微纳米标准样板（几何量）

微纳米标准样板（几何量）

国家标准 GB/T39516一2020 微纳米标准样板(几何量 Micronanostandardlsamplesgeometrie) 2020-11-19发布 2021-06-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标涯花管理委员会国家标准
GB/39516一2020 目 次 前言 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 型式与基本参数 型式 基本参数 5 要求 5,1外观 5.2性能参数要求 检查条件 检查方法 7.1外观 7.2微纳米线间隔标准样板的性能参数 7.3微纳米台阶高度标准样板的性能参数 7.！纳米膜厚标准样板的性能参数 7.5纳米线宽标准样板的性能参数 标志、运输及储存 15 8.1标志 15 8.2运输 l6 8.3储存 8.4产品合格证 图1线间隔示意图 图2台阶高度示意图 图3薄膜厚度定义示意图 图4线宽示意图 图5微纳米线间隔标准样板型式示意图 图6微纳米台阶高度标准样板型式示意图 图7纳米膜厚标准样板型式示意图 图8纳米线宽标准样板型式示意图 图9线间隔偏差有效测量区域选择示意图 图10线边缘粗糙度考核位置示意图
GB/T39516一2020 图11线边缘粗糙度示意图 10 图12均匀性测量示意图 图 13台阶高度测量示意图 12 图14台阶区域均匀性测量时测量线选取示意图 13 图 15薄膜厚度偏差考核示意图 14 16线宽偏差测量区域选择示意图 图 15 图17线宽均匀性测量位置选择示意图 表1微纳米线间隔标准样板的性能参数要求 表2微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求 表3纳米膜厚标准样板的性能参数要求 表4纳米线宽标准样板的性能参数要求
GB/39516一2020 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由机械工业联合会提出 本标准由全国量具量仪标准化技术委员会(SAC/Tc132)归口 本标准起草单位:电子科技集团公司第十三研究所、成都工具研究所有限公司、广西壮族自治 区计量检测研究院、计量科学研究院、上海市计量测试技术研究院、计量大学,珠海市怡信测量 科技有限公司 本标准主要起草人李锁印,付兴昌,梁法国、韩志国、赵琳、冯亚南、许晓青、张晓东,姜志刚、许刚、 苏冀雄、张恒、雷李华,赵军、张松涛、蔡潇雨,傅云霞
GB/39516一2020 微纳米标准样板(几何量 范围 本标准规定了微纳米标准样板(几何量)的术语和定义,型式与基本参数、要求、检查条件、检查方 法、标志、运输及储存等 本标准适用于线间隔为0.05m~10Hm的微纳米线间隔标准样板、台阶高度为0.014m~1004m 的微纳米台阶高度标准样板、薄膜厚度为2nm一1000nm的纳米膜厚标准样板和线宽为25nm~ 1000nm的纳米线宽标准样板 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T171632008几何量测量器具术语基本术语 GB/T25915.1一201o洁净室及相关受控环境第1部分;空气洁净度等级 术语和定义 GB/T171632008界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3. 微纳米标准样板(几何量 mier0nanostandardsammples(geometric 具有微纳米级线间隔、台阶高度、薄膜厚度、线宽几何特征结构的,可用于微纳米测量的标准样板 3.2 线间隔 pitch 具有微纳米级准确度和均匀性,刻线间距P不大于10pm的周期性刻线 以相邻同侧周期性刻线 边缘之间的距离或相邻周期性刻线几何结构中心之间的距离表征刻线间隔 注，线间隔示意图见图1所示 图1线间隔示意图 3.3 台阶高度stepheight 具有微纳米级准确度和均匀性的台阶或沟槽
GB/T39516一2020 注:台阶高度示意图见图2所示 t林前成在围/mn x轴测量范围/m 台阶 a b沟槽 d沟槽截面图 台阶截面图 o 图2台阶高度示意图 3.4 薄膜厚度 filmthickness 由硅基底表面和生长层薄膜表面所确定的厚度量值 注，薄膜厚度定义示意图见图3所示 薄膜 生长层薄膜 厚度( 硅基底 图3薄膜厚度定义示意图 3.5 线宽 linewidth 线条两侧平均线边缘之间的距离 注线宽示意图见图4所示 线宽 线边缘 4 图 线宽示意图 3.6 均匀性 umiformity 反映标准样板几何特征结构量值一致性的参数,在样板有效测量区域内均匀选取多个位置进行特 征结构量值测量,以其测量结果的实验标准偏差给出
GB/39516一2020 3.7 线边缘粗糙度 lineegeroughness 描述由加工工艺和材料本身特性引起的刻线单侧墙微观表面形貌不规则程度及双侧墙微观形位关 系的物理量 反映制造工艺,线宽测量及器件性能等刻线侧墙整体形貌特征 型式与基本参数 4.1型式 4.1.1微纳米线间隔标准样板 微纳米线间隔标准样板型式见图5所示 图示仅供图解说明,不表示详细结构 线间隔小于或等于0.5Hm的微纳米线间隔标准样板,其有效区域不应小于100m×1001 m;线间 隔大于0.5Mm的微纳米线间隔标准样板,其有效区域不应小于1mmX1mm 图5微纳米线间隔标准样板型式示意图 4.1.2微纳米台阶高度标准样板 微纳米台阶高度标准样板型式见图6所示 图示仅供图解说明,不表示详细结构 台阶高度小于或等于1Am的微纳米台阶高度标准样板,其台阶形式为凸的台阶结构;台阶高度大 于1"m的微纳米台阶高度标准样板,其台阶形式为凹的沟槽结构 标准台阶 指示标志 功叭 图6微纳米台阶高度标准样板型式示意图 4.1.3纳米膜厚标准样板 纳米膜厚标准样板型式见图7所示 图示仅供图解说明,不表示详细结构 纳米膜厚标准样板中心直径为10mm的区域为薄膜区域,并设计指示标记
GB/T39516一2020 标识区 有效测量区 o10mm 硅基底 图7纳米膜厚标准样板型式示意图 4.1.4纳米线宽标准样板 纳米线宽标准样板型式见图8所示 图示仅供图解说明,不表示详细结构 纳米线宽标准样板的有效区域不小于10m×Io m Sio,或SiN 图8纳米线宽标准样板型式示意图 4.2基本参数 4.2.1微纳米线间隔标准样板 微纳米线间隔标准样板的基本参数包括:线间隔、线边缘粗糙度和均匀性 4.2.2微纳米台阶高度标准样板 微纳米台阶高度标准样板的基本参数包括:台阶高度和均匀性 4.2.3纳米膜厚标准样板 纳米膜厚标准样板的基本参数包括;薄膜厚度和均匀性 4.2.4纳米线宽标准样板 纳米线宽标准样板的基本参数包括:线宽和均匀性
GB/39516一2020 5 要求 5.1外观 微纳米标准样板(几何量上不应有影响使用性能的划痕、断线等缺陷 5.2性能参数要求 5.2.1微纳米线间隔标准样板 微纳米线间隔标准样板的性能参数要求:线间隔偏差、线边缘粗糙度和均匀性应符合表1的规定 线间隔为0.05m~10m之间的其他微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差、线边缘粗糙度和均 匀性可参照表1执行 表1微纳米线间隔标准样的性能参数要求 线间隔 线间隔偏差 线边缘粗糙度 均匀性 4m Hm nm Hm 0.05 (线间隔X5% 线间隔×5% 士 0. 士(线间隔×3% 线间隔×3% 0.2 士(线间隔×2% 线间隔×2% 0.5 士(线间隔×1% 线间隔×1% 士(线间隔×1% 10 线间隔×1% 20 士(线间隔×1% 线间隔×1% 士(线间隔×1% 线间隔X1% 50 100 士(线间隔×1% 线间隔×1% 10 5.2.2微纳米台阶高度标准样板 微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求:台阶高度偏差和均匀性应符合表2的规定 m100 台阶高度为0.01 pm之间的其他微纳米台阶高度标准样板的台阶高度偏差和均匀性可 参照表2执行 表2微纳米台阶高度标准样板的性能参数要求 均匀性 台阶高度 台阶高度偏差 Mm Hm Am 士(台阶高度×10% 台阶高度x5% 0.01 0.02 士(台阶高度×5% 台阶高度×2.5% 0.05 士(台阶高度×4%) 台阶高度×2% 0. 士(台阶高度×3% 台阶高度×2% 0,2 土(台阶高度×2% 台阶高度×2% 0.5 士(台阶高度×1% 台阶高度×1%
GB/T39516一2020 表2(续 台阶高度 台阶高度偏差 均匀性 Am m Amm 士(台阶高度×1% 台阶高度×1% 士台阶高度×5% 台阶高度×1% 士(台阶高度×5% 台阶高度×1% 士(台阶高度×5%) 台阶高度×1% 10 20 士(台阶高度×5% 台阶高度×1% 50 士(台阶高度×5% 台阶高度×1% 100 士(台阶高度×5% 台阶高度×1% 5.2.3纳米膜厚标准样板 纳米膜厚标准样板的性能参数要求;薄膜厚度偏差和均匀性应符合表3的规定 nm1000nm 薄膜厚度为2 之间的其他纳米膜厚标准样板的薄膜厚度偏差和均匀性可参照表3 执行 表3纳米膜厚标准样板的性能参数要求 薄膜厚度 薄膜厚度偏差 均匀性 nm nm nm 士(薄膜厚度×15% 士薄膜厚度×10% 士(薄膜厚度×10% 士薄膜厚度×8% 薄膜厚度x10% 10 士 士 -薄膜厚度×5% 20 十 薄膜厚度×5%) 士(薄膜厚度×2.5%) 50 士(薄膜厚度×4% 士(薄膜厚度×2% 100 土(薄膜厚度×2%) 主(薄膜厚度×1%) 士(薄膜厚度×2% 士(薄膜厚度×1% 200 500 士(薄膜厚度×2% 士(薄膜厚度×1% 1000 士膜厚度×1% 士薄膜厚度×0.5% 5.2.4纳米线宽标准样板 雏米线宽标准样板的性能参数要求;线宽偏差和均匀性应符合表4的规定 线宽为25nm~1000nm之间的其他纳米线宽标准样板的线宽偏差和均匀性可参照表4执行 表4纳米线宽标准样板的性能参数要求 线宽 线宽偏差 均匀性 nm nnm nm 25 士(线宽×5% 线宽×5%
GB/39516一2020 表4(续 线宽 线宽偏差 均匀性 nm nm nmm 50 士(线宽×4% 线宽×4% 100 士(线宽× 2% 线宽×2% 士(线宽×1% 线宽X1% 200 500 士(线宽×1% 线宽×1% 士(线宽×1% 1000 线宽×1% 检查条件 微纳米标准样板(几何量)检查时,环境温度应为20C士2C,温度变化不大于士1C/h,相对湿度 不应大于80%,洁净度不低于Iso6级见GB/T25915.1201o) 检查方法 7.1外观 宜采用光学显微镜对微纳米标准样板(几何量)进行外观检查 7.2微纳米线间隔标准样板的性能参数 7.2.1线间隔偏差 7.2.1.1测量设备 使用扫描电子显微镜或原子力显微镜对微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差进行测量,或使用技 术性能相当的其他测量仪器测量 7.2.1.2数据采集区的选取 在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内,选取多个周期的线间隔长度作为数据采集区 选取 依据如下 对于线间隔小于1Am的微纳米线间隔标准样板,在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内选 取任意10个线间隔的长度作为数据采集区,见图9所示;对于其他尺寸的微纳米线间隔标准样板,可以 在微纳米线间隔标准样板的有效测量区域内选取210个线间隔长度作为数据采集区
GB/T39516一2020 有效测量区域 说明 线间隔尺寸实测值; P 个周期线间隔第i次测量结果 n 图9线间隔偏差有效测量区域选择示意图 7.2.1.3测量步骤 微纳米线间隔标准样板线间隔偏差的测量步骤如下 a 在数据采集区的同一位置连续重复测量10次,并记录测量数据 按照公式(1),计算10次测量数据的平均值作为微纳米线间隔标准样板线间隔的实测值 b P m×n 式中 P -线间隔尺寸实测值,单位为微米(p4m); "个周期线间隔第i次测量结果,单位为微米(m); 选取的周期数 m1 重复测量次数,此处n=1o 按照公式(2),计算微纳米线间隔标准样板的线间隔偏差 P=P一P 式中: 线间隔偏差,单位为微米(4m); P 线间隔尺寸实测值,单位为微米(4m); P 线间隔标称值,单位为微米(4m) 7.2.2线边缘粗糙度 7.2.2.1测量设备 按7.2.1.1规定的测量设备对微纳米线间隔标准样板的线边缘粗糙度进行测量 7.2.2.2数据采集区的选取 在微纳米线间隔标准样板的测量区域中,选择5个有效位置(上、中、下、左、右)作为考核区域,见图 0所示 位置O为微纳米线间隔标准样板测量区域几何中心;其他各测量位置与微纳米线间隔标准样
GB/39516一2020 板测量区域边缘的距离,为微纳米线间隔标准样板有效测量区域边长的1/10处 标准样板 线边缘粗糙度 有效测量区域 测量区城 图10线边缘粗糙度考核位置示意图 7.2.2.3测量步骤 微纳米线间隔标准样板线边缘粗糙度的测量步骤如下 每个采集位置在线条上均匀选取9个位置分别测量线间隔量值,并记录数据,见图11所示 a 线的边缘" 中间线c 图11线边缘粗糙度示意图 b按照公式(3)计算单一采集位置的线边缘粗糙度 习P- oE=3× -C, 式中 线边缘粗糙度,单位为纳米(nmm) LER 第个采样点上的线边缘轮廓点距线边缘中心线的偏差,单位为纳来(nm) P C -线边缘中心线位置,单位为纳米(nm); 采样点数 以5个有效位置中线边缘粗糙度最大的值,作为微纳米线间隔标准样板的线边缘粗糙度测量 结果 7.2.3均匀性 7.2.3.1测量设备 按7.2.1.1规定的测量设备对微纳米线间隔标准样板的均匀性进行测量
GB/T39516一2020 7.2.3.2数据采集区的选取 在微纳米线间隔标准样板的测量区域中,选择5个有效位置(上、中、下、左、右)作为考核区域,见图 0所示 位置O为微纳米线间隔标准样板测量区域几何中心;其他各测量位置与微纳米线间隔标准样 板测量区域边缘的距离,为微纳米线间隔标准样板有效测量区域边长的1/10处 7.2.3.3测量步骤 微纳米线间隔标准样板均匀性的测量步骤如下 在每个测量位置,选择多个周期选择周期的数量依据样板的线间隔而定)的线间隔结构,以 a 有效测量区域中心线为中线测量线,两侧分别取4条均匀分布的测量线,选取位置见图12 所示 有 效 测 工 量 空 域 有效测量区域 图12均匀性测量示意图 b)分别对每条测量线上的线间隔尺寸进行测量,以9条测量线上线距的实验标准偏差作为微纳 米线间隔标准样板该位置均匀性的测量结果,按照公式(4)计算 P一? E (4 式中 E 标准样板位置i的均匀性,单位为纳米(nr 1m; P -第q个位置周期线距结构的测量尺寸,单位为微米(4m) 所选测量位置数,取g=9; 9个位置的线间隔尺寸平均值,单位为微米(Am). 选取5个位置测量结果的最大值,作为微纳米线间隔标准样板的均匀性 7.3微纳米台阶高度标准样板的性能参数 7.3.1 台阶高度偏差 7.3.1.1测量设备 使用原子力显微镜或白光干涉仪对微纳米台阶高度标准样板的台阶高度偏差进行测量,或使用技 术性能相当的其他测量仪器测量 7.3.1.2数据采集区的选取 在微纳米台阶高度标准样板的有效测量区域内,选取标尺中心线作为台阶高度测量位置,见图13所示 10
GB/39516一2020 标准台阶 ， 标尺中心线 台阶高度测量示意图 7.3.1.3测量步骤 微纳米台阶高度标准样板台阶高度偏差的测量步骤如下 使用原子力显微镜或白光干涉仪扫描10次微纳米台阶高度标准样板,并存储数据 a b 选取微雏米台阶高度标准样板的中心线,作为台阶高度的测量位置,计算出台阶高度的实 测值 计算10个位置测量值的平均值,实测值与标称值之差为微纳米台阶高度标准样板的台阶高度 偏差,按照公式(5)计算 H 一H 5 AH- 式中 台阶高度偏差,单位为纳米(nm); H H 第i次测量值,单位为纳米(nm); H 微纳米台阶高度标准样板的标称值,单位为纳米(nm); 台阶高度的测量次数,取n=10 7.3.2均匀性 7.3.2.1测量设备 按7.3.,1.1规定的测量设备对微纳米台阶高度标准样板的均匀性进行测量 7.3.2.2数据采集区的选取 在微纳米台阶高度标准样板的区域内,以有效测量区域中心线为中线测量线,两侧分别取4条均匀 分布的测量线,作为台阶高度标准样板的测量区域,见图14所示 11
GB/T39516一2020 标准台阶 图14台阶区域均匀性测量时测量线选取示意图 7.3.2.3测量步骤 微纳米台阶高度标准样板均匀性的测量步骤如下 用原子力显微镜或白光干涉仪扫描微纳米台阶高度标准样板,并存储数据 a b)选取微纳米台阶高度标准样板的中心线位置作为中心测量线,分别在两侧选取4条均匀分布 的测量线,获取9个位置高度测量值 使用贝塞尔公式计算9个测量值的实验标准偏差,作为标准台阶区域均匀性的测量结果,按照 公式(6)计算 (H一H E ，6 式中 台阶区域均匀性,单位为纳米(amm) E、 -所选测量位置数,取n=9 -第i条测量线上台阶高度单次测量值,单位为纳米(nm) H H -"条测量线上台阶高度值的平均值,单位为纳米(nm). 7.4纳米膜厚标准样板的性能参数 7.4.1薄膜厚度偏差 7.4.1.1测量设备 使用光谐型椭偏仪对纳米膜厚标准样板的薄膜厚度偏差进行测量,或使用技术性能相当的其他测 量仪器测量 7.4.1.2数据采集区的选取 在纳米膜厚标准样板的考核区域内,选取纳米膜厚标准样板中心作为测量位置,见图15所示 12
GB/39516一2020 膜厚标准样片 -mm,0mm)(mm,4mm) (4mm,0mm 0mm,-4mm) 图15薄膜厚度偏差考核示意图 7.4.1.3测量步骤 纳米膜厚标准样板薄膜厚度偏差的测量步骤如下 选取纳米膜厚标准样板的中心位置,使用光谐型椭偏仪对薄膜厚度进行10次测量 计算10次测量值的平均值,平均值与标称值之差,即为纳米膜厚标准样板的薄膜厚度偏差,按 b 照公式(7)计算 7 Al 式中; 薄膜厚度偏差,单位为纳米(nmm); d 薄膜厚度标称值,单位为纳米(nm); 纳米膜厚标准样板中心位置的第i次测量值,单位为纳米(nm):; d -测量次数,取n=10. 7.4.2均匀性 7.4.2.1测量设备 按7.4.1.1规定的测量设备对纳米膜厚标准样板的均匀性进行测量,或使用技术性能相当的其他测 量仪器测量 7.4.2.2数据采集区的选取 在纳米腿厚标谁样板均匀性考核区域内,选透取有效测量区中心(o mm,0mm)、右(4mm,0mm、 上(0mm,4mm),左(一4mm,0mm)、下(0nmm,一4mm)等5个位置,作为数据采集点，见图15 所示 7.4.2.3测量步骤 使用椭偏仪对纳米膜厚标准样板的5个位置(上、下、左、右、中)进行测量,并将5个测量结果的最 大测量差值,作为纳米膜厚标准样板的均匀性,按照公式(8)计算 8 d，=d,mx一d,min 13
GB/T39516一2020 式中 -纳米膜厚标准样板的均匀性,单位为纳米(mm m; d -5个位置中薄膜厚度最大测量值,单位为纳米(n nm; dlimas -5个位置中薄膜厚度最小测量值,单位为纳米( nm di,min 7.5纳米线宽标准样板的性能参数 7.5.1线宽偏差 7.5.1.1测量设备 使用扫描电子显微镜或原子力显微镜对纳米线宽标准样板的线宽偏差进行测量,或使用技术性能 相当的其他测量仪器测量 7.5.1.2数据采集区的选取 在纳米线宽标准样板的有效测量区域内,选取纳米线宽标准样板线条中心位置作为扫描测量区域， 见图16所示 测量位置 说明 W -纳米线宽标准样板线宽尺寸实测值 图16线宽偏差测量区域选择示意图 7.5.1.3测量步骤 纳米线宽标准样板线宽偏差的测量步骤如下: 在线宽扫描位置连续重复测量10次,并记录测量数据 a b)按照公式(9),计算10次测量数据的平均值,作为纳米线宽标准样板线宽偏差的实测值 W W一 式中 w -纳米线宽标准样板线宽尺寸实测值,单位为纳米(nm); W 第i次测量结果,单位为纳米(nm); 重复测量次数,取n=10. 纳米线宽标准样板的线宽偏差,按照公式(10)计算 (10 Aw=w一w 式中 W 纳米线宽标准样板线宽偏差,单位为纳米(n nm; 14
GB/39516一2020 w -纳米线宽标准样板线宽尺寸实测值,单位为纳米(nm); W -纳米线宽标准样板线宽标称值,单位为纳米(nm). 7.5.2均匀性 7.5.2.1测量设备 按7.5.1.1规定的测量设备对纳米线宽标准样板的均匀性进行测量,或使用技术性能相当的其他测 量仪器测量 7.5.2.2数据采集区的选取 在纳米线宽标准样板的测量区域中,均匀选取9个位置进行线宽量值的测量,见图17所示 图17线宽均匀性测量位置选择示意图 7.5.2.3测量步骤 纳米线宽标准样板线宽均匀性的测量步骤如下 在线条上均匀选取9个位置分别测量线宽量值,并记录数据 a b)按照公式(11),计算纳米线宽标准样板线宽均匀性 ，-w (11 -喜" 式中 -纳米线宽标准样板线宽均匀性,单位为纳米(nm); dw W 第i个位置的线宽实测值,单位为纳米(n nm; W -9个位置线宽平均值,单位为纳米( nm 8 标志、,运输及储存 8.1标志 8.1.1微纳米标准样板(几何量上至少应标志 制造厂厂名或注册商标; a b)产品编号; 标称值 c 8.1.2微纳米标准样板(几何量)包装盒上至少应标志: 15
GB/T39516一2020 制造厂厂名或注册商标; a b 产品编号; c 标称值 8.2运输 微纳米标准样板(几何量)的包装应能适合任何运输工具运输,避免碰撞和雨雪直袭 8.3储存 微纳米标准样板(几何量)应在洁净的环境中保存 8.4产品合格证 微纳米标准样板(几何量)经检定符合本标准要求的应附有产品合格证,产品合格证上应标有本标 准的标准号、产品编号和出厂日期 16

微纳米标准样板（几何量）GB/T39516-2020解读

随着微纳米技术的不断发展，越来越多的微纳米器件被应用于电子、光电、生物医学等领域。而实现微纳米加工的过程中，尺寸精度是至关重要的一项因素。为了保证微纳米产品的质量和可靠性，制定一系列能够精确测量微纳米尺寸的标准就显得尤为必要。

此时，新版《微纳米标准样板（几何量）GB/T39516-2020》便应运而生。该标准以“提高微纳米加工精度和产品质量”为目标，规定了微纳米标准样板（几何量）的设计、制造和使用要求。

具体来说，该标准规定了微纳米标准样板（几何量）应包括直径、长度等尺寸参数，以及形态参数、表面质量等几何量。同时，该标准还规定了微纳米标准样板（几何量）的制造工艺和精度要求，例如要求采用逐层刻蚀技术或激光直写技术等高精密加工方法，保证标准样板的尺寸精度在0.1纳米以内。

另外，该标准还规定了微纳米标准样板（几何量）的测量和校准方法，例如通过场发射扫描电镜、原子力显微镜等检测手段，进行标准样板的尺寸测量和形状分析。

总之，该标准的发布将为微纳米加工领域提供更加明确、严谨的技术规范，有助于提高微纳米加工的精度和产品质量，推动微纳米技术在电子、生物医学、纳米材料等领域的广泛应用。

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