GB/T31987-2015
电子工业用气体锗烷
Gasforelectronicindustry—Germane
- 中国标准分类号（CCS）G86
- 国际标准分类号（ICS）71.100.20
- 实施日期2016-05-01
- 文件格式PDF
- 文本页数7页
- 文件大小308.77KB
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电子工业用气体锗烷
国家标准 GB/T31987一2015 电子工业用气体绪院 Gasforelectronieindwstry一Germane 2015-09-11发布 2016-05-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T31987一2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
请注意本文件的某些内容可能涉及专利
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口
本标准起草单位:上海华爱色谱分析技术有限公司,佛山市华特气体有限公司、中昊光明化工研究 设计院有限公司、国家化学工业气体产品质量监督检验中心(福建、西南化工研究设计院有限公司
本标准主要起草人;方华,裴友宏、郭秀丽、林宇巍、陈熔、周鹏云
GB/I31987一2015 电子工业用气体错浣 范围 本标准规定了储烧的技术要求,试验方法、标志,包装、贮运和安全
本标准适用于氯化鳍还原、电解氧化错的硫酸溶液、错镁合金与盐酸反应等方法得到的错烧产品
它用于化学试剂制取高纯度错、化学气相淀积、扩散、非晶硅、外延、离子注人等领域
分子式:GeH
相对分子质量:76.662(按2011年国际相对原子质量计算)
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB190危险货物包装标志 GB/T3723工业用化学产品采样安全通则 (GB5099钢质无缝气瓶 GB/T5832.3气体中微量水分的测定第3部分:光腔衰荡光谱法 GB14！气瓶颜色标志 GB14193液化气体气瓶充装规定 GB15258化学品安全标签编写规定 GB16804气瓶警示标签 GB/T26571特种气体储存期规范 GB/T28726气体分析氮离子化气相色谐法 气瓶安全监察规程(2000版 危险化学品安全管理条例(2011版) 特种设备安全监察条例2009版 技术要求 错烧的质量应符合表1的要求
表1 技术指标 项 目 标 错烧(GeH)纯度(体积分数)/10- 99.999 氢(H.)含量体积分数/10- 50 氧(O.)缸(Ar)含量(体积分数/10-" 氮(N)含量体积分数/10" -氧化碳(CO)含量(体积分数)/10"
GB/I31987一2015 表1(续 目 指 项 标 二氧化碳(co.)含量(体积分数)/10" 甲烧(CH,)含量(体积分数/10" 水(H.O)含量(体积分数/10-" 供需双方商定 颗粒 试验方法 抽样、判定和复验 4.1 4.1.1错熔产品应逐一检验并验收
当检验结果有任何一项指标不符合本标准技术要求时,则判该产 品不合格
4.1.2储婉采样安全应符合GB/T3723的相关规定
4.2错炕纯度 绪烧纯度按式(1)计算: 中=100-(中十内十中十十妈十n×10-" 式中: -绪烧纯度体积分数)/10; 中 氧十氯含量(体积分数)/10-" 氮含量(体积分数)/10- 中 氧化碳含量(体积分数/10-" 二氧化碳含量(体积分数)/10-" 中 甲婉含量(体积分数)/10m 水含量(体积分数)/10-" 中
错炕尾气处理措施 4.3 测定错烧中杂质含量时,应有错烧尾气处理措施
4.4氢、氧(氲,氮、一氧化碳,二氧化碳甲的测定 按GB/T28726规定的切割进样的方法测定储炕中的氧(氯),氮、一氧化碳、二氧化碳、甲烧含量
预分离柱;长约2m,内径2mm的不锈钢管,内装约粒径为0.18mm~0.25mm的酸化Porapak Q -种高分子聚合物),或其他等效色谱柱
色谱柱;色谱柱I;长约3m,内径2mm的不锈钢管,内装粒径为0.18mm0.25mm的5A分子 筛,或其他等效色谱柱
该柱用于分析氢、氧(氨)氮、一氧化碳、甲烧含量
色谱柱I;长约2m,内径2mm的不锈钢管,内装粒径为0.18mm~0.25mm的酸化PorapakQ, 或其他等效色谱柱
该柱用于分析二氧化碳含量
标准样品;组分含量的体积分数为(1一5)X10-",或与样品其中的组分含量相近,平衡气为氮
允许采用其他等效的方法测定错婉中的氢、氧氯),氮、一氧化碳、二氧化碳、甲烧含量
当以上测 定结果有异议时,以本标准规定的方法为仲裁方法
GB/T31987一2015 4.5水含量的测定 按GB/T5832.3规定的方法或其他等效的方法测定睹烧的水含量
当以上测定结果有异议时,以 GB/T5832.3规定的方法为仲裁方法
标志包装、贮运及安全 标志、包装及贮运 5.1 5.1.1储婉的充装及贮运应符合《气瓶安全监察规程》、《危险化学品安全管理条例》和《特种设备安全 监察条例》的相关规定
5.1.2包装错烧的气瓶应符合GB5099的规定
5.1.3推荐使用进行内表面处理的气瓶,处理后的气瓶应满足本标准的要求
瓶阀出气口连接方式推 荐使用cGA350
5.1.4应防止瓶口被污染和泄漏
5.1.5储炕的充装应符合GB14193的相关规定
5.1.6储烧的包装标志应符合GB190的相关规定,颜色标志应符合GB7144的规定,标签应符合 GB16804.GB15258规定的要求
5.1.7包装容器上应标明“电子储烧”字样
5.1.8瓶装错婉的最大充装量按式(2)计算 m=F.
V 式中: n 气瓶内储烧的质量,单位为千克(kg); -错烧的充装系数(F,=0.05)，单位为千克每升kg/L) F 气瓶标明的内容积,单位为开(L 5.1.9储婉的保存期限按GB/T26571规定执行
5.1.10错熔出厂时应附有质量合格证,其内容至少应包括 产品名称,生产厂名称,危险化学品生产许可证编号 生产日期或批号,充装质量(kp) -本标准号及技术指标,检验员号 5.1.11错烧产品应存放在阴凉、干燥,通风的库房内,严禁暴晒,远离热源
5.2安全警示 5.2.1储炕在常温常压下为具有刺鼻气味的无色有毒气体,极易燃
气体比空气重,可能沿地面流动、 可能造成远处着火
与空气接触时,错烧可能自燃
加热到350C以上和与氧化剂,如硝酸接触时,错 熔发生分解
5.2.2与储炕接触时,不应使用明火、不应有火花和不应吸烟
若发生火灾,应切断气源,如对周围环 境无危险,让火自行燃尽
其他情况用雾状水,抗溶性泡沫灭火
5.2.3时间加权平均接触限值;0.2×10-"体积分数),0,63mg/m
注;时间加权平均接触限值;正常8h工作日或40h工作周的时间加权平均含量
5.2.4错烧刺激眼睛,皮肤和呼吸道,可能对血液有影响,导致血细胞损害
接触可能造成死亡 5.2.5泄漏时,应迅速撤离危险区域
5.2.6接触储烧时,推荐使用带有隔绝式呼吸器的气密式化学防护服 5.2.7分析系统应保证密闭
取样、置换过程的错烧尾气,都应经解毒处理后再放空
设备、仪器在通
GB/T31987一2015 错炕之前,应用干燥的惰性气体或氮气吹洗,管线应经过检漏
5.2.8储婉的物理化学性质参见附录A 5.2.9错炕生产企业应为用户提供安全技术说明书
GB/T31987一2015 附 录A 资料性附录 绪烧的物理化学性质 错烧的物理化学性质见表A.1
表A.1错婉的物理化学性质 名称 错烧 GeH 化学式 CAS注册号 7782-65-2 熔点 107.26K， -165.89 沸点,1o1. 325kPa(1atm)时 185K， -88.15C 临界温度 308K，34.85 临界压力 55.50X10Pa 临界体积 140cm3/mol 临界密度 0.5474g/em 临界压缩系数 0.303 0.151 偏心因子 液体密度,25"C时 0.859g/em 液体热膨胀系数,25时 13 0.012971/"C 表面张力.25 0.836×10'g/em 15 气体密度.l01.325kPa和21.1C时 3.174kg/m 气体相对密度,101.325kP'a和21.1时(空气=1) 2.646 汽化热,沸点下 188.54kJ/kg 18 熔化热 10.91kJ/kg .25C时 C 气体定压比热容 0.602kJ/(kg
K 容比热容 20 气体定
C.25C时 0.493kJ/(kgK 1.22 气体比热容之比,C 22 液体比热容,0时 1.032kJ/kgK 23 133C时 0.796kJ/(kg
K 固体比热容 气体密.25C时 217.12J/(molK 气体生成棚,25时 25 75.8I/molK 26 气体生成格35C厨 90.8k/nmol 人 体吉布斯生皮能,25 27 C时 l13.4kkJ/mol 28 液体体积 55.645cm'/mol 气体热导率,25 29 "C时 0.01345W/mK 液体热导率,0C时 30 K 0,0969w/m
了解电子工业用气体锗烷GB/T31987-2015
锗烷是一种无色、易燃、有毒的气体，因具有优良的半导体材料特性和化学反应活性，成为当今电子工业领域重要的材料之一。
锗烷的特点
1. 优良的半导体材料特性：锗烷可作为制备锗薄膜及其他锗化合物的前体材料；
2. 化学反应活性强：锗烷对空气、水分和氧化剂等都有较强的反应性，使得它在化学气相沉积（CVD）等方面有着广泛的应用。
锗烷的应用
锗烷在电子工业中主要用于半导体器件材料和薄膜制备。其应用场合包括：
- 制备锗薄膜：利用锗烷进行化学气相沉积（CVD）制备锗薄膜，用于生产太阳能电池、光电探测器等器件；
- 制备锗晶圆：锗烷是一种常用的锗晶圆制备材料，可制备高纯度的锗单晶片；
- 其他半导体材料制备：锗烷还可作为其他锗化合物的前体材料，如GeH2和GeF4。
GB/T31987-2015 国家标准介绍
GB/T31987-2015 是我国电子工业中使用锗烷的行业标准，该标准涵盖了锗烷在电子工业中的技术要求、试验方法、包装、运输和贮存等方面。
该标准主要规定了以下内容：
- 锗烷的技术要求，包括物理和化学性质、纯度、杂质含量等；
- 锗烷的试验方法，包括外观、密度、溶解度、气味、水分、酸度、碱度等指标的测定方法；
- 锗烷的包装、运输和贮存要求，包括储存条件、防火措施、运输标识等。
总结
在电子工业用气体中，锗烷以其优良的半导体材料特性和化学反应活性，成为了重要的材料之一。国家标准GB/T31987-2015也为锗烷的使用提供了详细的规范。
