膜集成电路和混合膜集成电路术语

膜集成电路和混合膜集成电路术语

国家标准 GB/T1284291 膜集成电路和混合膜集成 电路术语 Terminologyfortimintegrated cireuitsandhybridfim integratedcireuits 1991-04-28发布 1991-12-01实施 国到家技术监督局 发布国家标准
次 主题内容与适用范围 1 基础术语 2.1通用术语 4 2.2电路元件和结构 2.3基片与材料 2.4工艺、性能和参数 2.5焊接,封装和检验 e 厚膜集成电路 3.1基础术语 " 3.2材料 3.3工艺和性能 " 薄膜集成电路 4.1基础术语 4.2工艺和性能 a) 附录A汉语索引参考件 (I7) 附录B英文索引参考件)
国家标准 膜集成电路和混合膜集成 GB/T12842一91 电路术语 1ted Terminologyfortim integrat circuitsand" nybridttim integratedcircuits 主题内容与适用范围 本标准规定了膜集成电路和混合膜集成电路的术语 本标准适用于膜集成电路和混合膜集成电路的生产,使用、科研、教学和贸易 基础术语 2.1通用术语 微电子学 2.1.1 microelectronics 研究高度小型化电子线路的构成和应用的学科 2.1.2微电路 microcircuit 具有高密度等效电路元件和(或)部件,并可视作独立件的微电子器件 注:微电路可以是微型组件或集成微)电路 2.1了集成电路 integratedeircuit 若干电路元件不可分割地联在一起,并且在电气上互连,以致在规范待性、试验、贸易和维护方 面,被视为不可分割的电路 注本定义的电路元件没有包封,也没有外部连接,并且不能作为独立产品规定技术要求或销售 2.1.4集成微电路 ntegratedmierocircuit 若干电路元件不可分割地联在一起,并且在电气上互连,以致在规范特性,试验,贸易和维护方 面,被视为不可分割的微电路 注:见2.1.3中注 在不会误解的情况下,术语“集成微电路"可简写为“集成电路”" 为了说明制造具体集成电路所应用的技术,可进一步采用限定语 例如; -半导体单片集成电路 半导体多片集成电路 薄膜集成电路 厚膜集成电路 混合集成电路 国家技术监督局1991-04-28批准 1391-12-01实施
GB/T12842一-91 2.1.5微型组件 micro-assembly 由各种独立制造,并能在组装和封装前测试的元件和(或)集成微电路组成的微电路 注;本定义的元(器)件有外部连接,也可能有包封,且可以作为独立产品规定技术要求和销售 为了说明制造具体微型组件所应用的技术,可进一步采用限定语 例如: -半导体多片微型组件; 分立元器件微型组件 2.1.6微电路模块 microcircuitmodule 能实现一种或多种电路功能的微电路组件或微电路和分立元器件构成的组件.这种组件在特性 测试、贸易和维护上是一个不可分割的整体 2.1.7半导体集成电路 semiconductorintegratedcircuit 在半导体内部和上面形成元件和互连的集成电路 2.1.8膜集成电路 filmintegratedeircuit 元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路 膜元件可以是有源或无源的 2.1.9膜微电路 fmmicroeireut 见1.1.8膜集成电路 2.1.10多层膜电路 multilayerfimcircuit 至少用一层绝缘膜或间隙隔开的多层膜互连的电路 混合集成电路 2.1.11 hybridintegratedcircuit 由半导体集成电路与膜集成电路任意结合,或由任意这些电路与分立元件结合而形成的集成 电路 2.1.12混合微电路 hybrid micr0circuit 见1.1.11混合集成电路 2.1.1了多片微电路 multichipmicrocircuit 在一块基片上分别组装数个芯片元件的微电路 2.1.14混合膜集成电路 hybridfilmintegratedcircuit 至少含有一个封装或未封装外贴元器件的膜集成电路 21.15半导体芯片混合膜集成电路 semiconductorchipybridfilmintegratedcireuit -种含有一个或多个未封装半导体器件的混合膜集成电路 2.1.16无源混合膜集成电路 atedcircuit pasitvehybridimintegrat 全部元件为无源元件的混合膜集成电路 2.1.17 有源混合膜集成电路
GB/T12842一91 activehybridfimintegratedcircuit 至少含有一个有谋器件的混合裘集成电路 定制电路 2.1.18 customcircuit 为满足用户特定需要而设计和制造的电路 2.1.19半成品电路 partilycompletedcomponentofFandHFICs 从生产线上提取的没有制造完的膜集成电路和混合膜集成电路,它不能使用正常成品的规范 进行全面评价 2.120膜网络 filmnetwork 由淀积在基片上的薄膜和(或)厚膜元件及互连线组成的电子网络 2.1.21多层膜网络 multilayerfimnetwork 由多于一层的膜互连,并且最少被一层绝缘膜或间隙分隔开的网络 2.1.22梯形网络 laddernetwork 从最高阻值到最低阻值按一定比率减小的一系列膜电阻构成的网络 2.1.23固定电阻网络 fixedresistornetwork 将若干电阻元件不可分割地联在一起,并且在电气上互连,以致在规范特性、试验、贸易和维护 方面,被视为不可分割的网绪 膜 2.1.24 film 以任何一种淀积工艺,在固体基片上形成的固体层 箱 2.1.25 foi 不依赖基片能够独立进行加工的固体膜 2.2电路元件和结构 2.2.1电路元件 circuitelement 在集成电路中完成某种电功能的有源或无源元件 2.2.2有源元件 activeelement 一种主要对电路提供整流开关和放大功能的元件 注有源元件在电路中,也可以挺供电阻或电容功能,或者是将外加能量从一种形式转化为另一种形式 例如;二级管、晶体管、半导体集成电路光教半导体器件和发光半导体器件 2.2.了无源元件 passiveelement -种主要对电路提供电阻,电容或电感功能,或以上这些功能组合的元件 注，例如电阻器,电容器、电感器、逮波器和互连导电带 2.2.4分立元件 discreteelement
GB/T12842一91 在结构上独立的单个元器件 例如电阻器、电容器和晶体管 2.2.5片式元件 chipcomponent 是一种尺寸小,引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的元(部)件 2.2.6片式电阻器 chipresistor 是一种尺寸小,引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电阻器 2.2.7片式电容器 chipcapacitor 是一种尺寸小,引出端形式适于混合集成电路或印制电路表面组装的固定电容器 2.2.8外贴元件 addedcomponent 在机械上和电气上与基片连接的元(部)件 2.2.9膜(式)元件 filmelement 用厚膜技术或薄膜技术制作的元件,它可以是无源的,也可以是有源的,如膜电阻器,膜电容器、 膜电感器、膜晶体管等 2.2.10芯片 chip 无外壳并且一般悄况下无引线的电子元件,可以是无源的或有源的,分立的或集成的 半导体器件 2.2.11 semiconductordevice 基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件 粱式引线器件 2.2.12 beamleaddevice 具有梁式引线的器件(梁式引线见2.2.17条) 2.2.15微带 microstrip 通常指陶瓷基片上的微波传精元件 2.2.14膜导体 filmconductor 利用厚膜或薄膜工艺在基片上淀积导电材料而形成的导体 2.2.15金属化层 metalization 淀积在基片上用来把电子元件连接起来的(单层或多层)导电膜图形,或是在基片上形成焊区 部分起着电连接和机械连接作用的金属膜层 2.2.16引出端 termination(terminal 为集成电路提供外部电气通路的导体(例如引线、焊接片和焊接区等) 2.2.17梁式引引线 beamlead -种长引线,在其长度方向上没有任何支撑点,并受到弯曲力的作用 其一端固定连接在器件 的芯片上,另一端可与别的材料相连,以形成电连接和(或)机械支撑
GB/T12842一91 2.2.18内连线 intraconnections 在同一基片上的电路内制作的导体连线 2.2.19搭接区 overlap 两种膜层互连重迭的部分 如电阻膜和膜导体之间的接触区 2.2.20通孔 via 介质层中的小开口,通过它形成垂直通路 2.2.21交叉 crossover 两条金属化导线无电接触的相互交错.它是通过在交错区的两导线之间淀积绝缘层来实现的 2.了基片与材料 2.了.1基片 substrate 构成膜电路元件和(或)外贴元件支撑基体的片状材料 2.了.2多层基片 multilayersubstrates 可以制造复杂电路,埋有多层导体的基片 2了.了被袖基片 glazedsubstrate 为使基片表面平滑和无细孔,在其上敷有一层玻璃袖的基片 2.了.4快速分离基片 snapstrate 一种带有槽的基片,能够同时淀积多个电路,并能快速分离 低损耗基片 2.了.5 low-lcsssubstrate 具有高射颜电阻的基片,当用于微波集成电路时,吸收能量很小 2.了.6金属陶瓷 cermet 由微细的金属和介质粉料充分混合制成的均匀固体材料 2.了.7高K陶瓷 high-Kceramic -种呈现高介电常数的陶瓷介质材料(常用aTo.,) 其电压和温度关系是非线性的 2.了.8导电胶 conductiveadhesive 为增加电导性而加有金属粉末的一种粘合材料 例如导电环氧树脂 2.了.9阻焊剂 solderresist 用于定位和控制焊接面积大小的一种材料 2.4工艺、性能和参数 2.4.1直接金属掩模 5
GB/T12842-91 directmetalnask 将金属片直接蚀刻成图形的一种掩模 2.4.2粘片 bondingde 采用环氧树脂低共熔合金或焊料合金,将半导体芯片外贴到基片上的工艺过程 2.4.了多层布线 multilayerwiring 在绝缘基片上,采用厚、薄膜工艺或其他工艺,交迭制作导电图形和介质图形,各导电层之间通 过介质中的通孔实现连接,从而构成多层布线结构 2.4 分步重复 4 step-and-repeat 把导体或电阻器困形,以均匀间距方式多次重复排列在单一的膜层或基片上的一种工艺 2.4.5钝化 passivation 直接在膜电路或其元件上面形成一种绝缘保护层的过 2.4.6热设计 thermaldesign 从膜电路内部到散热片功率耗散的热流路径的设计 2.4.7热处理 heattreatment 在适当条件下对膜元件进行加温处理的一种工艺,其目的是消除膜的内应力,提高稳定性 2.4.8功能微调 functionaltrimming 对处于工作状态的电路中的元件(通常是电阻器)进行微调使输出电压或电流达到规定值 2.4.9温度跟踪 temperaturetracking 在同一个电路中的两个相似元件,随着温度的变化,其值很一致地改变,则认为这两个元件跟踪 良好 无应力 2.4.10 stress-free 材料中的应力在规定值以下,可以认为是无应力 2411温度降 thermaldrop 界面两边或材料两点间的温差 24.12温度梯度 thermnalgradient 在被加热材料的表面上或厚度上两点间的温度变化曲线 2.4.13热失控 thermalrunaway 指器件产生的热使器件热生成加速的状态,通常在达到使器件损坏的温度之前,热损耗的这种 螺旋式上升过程将持续下去 2.4.14针孔 pinhole
GB/T12842一g1 完全穿透膜元件如金属化膜或介质膜,作为一种缺陷出现的小孔 2.4.15电迁移 electromigration 在大电流密度下,金属膜发生的一种质量迁移现象 2.4.16起皮 欢alns 膜层从基片上剥离 2.4.17最坏情况分析 worst-casecanalysis 在容许的极限温度,湿度等条件下,分析电路功能,以便确定对输出参数可能产生的最坏影响 2.4.18电容温度系数 coefficientof capaceitance(Tcc temperature 电容器的容量随温度的相对变化量 通常以一定温度范围内的平均相对变化量表示,单位为 0-'/c 2.4.19电阻温度系数 coefficientofresistanceTCR temperature 电阻器(或电阻材料)阻值随温度的相对变化量,通常以一定温度范围的平均相对变化量表示， 单位为10-/C 2.4.20电容密度 capacitancedensity 单位有效面积的电容量 2.4.21比容(片电容率) sheetcapacity 见2.4.20电容密度 2.4.22膜电阻功率峦度 powerdenstyoftmresstor 膜电阻器单位面积耗散的功率,以w/cem'量度 2.4.23接地面 groundplane 基片表面上或埋入基片内的导电层,它可把若干点连接到一个或多个接地电极上 2.4.24附着力 adhesion -种材料附着在另一种材料上的能力 2.4.25方电阻 sheetresistance 电阻膜层的长度等于宽度时的阻值,用9但表示 2426方数 numberofsquares 膜电阻器图形的线长和线宽之比 线分辨率 2.4.27 linedefinition 能产生清晰膜图形的最小线条宽度 2.4.28熔析
GB/T12842一91 leaching(scavenging 在焊接中,被焊接的材料熔化到熔融的焊料中 2.5焊接、封装和检验 2.5.1键合 bond 完成一种水久性的电和(或)机械功能的互连 2.5.2再流焊 reflowsoldering 在焊接以前,先加上焊料 要焊接的部分连接焊料并同时加热,使焊料重新熔化而实现的焊接 2.5.平行缝焊 parallelgapsolder 让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙,使焊料熔化而形成电连接 2.5.4平行缝熔焊 parallelgapweld 让大电流通过两个平行电极之间的高阻缝隙,利用电极对两个爆件加力,并加热到熔焊温度而 完成的焊接 热压焊 2.5.5 thermocompressionbonding 利用压力和加热使界面的材料相互扩散而连接两种材料的工艺 超声键会 2.5.6 ultrasonicbonding 利用超声能量和压力连接两种材料的工艺 漫爆 2.5.7 immersdsolder 将焊接部位浸入熔化的焊料中而实现的焊接 2.5.8封装 encapsulation 为抵抗机械、物理和化学应力,用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺 2.5.9组装图 assemblydrawing -种显示所有元件和连线安装到膜电路适当位置的图 2.5.10金属-玻璃密封 metal-to-glaseal 在外壳引线和金属外壳之间的绝缘密封,是通过玻璃与两个金属部件上的氧化层键合而形成 的 在这种密封中,玻璃与金属的膨胀系数应严格地匹配 2.5.11灌封 amteddins 采用能够固化的树脂制造埋置组件的壳体的工艺 例如: 铸塑; 浇灌; 浸涂; 连续模压
GB/T12842-一-91 2.5.12外壳(封装 package 集成电路的全包封或部分包封,可提供机械保护、环境保护及外形尺寸 外壳可以包含或提供 引出端,并对集成电路的热性能起作用 2.5.13片状载体 chipcarrier 用于放置芯片的、周围具有金属化引出端的一种特殊封装结构 2.5.14保护涂层 protectivecoating -种涂在电路元件表面作为机械保护和防止污染的绝缘材料层 2.5.15封前目检 presealvisual 在电路封装之前,对整个电路进行目检的过程 2.5.16可焊性 solderability 导体与焊料浸润并且形成牢固结合的能力 2.5.17拉力试验 pultest 测量引线,互连线或导体的焊接强度的试验 2.5.18剥落强度 peelstrength 导电带和基片之间附着力的量度,试验是通过测量导电带从基片上拉脱所需的力来完皮的 2.5.19推脱强度 pushofstrength 在器件的一侧加平行于安装面的推力,把片式器件从它的安装区除去所箭要的力 2.520热斑 hotspot 因散热不良而造成的局部高温区 2.5.21负载寿命 loadlife 器件能耐住其满功率负载的整个延续时间 2.5.22评定水平 as9cssmentlevel 反映用户所能得到的电路符合规范要求的保证程度.表示逐批试验,周期试验与抽样方案中的 检查水平(u)合格质量水平(AoL)的严酷度之间的平街情况 2.5.23能力鉴定电路 apabityqualitfyingcircuit(c0c 用来部分或全面评价申报能力的一种试验样品,它可以是专门设计的试样或正常生产的电路， 也可以是以上两种电路的组合 2.5.24工艺试验样品 procestestvehiele 一种试样 它不一定是一个微电路,但至少是被考核电路生产线上一个工序的代表,并且能够 对该试样进行各种试验,以便证实一种或一种以上工艺过程控制的有效性
GB/T12842一91 2.5.25筛选 screening 为了检测并剔除潜在的失效,对一个批量的全部产品所作的检验或试验 2.5.26返工 rework 在不合格的混合微电路上所进行的一种工艺操作,其目的是修复所有不合格的特性,以满足合 同,规花、图纸或其他已经批准的产品说明书的要求. 2.5.27返修 repair 在不合格的混合微电路上所进行的一种工艺操作,其目的是使其功能恢复到可用的程度,但井 不能完全消除其不合格性能 厚膜集成电路 3 了.1基础术语 s1.1厚帐 thickfilm 通常以丝网印刷和烧结方法在基片上淀积的膜 &1.2厚膜技术 thick-fimtechnology 将导体和(或>介质浆料,用丝网印刷工艺在绝缘基片上印制出所需图形,然后进行烧结,从而形 成厚膜元件和布线的技术 了.1.了厚膜集成电路 thick-fimintegratedcircuit 采用丝网印刷技术或其他有关技术形成膜的淡集成电路 了.1.4厚膜网络 thick-filmnetwork 通常由网漏印刷技术形成膜层的一种膜网络 了.2材料 3.2.1厚膜成介质 thickilm positiondiclectric comp0 将瓷粉与低温玻璃混合,用厚膜工艺制成的介质 3.2.2玻璃料 trit 是一种作为厚膜浆料成分的粉末状玻璃,烧结时既能使浆料本身各组分之间紧密粘结,也能使 基片与浆料之间紧杏枯结 了2了底袖 underglaze 在网印电阻器之前,加到基片上的一种玻璃或陶瓷袖 了.2.4面袖 overglaze 涂在元件上的玻璃涂层,通常作为机械的或电的保护层 了2.5浆料 inkG paste 10
GB/T12842--91 -种可印刷的厚膜材料，一般是由玻璃料、金属,金属氧化物和溶剂调制成的一种粘稠均匀悬浮 液 了2.6有机载体 vehicle organic 指厚膜涂料中的有机溶剂 了2.7乳胶 emulsion 用于涂敷丝网网眼的光敏材料 了.2.8粘合剂 binders 厚膜组分或未烧结基片中的添加材料,其作用是使它们在预烧时得到足够的强度 了.2.g丝网 sikscreen 一种紧绷在框架上的稠峦筛网,用于承载有电路图形的乳胶膜,以网印膜电路.通常有不锈钢丝 网和尼龙丝网 了.2.10生瓷 green 已成型但还没有烧结的瓷片 .了工艺和性能 了.了.1预氧化 preoxidized 在配成电阻浆料之前,为达到要求的电阻率,将电阻金属粒子氧化的过程 了.了.2丝网印刷技术 screenprintingtechnique 把浆料通过丝网压印到基片上形成膜的淀积技术 接触印刷 3.了.了 contactprinting 丝网几乎与基片接触的一种印刷方法,用于金属掩模印刷 非接触印刷" 了.了.4 offcontactprinting 与接触印刷相反,对印刷机进行调整,使丝网和基片之间保持一定间隙,只有在刮板模过丝网运 动时,丝网才和基片接触 了.了.5烧结 fire(firing 印刷好的厚膜图形经高温处理转变为最终形态的一种工艺. 了.了.6讲整 tximming 用喷砂,研磨或激光等手段使阻值达到标称值的一种工艺. 了.了.7喷砂调阻 abrasivetrimming 用精确控制的砂流(如氧化铝细流)直接擅击电阻表面,通过在电阻器上刻槽以增大阻值达到预 定电阻精度 了.了.8印刷参数 11
GB/T12842-g1 printingparameters 影响丝网印刷质量的因素,如不接触间隙、刮板速度和压力等 了.了.9印刷角 ofattack anglc 厚膜印刷机的刮板表面与丝网平面之间的夹角 了.了.10蜂值烧结温度 eakfiring temperature 由烧结曲线所决定的烧结周期中,厚膜浆料所经受的最高烧结温度 了.了.11烧结灵敏度 iringensitivity 由于峰值烧结温度变化而引起的被烧结膜特性变化的百分率,烧结灵敏度的单位用%/C表 示 3了.12坍塌 sump 由于厚膜浆料淌开塌落而引起厚膜图形分辨率降低的缺陷 了.了.13渗流 bleeding 印制膜在干燥或烧结过程中横向扩展或扩散到邻区,超出印刷图形几何尺寸的现象 薄膜集成电路 4.1基础术语 4.1.1薄膜 hinfm 用真空蒸发,溅射及化学汽相诧积等生长工艺在基片上诧积的膜 4.1.2薄膜技术 thinfilmtechnology 采用真空蒸发,溅射或其他薄膜工艺,在绝缘基片上形成膜元件或膜电路的技术 4.1.了薄膜集成电路 thin-filmintegratedcircuit 采用真空淀积技术,也可辅以其他淀积技术形成膜的膜集成电路 4.1.4薄膜网络 thin-filmnetwork 完全用真空沉积技术或在真空淀积技术后再使用其他增厚淀积技术形成膜层的一种膜网络 4.15叉指式薄膜电容器 interdigitalthinfilmcapacitor 在同一-平面上,两电极作成手指交又状的擦腹电容器 复合电阻膜 4.1.6 overlapresistorfilm 通过薄膜淀积工艺,使两层不同材料的电阻膜叠合在一起构成的电阻膜 钼膜电路 4.1.7 antalumfilmcircuit 采用真空溅射工艺,在绝缘基片上制作钮基薄膜阻容元件和互连所构成的薄膜集成电路 工艺和性能 4.2 12
GB/T12842一91 4.2.1真空镀膜 vacuumdeposition 在真空中,用物理方法如燕发、溅射或化学方法如化学汽相淀积,在绝缘基片上形成薄膜的技 术 4.2.2真空蒸发 vacuumevaporation 在真空中将材料加热,并使其蒸发淀积在其他材料表面上形成膜的过程 4.2.了溅射 sputtering 利用辉光放电中气体离子的轰击使靶电极材料释出,并淀积在其他材料表面上形成膜的过程 4.2.4离子镀膜 onplating 将真空燕发和溅射两种技术结合在一起,制备薄膜的工艺方法 4.2.5化学镀膜 patedtimm 通过化学和(或)电化学淀积所得到的膜 4.2.6汽相淀积技术 vapourphasedepositiontechnique 采用物理淀积或化学反应方法将呈汽相状态的源材料淀积在固体基片上,以形成导电、绝缘或 半导体膜的技术 4.2.7阳极氧化 anodization 利用电化学方法,使导电膜表面氧化,以便调整膜电阻阻值或制备介质膜的工艺方法 4.2.8电火花调阻 tesistance-trimmingyspatkdscharge 采用电火花放电装置,烧割电阻膜层的调阻方法 4.2.9溅射刻蚀 sputteringetching 利用溅射技术,以高能重离子轰击膜材料刻出所需图形的过程 4.2.10淀积速率 depcsitionrate 在薄膜形成过程中,单位时间内淀积在基片上的厚度 13
GB/T12842一91 附录A 汉语索 引 (参考件 多层膜电路 2.1.10 多层膜网络 2.1.21 半成品电路 2.1.19多片微电路 2.1.13 2.1.7 半导体集成电路 2.2.11 半导体器件 半导体芯片混合膜集成电路 2.1.15返工 2.5.26 保护涂层 2.5.14返修 2.5.27 被袖基片 2.3.3方电阻 2.4.25 2.4.21方数 2.4.26 非接触印刷 3. .3.4 2.5.18分步重复 2 苍 2.1.25分立元件 封前目检 2.5.15 薄膜集成电路 封装 2.5.8,2.5.12 4.1. 薄膜技术 峰值烧结温度 2 3.3.10 薄膜网络 复合电阻膜 4.1.6 负载寿命 2.5.21 附着力 2.4.24 叉指式薄膜电容器 5 4.1. 超声健合 2.5.6 高K陶瓷 2.3.7 功能微调 2.4.8 搭接区 2.2.19工艺试验样品 2.5.24 钮膜电路 4.1.7固定电阻网络 2.1.23 导电胶 2.3.8灌封 2.5.11 低损耗基片 2.3.5 底袖 3.2.3 淀积速率 4.2.10厚膜 3.1.l 电火花调阻 42.8厚膜合皮介质 3.2.1 电路元件 2.2.1厚膜集成电路 3.1.3 2.415厚膜技术 电迁移 3.1.2 2.4.20厚膜网络 电容密度" 3.14 电容温度系数 2.4.18化学镀膜 4.2.5 电阻温度系数 2. .419混合集成电路 2.1.11 定制电路 2.1.18混合膜集成电路 钝化 2么.5混合微电路 2.1.12 多层布线 2.4.3 多层基片 2.3.2
GB/T12842一91 片电容率 2.4.21 片式电容器 2.2.7 2.3.1片式电阻器 基片 2.2.6 集成电路 22 2.2.5 ,1.3片式元件 集成微电路 2.1.4片状载体 2.5.13 键合 2.5.1评定水平 2.5.22 4.2.3平行缝焊 溅射 2.5、3 溅射刻蚀 4.2.9平行缝熔煤 2.5.4 3.2.5 浆料 2.2.21 接触印刷 3.3.3 2.4.16 起皮 接地面 2. 4.23汽相淀积技术 4.2.6 金属-玻璃密封 2.5.10 2.2.15 金属化层 2.3.6 金属陶瓷 热斑 2.5.20 2.5.7 没焊 2.4.7 热处理 2. 4.6 热设计 24.13 热失控 2.5.16 可焊性 2.5.5 热压煤 2.3.4 快速分离基片 24.28 熔析 乳胶 3.2.7 .2.5.17 拉力试验 离子镀膜 筛选 2.5.25 梁式引线 2.2.17 3..3.5 烧结 梁式引线器件 2 2.2. 3.3.11 烧结灵敏度 海流 3.3.13 3.2.10 生瓷 3.2.4 面独 3.2.9 丝网 2.1.24 膜 丝网印刷技术 膜导体 2.2.14 2.4.22 膜电阻功率密度 2.1.8 膜集成电路 3.3.12 2.1.20坍塌 膜网络 2.1.22 2.1.9梯形网络 膜微电路 3.3.6 22.9调整 膜(式)元件 通孔 2.2.20 2.5.19 推脱强度 2.2.18 内连线 能力鉴定电路 2.5.23 3.2.8外壳 2.5.12 粘合剂 -- 外贴元件 2.2.8 微带 2.2.13 喷砂调阻 3.3.7微电路 22. 1.2 15
GB/T12842一91 印刷参数 2.1.1 3.3.8 微电子学 有机较体 2.1.6 3.2. 微电路模块 微型组件 2.1.5有源混合膜集成电路 有源元件 2.4.9 温度跟踪 预氧化 2.4.11 --= 3.3.1 温度降 2.4.i 温度梯度 2.4.10 无应力 2.5.2 无源混合膜集成电路- 2.1.16再流焊 2.4.2 无源元件 2.2.3粘片 针孔 2.414 4.2. 真空镀膜 线分辨率 2.4.27真空蒸发 2.4. 芯片 2.2.10直接金属掩模 阻焊剂 2.5.9 组装图 2.4.17 阳极氧化 最坏情况分析 2.2.16 引出端 印剧角 16
GB/T12842一91 附录 英文索引 参考件 3.3.?7 abrasivetrimming 2.2. activeelement 2 2.1. 1 activehybridfilmintegratedcircuit 2.2.8 addedcomponent 2.4.24 adhesion 3.3.9 angleofattack anodization 4.2.7 2.5.9 as9emblydrawing 2.5.22 as9cssmentlevel 2.2.17 beamlead 2.2.12 beamleaddevice 3.2,8 binderS 3.3.13 bleeding 2.5.1 bonG 2.4.2 bondingdie 2.5.23 apabiityqualiftyingcireuit(cQc) 2.4.20 apacitancedensity 2.3.6 cermet 10 chi 13 chip 2. element II 2.3.8 C6 3.3.3 contact 2.2.21 crossover 2.1.18 customcircuit 4.2.10 depositionrate 2.4.1 directmetalmask 17
GB/T12842?91 discreteelement E 2.4.15 eletromigration embedding 2.5.11 3.2.7 emulsion 2.5.8 encapsulation 2.1.24 m 2.2.9 2.2.14 conducto1 2.1.8 2.1.9 2.1.20 3.3.5 3.3.5 3.3.11 9ensitivit 2.1.23 resistornetwork 2.1.25 foi 3.2.2 frit 2.4.8 funct OH 2.3.3 lazcdsubstrate 3.2.10 green 2.4.23 groundplane 2.4.7 heattrcatment 2.3.7 high-Kceramic 2.5.20 hotspot 2.1.14 hybridfilmintegratcdcircuit 2.1.11 ybridintegratedcircuit 2.1.12 hybridmicrocircuit 2.5.7 immersedsolder 3.2.5 ink 2.1. .3 integratedcireuit integratedmicrocireuit 2.1.4 4.1.5 interdigitalthinfimcapacitor intraconnections 2.2.18 18
GB/T12842-91 ionplating laddernetwork leaching 2.4.28 inedefinition 2. 4.27 loadlife 2.5.21 low-losssubstrate 2.3.5 metallization 2.2.15 As 2.5.10 metal 2.1.5 2. 2. 2. 13 13 citrcuit 2.1 2.1.21 2.3.2 multilayerSubstrates mutilayerwiring 2.4.26 numberofSquareS fcontactprinting ? 3.4 organicvehicle .6 " 2. overglaze 3.2. overlap 19 2.2. overlapresistorfilm 4.1. 6 2.5.12 package solder 2.5.3 arallelgapso 2.5.4 parallelgapweld completedcomponentofFandHFIC Dart 2.1.19 2.4.5 Dassivation element O 2.2.3 assivehybridfilmintegratedcircuit 2.1.16 paste 3.2.5 peakfiringtemperature 3.3.10 19
GB/T12842-91 2.5.18 pcelstrength Dinhole 2.4.14 fim 4.2.5 ensity flm 2.4.22 3.3.1 2.5.15 3.3.8 vehicle 2.5.24 protectivecoating 2.5.14 17 pulltest 2.5. push-ofstrength 2.5.19 reflowsoldering 2 5.2 repair 2.5.27 resistance bysparkdischarge 4.2.8 rework 2.5.26 2.4.28 2.5.25 technique 3.3.2 im circuit chip ne 2.1.15 device 2.2.11 integratedcireuit 2. 4.21 2. 4.25 g 3.2. 3.3.12 2 3 2.5.16 2. 3 2 4.2.9 2. 2.4.10 styeSs 2.3.1 Substrate antalumfimcircuit 1.7 4 ofcapacitance(Tcc temperature 2.4.18 temperaturecocfficientofresistance(TCR 2.4.19 2C
GB/T12842--91 emperaturetracking terminal 2.2.16 nination It 2.2 thermaldesign 2 maldrop 2 C gradient 2. Od 2 ITAVy ssionbonding 2.5.5 3. hick O dielectric 3.2 tbic circi 3.1. tic 3 thick 3 circuit 4.1. tin 4 1 thinfilmtechnology 4 1.2 3.3.6 irImmmlng ultrasonicbonding 2.5.6 underglaze 3.2.3 vapourphasedepositiontechnique 6 4.2. vacuumdeposition 4.2.1 Vacuumevaporation Via 2.2.20 worst-caseanalySis 2.4.17 附加说明 本标准由全国集成电路标准化技术委员会提出 本标准由机械电子工业部第四十三研究所负责起草 本标准主要起草人冯佑民、雷剑、叶国华 21