁电特性的材料制成的敏感元器件,主要有磁阻元件、霍尔元件和磁敏器件 2.7.12磁敏电阻器magnetoresistor 电阻值随磁感应强度变化而变化的磁敏感电阻器 27.13考比诺圆盘corbinodisk 22
GB/T4475一1995 具有两个电极,其中一个电极在圆盘的几何中心处的传导区,另一电极为围绕着圆盘外部圆 周的同心导电条的圆盘形磁敏电阻器 2.7.1.4磁敏电位器magneto-potentiometer 利用磁阻效应制成的无触点式电位器 2.7.1.5饼化锯-饼化镍磁敏电阻器indiumantimonidenickelantimonidemagnetoresistor 用饼化锯-涕化镍材料制成的磁敏电阻器 2.7.1.6铺化锯单晶半导体磁敏元器件indiumantimonidesinglecrystalsemiconduetormagnetic Sensor 用半导体梯化胭单晶材料制成的猫尔元件和磁敏电阻器 27.1.7薄膜磁敏电阻器 thinfilmmagnetoresistor 用蒸发、,溅射等方法制成的薄膜型强磁性金属和半导体磁敏电阻器 2.7.1.8强磁性体磁敏电阻器feromagneticmgnetoresistor 利用铁、镇、钻等强磁性材料制成的磁敏电阻器 27.1.9磁敏二极管 magnetodiode 用半导体材料制成的具有PIN或N结结构,且伏安特性对磁场敏感的半导体二极管 2.7.1.10磁敏晶体管magnetotransisto: 用半导体材料制成的具有一个或两个集电极的PNP或NPN型晶体管结构,且集电极电流 对磁场敏感的双极型晶体管 2.7.1.11双集电极磁敏晶体管doublecolleetingelectrodemagnetotransistor 在一个硅片上制成对称的两个集电极的磁敏双极型晶体管 2.7.1.12磁敏MOS场效应晶体管magnetoMOSFET 栅极覆有对磁场敏感的材料制成的场效应晶体管 2.7.1.13韦根德器件weiganddevice 软磁合金丝经过特殊的表面加工处理后,丝的外表层矫顽力大于内层的矫顽力的双重磁特 性结构 这种丝称为韦根德丝 在韦根德丝处绕成感应线圈的磁开关器件为韦根德器件 2.7.1.14磁敏集成电路magnetointegratedcireuit 将磁敏电阻器或霍尔元件与其它电子元器件集成在一起对磁场敏感的电路 2.7.1.15(约瑟夫逊)超导量子干涉器件(sQUD)superconducetingquantuminterferencedeviece 具有约瑟夫逊结的超导体环,在超导温度下超导临界电流具有磁敏感效应的器件 2.7.1.16霍尔元件Hall lelement 在某种基片上封装成有两个控制电流极和两个输出极的具有霍尔效应的器件 2.7.1.17霍尔乘法器Hallnmutiplier 由霍尔元件和一个磁通路的线圈组成,其霍尔电压为霍尔元件的控制电流与通过线圈的电 流乘积的函数的器件 27.118薄膜霍尔元件thinflmHallelement 用蒸发或外延等方法制成的薄膜型霍尔元件 2.7.1.19三端霍尔元件(单向灵敏霍尔元件three-terminalsHalelement 具有两个控制电流极和一个霍尔电极的霍尔元件,这种元件只有单方向的磁场灵敏,因此也 叫单向灵敏霍尔元件 2.7.1.20多端子霍尔元件multi- tHal -contact element 配有多个端子的可改善转换效率的霍尔元件 2.7.1.21MOs霍尔元件M0sHallelemeat 将P型硅作成MOS结构,反型层N沟道作为工作层的霍尔元件 23
GB/T4475一1995 27.122十字形崔尔元件erossshapeHalelement 形状为十字形的霍尔元件 27.123组合霍尔元件eombineHalelement 利用霍尔效应和磁阻效应原理,在一个半导体基片上作成霍尔元件和磁敏电阻的霍尔元件 2.7.1.24涕化锯霍尔元件indiumantimonideHallelement 用锦化材料制成的霍尔元件 2.7.1.25磷神化锻霍尔元件indiumarsinephosphideHallelement 用三元混晶磷呻化锯材料制成的霍尔元件 2.7.1.26呻化嫁霍尔元件galiumarsenideHallelement 用呻化嫁材料制成的霍尔元件 2.7.1.27硅猫尔元件siliconHallelement 用硅材料制成的霍尔元件 2.7.1.28呻化胭霍尔元件indiumarsenideHallelerment 用呻化锯材料制成的霍尔元件 2.7.1.29错霍尔元件germaniumHallelement 用错材料制成的霍尔元件 2.7.2磁敏元器件性能参数术语 2.7.2.1半导体磁阻效应magnetoresistanceeffect(Thomson-Gaussefeet 半导体在磁场中由于载流子偏转使其自由程缩短而引起电阻率变大的现象.分为物理磁阻效 应和几何磁阻效应 前者与半导体材料的形状无关,而后者与半导体材料的形状有关 2.7.2.2几何磁阻效应geometricalmagnetoresistanceeffect 对同一半导体材料和同一磁感应强度,磁阻随磁敏体的几何形状不同呈显著变化的现象 2.7.23强磁型合金磁阻效应 intense-magnettypealloymagnetoresistanceefieet 用铁、镍、钻合金制成的强磁性金属丝或片电阻率在磁场中发生变化的现象 2.7.2.4磁阻特性曲线 magnetoresistorcharacteristiccurve 磁敏电阻器的电阻值与磁感应强度之间的关系曲线 2.7.2.5磁阻系数 magnetoresistivecoefficient 在磁阻特性曲线的线性区内,在某一规定的磁感应强度下,磁敏电阻器的电阻值与该点磁感 应强度的比值 2.7.2.6磁阻比magnetoresistiveratio 在某一规定的磁感应强度下,磁敏电阻器的电阻值与零磁感应强度下的电阻值之比. 2.7.2.7磁阻灵敏度magnetoresistivesensitivity 在某一规定的磁感应强度下,磁敏电阻器的电阻值随磁感应强度的相对变化率 27.2.8磁阻线性灵敏度magatoresistivelinearsensitivitsy 在某一特定磁感应强度范围内,磁阻灵敏度为恒定值时的灵敏度 27.29磁阻平方灵敏度rmagnetoresistivesquaresensitivity 在某一特定磁感应强度范围内,电阻值对磁感应强度的平方的变化为恒定值时的灵敏度 2.7.2.10零磁场电阻zeromagneticresistance 当磁感应强度为零时,微敏电阻器在某一温度下的电阻值 27.2.11磁场电阻或简称磁阻magneticresistance 在某一退度下磁敏电阻器在磁场中的电里 2.7.2.12电阻温度系数temperaturecoeficientofresistance 在规定的磁感应强度和温度下,电阻值随温度的相对变化率与零磁场电阻值之比 24
GB/T4475--1995 2.7.2.13平方律磁阻温度系数squarelawmagnetoresistancetenperatarecoefficient 在磁阻和磁憾应强度的平方律段上此磁阻的温度系数 2.7.2.14线性磁阻温度系数linearmagnetoresistancetemperaturecoeffieient 在磁阻和磁感应强度的线性段上此磁阻的温度系数 2.7.2.15线性误差linearityerror 磁阻恃性曲线线性段上各点对最佳拟合直线的最大偏差 该最佳配合直线使曲线上各点的 正、负偏差对直线平衡 2.7.2.16平方律误差squarelawerror 磁感应特性曲线平方律段上各点对最佳拟合直线的最大偏差 2.7.2.17热阻thermalresistance 磁敏元器件的平均温度和环境参考温度之差与磁敏元器件中的耗散功率之比 2.7.2.18霍尔效应Hallefect 导体或半导体在外界磁场中产生一个大小和方向为正比于电流密度与磁感应强度矢量积的 电场强度的现象 2.7.2.19霍尔系数Hallcoefieient 霍尔效应定量关系式中的比例系数R 霍尔系数用下式表示: =R(i× 18 式中，E 霍尔电场 -控制电流密度 B 外加磁感应强度 2.7.2.20霍尔角Hallangle 霍尔效应存在时，产生的电场强度和电流密度矢量之间的夹角 2.7221霍尔电压(霍尔电势》Halvolege 在霍尔元件上与控制电流方向相垂直的两端由霍尔效应产生的电压或电势 2.7.2.22控制电流controleurrent 流过霍尔元件控制电流端的电流 2.7.2.23霍尔端子(霍尔电极Hallterminals 在霍尔发生器上输出霍尔电压的引出端 2.7.2.24霍尔控制电流端子(霍尔控制电流极 ontrolcurrentterminals 霍尔元件上通过控制电流的引出端 2.7.2.25霍尔元件的)自激场selffield(ofaHHalelement) 控制电流通过崔尔元件时在引出端和霍尔元件芯片上产生的磁场 27.226控制电流环路的有效感应区efet她indetionateaodtaet controlcurrentloop 由控制电流着子相通过崔尔元件的有关传导路径所围成的环路中的有效面积 27.227输出环路的有效感应区efeteimdetonaeaafte outputloop 由接到雀尔端子的引线与霍尔元件的有关传导路径所围成的回路中的有效面积 27.228输入阻抗(电阻》inpuimpedanee 在规定条件下控制电流端子之间的阻抗(电阻》. 2.7.229输出阻抗(电阻outputimpedance 25
GB/T4475一1995 在规定条件下霍尔电压端子之间的阻抗(电阻. 2.7.2.30乘积灵敏度productsensitivity 在某一规定的控制电流下,霍尔电压与外加磁感应强度的比值 2.7.2.31恒压电流灵敏度constantvoltagesensitivity 在控制电流极上加规定的恒定电压的条件下霍尔电压与磁感应强度的比值 2.7.2.32额定控制电流ratedcontrolcurrent 霍尔元件的芯片温升10C时的控制电流 2.7.233磁灵敏度magneticsensitivity 在额定控制电流下霍尔电压与磁感应强度的比值 2.7.2.34霍尔元件的线性误差linearityerorofHalelement 霍尔元件的实际特性曲线与其最佳拟合直线的最大偏差 2.7.2.35零控制电流感应电压(电势zero-contro-eurrentresidual olage 霍尔元件在零控制电流条件下,霍尔端子之间在交变磁场中产生的电压(电势). zerofieldresidual 2.7.2.36零磁场不等位电压(电势 olage 霍尔元件在一定的控信,电流条件下,霍尔端子之间在零磁场中产生的电压(电势). 2.7.2.37热不等位电压(电势thermalresidualvoltage 由霍尔元件芯片中的温度梯度引起的零磁场不等位电压(电势). 2.7.238内部不等位电压、电势 internalremanentresidualvoltage 由封装霍尔元件的集束片中的剩磁产生的零磁场不等位电压(电势). resdualvolage 2.7.2.39外部不等位电压电势externalremanent 由外部电磁铁的剩磁引起的零磁场不等位电压(电势》. 27.240自澈场不等位电压(电势》indwcetiversidualvotage 霍尔元件通以控制电流时,在零磁场中霍尔电极之间由于控制电流的自激场的作用而产生 的电压)电势 2.7.2.41最佳负载电阻 optiumloadresistance 霍尔电极的输出功率最大或者输出线性误差最小的负载电阻 2.7.2.42霍尔电压平均温度系数meantemperaturecoefficientofHalvoltage 在规定的控制电流、磁感应强度和规定温度范围内,温度每变化1C霍尔电压变化百分率的 算术平均值 2.7.2.43内阻温度系数temperaturecoefieientofinternalresistance" 在不施加磁场的条件下,霍尔元件的温度每变化1C,输入(输出)阻抗(电阻)变化的百分 数 2.7.2.44寄生直流电压(电势residualDCvoltage 在零磁场中霍尔元件通以交流电流时霍尔端子之间产生的直流电势分量 也称零磁场寄生 电势 27.2.45额定耗散功率rateddissipation 在额定控制电流下,霍尔元件的芯片耗散的功率 2.8力敏元器件术语 2.8.1力敏元器件分类术语 2.8.1.1力敏元器件mechanicalquantitrysensingelementanddevice 对力学量敏感的检测压力的敏感元器件 2.8.1.2电阻应变计resistancestraingauge 又称应变计(straingauge),能将被试件的应变量转换成电阻变化量的检测元件 26
GB/T4475一1995 2.8.13金属应变计metalstraingeuge 用金属电阻体作为敏感栅的应变计 2.81.4丝式应变计wirestraingauge 用金属丝作为敏感栅的应变计 2.8.1.5箱式应变计folstrain ngauge 用金属箱作为敏感栅的应变计 28.1.6薄膜式应变计thinflmstraingauge 用沉积的金属或半导体薄膜制成敏感栅的应变计 2.8.1.7半导体应变计 semiconductorstrain gauge 用半导体材料制成敏感栅的应变计 2.8.1.8体型半导体应变计bulktypesemiconductorstrain 1gauge 用单晶硅等半导体材料切割后,经蚀刻等方法制成敏感栅的应变计 2.8.1.9P型半导体应变计P-typesemiconduetorstraingauge 用P型半导体材料制成敏感栅的应变计 2.8.1.10N型半导体应变计N-typesemiconduetorstraingauge 用N型半导体材料制成敏感栅的应变计 2.8.1.11扩散型半导体应变计defusedsemiconductorstraingauge 在掺入适当杂质的半导体材料上制成敏感栅的应变计 2.8.1.12纸基应变计paper-basedstraingauge 用纸作为基底材料的应变计 2.8.1.13漫胶基应变计impregnated-basestraingauge 用浸胶的纸或玻璃纤维布作为基底材料的应变计 2.8.1.14胶膜基应变计straingaugewithorganicfilmbase 用有机胶膜作为基底材料的应变计 2.8.1.15金属基应变计straingaugewithmetalbase 用金属薄片或金属网作为基底材料的应变计 2.8.1.16临时基应变计temorarybasestraingauge 制遣时将敏感栅粘贴在临时基上,待敏感栅固定于被测试件上之后,临时基随即被取掉的应 变计 2.81.17圆膜式应变计diaphragmstraingauge 教感栅粘贴在圆形平面膜片上,用以测量膜片受力变形的应变计 2.81.18抗磁性应变计antimagpeticstraingeuge 用于磁场环境中的专用应变计 2.&1.19常温应变计 normaltemperaturestraingauge 工作温度为常温(一般为一30C至60c)的应变计. 2.8.1.20中温应变计mediumtemperaturestraingeauge 工作温度范围为中温(一般为60C至350c)的应变计 28121高温应变计hightempeaturestraingauge 工作温度高于350C的应变计 2.8.122低温应变计lowtemperaturestraingauge 工作温度为低温( 一般为一160C至一30C)的应变计 2.8.123超低温应变计utra-lowtemperaturestraingauge 工作温度低于-160C的应变计 27
GB/T4475一1g95 2,8.1.24温度自补偿应变计self-temperaturestraingauge 在规定的温度范围内,在线性系数为某一定值的被测试件上使用时,热输出不超过规定数值 的应变计 2.8.1.25粘贴式应变计bondedstraingauge 用粘结剂粘贴在被测试件上的应变计 2.8.1.26煤接式应变计wedabiestingeuge 用焊接法固定在被测试件上的应变计 2.8.127喷涂式应变计straingaugeinstalledbyspraying 用喷涂法安装在被测试件上的应变计 2.8.128埋入式应变计embeddedstraingauge 埋入混凝土等结构材料中,用以测量其内部应变的应变计 28.1.29大应变应变计highedlongation.straingauge 能用于测量大应变量的应变计 2.8130卡尔逊应变计Carlsonstraingauge 用两组已施加张力的细丝作为敏感栅,外部封以挠性金属筒的应变计,一般用以测量混凝土 的内部应变 28.131单袖应变计uniaxialstraingauge 用于测量单向应变的应变计 28.132单轴多敏感栅应变计uniaxialstraingauge withmultisensitivegrid 具有两个以上敏感栅的单轴应变计 2.8.1.33多轴应变计nmultiaxialstraingauge 又称应变花(strainrosette) 用于测量两个或两个以上方向应变的应变计 2.8.1.340度多轴应变计muliaxialstraingaugewith0degrees 当测量方向数目为m(m>2),相邻两方向的最小夹角为0度时的多轴应变计 2.8.1.35非粘贴式应变计unbondedstraingauge 敏感栅由四个电阻栅组成电桥,在外力作用下产生差动电阻变化的应变计,这种应变计不粘 贴在基底材料上 2.8.1.36裂纹扩展计crackpropagationstraingauge 粘贴在被测试件上,在已知应变情况下,用以检测裂纹扩展速率的检测元件 2.8.137疲劳寿命计fatiguelifegauge 粘贴在被测试件上,在已知应变情况下,用以测量试件材料疲劳程度的检测元件 28.1.38半导体硅力敏器件siliconmechanicalsensor 用硅作敏感体的力敏器件 2.8.1.39扩散硅力敏器件difusedsiliconmechanicalsensor 用扩散掺杂的硅材料作敏感体制成的力敏器件 2.8.1.40单晶硅力敏器件nmonocrystallinesiliconmeehanicalsensor 用单晶硅材料作敏感体制成的力敏器件 2.8.1.41多晶硅力敏器件polyerystallhinesilliconmechanicalsensor 用多晶硅材料作敏感体制成的力敏器件 2.8.1.42硅蓝宝石力敏器件silicononsapphiremechanicalsensor 以蓝宝石为衬底外延生长的硅层上制作的力敏器件 28.1.43全桥力敏器件fal-bridgetypemechanicealsensor 将敏感器件接成全桥式的力敏器件 28