GB/T5593-2015
电子元器件结构陶瓷材料
Structureceramicmaterialsusedinelectroniccomponentanddevice
- 中国标准分类号（CCS）L90
- 国际标准分类号（ICS）31-030
- 实施日期2016-01-01
- 文件格式PDF
- 文本页数16页
- 文件大小485.64KB
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电子元器件结构陶瓷材料
国家标准 GB/T5593一2015 代替GB/T55931996 电子元器件结构陶瓷材料 Structureceramicmmaterialsusedineleetronic componentanddevice 2015-05-15发布 2016-01-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T5593一2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
本标准代替GB/T5593一1996《电子元器件结构陶瓷材料》 本标准与GB/T55931996相比,主要有下列变化 -表1中作如下修改: 对A-95、A-99增加了硬度性能要求;增加了测试A-95、A-99硬度方法的规范性附录A; B97替代B95;B-97,B99两者BeO组分含量均为最低值;“单位与符号”改为“单位”;线膨胀 系数单位/改为K';晶粒大小"改为4m;A-95的晶粒大小从15Am 一304m改为8Mm~ B97.B9中早均晶粒大小改为 20m;B-9720C一500笔线膨胀系数7一8改为7.0一8.5; 12Am30m;B97中导热系数20C改为200w/(mK),100C改为160w/mK); B99中导热系数20C改为230w/mK),100改为180w(mK); -5.8抗热震性的测定持续时间从30min改为10min; 表2中作如下修改 部分测试样品尺寸,将氧化铝瓷和氧化镀瓷分别对待;气密性样品厚度从0.25mm士0.02mm改为 0.30mm士0.02mm
请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
本标准由工业和信息化部提出
本标准由电子技术标准化研究院归口
本标准起草单位;电子科技集团公司第十二研究所、湖南新化鑫星电子陶瓷有限公司、江苏常 熟银洋陶瓷器件有限公司、河南济源兄弟材料有限公司,浙江绍兴富尔全瓷业有限公司,浙江温岭特种 陶瓷厂 本标准主要起草人;高陇桥、曹培福、高永泉、黄国立、王立夫,徐正平,李晓英
本标淮所代替标准的历次版本发布情况为 GB5593一1985,GB/T5593一1996
GB/T5593一2015 电子元器件结构陶瓷材料 范围 本标准规定了电子元器件结构陶瓷的种类、级别、技术指标要求,试验方法和检验规则
本标准适用于电子元器件用结构陶瓷材料
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
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GB/T1031一1995表面粗糙度参数及其数值 多孔陶瓷显气孔率,容重试验方法 GB/T1966 GB/T2413压电陶瓷材料体积密度测量方法 GB/T2421.1 电工电子产品环境试验概述和指南 GB/T5594.1电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法气密性测试方法 GB/T5594.2电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法杨氏弹性模量泊松比测试方法 GB/T5594.3电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第3部分平均线膨胀系数测试方法 GB/T5594.4电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分:介电常数和介质损耗角正切 值的测试方法 GB/T5594.5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法 GB/T5594.6电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第6部分;化学稳定性测试方法 GB/T5594.7电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第7部分;透液性测定方法 GB/T5594.8电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分;显微结构测定方法 GB/T5597固体电介质微波复介电常数测定方法 GB/T5598氧化镀瓷导热系数测定方法 GB/T9530-1988电子陶瓷名词术语 JG151一2006金属维氏硬度计检定规程 SI/T10760-1996电子器件结构陶瓷材料的名称和牌号的命名方法 术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件
3.1 电子陶瓷eleetronicceramies 在电子技术中用于制造电子元件和器件的陶瓷材料，一般可分为结构陶瓷和功能陶瓷
3.2 莫来石瓷mulliteceraics 以莫来石(3AO2SsiO.)为主晶相,长石、与钙长石为玻璃相的陶瓷
其特点是介质损耗角正切 值较一般长石质瓷小,绝缘电阻率高,抗电强度高,并具有较好的机械强度
主要用于制造电阻瓷基体
3.3 滑石瓷steatiteceramices 以原顽辉石为(MgS(O,)为主晶相的陶瓷
其特点是具有较高的机械强度,较低的介质损耗角和高 的绝缘电阻率,热稳定性较差
GB/T5593一2015 注;汁石瓷主要用于制造各种类型的绝缘子、线圈骨架、高频瓷轴、波段开关、管座以及电阻基体等
还用于制造各 种高压高介电容器
3.4 镁橄榄石陶瓷forsteriteceramies 以硅酸镁MgSiO)为主晶相,并含有一定量的锁质玻璃相的陶瓷
其特点是机械强度高,介电性 能优良,线膨胀系数与金属钛相近,因此,能与金属钛良好地进行封接
其缺点是热稳定性差 注:镁橄榄石瓷用于制造电子管和半导体器件的绝缘零件,且广泛用于小型金属陶瓷管
此外,还用于制造电阻基 体和陶瓷电容器
3.5 氧化铝瓷alminaceramies 以氧化铝为主要成分,主晶相是a-Al.O的陶瓷,如A-75瓷、A-95瓷、A-97瓷、A-99.9瓷等,具有 机械强度高、高温下介电性能优异、真空气密性好、介电损耗低、硬度大、导热性好、耐高温、耐磨、耐腐 蚀,抗氧化等特点
注:主要用于制造超高频、大功率电真空器件绝缘结构零件,厚膜、薄膜和微波集成电路基片,硅整流器的壳体和支 架、天线罩等
3.6 多孔氧化铝瓷porousaluminaceramies 含有大量闭口气孔和贯通的开口气孔,主成分为a-A.,o的陶瓷
气孔要求分布均匀,并具有一定 的机械强度,能耐热急变
注:可用作管内支撑件、催化剂载体等
氧化镀瓷beryIiaceramies 主晶相为具有纤锌矿结构的氧化镀,次晶相为镁铝镀化合物的陶瓷
按氧化镀的含量不同,可分为 B-95瓷和B99瓷
其特点是具有很高的导热性,导热系数几乎与纯铝相等
它有优越的抗热震性,其 电性能近似于氧化铝瓷
注:用于制作晶体管的管壳、管座、散热片、功率较大的集成电路和微波集成电路基片、微波窗以及用于空间技术、 原子能中子减速器等
3.8 aluminiunitrideceramics 氮化铝瓷 主晶相以氮化铝(AIN)为主要成分的陶瓷
色白,六方晶型,导热性好,仅次于氧化镀瓷,是一种高 导热材料,抗热震性好,化学性能稳定
注:用于制造大功率厚膜集成电路的陶瓷基片,大功率半导体器件和超大规模集成电路的基板,此外尚可用作高温 耐腐蚀材料等
3.9 氮化棚陶瓷boronnitrideceramies 以氮化棚为主要成分,结晶结构为六方型或立方型的陶瓷
六方型结构的氮化棚瓷与石墨相似,润 滑性能好,硬度低,易于进行机械加工,是较好的可切削材料
立方型结构氮化研瓷的硬度高,与金刚石 相似
氮化砌瓷密度小,热稳定性和化学稳定性好,其突出特点具有高导热率和低电导率,易于加工,以 及优异的润滑性能,并有较好的耐高温性,高温性能优于氧化铝瓷以及对微波辐射具有穿透能力
注;可用于雷达窗口,又可用于功率较大的品体管管座,管壳,散热片及微波输出窗
3.10 mmeehanical 机械强度 strength 陶瓷材料或制品抵抗外界机械应力作用的能力
以单位截面上所能承受的最大负荷来表示
根据 负荷的性质可分为抗折或抗弯)强度、抗压强度、抗张强度、抗冲击强度等
GB/T5593一2015 3.11 耐压强度 compressiostrength 抗压强度 陶瓷材料受到压缩负荷作用而破坏时的极限应力值
3.12 抗折强度transversestrength 陶瓷材料受到弯曲负荷作用而破坏时的极限应力值
用弯曲破坏力矩与折断处的横截面积的比值 来表示,单位为牛顿每平方厘米(N/cm) 3.13 抗拉强度tensilestrength 陶瓷材料受到张应力(拉伸负荷)的作用而破坏时的极限应力,以试样单位截面积上所承受的破坏 负荷表示
单位为牛顿每平方厘米(N/cm' 3.14 体积电阻率volumeresistivits 又称比体积电阻p
是表征电介质材料体积绝缘性能的重要指标
p、在数值上等于边长为1em 的立方体电介质所具有的电阻
单位为欧姆厘米(Qcem)
3.15 电击穿eleetriebreakdown 在电场作用下,电介质内少量自由电子动能加大,当电压足够大时,由于电子冲击激发出新的自由 电子参加运动并产生正负离子,介电功能受破坏,而被击穿
3.16 电击穿强度breakdownstrength 介电强度dieleetricstrength 绝缘强度insulatingstrength 处于电场中的介质,当电压增大到某一临界值时,将丧失其绝缘性的现象,相应的临界电压值为击 穿电压,相应的电场强度,称为电击穿强度
单位为千伏每毫米(kV/mm).
3.17 泊松比poisson'sratio 物体在弹性限度范围内,在轴向拉应力作用下,其横向相对收缩(e,、e.)与纵向相对伸长(e,)之比 值称为泊松比
可表示为: 从一 e le 3.18 弹性模量elasticmodlus 符合虎克定律的弹性体,在承受轴向拉力(或压力)时,在弹性限度范围内,应力(a)与应变(e)的比 值称为弹性模量
记为 o E 要求 4.1分类与命名 陶瓷材料根据其用途和性能按表1进行分类
其名称和牌号的命名符合S/T10760-1996的规定 4.2性能 陶瓷材料的机械性能、电性能和化学性能等应符合表1的规定
GB/T5593一2015 表 材料 序号 项目 测试条件 单位 AS-1 AS-2 MS-1 MS-2 M.S 莫来石瓷奠来石瓷滑石瓷 滑石瓷 镁橄榄石瓷 体积密度 >2.6o >2.8o >2.70 >2.60 >2.90 g/cm” 气密性 m/、 通过 透液性 通过 通过 通过 通过 通过 抗折强度 MPa >80 >100 >140 >120 >l10 弹性模数 GPa >150 泊松比 0.20~0.25 抗热震性 通过 20100 10-K 6 8 <8 8 20C500 <10-K 1011 线膨胀系数 20C一800C X10-"K 10.5~11.5 20C~1200" <10-'K 20 K 导热系数 wmm 100"C 1MHz20 7.5 <7.5 二7.5 <7.5 6.57.5 介电常数 MHz500 10 10GHz20C" 1MHz20C ×1o 二40 20 20 5 介质损耗角 11 1MHz500C ×1o 正切值 10GHz20C" ×10 c 10 sl0 el013 l0l3 习 100 Qem >10 300 >1o" 12 体积电阻 Qcmm 500C Q
cm 13 击穿强度 D,C kV/mm >18 >15 >20 >20 >20 1:9HC" mg/cm 化学稳定性 14 10%NaOH mg/cm 15 气孔率 16 品粒大小 m 17 HV MPa 硬度" 主要用作主要用作大 用作小型电 用途 适用于一般装置零件 18 电阻基体型装置瓷体 真空零件 必要时测试
必要时按GB/T5597测试
GB/T5593一2015 牌号 A-75 A-90 A-95 A-99 A-99.5 A-多孔 B97(tmin B99(min) 75%A.o瓷p0%A.o瓷95%A.o)瓷99%ALo瓷 半透明瓷 97%Bo瓷99%Bx0瓷 Al.O 3.20 >3,40 >3.62 >3.85 多3.90 2.5 >2.85 >2.85 2.0 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 通过 >200 >230 >280 >300 >300 >30 >170 >180 >250 >280 0.20一0.25 0.20~0.25 通过 通过 通过 通过 通过 通过 6.3~7.3 6.5~7.5 6,57.5 6,57.3 6,57.5 7.08,5 7,08.5 6.37.3 6.58.0 6.58.0 6.58.0 7.08.5" 200 230 160 180 9.010.5 9.0~10.5 6.5一7.5 6.5一7.5 9.0一l0 9.0一l0 4.5一5.5 9.010 9.0~1o 9.0~10 9.010.5 6.5一7.5 6,.5一7.5 10 6 4 2.5 1.5 5 30一40 8 8 10 6 >10 sl0l2 l03 三 >10 >10" >10 >10(20>10(20 >1o" =1o" >102 >10'" >10" >10 >1o" >1o >1o" >10'0 >20 >15 >15 >17 >18 >15 >18 7.0 s0.7 0.3 s0.3 <0.2 S0.2 <0. 0.2 1530 820 1230 1230 1380 450 可用作高机械 用作管壳 用作管壳 用作管壳 用作集成电路用作管内绝缘用作高温、高导热绝缘零件及 强度装置零件及封装零件及电路基片及电路基片基片输出窗片件及衰减材村 半导体器件基片
GB/T5593一2015 试验方法 5.1试验条件 如果本标准没有特殊规定时,陶瓷材料的所有试验应在GB/T2421.1所规定的正常的试验大气条 件下(温度15C一35C,相对湿度45%一75%,气压86kPa~106kPa)进行
5.2 试验样品 试验所用样品的形状、尺寸,要求和数量应符合本标准表2的规定
除多孔瓷和三公分波段(oGH2)试验项目外,测量陶瓷材料的电性能时,样品两面应按表忽的要 求用烧渗法覆上一层完整的银层作为电极
其测试方法按GB/T5597
形状,尺寸和要求 序号 项目 样品数 mm 体积密度 15土0.1 气密性 0.8 24士0.1 w)(包括正方体截面？=x7y 65土2 抗折强度 10 2(但括正方体截面3.5=x3.5=y 50土2 推荐BeO瓷用
GB/T5593一2015 表2(续 形状,尺寸和要求 序号 项目 样品数 mmm 弹性模数、 泊松比 120土1 3士0.1 抗热震性 10 热稳定性 小20土1 中35士1 膨胀系数 50士0.2 两端面应磨平，且其垂直度不得大f0.05
GB/T5593一2015 表2(续 形状、尺寸和要求 序号 项目 样品数 mm a)怖轴法 中l5士0.3 0.02 0.02 s 导热系数 0.02 0.02 )激光闪烁法 中12.70.03 0,02 0.02 0.02 0.02 被银层 介电常数， 介质损 耗角正切值 7I7 1MHz 35士5 巾26土1 被银层 中21土0.5 体积电阻率 中35士5
GB/T5593一2015 表2(续 形状、尺寸和要求 序号 项目 样品数 mm 中8土0.2 被银层 0 击穿强度 中35土5 1 化学稳定性 35土5 5.3体积密度 测量陶瓷材料的体积密度时,应按GB/T2413规定的方法进行 5.4气密性 测量陶瓷材料的气密性时,应按GB/T5594.1规定的方法进行
5.5透液性 测量陶瓷材料的透液性时,按GB/T5594.7规定的方法进行
5.6抗折强度 测量陶瓷材料的抗折强度时,负荷加在样品中心,负荷增加的速度不大于39N/s测量误差不超过 士10%
抗折强度
按式(2)和式(3)计算 圆柱形试样 =0,025 D 式中: 抗折强度,单位为兆帕(MPa; 抗折负荷,单位为牛顿(N); 支点间距离,单位为厘米(em); -试样折断面截面的直径,单位为厘米(cm).
GB/T5593一2015 方形截面试样: 口=0.015 b
" 式中: -抗折强度,单位为兆帕(MPa); 抗折负荷,单位为牛顿(N); 支点间距离,单位为厘米(cm). 试样折断截面宽度,单位为厘米(cm); 试样折断截面的厚度,单位为厘米(em)
弹性模数泊松比 测量陶瓷材料的弹性模数、泊松比时,应按GB/T5594.2规定的方法进行
5.8抗热震性(热稳定性》 测量抗热震性(热稳定性)时,应将试样洗净,并在120C士10C的加热箱中烘干,自然冷却至室 温,然后放人规定试验温度的加热炉中持续10min
将试样取出放置在石棉板上,在正常试验大气条 件下自然冷却至室温,随后再将试样放人规定温度的加热炉中,重复试验直至规定的次数为止,最后在 1%浓度的品红溶液中浸置3min,取出洗净、擦干,在灯光下观察样品不应有裂纹、炸裂
对A-90,A-95,A-99,A-99.5,B97,B99陶瓷材料,规定温度为800C士10C,反复10次为合格
对MS陶瓷材料,其试验温度为400C土10C,反复五次为合格
线膨胀系数 5.9 测量陶瓷材料的线膨胀系数时,应按GB/T5594.3规定的方法进行
5.10导热系数 测量陶瓷材料的导热系数时,应按GB/T5598规定的方法进行
5.11介电常数及介质损耗正切值 5.11.1介电常数及介质损耗正切值(1MHz) 测量1MHz下或高温条件下陶瓷材料的介电常数及介质损耗正切值时,应按GB/T5594.4规定 的方法进行
5.11.2介电常数及介质损耗正切值(10Gz) 测量10GHz下陶瓷材料的介电常数及介质损耗正切值时,应按GB/T5597规定的方法进行
5.12体积电阻率 测量陶瓷材料体积电阻率时,应按GB/T5594.5规定的方法进行
5.13击穿强度 测量陶瓷材料的击穿强度是,应在直流高压设备上进行,设备应保证电压能均匀上升,升压速率不 大于1000V/s,电压测量误差不应大于士5%
试样及电极要求见表2,试验应在绝缘性能足够的绝缘 油或变压器油中进行
测量厚度时,误差应不大于士0.002 mm 测试结果按式(3)计算: 10o
GB/T5593一2015 E- 3 式中: E -试样的电气强度,单位为千伏每毫米(lkV/nm mm; U 试样的击穿电压,单位为千伏(kV); 试样的厚度,单位为毫米(mm); 5.14化学稳定性 测量陶瓷材料化学稳定性时,应按GB/5594.6规定的方法进行
5.15气孔率 测量陶瓷材料气孔率时,应按GB/T1966规定的方法进行
5.16晶粒尺寸 测量陶瓷材料晶粒尺寸时,应按GB/T5594.8规定的方法进行
5.17 硬度 测量陶瓷材料硬度时,应按附录A规定的方法进行
6 检验规则 6.1检验分类 6.1.1概述 陶瓷材料的检验分为出厂检验(交收检验)和型式检验例行检验)
6.1.2出厂检验 陶瓷材料每批应按表3规定的试验项目进行出厂检验
表3 材料牌号 控制指标名称 A.S.-1 体积电阻率,抗折强度 A s.-2" MS-1 介质损耗角正切值、抗折强度 MsS2 A-75 介质损耗角正切值、抗折强度 MS/A-90 1MHz介质损耗角正切值、抗折强度、击穿强度 A-95 线膨胀系数.体积密度.化学稳定性 A-99 A-99.5 击穿强度 1MH2介质损耗角正切值,体积密度 B-97 B99 线膨胀系数、热导率
GB/T5593一2015 6.1.3型式检验 为了确定陶瓷材料是否符合本标准的要求,制造厂应按表1的规定进行型式检验
型式检验每年 不得少于一次,当制造工艺或原材料发生重大改变时,也要进行型式检验
6.2检验批 由同一配方在相同条件下连续生产的陶瓷材料组成检验批
6.3判定规则 试验中,若全部样品的指标均符合本标准表1的规定,则认为该批陶瓷材料合格
在试验中,若发 现一项或一项以上的试验项目不符合表1的规定,则应以同批瓷料制成两倍数量的样品对不合格项目 进行复验
若复验仍不合格,则该批陶瓷材料为不合格
若复验的全部样品的指标均符合表1的规定、 则认为该批同管为合格" 测量陶瓷材料的抗折强度时,每支样品的测定值不得低于表1所规定标准值的90%
标志,包装、运输和贮存 7.1标志 陶瓷材料的外包装上应有牢固的标志,内容包括;制造厂名称、产品名称、产品批号、产品型号、制造 日期等
在塑料薄膜内包装里应附有产品标签,内容包括;制造厂名称,产品名称,产品型号、制造日期产品 的主要参数,重量等
BeO产品在贮存和运输过程中应有“毒品”标识 7.2包装 陶瓷材料用内有塑料薄膜的纺织带等材料进行包装,每袋的重量不超过25kg 7.3运输 陶瓷材料可以用任何运输工具进行运输,运输中要防止雨淋
7.4贮存 陶瓷材料应贮存在通风、干燥的库房里，且与其他粉料隔开存放
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GB/T5593一2015 附录 A 规范性附录 电子元器件结构陶瓷材料维氏硬度测试方法 A.1概述 本方法规定了测定电子元器件结构陶瓷维氏硬度所用的设备要求,试样的要求,试验步骤及结果 计算
本方法适用于电子元器件结构陶瓷材料维氏硬度的测定
A.2测试原理 采用将两相对面夹角为136"士0.5“正四棱锥体金刚石压头,在试验力作用下压人试样表面,保持 规定时间后,卸除试验力,测量试样表面压痕对角线长度
见图A.1 7777777777 图A.1维氏硬度测定原理示意图 A.3维氏硬度的表示方法 试验力除以压痕表面积的商就是维氏硬度值
用49N(5kg)的试验力,标准的试验保持时间为 10s~15s,若所测定的维氏硬度值为1500,即表示为1500HV 试验设备 试验设备应满足JG151一2006规定的要求
注:本测试方法由河南济源兄弟材料有限公司提供
A.5试样 试样样品应符合下列要求: a)试样要求:lem×1cm见方,厚度不小于4mm b试验面与相对机面的平行度不大于0.31 mm/cm; 13
GB/T5593一2015 试验面应为光滑平面,粗糙度按GB/T10311995规定测试值Ra不大于0.84nm.
A.6试验步骤 试验步骤如下所示 a)将硬度计放置在稳固的基础上,并调至水平,其水平度为0.2/1000; b)使试样试验面与压头轴线垂直; e)调好显微镜焦距; d)选择试验力为49N(5kg),对于特殊情况试验力可另行选择,但应在试验报告中注明; 在试验前或在更换压头后,用相应的标准维氏硬度块进行校验,以判别压痕形状和硬度测定值 是否正确 以0.3mm/s的加荷速度施加负荷
在试验过程中不应有任何冲击或振动,保持试验力10s一 15s,准确测量压痕对角线长度; g 在同一个试验面上压痕数量不少于5个; h)相邻两压痕中心距离为压痕对角线长度的10一15倍,压痕中心至试样边缘距离至少为压痕对 角线平均长度的10~15倍; 试验后,当试验面上出现压痕形状不完整或畸形时,其结果无效 硬度值的计算 维氏硬度的计算公式如式(A.1)所示 2Fsina HIV =1.854 A.1 十dl， dl1十dl" 式中: 维氏硬度符号 HV -试验力,单位为牛顿(N); 136 压头两端面相对面夹角
压痕两对角线d.d
的算术平均值,单位为毫米(mm). 以各点测量结果的算术平均值作为维氏硬度值,保留3位有效数字 至少以5个有效数据计算平均值和标准偏差作为试验结果
A.8检验报告 电子元器件结构陶瓷材料维氏硬度测试报告应包括以下内容 a)受检单位名称; b)送样日期 e)送样者; d)测试样品编号 使用的仪器、操作者,测试日期 f 检验项目及检验结果
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电子元器件结构陶瓷材料GB/T5593-2015解析
概述
GB/T5593-2015标准规定了电子元器件结构陶瓷材料的分类、要求、试验方法、标志、包装、运输和贮存。
组成
电子元器件结构陶瓷材料主要由氧化物组成，如二氧化铝、氧化锆、氧化钛等。其中，氧化铝是最为常用的一种组分，因为它具有良好的绝缘性能、机械强度和稳定性。
应用
电子元器件结构陶瓷材料广泛应用于各种电子元器件中，如晶体管、集成电路、电容器、电感器、保险丝等。这些元器件中的陶瓷材料主要起到支撑和固定电极、导体等元件的作用，同时还可以保护电子器件不受外界环境的影响。
性能
电子元器件结构陶瓷材料具有高机械强度、较好的绝缘性能、耐高温性能、化学稳定性以及耐热震性等优点。这些性能使得该材料在电子行业得到了广泛应用。
结论
GB/T5593-2015标准规定了电子元器件结构陶瓷材料的分类、要求、试验方法、标志、包装、运输和贮存。该材料主要由氧化物组成，具有高机械强度、较好的绝缘性能、耐高温性能、化学稳定性以及耐热震性等优点，因此被广泛应用于各种电子元器件中。
