200mm硅外延片

200mm硅外延片

国家标准 GB/T35310一2017 200mm硅外延片 200mmsiliconepitaxialwafer 2017-12-29发布 2018-07-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/35310一2017 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口 本标准起草单位:南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院 本标准主要起草人;马林宝,骆红、杨帆、金龙、杨素心
GB/35310一2017 200mm硅外延片 范围 本标准规定了直径200mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标 志、包装,运输、贮存,质量证明书 本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片 产品主要用于制作集成电路 或半导体器件 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/ /T 1555半导体单晶品晶向测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6617硅片电阻率测定扩展电阻探针法 GB 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB 6619硅片弯曲度测试方法 GB 6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB T 6621硅片表面平整度测试方法 GB 6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB 12964硅单晶抛光片 硅外延层,扩散层和离子注人层薄层电阻的测定直排四探针法 GB 1414 14142硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法 GB 14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 GB 14264半导体材料术语 GB GB/T14847重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 T GB 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 YS/T28硅片包装 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件 产品分类 4.1产品按导电类型分为N型和P型 N型外延层掺杂元素为磷或呻,P型外延层掺杂元素为棚
GB/T35310一2017 4.2产品按晶向分为(1l1)>、(100)等 5 要求 5.1衬底材料 硅外延片用的硅抛光衬底片电阻率应符合表1的规定,其他各项参数应符合GB/T12964的规定 表1硅抛光衬底片电阻率范围 导电类型 掺杂元素 电阻率/(acm) sb s0.02 As <0.,006 >0.001一60 B >0.00160 5.2外延层 5.2.1电阻率及径向电阻率变化 硅外延片的外延层电阻率及径向电阻率变化应符合表?的规定 表2外延层电阻率及径向电阻率变化 外延层电阻率/ncm) 标称电阻率允许偏差 径向电阻率变化RV 0.01100 士5% 5% 径向电阻率变化RV按式(1)计算 PMax二Pm RV= ×100% pMax十pim" 式中 分别是指中心点以及在平行于和垂直于主参考面的两条直径上距周边6mm士1mm PMx、9Min 的5点位置处电阻率测量值的最大值和最小值,或中心点以及在平行于和垂直于主 参考面的两条直径上1/2半径以及距周边6mm士1mm的9点位置处电阻率测量值 的最大值和最小值 径向电阻率变化的其他测试方案(如取点方法、计算公式等)也可由供需双方商定并在合同中注明 5.2.2厚度及径向厚度变化 硅外延片的外延层厚度及径向厚度变化应符合表3的规定 表3外延层厚度及径向厚度变化 外延层厚度/m" 标称厚度允许偏差 径向厚度变化TV 1120 士5% 5%
GB/35310一2017 径向厚度变化TV按式(2)计算 心 T Max Mie TV= ×100% TM十TM 式中 TM、TMa -分别是指中心点以及在平行于和垂直于主参考面的两条直径上距周边6mm士1mmm 的5点位置处的厚度测量值的最大值和最小值,或中心点以及在平行于和垂直于主 参考面的两条直径上1/2半径、距周边6mm士1mm 的9点位置处厚度测量值的 最大值和最小值 径向厚度变化的其他测试方案(如取点方法、计算公式等)也可由供需双方商定并在合同中注明 5.2.3纵向电阻率分布及过渡区宽度 5.2.3.1外延层的纵向电阻率分布由供需双方协商确定 5.2.3.2外延层的过渡区宽度应小于外延层厚度的15%,或由供需双方协商确定 过渡区宽度按式(3)计算 w -w1-w2 .(3 式中 W 外延层过渡区的宽度; w1 过渡区结束时厚度,即衬底片电阻率平均值×110%对应的外延层厚度; W2 过渡区开始时厚度,即外延层平坦区电阻率平均值×90%对应的外延层厚度 5.2.4晶体完整性 硅外延片外延层的位错密度和层错密度均应不大于10个/enm" 5.3几何参数 硅外延片距边缘3mm以内的几何参数应符合表4的规定 具体测试条件与要求由供需双方协商 决定 表4几何参数 项目 要求 总厚度变化TV/m 总平整度TIR/mt 2(20mm×20mm 局部平整度STIR/m 弯曲度Bow/gm 士55以内 翘曲度warp/4m 60 5.4表面金属 硅外延片的表面金属应符合表5的规定
GB/T35310一2017 表5表面金属 项目 要求 钠/(atoms/cm=') 5×10" <5xIo" 铝/(atoms/em') 5×10'" 钙/atoms/em' 钾/(atoms/em <5×10'" 铁/atoms/em' <5×10'" 镍/atoms/cm' 5×10" 铜/atomms/cm' 5×10" 0 锌/atoms/cm) 5× <5×10" 镁/ atoms/cm= 5×1o'o 铬人 atoms/cm= 5.5正面质量 硅外延片的正面质量应符合表6的规定 表6正面质量 序号 缺陷名称 要求 滑移线 5条,总长<1/2直径 无 局部光散射体(LL.Ss) (0.54m 无 凹坑 冠状边缘 突起应不大于15%外延层厚度 划痕 无 桔皮、波纹、裂纹,鸦爪 无 雾 无 崩边 无 沾污 5.6背面质量 硅外延片的背面应无沾污,无突起物、无划伤、无破损 5.7边缘 硅外延片正反面的边缘应光滑,无破损 5.8表面颗粒 硅外延片的表面颗粒数应满足直径不大于0.3m的颗粒应不多于20个/片,且直径不大于0.2Mm 的颗粒应不多于30个/片
GB/35310一2017 5.9其他 需方对硅外延片有其他要求时,由供需双方协商并在合同中注明 试验方法 6.1外延片的导电类型检验按GB/T1550的规定进行 6.2外延片的晶向检验按GB/T1555的规定进行 6.3外延层电阻率测试按GB/T14141或GB/T14146的规定进行,或按供需双方商定的方法进行 径向电阻率变化按式(1)计算 6.4外延层厚度的检验按GB/T14847的规定进行,或按供需双方商定的方法进行 径向厚度变化按 式(2)计算 6.5外延层纵向电阻率分布与外延层过渡区宽度的检验按GB/T6617的规定进行,或按供需双方商 定的方法进行 6.6外延层晶体完整性(位错密度、层错密度)的检测按GB/T14142的规定进行 6.7外延片总厚度变化检验按GB/T6618或GB/T29507的规定进行 6.8外延片总平整度、局部平整度检验按照GB/T6621或GB/T29507的规定进行 6.9外延片弯曲度的检验按GB/T6619的规定进行 6.10外延片翘曲度的检验按GB/T6620或GB/T32280的规定进行 6.1外延片表面金属的检验按GB/T24578的规定进行,或用CPMs测试 外延片正面质量,背面质量,边缘的检验按GBT6824的规定进行,或按供需双方商定的办法 6.12 进行 6.13外延片表面颗粒的检验按GB/T19921的规定进行 检验规则 7.1检查与验收 7.1.1每批产品应由供方技术质量监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准规定,并填写产品质 量证明书 7.1.2需方可对收到的产品进行检验 若检验结果与本标准规定不符时,应在收到产品之日起3个月 内向供方提出,由供需双方协商解决 7.2组批 产品应成批提交验收,每批应由供需双方一致确认的相同技术指标的外延片组成 7.3检验项目 7.3.1每批硅外延片应对导电类型、晶向电阻率,径向电阻率变化、厚度、径向厚度变化、晶体完整性、 几何参数、表面金属、正面质量、背面质量、边缘、表面颗粒进行检验 7.3.2每批硅外延片的纵向电阻率分布及过渡区宽度的检验由供需双方协商 7.4取样 7.4.1硅外延片非破坏性检验项目的检测取样按GB/T2828.1一般检查水平I,正常检查一次抽样方 案进行 破坏性检验项目的检测取样按GB/T2828.1特殊检查水平s2,正常检查一次抽样方案进行
GB/T35310一2017 上述检验项目的抽样方案也可由供需双方协商确定 7.4.2硅外延片的纵向电阻率分布及过渡区宽度的取样由供需双方协商确定 7.5检验结果的判定 7.5.1导电类型晶向的检验若有一片不合格,判该批产品为不合格 7.5.2外延片纵向电阻率分布及过渡区宽度检验结果的判定由供需双方协商确定 7.5.3其他检验项目的合格质量水平(AQL)应符合表7的规定 表7合格质量水平 序号 检验项目 合格质量水平AQL 外延层电阻率 1.0 外延层径向电阻率变化 l.0 外延层厚度 1,0 1.0 外延层径向厚度变化 外延层位错密度 1.0 晶体完整性 外延层层错密度 1.0 总厚度变化 1.0 总平整度 1,0 局部平整度 l.0 几何参数 弯曲度 1.0 翘曲度 .0 累计 2.5 表面金属 1.0 滑移线 1.0 局部光散射体(>0.3m) 1.0 凹坑 1,0 冠状边缘 1,0 划痕 1.0 正面质量 桔皮、波纹、裂纹、鸦爪 1.0 雾 1.0 崩边 1.0 沾污 1.0 累计 2.5 背面质量 10 1,0 边缘 1.0 表面颗粒 1.0 7.5.4非破坏性检验项目的结果不合格的产品,供方可对不合格项进行逐片检验,除去不合格品后,合 格品可以重新组批
GB/35310一2017 标志,包装、运输和贮存、质量证明书 8.1标志 包装箱外应有“小心轻放”“防腐防潮”“易碎”字样或标记,并注明 供方名称; a b) 产品规格; 产品数量 c 8.2包装 8.2.1硅外延片应在超净室内装人专用的硅片装运盒,盖好盒盖,片盒接口处贴上专用密封胶带,外用 洁净的塑料袋密封,是否采用双层包装以及每层包装的方式与材料,由供需双方协商确定 8.2.2放置硅外延片的片盒应是专用硅片洁净片盒,不能够产生污染与颗粒 每个外延片片盒应贴有产品标签 标签内容至少应包括;产品名称、规格、片数,批号及日期,片 8.2.3 盒再装人一定尺寸的外包装箱,采取防震、防潮措施 8.2.4需方对包装没有明确要求的按照Ys/T28执行 8.3运输和贮存 8.3.1产品在运输过程中应轻装轻卸、勿挤勿压,并有防震措施 8.3.2产品应贮存在洁净、干燥的环境中 8.4质量证明书 每批产品应附产品质量证明书,其上注明 供方名称 a 产品名称和产品规格; b 产品批号; c 产品数量 d 衬底片生产厂家及主要技术参数 e fD 各项检验结果及检验部门印记; 检验和审核人员的签字; g h)生产日期 8.5其他 需方对产品的标志,包装,运输、贮存和质量证明书等有其他要求,可有供需双方协商确定 订货单(或合同)内容 本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容 产品名称; aa b 产品规格 产品数量; c 本标准编号; d 其他需要协商的内容 e

200mm硅外延片GB/T35310-2017解读

随着电子信息产业的快速发展，硅外延片作为半导体材料的重要组成部分，其需求量也在不断增加。GB/T35310-2017标准是我国针对硅外延片生产制造过程与质量控制方面制定的标准之一，其中涵盖了200mm硅外延片的相关规定。

根据GB/T35310-2017标准，200mm硅外延片的直径应该在198mm至202mm之间，并且要求表面平整度、厚度均匀性、杂质含量等指标均符合标准要求。此外，标准还对200mm硅外延片的生产工艺、检验方法、包装运输等方面进行了详细说明。

实际生产中，200mm硅外延片的质量直接关系到半导体器件的性能和可靠性。因此，在生产过程中，厂家需要严格按照GB/T35310-2017标准的要求进行生产制造，并通过专业检测机构的检测，确保产品质量达到标准要求。

总之，200mm硅外延片作为半导体材料中的重要组成部分，其质量对于电子信息产业的发展至关重要。通过遵循GB/T35310-2017标准，生产厂家可以提高自身产品的质量，从而更好地满足市场需求。

200mm硅外延片的相关资料

和200mm硅外延片类似的标准

GB/T35310-2017

200mm硅外延片

2022/8/24 0:25:58 现行

GB/T35310-2017

200mm硅外延片

2022/8/24 0:25:58 现行