GB/T30001.2-2013

信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求

Informationtechnology-Mobilepaymentbasedonradiofrequency-Part2:Cardtechnicalrequirements

本文分享国家标准信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求的全文阅读和高清PDF的下载,信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求的编号:GB/T30001.2-2013。信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求共有23页,发布于2014-05-01
  • 中国标准分类号(CCS)L64
  • 国际标准分类号(ICS)35.240.15
  • 实施日期2014-05-01
  • 文件格式PDF
  • 文本页数23页
  • 文件大小546.39KB

以图片形式预览信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求

信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求


国家标准 GB/T30001.2一2013 信息技术基于射频的移动支付 第2部分:卡技术要求 ntormatontehmougy一Moblepymenbaselonradiofrequeney Part2:Cardteehnicalrequirements 2013-10-10发布 2014-05-01实施 国家质量监督检监检疫总局 发布 国家标准花管理委员会国家标准
GB/T30001.2一2013 目 次 前言 引言 范围 规范性引用文件 术语和定义 符号和缩略语 RFMPC的结构 CLF和sE分离的RFMPC技术要求 CIF和SE集成于一体的RFMPC技术要求 附录A(规范性附录)单线协议接口 附录B(规范性附录)实时透传单线接口
GB/T30001.2一2013 前 言 GB/T30001《信息技术基于射频的移动支付》分为五个部分 -第1部分:射频接口; 第2部分;卡技术要求; 第了部分;设备技术要求; 第4部分;卡应用管理和安全; 第万部分射频接口测试方法 本部分为GB/T30001的第2部分 本部分按照GB/T1.1-2009给出的规则起草 本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/Tc28)提出并归口 本部分起草单位;电子技术标准化研究院、银联股份有限公司、上海复旦微电子集团股份 有限公司,北京握奇数据系统有限公司、北京同方微电子有限公司,武汉天喻信息产业股份有限公司、中 国移动通信集团公司、电信集团公司、联合网络通信集团有限公司,普天信息技术研究院 本部分主要起草人;柴洪峰、赵波、耿力、李蔚、徐燕军、谭颖、金倩、冯敬、高林、严光文、丁义民、 刘文莉,董逢华
GB/T30001.2一2013 引 言 本文件的发布机构提请注意,声明符合本文件时,可能涉及到第6章以及附录B中与实时透传单 线接口相关的专利的使用 本文件的发布机构对于该专利的真实性、有效性和验证资料不提出任何看法,无任何立场 该专利持有人已向本文件的发布机构保证,他愿意同任何申请人在合理且无歧视的条款和条件下 就专利授权许可进行谈判 该专利持有人的声明已在本文件的发布机构备案 相关信息可以通过以下 联系方式获得 专利.cNI02064856A数据传输方法与装置 CNI02035576A数据传输的方法 专利持有人姓名上海复旦微电子集团股份有眼公司 地址:200433,上海市国泰路127号复旦科技园4号楼 联系人;李蔚 电话:021-65655050 网址:www.fmsh.com.cn 请注意除上述专利外,本文件的某些内容仍可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别这些专 利的责任
GB/T30001.2一2013 信息技术基于射频的移动支付 第2部分:卡技术要求 范围 GB/T30001的本部分规定了RFMPC技术要求,包括RFMPC的结构和接口方式等 本部分适用于RFMPC的设计、生产和检验 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 信息技术系统间远程通信和信息交换高级数据链路控制(HD.c>规餐 GB/T74212008 ISO/IEC13239:2002,IDT 识别卡带触点的集成电路卡第3部分电信号和传输协议(Iso) GB/T16649.32006 IEC7816-3;1997,IDT GB/T30001.1信息技术基于射频的移动支付第1部分;射频接口 术语和定义 GB/T30001.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3 基于射频的移动支付终端RF-ba sedmobilepaymentterminal 能够支持RFMPC功能的移动通信终端设备,可通过射频接口与RFMPD进行通信,实现非接触支 付功能 符号和缩略语 4.1符号 下列符号适用于本文件 f.;工作场的频率(载波频率). /.;单线接口信号载波懒率 4.2缩略语 下列缩略语适用于本文件 ACT:激活协议(ActivationProtocolD tactlessFrontend CLF:非接触前端Cont umnelling) CLT;非接触通道(ContactlessTun MieroSD微型安全数字存储卡(MieroSecureDigitalMemoryCard
GB/T30001.2一2013 OOK:开关键控(On/OffKeying RFMPC;基于射频的移动支付卡(RF-basedMobilePaymentCard) RFMPD;基于射频的移动支付设备(RF-basedMobilePaymentDevice) RFMPT;基于射频的移动支付终端(RF-basedMobilePaymentTerminal SE;安全单元(SeeurityElenment) sHDLC;简单高级数据链路协议(SimplifiedHighLevelDataLinkControl swP单线协议(SinglewireProtocalD swo单线输人输出(sinkle WireInputOutput) TCM;终端控制模块(TerminalControlModule) UICC;通用集成电路卡(Univ lntegratedCircuitCard versal RFMPC的结构 本部分定义了两种RFMPC结构: a)CLF和sE分离的RFMPC结构,即CLF和SE分别位于不同的载体上,如图1所示; b)CLF和sE集成于一体的RFMPC结构,即CLF和SE位于同一载体上,如图2所示 CLF SE 图1cLr和sE分离的RrPC结构示意图 CLF#SE 图2cLF和sSE集成于一体的RFMC结构示意图 CLr和SE分离的RFMC技术要求 6 概述 基于CLF和SE分离结构的RFMPC构成的移动支付系统如图3所示 在该系统中,RFMPC; W SE,CLF以及射频天线构成,作为一个逻辑整体,通过GB/T30001.1定义的射频接口与RFMPD进行 非接触通信 其中,CLF与sE在物理上相互分离,通过cLF-SE接口连接;SE与TCcM通过SE的载 体原先已有的标准接口连接,本部分不再定义,但支持基于射频的移动支付功能的SE应保持TcM-sE 接口的兼容性;CLF与TCM之间的接口可由生产企业自行定义
GB/T30001.2一2013 RFMPC TCM-SE接口 RFMPT TCM TCMCLF接口 RFMPD 非接触 接 天纱 天线 cLF-S接口 非接触 CLF SE 读写电路 图3基于CLF和SE分离结构的RFMPC构成的移动支付系统 6.2CLF-SE接口 CLF-sE接口用于连接cLF和sE如图4所示 S0为RFMPD发送至RFMPT的信号,S3为 RFMPT回复的信号,S0和S3应符合GB/T30001.1的要求 cLF和sE之间通过swIo单线连接, s1为cLF发送至SE的信号,S2为SE回复至cLF的信号 CLF-sE接口包括单线协议接口和实时透传单线接口,其中单线协议接口见附录A,实时透传单线 接口见附录B,两种接口在物理层保持兼容,可以共存于同一个RFMPT上 SE应至少支持其中一种 CLF-sE接口 RFMP TcMSsE 接口 sE TCM SWIo 雪 电 vDp S1 天线 CLF 单线按口 S2 图4CLF-sE接口示意图 6.3CL和SE分离结构中的SE载体类型 CLF和SE分离结构中的SE载体可有多种类型,例如UIcC,MieroSD卡等 当使用UICC作为SE载体时,应至少包括C1,C2、C'3C4.C5、C6,C7、C8共8个引脚,如图5所 示,其中C6引脚用于连接SE与CLF,传输6.2中规定的单线协议接口信号或实时透传单线接口信号; C4,C8引脚暂不做定义,其余5个引脚应符合GB/T16649.3一2006的规定
GB/T30001.2一2013 vccC G5GND IRSTC2 C6SwWIo CKC3 I/0 图5UIcC作为CL!和SE分离结构中的sE载体 当采用MieroSD卡作为sSE载体时,可在MieroSD卡中扩充2个引脚,用于支持非接触式应用 分别是非接触电源引脚SEvcC和单线引脚swIO,如图6所示 MieroSD卡作为SE载体的引脚定义 见表1 DATI IsEVCc DAO VSS CK CC CNME DDAE SwIo DTE 图6MicroSD卡作为CL和SE分离结构中的SE载体 表1MicrosD卡作为sE载体的引脚定义 引脚 名称 类型 描述 DAT2 1/O 数据线[第2位 卡片侦测/数据线[第3位门] CD/DAT3 1/O CM 指令/响应 vcc 供电电压 CLK 时钟 VSS 接地 DATO 1/O 数据线[第0位] DAT 1/O 数据线[第1位] 单线输人输出信号线 SW1O 1/O 10 SEVCC 来自于CLF的供电电压 P为电源.G为接地,I/o为输人/输出 CLr和SE集成于一体的RFMC技术要求 7.1概述 基于CLF和sE集成于一体结构的RFMPC构成的移动支付系统如图7所示 在该系统中 RFMPC由集成于一体的CLF与SE构成,并带有相匹配的射频天线 该RFMPC具有接触式和非接 触式两个接口 其中,集成于一体的CLF与SE和TCM通过符合GB/Tl6649.3一2006的接触式接
GB/T30001.2一2013 口相连接;集成于一体的CLF与SE以及相匹配的射频天线与RFMPT相结合通过符合GB/T30001.1 的射频接口与RFMPD进行非接触通信 RFMPC RFMPT RFMPD 非接触式 接触式 天线 接口 接口 TCM 非接触 CLF+SE 读写电路 天线 图7基于CLr和SE集成于一体结构的RFMPC构成的移动支付系统 7.2CLF和SE集成于一体结构中的SE载体类型 在CLF和sE集成于一体结构中的SE载体可有多种类型,例如双界面UIcC等 当采用双界面UICC作为SE载体时,应至少包括C1,C2,C3,C4、C5,C6,C7,C8共8个引脚,如 图8所示 其中,C1,C2,C3,C4,C5引脚应符合GB/T16649.3一2006的规定,用作UICC的接触式界 面接口;C6引脚暂不做规定;如果天线需要单独引出时,可使用C4,C8引脚或扩展引脚用作非接触天 线接口 vccC C5GND RSTC2 cLKC8 CD1/o C8IN2 图8UccC作为CLF和SE集成于一体结构中的sSE载体
GB/T30001.2一2013 附录A 规范性附录 单线协议接口 A.1单线协议 单线协议是CLF和SE之间通过一条信号线通讯的接口协议,用于连接CLF和SE实现非接触卡 片模拟功能 在 -个共地的系统中,为了支持不同的电源模式,CLF和SE之间除了单条信号线外,还有一条电 源线 A.2单线协议接口原理 单线协议接口原理如图A.1所示,CLF是主器件,sE是从器件 自CLF至sE的s1信号用电压 表示,自SE至CLF的S2信号用电流表示,S2信号仅在S1信号处于高电平期间有效 swo SWIO 输出 输入 S2 CLF SE 主器件 从器件) GND GND 图A.1单线协议接口原理图 A.3物理特性 A.3.1sE载体工作温度范围 sE载体工作温度范围应符合未增加单线协议接口的sE产品所遵循的规范要求 A.3.2触点 SE载体在保持原产品触点兼容的基础上,增加单线接口swI0引脚触点和电源接口sEvcC引脚 触点 根据SE载体不同及对低功耗工作模式的要求,,SEVCC引脚可与原SE载体接口的电源引脚共 用或单独新增 A.3.3SwIo激活和退活 sEvcC未上电,RFMPT应保持swIo处于非激活状态(S1信号保持低电平) SEvcc上电后,终端设置swIG引脚由低电平跳变到高电平,激活swI swIG退出激活状态 见A.5.3 4 电气特性 A, A.4.1工作条件 S1信号的电平见图A.2
GB/T30001.2一2013 CLF(主) sSE(从 输出电压 输入电压 'tm he I.8vy 'wml 'mm ynnmt 'xme Gnd yHania 图A.2s1信号电平定义 V和V表示sE的输人高低电平,V和Vu表示CIF的输出高低电平 所有信号以地(Gnd)为 参考电平 单线协议接口的2信号用电流表示,传输sSE返回给CLF的数据 2信号在S1信号处于高电平 状态下有效,其电流定义如图A.3所示 输入电流 , mA S2 Anar 图A.3s2信号电流定义 A.4.2sEvcc供电电压 SE载体的sEvcc供电电压应符合未增加单线协议接口的sE产品所遵循的规范要求 A.4.3低功耗模式sEvcc供电电压 在系统处于低功耗工作模式时,SEVCC供电电压定义如表A.1所示 表A.1sEvcC在低功耗模式下的电气特性 符号 条件 最小值 最大值 单位 Vce 低功耗模式 l.62 1.98 低功耗模式 mA Icc
GB/T30001.2一2013 A.4.4s1信号 S1信号电气特性见表A.2和表A.3 表A.2单线引脚s1信号在3(1土10%)V电源下的电气特性 符号 参数 条件" 最小值 最大值 单位 1.98 输出高电平 LGB/T30001.2一2013 34 逻辑1 4 逻辑o 图A.4s1信号位编码 S1信号逻辑1用3/4T的高电平表示,逻辑0用1/4丁的高电平表示 所有的位信号应连续传 输,连续的两个上升沿表示一个位的开始和结束 图A.5表示了s信号波形 909% 509 10% 图A.5s1信号波形 swIO信号线上的电容负载不应超过10pF 表A.5表示了s1信号波形时序 表A.5s1信号波形时序 参数 单位 符号 条件 最小值 典型值 最大值 Cwn10pF,T5000ns 0.05×T 5ns ns 下降时间 CoD<10pF,T>5000ns 5ns 250ns nS Co10pF,T5000ns 5ns 0.05× ns 上升时间 Cn<10pF,T>5000ns 5ns 250ns ns Tm 逻辑1编码高电平 0.70×T 0,75×T 0.80×T ns 逻辑0编码高电平 Tn 0.20×T 0.25×T 0.30×X nS 位周期 590 10000 ns A.5.2s2信号时序 S2信号在S信号处于高电平期间有效,S2信号时序见图A.6
GB/T30001.2一2013 Poin S1 /nmin. S2 逻辑o 逻辑 max S2有效 S2无效 图A.6s2信号时序 A.5.3单线协议接口状态管理 单线协议有三种状态 a)激活;在这种状态下,主从器件都发送数据 单线协议维持激活状态直至暂停状态的发生 b)暂停;在这种状态下,s1信号处于高状态,S2信号处于低状态 暂停状态是单线协议接口被 激活的初始状态 单线协议维持暂停状态直至一个再激活或非激活状态的发生 非激活;在这种状态下,S1信号和s2信号都处于低状态 单线协议接口维持这个状态直至一 个激活状态的发生 A.6数据链路层 A.6.1概述 数据链路层如图A.7所示,管理链接协议数据单元(LPDU) 链路层又分为两个子层: a)媒体访问控制层(MAC层).负责管理组帧 b逻辑链路层(LLC层),负责纠错管理和流控制 LLC层 LPDU MAC层 图A.7数据链路层 10
GB/T30001.2一2013 A.6.2媒体访问控制层 A.6.2.1位顺序 单线协议通信的位顺序是高位优先 A.6.2.2组织 图A.8表示了自主器件向从器件发送的一帧数据格式 位填充 SO志 载石 GRG6_EO志 O O 6X1 7x1 图A.8主器件发送的帧组织 SOF(帧开始)标志用“7E”表示,EOF(帧结束)标志用“7F”表示 帧与帧之间传送空闲位(逻辑0) 两帧之间至少有一个空闲位 图A.9表示了自从器件向主器件发送的一帆数据格式 位填充 CRC16 SOF志 载荷 EOF标志 6x1 7×1 唤醒位 图A.9从器件发送的帧组织 从器件向主器件发送时,系统需增加一位唤醒位(逻辑1),以防止从器件数据传输正好在总线进 人暂停状态之前开始而造成的死锁状态 A.6.2.3位填充 为了检测出soF和EoF标志,在sOF和EOF标志之间的帧数据必须进行位填充 每连续五个 逻辑1位之后,插人一个逻辑0位 如果在CRC数据的最后五位为逻辑1,则不必插人逻辑0位 在赖 解码侧需要进行相反的操作 11
GB/T30001.2一2013 01 位填充 图A.10位填充 A.6.2.4错误检测 错误检测是基于GB/T7421一2008给出的16位检测序列 CRC多项式为;X"十X2十X"十1 初始值为0xFFFF A.6.3逻辑链路层 根据上述定义的媒体访问控制层,单线协议支持三种逻辑链路层 a)AcTLlC:单线协议接口激活过程中使用的帧.CLF和sE都应支持ACTLIC; b C1TLlC;用于处理私有协议的,CIF和SE可选择是否支持C1T; e)SHDLC;非接触传输的通用逻辑链路层,CLF和SE都应支持SHDLC 单线协议帧数据的第一字节为控制域,定义如表A.6所示 表A.6L.C控制域编码 位域 类型 RFU 置位 AcT AcCT类型 CLT CITCMD sHDLc 置位 LPDU组织如图A.11所示 12
GB/T30001.2一2013 LLc控制字段 0到3字节 ACT类型 ACT载荷 ACTLPDU LLc控制字段 最大29字节 CLTCMD CLT载荷 cLrLPDu LLc控制字段 最大29字节" SHDLC DLC包 控制字段 SHDLCcLPDU 图A.11三种逻辑链路层的LPDU组织 13
GB/T30001.2一2013 B 附 录 规范性附录 实时透传单线接口 B.1实时透传单线接口 实时透传单线接口是一种在CLF和sE之间通过一条信号线通讯的接口,用于连接CLF和sSE实 现非接触卡片模拟功能 与单线协议接口不同,实时透传单线协议接口只定义物理层和电气特性,其物理层接口保持与单线 协议接口兼容,逻辑链路层协议应符合GB/T30001.1的要求 由于实时透传接口无逻辑链路层协议 的转换过程,SE与CLF连接实现卡模拟功能时,可获得普通RFMPC完全等同的时序特性,并让SE直 接处理所有RFMPD指令 在一个共地的系统上,为了支持不同的电源模式,CLF和SE之间除了单条 信号线外,还有一 条电源线 B.2实时透传单线接口原理 与单线协议接口原理相同,实时透传单线协议接口也是用s1信号表示自CLF至sE的数据,用s2 信号表示自sE至CIF的数据 s1为电压信号,S2为电流信号,S2信号仅在S1信号处于高电平期间 有效 图4表示了基于CLF和sE分离结构的RFMPC与RFMPT的物理连接及信号 实时透传单线接口数据传输流程如下 CLF通过天线从非接触场接收RFMPD发送的S0信号,经解调处理获得RFMPD信号编码 a 及时钟; bCLF将接收的信号重新编码形成可在CLF-SE接口上传输的S1信号,通过实时透传单线接 口传输至SE; sE接收s1信号,通过解调解码获得RFMPD命令,交sE处理器处理并产生应答信号 sE将应答信号编码并对实时透传单线接口进行电流负载调制,形成2信号 d CLF接收2信号并解调恢复应答信号;CLF将应答信号负载调制至RFMPD的场信号上,形 成S3信号 fS3信号传输至RFMPD,完成一次非接触通讯操作 采用实时透传单线接口连接方式,所有RFMPD的命令响应都是由SE实时完成.CLF增加的信号 转换时间延迟应满足GB/T30001.1的延迟时间容差规定 B.3物理特性 B.3.1SE载体工作温度范围 sE载体工作温度范围应符合在增加实时透传单线接口之前的SE产品所遵循的规范要求 B.3.2触点 SE载体在保持原产品触点兼容的基础上,增加实时透传单线接口swIO引脚触点和电源接口 SEVvcC引脚触点 根据SE载体不同及对低功耗工作模式的要求,SEVvcC引脚可与原SE载体接口的 电源引脚共用或单独新增 B.3.3swIo激活和退活 实时透传单线接口采用半双工通信模式 SE载体上电后,swIO处于非激活状态,S信号和S2 14
GB/T30001.2一2013 信号均为低 当RFMPT(CLF)进人非接触场区时,CLF产生信号S1(时钟信号),SwIO进人激活状 态;当RFMPT离开非接触场区,S1信号恢复为低电平,SwIO退出激活状态 S2信号在S1信号有效 期间,根据SE与RFMPD之间操作指令产生相应数据 B.4电气特性 B.4.1工作条件 S1信号的电平如图B.1所示 SE从 CLR(主) 输出电压 输入电压 ' l.8V 'nml 'hm ynw" rx Gnd T 图B.1s1信号电平定义 V和Vn表示SE的输人高低电平,Vo和V表示非接触前端芯片CLF的输出高低电平 所有 信号以地(Gnd)为参考电平 S2信号用电流表示,传输SE返回给CLF的数据 s2信号在S1信号处于高电平状态下有效,其 电流定义如图B.2所示 输入电流 i mA Inm S2 图B.2s2信号电流定义 B.4.2SEVcC供电电压 SE载体SEVcC供电电压应符合增加实时透传单线接口之前的SE产品所遵循的规范要求 15
GB/T30001.2一2013 B.4.3低功耗模式SEVcC供电电压 在系统处于低功耗工作模式时,SEVCC供电电压定义如表B.1所示 表B.1sEvcC在低功耗模式下的电气特性 符号 条件 最小值 最大值 单位 Vc 低功耗模式 1.62 1.98 le 低功耗模式 mA B.4.4s1信号 S1信号电气特性见表B.2和表B.3 表B.2单线引脚s1信号在3(1士10"%)电源下的电气特性 符号 参数 条件" 最大值 单位 最小值 GB/T30001.2一2013 B.5物理传输层 B.5.1s1信号波形 依据GB/T30001.1的规定,.=13.56MHz,S1信号由.=./2的时钟信号组成,f时钟波形 如下 90% 信好振幅 50 10e%6 图B.3s1信号载波频率.时钟波形 单线接口负载电容应不超过10pF 表B.5给出了S1信号载波频率.的时序 表B.5f时钟信号时序 符号 参数 条件 最小 典型 最大 单位 T Con<10pF 下降时间 20 ns T CoMD<10pF 上升时间 20 ns 高电平周期 T 73.70 73.79 ns f =13.56MHa 频率 fe/2 B.5.2S1编码与时序 根据GB/T30001.1的规定,从RFMPD向RFMPC传输的信号(S0)有三种状态,分别用三种序列 表示,序列x,序列Y和序列Z s0信号的载波频率为13.56MHz用表示,信号的编码方法为修正 实时透传单线接口的s1信号采用同样的修正米勒编码,载波频率.等于./2. 米勒编码 如图B.4 所示 T=64-128 几几 序列X -T-32/6 序列Y 64 序列z 几几几 图B.4S1信号编码格式 T,为一位编码信号周期,等于6t/.等同于GB/T30.1中规定的128/. r 为半位周期 17
GB/T30001.2一2013 等于32/f,等同于GB/T30001.1中规定的64/f. T为0%信号幅度调制周期,其与GB/T30001.1 中规定的T时间关系如图B.5所示 修正米勒信号 S0信号 频率) s1信号 .频率 图B.5s0-s1信号时序关系图 f.信号是f 时钟的两分频信号,分频电路引起修正米勒信号后沿延迟T时间 由于分频电路的 相位关系,T,时间为T十0.5/f 或T十1.5/f T时间为S0信号转换为s1信号的延迟时间 图B.6表示了实时透传单线接口在处理RFMPD发送数据方向的波形图 RFMPD发送的命令 为ASK调制及修正米勒编码的S0信号 CLF接收S0信号后,提取米勒编码信号和场时钟信号f.,实 时透传单线接口模块将米勒编码信号重新调制在两分频的载波频率f.上,产生修正米勒编码的s1 信号 RFMPD 命令 s0信号 载波6 cLF解调出的 修正米勒信号 s1信号 载波 图B.6s1编码信号与波形 B.5.3s2编码与时序 根据GB/T30001.1的要求,从RFMPC向RFMPD传输的信号(S3)有三种状态,分别用三种序列 表示;序列D序列E和序列F 其中3信号的载波频率为13.5GMHa用人 表示 sS3信号采用8!7 kH2副载波0OK调制及曼彻斯特位编码方法 SE在接收s1信号后,解调获得RFMPD命令并处理, 产生回复的响应数据 实时透传单线接口的s2信号采用同样的847kHz副载波曼彻斯特编码格式 以电流负载调制方式传送 图B.7为电流表示的s2信号基本波形图 18
GB/T30001.2一2013 om S2 逻辑o 逻辑 S2有效 S2无效 图B.7s2信号波形图 图B.8示出了sE的响应数据与s2信号,S3信号的关系 SE的 响应数圳 847.AHl刚发被ooK及 曼彻斯特编码的响应 信号 f/2 s2信号 CLF解调出的847kHz OOK及曼彻斯特编码 的响应信号 =13.56MHHz S3信号 图B.8s2编码信号与波形 图B.9对图B.8中的局部波形进行了放大 其中,T时间为S2信号转换为S3信号的延迟时间 根据GB/T30001.1中规定的帧延迟时间容差要求,实时透传单线接口引人的总延迟时间Ta十Te应 不大于0.44s. S2信号 sS3信号 0 图B.9S2信号与S3信号时序图

信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求GB/T30001.2-2013

在移动支付中,卡技术作为核心技术之一,为用户提供了安全、便捷和高效的支付方式。为此,国家制定了卡技术要求GB/T30001.2-2013标准,以保障移动支付交易的安全性和可靠性。

卡技术要求GB/T30001.2-2013标准规定了移动支付卡片的物理特性、通信协议、数据结构和安全机制等方面的内容。该标准要求移动支付卡片应当具备良好的物理稳定性和防伪能力,以确保移动支付交易的真实性和安全性。

此外,卡技术要求GB/T30001.2-2013标准还规定了移动支付卡片与收单终端之间的通信协议和数据传输格式。该标准要求移动支付卡片应当支持多种通信协议和数据传输格式,以适应不同的支付场景。

为了保障移动支付交易的安全性,卡技术要求GB/T30001.2-2013标准还规定了一系列的安全机制。该标准要求移动支付卡片应当支持多重安全认证,包括密码认证、指纹识别等方式,以确保用户信息的安全和可靠性。

总之,卡技术要求GB/T30001.2-2013标准的制定,为移动支付的发展提供了坚实的保障。该标准规定了移动支付卡片的物理特性、通信协议、数据结构和安全机制等方面的内容,为移动支付交易的安全性和可靠性提供了强有力的保障。

和信息技术基于射频的移动支付第2部分:卡技术要求类似的标准

信息技术基于射频的移动支付第1部分:射频接口
上一篇 本文分享国家标准信息技术基于射频的移动支付第1部分:射频接口的全文阅读和高清PDF的下载,信息技术基于射频的移动支付第1部分:射频接口的编号:GB/T30001.1-2013。信息技术基于射频的移动支付第1部分:射频接口共有58页,发布于2014-05-01
信息技术基于射频的移动支付第3部分:设备技术要求
本文分享国家标准信息技术基于射频的移动支付第3部分:设备技术要求的全文阅读和高清PDF的下载,信息技术基于射频的移动支付第3部分:设备技术要求的编号:GB/T30001.3-2013。信息技术基于射频的移动支付第3部分:设备技术要求共有8页,发布于2014-05-01 下一篇
相关推荐