GB/T12669-2012

半导体变流串级调速装置总技术条件

Generalspecificationforcascadespeedcontrolassemblywithsemiconductorconverter

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  • 中国标准分类号(CCS)K62
  • 国际标准分类号(ICS)29.160.30
  • 实施日期2012-11-01
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半导体变流串级调速装置总技术条件


国家标准 GB/12669一2012 代替GB/T126691990 半导体变流串级调速装置总技术条件 Generalspeeifieationforeascadespeedcontrola5sembl withsemiconduetorcomverter 2012-06-29发布 2012-11-01实施 国家质量监督检监检疫总局 发布 国家标准花管理委员会国家标准
GB/T12669一2012 目 次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 技术要求 4.1主要技术参数 4.2环境条件 基本要求 4.3 试验 试验分类 5.l 1 试验项目 5.2 试验方法 标志、包装、运输、贮存 6.1标志 17 包装与运输 17 6.2 贮存 6.3 18
GB/T12669一2012 前 言 本标准依据GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准代替GB/T126691990(《半导体变流串级调速装置总技术条件》 本标准与GB/T12669-1990相比主要技术变化如下 在范围一章中增加了“内馈混极式无刷交流电机、混极式无刷双债交流电机”见第1章); 增加了“斩波器”“逆变颠覆”术语定义见3.6及3.14); -增加“适配电动机额定功率、额定电压”的内容(见4.1.14.1.2); 增加“斩波器单元的技术特征”的内容(见4.3.7); “超温保护,缺相保护、逆变颠覆保护”的内容(见4.3.9); 将“干扰与抗干扰试验”改为“EMC试验”见4.3.13,1990版4.3.16); “装置应具备的输人输出信号”和“装置结构与外形尺寸”内容(见4.3.16~4.3.17); 增加了“超温保护试验”,“缺相保护试验”、“逆变颠覆保护试验”内容(见5.3.10.55.3.10.7) 增加了“EMC试验”内容(见5.3.12); 将“高、低温循环试验”、“高温存放试验”“振动试验”“跌落冲击试验”纳人“环境试验”项目下 见5.3.15). 本标准由电器工业协会提出 本标准由全国电力电子学标准化技术委员会(SAc/Tc60)归口 本标准主要起草单位:广东华拿东方能源有限公司、天津电气传动设计研究所 本标准主要起草人:张森、董桂敏、苏勇华,刘娟 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 -GB/T126691990
GB/T12669一2012 半导体变流串级调速装置总技术条件 范围 本标准规定了半导体变流串级调速装置的术语和定义、技术要求、试验、标志,包装、运输和贮存 本标准适用于利用半导体电力变流器调节交流绕线转子感应电动机、内馈混极式无刷交流电机和 混极式无刷双馈交流电机速度的串级调速装置(以下简称装置) 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T2900.1一2008电工术语基本术语 GB/T2900.33一2004电工术语电力电子技术 GB/T3047.1高度进制为20mm的面板,架和柜的基本尺寸系列 GB/T3797一2005电气控制设备 1993半导体变流器基本要求的规定 GB/T3859.1 GB42082008外壳防护等级(IP代码) GB/T4588.1无金属化孔单双面印制板分规范 GB/T4588. 有金属化孔单双面印制板分规范 2 GB/T17626.2一2006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T17626.3一2006电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验 GB/T17626.4一2008电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验 (GB/T17626.5一2008电磁兼容试验和测量技术浪涌冲击)抗扰度试验 JB/T9664一1999电控设备用无焊绕接连接一般要求及试验方法 术语和定义 (GB/T2900.12008,GB/T2900.33-2004界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 半导体变流串级调速装置caseadespeedeontrolasseblywithsemconductorconverter 在绕线转子感应电动机的转子电路中,以改变变流器产生的反电势的大小调节转速,并通过变流器 将转差功率回馈到交流电网或从交流电网吸收能量的串级调速装置 3.2 低同步串级调速装置 assembly low-synchronoIscascadespcedcontrol 受控电动机的转子只能向交流电网输出能量,从而实现低于同步转速运行的串级调速装置 3 3. 超同步串级调速装置supersnchronousceascadespeedcontroasembl 受控电动机的转子可从交流电网吸收能量,也可向交流电网输出能量,当转子从交流电网吸收能量
GB/T12669一2012 时,可实现超同步转速运行的串级调整装置 3.4 转子侧变流器rotorsideconverter 连接在转子侧与中间直流环节间的变流器 5 3 网侧变流器line-sidecoverer 连接在电网侧(或变压器侧)与中间直流环节间的变流器 3.6 斩波器ehopper 借助于电子器件利用强迫换相实现直流变换(直流到直流)的变流器 其输出端输出的是可调的 直流电压 [GB/T12668.1一2002,2.2.6们 3 装置的功率因数assemblepowerfactor 装置网侧有功功率与表观功率之比 3.8 谐波含量harmoniccontent 个周期量中各谐波分量之和 [GB/T2900.332004,551-20-12] 9 3 总谐波畸变率totalharmoniedistortion 谐波含量的方均根值对交流量的基波分量分量或基准基波分量的方均根值之比 [GB/T2900.33一2004,551-20-13] 3.10 电压暂降voltagedip 在电气供电系统某一点上的电压突然减少到低于规定的阂值,随后经历一段短暂的间隔恢复到正 常值 [GB/T17626.11一2008,3.3 3.11 ratedd.c.volta 额定直流电压 age 在电机的调速范围内,转子侧最大转差电压的整流电压(平均值),即转子侧变流器直流输人端子间 的直流电压 3.12 额定直流电流 ratedd.c.current 转子侧与网侧变流器间的直流环节允许长期通过的最大直流电流(平均值) 3.13 效率efieieney 装置的输出有功功率与输人有功功率之比 3.14 逆变颠覆invertionsubversionm 电路在逆变状态运行时,回路电阻很小,如果出现晶闸管换流失败,将产生很大的短路电流,以至可
GB/T12669一2012 能将晶闸管和变压器烧毁的情况 注,此定义只对晶闸管电路适用 技术要求 4.1主要技术参数 适配电动机额定功率 适配电动机额定功率范围在100kw~5000kw之间 4.1.2适配电动机额定电压 适配电动机额定电压可为380 V10kV 4.1.3额定直流电压 直流电压额定值可在下列数值中选取 90,(100),(110),125,160,200,(220),250,315,355,400,450,500,630,800,1000,1250,1400), 1600V 注:括号内的数值为非推荐值 4.1.4额定直流电流 直流电流额定值可在下列数值中选取 30),(40),50,63),80,l00,(125),(160),200,250),315,400,500,630,800,900),1000, 1250,1600,(1800),2000A 注,括号内的数值为非推荐值 4.2环境条件 4.2.1工作环境温度 装置应在下述环境温度条件下工作 冷却媒质温度 冷却媒质为空气时:0C一40C; 冷却媒质为水时:5C35C; 冷却媒质为油时:一5C30C b环境温度 装置的工作环境温度为5C40,温度变化率应不大于5C/h. 4.2.2相对湿度 空气的最大相对湿度不超过90%(空气温度20C时) 相对湿度的变化每小时不超过5%,且不得 出现凝露 4.2.3环境空气 运行地点应无导电或爆炸尘埃,无腐蚀金属或破坏绝缘的气体或蒸汽
GB/T12669一2012 4.2.4振动 装置安装地点允许的振动条件;振动率严酷等级为10Hz150Hz时,振动加速度不大于5m/s 当装置受安装地点振动而产生共振时,应采取避开响应频率的措施 4.2.5海拔 安装使用地点的海拔不超过1000n m 注;对于在海拔高于1000m处使用的装置,有必要考虑介电强度的降低和空气冷却效果的减弱 在这些条件下使 用的控制装置,按照制造厂与用户之间的协议进行设计和使用 4.2.6安装倾斜度 对于垂直安装的装置,安装倾斜度不得超过5" 4.2.7供电电源 对供电电源的要求如下 电压波动不超过士10%,短暂波动不超过一15%~10% b)频率波动不超过士2%,频率的变化速度不超过士1%/s 注:频率的负波动和电压的正波动不能同时发生 三相电源的负序分量不超过正序分量的5% 电压的稳态相对谐波含量的方均根值不超过10% 其中,任何奇次谐波不超过5%,任何偶次 谐波不超过2%,短时(持续时间短于30s)出现的任意一次谐波含量不超过10% 图1所示交流电压的缺口深度不应超过工作电压峰值Uw的40%,缺口宽度不应超过30' 电角度),缺口面积不应超过最大允许缺口宽度与最大允许缺口深度乘积的十分之一 非重复和重复瞬态电压与工作电压峰值之比应符合式(1)和式(2). U LsM 2.5 U LwM U l.3 Uw 式中: -工作电压峰值,单位为伏(V) Uww 非重复瞬态电压峰值,单位为伏(V); UsMn UR -重复瞬态电压峰值,单位为伏(V). 非重复峰值电压脉冲(见图2)前沿时间4,为1s,宽度/w(幅度的一半处)为3As一3004s之 间 对装有独立变压器的装置,瞬态电压的能量应符合式(3). W、<400SN 式中: 瞬态电压的能量,单位为焦耳(J) W 变压器的额定容量,单位为兆伏安(MVA) SN 对无独立变压器而连接到公共母线上的装置,其过电压抑制装置应与前一级公共变压器匹配
GB/T12669一2012 U 图1交流电网电压波形 0别aa" M 0.5(sM 0.1u 图2非重复峰值电压脉冲波形 4.2.8异常工作条件 对下列环境之一的情况,作为异常工作条件下的技术要求(在用户和制造厂的协议中规定): a)异常的机械应力(如振动和冲击); b环境空气中含有过量的粉尘; 暴露在盐雾、滴水或腐蚀性的气体中 c 暴露在水蒸气或油雾中; 暴露在爆炸性的尘埃或气体中; 暴露在放射性的辐射中; 高温或高湿的使用环境; 温度波动超过5/h,相对湿度的变化每小时超过5%; 海拔高于1000m:; 4.2未包括的其他异常工作条件
GB/T12669一2012 4.3基本要求 4.3.1部件和辅件的一般要求 4.3.1.1元器件 装置上的元器件、电力变流变压器、电抗器、快速熔断器等,应符合相应标准的规定和安装规程 4.3.1.2印制电路板 符合GB/T4588.1,GB/T4588.2的规定 4.3.1.3接线辅件 符合GB/T3797一2005和各辅件本身标准的规定 4.3.1.4压接、焊接和绕接接线 压接,焊接接线的装配尺寸应符合有关标准的规定 用于控制电路中的绕接接线应符合相应标准 的规定 无焊接连接符合JB/T9664一1999的规定 4.3.1.5装焊后的印制电路板,插件 装焊后的印制电路板、插件应能承受规定条件的振动与高、低温循环试验 其电气性能应符合要 求,元器件不得有虚焊,脱焊或脱落,紧固件不得有松动等缺陷 4.3.1.6装置中控制电路的导线截面 装置中控制电路的导线截面应按规定的载流量选择 考虑到机械强度的需要,一般应采用截面不 小于0.75mm的单芯铜绝缘线或不小于0.5mm的多芯铜绝缘绞和线 对于电流较小的电路[如电 子逻辑电路或类似的低电平(信号)电路],导线的最小截面不小于0.2mm" 导线的额定绝缘电压应与电路的额定工作电压适应 4.3.2绝缘电阻与介电强度 在环境温度为20C和相对湿度为90%时,主电路带电部分与地(外壳)之间的绝缘电阻应不小于 1MQ 绝缘电阻值仅供介电强度试验的辅助性判别 各带电电路对地(外壳)和彼此无电连接的电路之间的介电强度试验电压见表1 表1介电强度试验电压 额定绝缘电压U/V 试验电压/V 500 U60 60500 2U十1000 4.3.3温升 装置内部各部位的温升应符合表2的规定
GB/T12669一2012 表2温升 部件与器件 材料与被覆 温升/K 电力半导体器件及元器件 不超过相应标准的规定 紫饷,无被覆层 6d 紫铜、搪锡 65 连接于一般低压电器的母线连接处的母线 紫铜、镀银 70 s5 铝,超声波搪锡 紫铜,无被覆层 5 ss5 紫铜、搪锡 连接于电力半导体器件的母线连接处的母线 紫铜,镀银 35 铝、超声波搪锡 与半导体器件相接的塑料绝缘导线、橡皮绝缘导线 45 变流变压器的温升应符合GB/T3859.1一1993的规定 4.3.4主电路的相序排列 主电路的相序排列按表3规定 表3 主电路的相序排列 垂直排列 水平排列 前后排列 类别 A相 上方 左方 远方 B相 中方 中方 中方 C相 下方 右方 近方 上方 左力 正极 远方 负极 下方 右方 近方 (中性线》 最下方 最有方 最近方 注1:表中所列以控制柜箱)的正视方向为基准 注2:对无法区分相序和极性的电路,可不作规定 4.3.5电气间隙与爬电距离 装置中各带电电路之间以及带电零部件与导电零部件或接地零部件之间的电气间隙和爬电距离应 符合表4的规定 作为装置组成部件的电气元件和单元,其电气间隙和爬电距离应符合相应标准的规定 表4电气间隙与爬电距离 额定绝缘电压U/八V 额定电流s63A 额定电流>63A 爬电距离 电气间隙 爬电距离" 电气间隙 交流 直流 mmm mm mmm mm U60 U<75 60GB/T12669一2012 表4(续 额定绝缘电压U/八V 额定电流63A 额定电流>63A 电气间隙 爬电距离 电气间脉 爬电距离 交流 直流 mm mm mm mm 380GB/T12669一2012 缺相保护 e f 逆变颠覆保护 4.3.10接地 4.3.10.1接地电阻和标志 装置应可靠接地 可能触及的金属部件与接地点间的电阻应不大于0.1Q 接地导线应使用黄/绿相间的双色线 接地点应有明显的接地标志 4.3.10.2防触电的保护接地 装置应有防触电措施 金属结构体的架、门和盖应可靠接地 接地点的导线截面应符合表5的 规定 表5接地点的导电截面 给装置馈电的主导线的截面积s/mm" 主接地点的导线的截面积/mmt S16 等于主导线的截面积 S16 最小为主导线截面积的50%,但不小于16 mm” 4.3.10.3功能接地 装置中可设置保证预定功能(如抗干扰)的接地 4.3.11 噪声 在正常工作条件下,装置运行时发出的噪声应不高于80dlB(A声级》 对不需要经常操作、监视或维护的装置,经用户和制造厂协商,其噪声可高于上述数值,但不得高于 90dB(A声级) 4.3.12冷却 装置可采用自然冷却,强迫风冷却,水冷却或其他介质冷却 采用自然冷却时,散热器周围应留有足够的空间间隙 采用水冷却时,管路施加(40士5)kPa的水 压,保持30min,应无任何渗漏现象 采用油浸冷却时,管路施加(35士5)kPa的油压,保持12h,应无任 何渗漏和油箱变形现象 4.3.13电磁兼容性(EMC) 装置应能在4.2.7规定的电源条件下正常工作,还应能承受一般环境下的电磁干扰 装置对电网的干扰,以及对安装地点附近的弱电系统例如通信系统)可能造成的干扰,应由制造厂 与用户协商采取措施抑制 谐波含量 4.3.14 用户对装置的输出波形提出要求时,应与制造厂协商确定谐波含量 4.3.15外壳防护等级 装置柜体(外壳)的防护等级应符合GB42082008中IP2X级的规定
GB/T12669一2012 4.3.16装置应具备的输入输出信号 装置应具备的输人输出信号主要包括如下几种: 起动信号 停止信号 调速信号; 全速信号 -速度给定信号(4mA20mA/0~10V/数字量)输人; 工艺给定信号(4mA一20mA/010V/数字量)输人; 实际速度信号4mA 20mA/010V/数字量)输出; 实际工艺信号(4mA一20mA/010V/数字量)输出 4.3.17装置结构与外形尺寸 装置的结构与外形尺寸应符合以下要求 -装置内安装有照明灯; -装置顶部装有起吊钩各单元有门锁; -装置尺寸应符合GB/T3047.1的规定 试验 5.1试验分类 51.1一般规定 装置的试验分为出厂试验和型式试验 5.1.2型式试验 型式试验用以验证被试装置是否符合本标准的规定 型式试验应在一台装置样品上,或在按相同 或类似)设计制造的多台装置或部件上进行 凡具有下列情况之一的,应进行型式试验 -新产品或老产品转厂生产的试制定型鉴定; 已定型的产品,当设计、工艺或关键材料更改可能影响产品性能时; 正常生产时,定期或积累一定产品后的周期性试验; 产品长期停产后,恢复生产时; 出厂试验结果与上次型式试验有较大差异时 国家质量监督机构提出型式试验要求时 型式试验时,产品只有一项不合格时,允许返工后再对该项目进行复试 若复试仍不合格,则该产 品为不合格品 5.1.3出厂试验 出厂试验用以检验器件、材料、工艺上的缺陷 每台装置都应进行出厂试验 在出厂试验过程中,若任意一项不合格,均判为该装置试验不合格 5.2试验项目 装置的出厂试验,型式试验项目及有关试验要求如表6所示 10
GB/T12669一2012 表6试验项目 试验项目 型式试验 出厂试验 试验方法、要求的章条号 -般检验 5,3.1、4.3.1 外壳防护等级试验 4.3.15 电气间隙与爬电距离检查 4.3,5 2 绝缘电阻测量 5.3.2、4.3. 介电强度试验 5.3.3、4.3.2 触发单元特性试验 轻载试验 5.3.4 均衡度测量 5.3.16 低压电流试验 5.3.5 连续运行试验 (、 5.3.17 直流电压(中间直流环节)试验 5.3.6 调速性能试验 5.3.7 负载试验 4.3,8 效率测定 5.3.8 功率因数测定 5.3.9 过电流、,过电压和欠电压保护试验 5.3.10.1,5.3.10.2 短路保护试验 5,3,10.3 电压暂降试验 5.3.10.4 超温保护 5,3.10,5 缺相保护 5.3.10." 逆变颠覆保护 温升试验 5,3.11、4.3,3 EMC试验 5.3.12、4.3.13 谐波含量测定 5.3.13、4.3.14 噪声测量 5,3.14、4.3,11 冷却性能试验 4.3.12 气候环境试验 5.3,15.5 高、低温循环试验(控制单元 5.3.15.1 高、低温存放试验 振动试验 5.3.15.3 跌落冲击试验 5.3.15. 注1:带括号的试验项目由用户与制造厂协商确定 注2:大容量装置的负载试验在运行现场进行,或由用户与制造厂协商确定
GB/T12669一2012 5.3试验方法 5.3.1 -般检查 按GB/T3797一2005的5.2.1的进行 5.3.2绝缘电阻测量 用于绝缘电阻测量的兆欧表电压等级,应符合表7的规定 表7兆欧表电压等级 额定绝缘电压U// 兆欧表电压等级/V U<60 250 60U,250 500 250U<600 1000 试验时,对于不能承受规定的兆欧表电压等级的某些元器件(如半导体器件、电容器)应将其短接 采用水冷却的装置应在无水的情况下测量 测量应在电路与柜体的接地部件之间及彼此无电联结的导电部件之间进行 5.3.3介电强度试验 试验应在电路与接地部件之间以及彼此无电联结的导电部件之间进行 试验前,主电路中的所有半导体器件的端子应短接,印制电路板可拔除 对绝缘材料的外壳,应在 其相应部位敷以导电箱 对某些有可能因其绝缘损坏将高电压引人低电压电路的部件(如脉冲变压器,互感器等),应在试验 时承受相应较高的试验电压 试验电压为工频正弦波电压,其值应符合表1的规定 当因电磁滤波元件的存在而无法施加交流 试验电压时,可采用直流电压,其值应等于规定的交流试验电压峰值 试验时,试验电压从零升到规定值的时间不应短于10s 达到规定值后,保持1min,且未发现击 穿,闪络现象,即为合格 采用水冷却的装置,介电试验应分两步进行;在无冷却水时,施加的试验电压应符合本标准规定;在 有冷却水时,脆加的试验电压应符合具体产品标准规定 出厂试验时,试验电压达到规定值后,保持的时间可缩短为1s 5.3.4轻载试验 对于出厂试验,试验可在额定输出电压下进行 对于型式试验,试验应分别在最高和最低输出电压 下进行 试验时,负载电流能满足试验要求即可 对于2kVA及其以下的装置,可不进行轻载试验 5.3.5低压电流试验 试验时,装置的输出端应连接模拟负载 主电路的输人端可通过变压器或调压器施加较低的电压、 其值应足以使装置输出100%的额定电流 装置的控制、操作及辅助电路均应连接至电压为额定值的 独立电源 试验时,冷却介质的流速(或流量)和温度应符合正常工作条件 12
GB/T12669一2012 试验时,应使装置输出额定电流连续运行不少于20min. 5.3.6直流电压(中间直流环节)试验 在规定的电源电压波动范围和轻载情况下,装置直流环节输出电压可从零调至额定输出相当于电 机由最高转速调至最低转速) 5.3.7调速性能试验 5.3.7.1试验方法 将装置的转子侧连接至容量适当的三相交流绕线转子感应电动机的转子绕组 装置的网侧连接至 逆变变压器阀侧后,与供电电网连接 电动机的定子直接与供电电网连接 电动机输出轴带动一个模 拟负载 如有试验条件,也可将装置连接至一套模拟装置(传动电动机和负载的各个环节均可通过模拟 装置进行模拟) 对速度控制系统试验时,调节装置的输出,使电动机在规定的调迷范围内运行,并在指定的工作转 速下测量转速变化率和调速范围 5.3.7.2转速变化率与相对于额定转速的转速变化率 a 转速变化率(s)是指在某一指定转速下,负载由空载(一般不大于额定负载的10%)到额定负 载变化时,空载转速n,和额定负载下的转速n之差与额定负载下的转速n之比的百分数 用式(4)计算: ,-"二" ×100% 式中 在某一指定转速下,当实际负载为空载(不大于额定负载的10%)的转速,单位为转每 分钟(r/min); 一指定转逃下,当实际负载为额定负载时的转逃,单位为转每分钟(r/mim) -在某 b)相对于额定转速的转速变化率(s.)是指在某一指定转速下,负载由空载(不大于额定负载的 10%)到额定负载变化时,空载转速n 和额定负载下的转速n之差与额定转速n 之比的百分 数 可用式(5)计算: 二"×100% 5 S n 式中: 电动机的额定转速,单位为转每分钟(r/min) 1 洼1;本条和5.3.7.3中的“负载"是指装置输出给电动机的主电路电流,而不是指其输出功率 注2;两种转速变化率的定义应在相应标准中明确选定 5.3.7.3调速范围(调速比) 调速范围(D)是指在额定负载下,转速变化率、不大于规定值时,从最高工作转速n,到最低工作 转速n的可调范围 可用式(6)计算 D (6 =mnx/Mminm 式中: 符合规定的转速变化率时的最高工作转速,单位为转每分钟(r/min); 7ma 符合规定的转速变化率时的最低工作转速,单位为转每分钟(r/nmin) 13
GB/T12669一2012 5.3.8效率测定 装置的效率测定应在电网频率,负载电流及直流电压为额定条件下进行 测定方法可采用直接测 量法或确定损耗测量法 装置的效率p可用式(7)计算 PcZ Pe ×100% ×100%= z P十P cz fcZR 式中: 装置的效率 2 装置的输人有功功率,单位为千瓦(kw) PezR Pcae -装置的输出有功功率,单位为千瓦(kW); 装置损耗的有功功率,单位为千瓦(kw). Pcz 装置的损耗P包括;半导体功率器件及联结器件的损耗,逆变变压器、电抗器的损耗,控制电路、 操作电路和信号电路等的损耗 5.3.9功率因数测定 在测定功率因数时,如无其他规定,应在额定条件下进行 在GB/T3859.1一1993规定的允差下,可采用直接测量法或其他方法确定装置的功率因数 5.3.10保护性能试验 过电压保护 5.3.101 试验时,将输人电压,输出电压和负载电流调整至额定值 按相关标准规定选择检测点 当检测点的电压超过规定值时,过电压保护应可靠动作,并发出声、 光报警信号 5.3.10.2过电流保护 当负载电流超过规定值时,过电流保护应可靠动作,同时切断主电路(或切换到全速运行状态),并 发出声,光报警信号 5.3.10.3短路保护 在直流侧与电路臂之间人为短路的情况下,检查快速熔断器、快速开关,交流侧保护器的正确动作 快速熔断器应在发生内部短路(如器件击穿、直通)时及时熔断 除故障发生时通过反向电流的元 器件外,其他元器件不应损坏 对于大容量装置,短路试验为选做试验 5.3.10.4电压暂降保护 可选用专门的电压跌落发生器或使用可控制停电时间的电子开关进行试验 试验时,电压暂降时间及电压跌落数值按具体产品标准确定 5.3.10.5超温保护 在负载试验时,人为关掉冷却设备,使器件的温度升高 当检测点温度>(85C士2C)时,超温保 护动作应可靠,同时,装置立即将电动机切换到全速运行状态或与此刻相同转速的调速运行状态 14
GB/T12669一2012 5.3.10.6缺相保护 在人为的输出缺相情况下,缺相保护应可靠动作,同时,装置立即将电动机切换到全速运行状态或 与此刻相同转速的调速运行状态 5.3.10.7逆变颠覆保护 在人为的逆变颠覆情况下,逆变颠覆保护应可靠动作,同时,装置立即将电动机切换到全速运行状 态或与此刻相同转速的调速运行状态 注:此试验只对晶闸管电路适用 5.3.11 温升试验 温升试验时,装置应在规定的散热条件下,对需要检验的电路或部件通以额定工作电流包括额定 电流和规定的过载电流) 该电流可由装置本身产生,也可由外部电源供给 试验应维持足够长的时间,以使各种部位的温度达到热平衡 温度测量可使用热电偶 热电偶的装设应防止空气流动或热辐射影响 试验时,周围环境温度应为10一40C 装置的温升应符合表2规定 5.3.12EMC试验 5.3.12.1抗干扰试验 5.3.12.1.1电快速瞬变/脉冲群抗扰度 按GB/T17626.4一2008规定的方法和程序进行 5.3.12.1.2浪涌抗扰度 按GB/T17626.5一2008规定的方法和程序进行 5.3.12.1.3射频电磁场辐射抗扰度 按GB/T17626.32006的规定方法和程序进行 5.3.12.1.4静电放电抗扰度 按GB/T17626.22006的规定方法和程序进行 5.3.12.2发射试验 按G8T3797一205的苏.2.12.3进行 装置的电网终淌骚找电压限值应符合表8的规定 装置 的电磁辐射干扰限值应符合表9的规定 表8电网终端骚扰电压限值 频带/MHz 准峰值/dB(AV 平均值/dB(AV 79 66 0.15GB/T12669一2012 表9电磁辐射干扰限值 频带/MHz 电场强度分量/dB(AV/m 测量距离/m1 30 30 30<230 37 230GB/T12669一2012 试验后,对装置进行直观检查 应注意是否有元器件过热、紧固件松动及绝缘损坏的迹象 b)湿热试验 验证装置的耐潮湿能力,应按表11进行 表11 湿热试验条件 内 容 要 求 湿度 93)% 温度 40士2)C 试验持续时间 2d,4d,10d推荐采用4 d 装置状态 不通电 试验后,对装置进行直观检查 应注意是否有元器件过热、紧固件松动及绝缘损坏的迹象 将装置 恢复1h一2h后,按5.3.2及5.3.3要求进行绝缘电阻和介电强度试验,试验电压为规定值的85% 5.3.16均衡度测量 按GB/T3797一2005的5.2.9.1规定进行 5.3.17连续运行试验 连续运行试验是使装置在规定的电源条件下,尽可能按实际工作的程序不间断运行 在整个运行 过程中,装置的各种动作、功能及程序应正确无误 连续运行试验的最短时间,应在有关技术要求中说明,但不得少于24h 标志,包装,运输、贮存 6 标志 装置内的组件和元器件应有明显的标记 使用的标记应与接线图上的标记一致 每台(套)装置应设有铭牌 铭牌上的字迹应清晰整齐,并安装于明显的部位 铭牌上应包括 -产品名称 产品型号; 直流额定电压; 直流额定电流; 必要的其他技术数据; 工作制等级, 质量; 出厂序号; 制造厂名; 制造年月 6.2包装与运输 装置的包装与运输应符合具体产品标准规定 装置出厂时,制造厂应按每台(套)装置的类型,随产品提供下列技术文件、资料 -装箱技术文件清单; 17
GB/T12669一2012 产品合格证明 -使用维修电路图、装配图、接线图和说明书; 使用维护说明书; 备用件一览表 贮存 装置应贮存于防雨,防潮,防日晒,无腐蚀性气体或导电尘埃的场所 装置贮存(包括不工作时间)的环境温度应不高于55C,不低于一25C 18

半导体变流串级调速装置总技术条件GB/T12669-2012解读

一、半导体变流串级调速装置的基本概念

半导体变流串级调速是一种电力电子技术,在大型电机调速和动态反馈控制系统中具有广泛的应用。它通过将电机输出的交流信号转化为直流信号,并经过多重变频器进行处理后再转换为交流信号,从而实现电机的调速和精密控制。

二、 GB/T12669-2012的适用范围

GB/T12669-2012规定了半导体变流串级调速装置的技术条件,适用于额定电压3KV以上、额定功率500KW以上的交流电机串级调速装置。该标准的制定旨在提高半导体变流串级调速装置的质量和性能,保证其在工业生产中的稳定可靠性。

三、半导体变流串级调速装置的关键技术指标

半导体变流串级调速装置的关键技术指标包括:

  • 电压变化率:装置输出电压变化率应小于5%;
  • 转矩响应时间:装置转矩响应时间应小于50ms;
  • 调速精度:装置调速精度应达到0.1%或更高;
  • 运行平稳性:装置在长期运行过程中应具有良好的平稳性和可靠性。

另外,装置的温度控制、故障保护和维护等方面的技术也是考虑因素之一。

四、总结

半导体变流串级调速装置是一种重要的电力电子设备,可以实现对大型电机的准确调速和精密控制。GB/T12669-2012规定了该装置的技术条件,其关键技术指标包括电压变化率、转矩响应时间、调速精度和运行平稳性等。厂家在生产该装置时必须按照标准要求进行设计、生产和质量控制,以保证装置具有稳定可靠的性能。

和半导体变流串级调速装置总技术条件类似的标准

同步电动机半导体励磁装置总技术条件
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