硅退火片规范

硅退火片规范

国家标准 GB/T26069一2010 硅退 规范 Speeifieationforsilieonannealedwafers 2011-01-10发布 2011-10-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/I2606g一2010 前 言 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/Tc203/SC2)负责 归口 本标准起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限 公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草 本标淮主要起草人;楼春兰,孙燕、朱兴串,宫龙飞、王飞尧,黄笑容、方强、汪成生、程国庆
GB/T26069一2010 硅退火片规范 范围 本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求,试验方法,检验规则等 本标准适用于线宽180nm、 ,130nm和90nm工艺退火硅片 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 半导体单晶晶向剥定方法 GB/T1555 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 1557 计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 2828. GB 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法 GB/T6616 GB 6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB 6620 硅抛光片表面平整度测试方法 GB 6621 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T6624 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB l1073 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB 13387 硅片参考面结晶学取向x射线测试方法 GB 13388 硅片直径测量方法 GB/T14140 GB/T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 Ys/T26硅片边缘轮廓检验方法 术语和定义 GB/T14264中界定的术语和定义适用于本文件 要求 4.1产品分类 本标准将硅退火抛光片按线宽分为180 ,线宽130nm和线宽90nm三类 nm
GB/T26069一2010 4.2硅退火片的技术要求 硅退火片的技术要求具体见表1所示 表 项 目 180nm 130nm 90nm 退火前硅片状态(抛光硅片 基本特性 1.0 CZ/MCZ 生长方式 1.1 品向 1.2 100 l.3 型号 p型 掺杂剂 l，4 W 边缘去除 1.5 3mm 3mm 2mmm 其他掺杂剂 氮或者碳由供需双方商定 1.6 表面晶向偏差 0.00"士1.00 电学特性 2.0 电阻率(中心点 供需双方商定 2." 径向电阻率变化 20% 2.2 化学特性 3.0 氧含量/校正因子 供需双方商定 3. 径向氧含量变化 10%(边缘 士 10mm 3.2 碳含量 3.3 S0.5ppma" 结构特性 4.0 4. 系属结构 无 李晶界 无 4.2 旋涡 无 4.3 预备硅片状态 5.0 硅片标识 供需双方商定 5,l 前表面薄膜 不规定 5.2 表面吸杂 不规定 5.3 背封 不规定 5.4 几何尺寸 6.0 直径 300mm士0.2mm 6,l 200mm士0.2mm 300mm士0.2mm 边缘抛光 供需双方商定 6,2 n士20 25wmr 0Am 厚度 775Am士20m 7754m士204m 切口或参考面 总厚度变化(TTV EIm
GB/T26069一2010 表1(续 项 目 180nm 130nm 90nm 背表面特性 7.0 无 7.1 崩边 .80(正面光泽 0.80正面光泽 7.2 亮度(光泽度 不规定 度的80% 度的80% <0.25×直径 7.3 划伤(宏观)总长度 8.0 退火条件 氢,氯或其他 氢,氧或其他 氢,氢或其他 8.1 退火环境 供需双方商定 供需双方商定 供需双方商定 退火后硅片的状态 退火后硅片的状态 9,0 边缘表面条件 腐蚀或者抛光(供需双方商定 9.1 10.0 退火后硅片的几何尺寸 10.1 翘曲度 <75m 100m 100m SFQR<180nm SFQR<130nm 平整度 srOR 10.2 90nm 11.0 退火后硅片正表面的化学物质表面金属含量 <1.3×10”em <1×10”cm" 1l.l 钠 <1.3X10"cem 11.2 1×10em 铝 s1X10lc 1×l0l0cm 11.3 钾 1.3×10em S1.3×10" <1×10'cm ll.4 铬 3×10'"cm 1.3×10cmm 1×10cm 1.5 ×1olemm 铁 10l0em cm 11.6 镍 3×10em 1.3X10"cm ×10'”em 1l.7 铜 3×10'"cm 1.3×10”cm S1×10》cm 1×10emm 锌 1X10lc 1×10l0cm ll.8 1.9 钙 <1.3×10l"em 1.3X1o"cnm <1X10cnm 2.0 退火后硅片正面的检查项目 滑移 供需双方商定 12.l 12.2" 氧化层错 供需双方商定 无 2.3 划伤(宏观 划伤(微观)总长度 <0.25×直径 12.4 12.5 强光灯下无雾 0.382a 0.270@> 0,270@> 2.6 总的局部光散射(整体LL.s)/ cm 120nmlSE 90nmI.SE 90nmISE 局部光散射(仅是coP)/cnmt 供需双方商定 12.7 供需双方商定 2.8 其他正表面缺陷 13.o 退火后硅片背面的检查 供需双方商定 13.1 沾污/面积
GB/T26069一2010 表1(续 项 日 180nm 130nm 90nm 13.2" 其他背面缺陷 供需双方商定 14.0 退火后硅片的其他特性 铁含量 供需双方商定 供需双方商定 14.2 体微缺陷(BMD)刻蚀带深度 体微缺陷(BMD)密度 供需双方商定 14.3 供需双方商定 14.4 其他特性 注:不规定,是指在本标准中不对该项目做出要求,如果客户对该项目有要求,则由客户给出规范 测试方法 5.1导电类型测量按照GB/T1550进行 5.2电阻率测量按照GB/T6616进行 5 径向电阻率变化测量按照GB/T11073进行 5. 4 晶向的测量按照GB/T1555进行 55 5 参考面长度的测量按照GB/T13387进行 5.6主参考面晶向按照GB/T1388进行 5.7晶体完整性检验按照GB/T1554进行 5.8抛光片表面氧化诱生层错按照GB/T4058进行 5.9直径测量按照GB/T14l40进行 间隙氧含量的测量按照GB/T1557进行,间隙氧含量径向变化按GB/T14144的规定进行 5. .10 11厚度和总厚度变化的测量按照GB/T6618进行 5 5. .12翘曲度测量按照GB/T6620进行 13平整度测量按照GB/T6621进行 5. 5. 14 表面质量检验按照GB/T6624进行 55 .15边缘轮廓的测量按照YS/T26进行 6 局部光散射测量按照GB/T19921进行 5.17表面金属含量测量按照GB/T24578进行 检验规则 检查和验收 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质 6.1.1 量保证书 6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货单)的规定不符 时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,或由供需双方协商解决 6.2组批 硅退火片以批的形式提交验收,每批应由同一牌号相同规格的硅退火片组成
GB/T26069一2010 6.3检验项目 6.3.1每批硅退火片全检项目为厚度、电阻率,表面质量 6.3.2其他项目如需检验,由供需双方协商确定 4 6. 抽检方法 6.4.1每批产品如属非破坏性测试项目,检测按GB/T2828.1的一般抽样方案进行,合格质量水平 AQL)值由供需双方协商决定 6.4.2如属破坏性测试项目,检测按GB/T2828.1特殊检查抽样方案进行,合格质量水平(AQL)值由 供需双方协商决定 包装、标志,运输和贮存 7.1按照合同或订单中需方的要求,材料的生产厂或者供方在发货时,应提供本规范生产和检验的材 料的合格证书及其检测报告 7.2硅退火片应在超净室内装人专用的硅退火片包装盒,外用洁净的塑料袋和铝箱袋双层包装峦封 每个退火片盒上应贴有产品标签 标签内容至少应包括产品名称,规格,片数.,批号及日朋 片盒装人 -定规格的外包装箱,采取防震,防潮措施 按本规范提供的硅片,应在每个包装箱或者其他容器以及每个片盒的外面贴上相应的标签 包装箱外侧应有“小心轻放”,“防潮”,“易碎”等标识,并标明 a)需方名称,地点 b) 产品名称,牌号 e)产品件数及重量; 供方名称 d 7.5运输、贮存 7.5.1产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施 7.5.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中 7.6需求方对合格证书、包装、贮存等有特殊要求时,应由供需双方商定 订货单内容 本标准所列材料的订货单应包括下列内容 a)本标准编号 b 产品名称 e产品批号 d) 数量; e)生长方法; O 直径; g晶向 h 厚度; 取向基准; i 导电类型 j k掺杂剂;
GB/T26069一2010 电阻率和径向电阻率变化; m氧碳含量 金属含量; n) o) 背封; 吸杂; p) 氧化层错 q 其他 r