GB/T41037-2021
宇航用系统级封装(SiP)保证要求
Assurancerequirementsforsysteminpackageforspaceapplications
- 中国标准分类号（CCS）V25
- 国际标准分类号（ICS）49.060
- 实施日期2022-07-01
- 文件格式PDF
- 文本页数28页
- 文件大小2.18M
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宇航用系统级封装(SiP)保证要求
国家标准 GB/T41037一2021 宇航用系统级封装(SiP)保证要求 Assurancerequirementsforsysteminpackageforspaceapplications 2021-12-31发布 2022-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标涯花管理委员会国家标准
GB/41037一2021 目 次 前言 范围 2 规范性引用文件 术语,定义和缩略语 3.1术语和定义 3.2缩略语 基本要求 SiP保证流程 SiP工艺能力保证 6.1SiP工艺能力认可 6.2siP工艺能力的维持 SiP器件保证 需求分析 7.l 7.2设计保证 7.3评估及验证 7.4鉴定 7.5装机产品质量保证 保证结果 8 附录A(资料性siP工艺能力域定义 10 附录B(资料性)SiP工艺能力域评估试验载体(TVvCE) 15 附录c(规范性SiP工艺能力域评估试验实施及报告要求 18 附录D(资料性SiP工艺能力域批准试验 23
GB/41037一2021 前 言 本文件按照GB/T1.1一2020<标准化工作导则第1部分;标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草
请注意本文件的某些内容可能涉及专利
本文件的发布机构不承担识别专利的责任
本文件由全国宇航技术及其应用标准化技术委员会(SAC/TC425)提出并归口
本文件起草单位;空间技术研究院
本文件主要起草人:谷瀚天、张伟、,朱恒静,张延伟、国潜玮,祝名、蒋晋东、张靓、王智彬
GB/41037一2021 宇航用系统级封装(SiP)保证要求 范围 本文件规定了宇航用系统级封装(SiP)保证的基本要求、保证流程、工艺能力保证、器件保证、保证 结果的相关要求
本文件适用于具有复杂功能结构的密封SiP器件的保证工作
其他集成了光电、微机电系统等复 杂结构的SiP器件参照使用
规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款
其中,注日期的引用文 件,仅该日期对应的版本适用于本文件
不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于 本文件
GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分;分立器件和集成电路总规范 GB/T782s系统可靠性分析技术失效模式和影响分析(FMEA)程序 GB/T7829故障树分析程序 GB/T25000.1系统与软件工程系统与软件质量要求和评价(sQuaRE第1部分;SQuaRE指南 GB/T28172嵌人式软件质量保证要求 GB/T29074宇航元器件鉴定要求 术语、,定义和缩略语 3.1术语和定义 GB/T29074和GB/T25000.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件
3.1.1 系统级封装systemminpackage;SiP 提供涉及一个系统或子系统功能,组装在一个单元中的不同功能元器件的集合
注，一个SiP可选择性含有无源元件、微机电系统(MEMs),光学元器件,其他封装体及器件 3.1.2 工艺能力域及其边界presscapabilitydomainanditsboundaries 由SiP生产厂确定的一定范围内的生产线要素,由过程确认文件(PID)固化,并通过规定的工艺能 力认可流程确定的工艺技术范略
注:工艺技术范睛应具有清晰的、可量化评价的界限
3.1.3 工艺能力域评估proeesscapabilityevawation SiP生产厂针对确定的工艺能力域及其边界,制定评估试验大纲,采用试验载体,按照规定要求开 展评估试验,并给出评估结论等工作的统称
3.1.4 工艺能力域批准proeesscapabilityapproval 针对生产线开展的,以生产线生产产品的工艺特性为表征,由具备规定资质的专业机构按照规定的
GB/T41037一202 技术与管理流程,对生产线工艺技术能力的最大包络范围进行认可,用于指导规定类型产品生产的相关 工作的统称
3.1.5 工艺能力域评估试验载体testvehielesforceapabilttyevaluationm 用于开展SiP工艺能力域评估,验证基板工艺和包括基板上器件构成的组件以及实际封装工艺所 使用的测试结构件
3.1.6 工艺能力域批准试验载体testvehiclesforcapabilityapproal SiP工艺能力域批准试验所使用的测试结构件
3.1.7 验证verificationandvalidationm 针对元器件制造成熟度和应用可用性,开展的一系列试验、分析和评价工作
3.2缩略语 下列缩略语适用于本文件
DPA;破坏性物理分析(DestructivePhysicalAnalysis) HTCC;高温共烧陶瓷(HlighTemperatureCo-firedCeramie LTcC;低温共烧陶瓷L.owTemperatureCofired dceramie PID;过程识别文件(ProcessIdentificeationDocument pactNoiseDetection PIND颗粒碰撞噪声检测(ParticlelImp SiP:系统级封装(SysteminPackage) TvCA;工艺能力域批准试验载体(TestVehiclesforCapabilityApproval) TVCE;工艺能力域评估试验载体(TestVehiclesforCapabillityEvaluation) 基本要求 宇航用SiP保证的基本要求如下 应包括针对SiP工艺能力的保证,以及针对siP器件的保证两个层次 a b) 应根据宇航用SiP需求分析结果,开展针对性质量保证; 宇航用SiP器件应在通过工艺能力认可的SiP生产线上开展生产; c d SiP器件的保证可采信工艺能力保证的数据,经SiP宇航鉴定机构认可后,优化SiP器件在保 证过程中的抽样方案; 应按照详细规范或采购规范对SiP内部元器件与原材料,包括SiP内部的其他光电、微机电系 统器件,进行质量保证
S siP保证流程 宇航用SiP的保证流程如图1所示
宇航用SiP的保证包括SiP工艺能力保证和SiP器件保证
SiP工艺能力保证主要针对SiP生产线的工艺过程,包括工艺能力认可和工艺能力维持两个部分 其中工艺能力认可包括SP生产厂审查,.SiP工艺能力域评估,.SiP工艺能力域批准 SiP器件保证主要针对在已经通过SiP工艺能力认可的生产线上生产的SiP器件,主要包括需求分 析、设计保证、评估及验证、鉴定、装机产品质量保证等五项主要工作内容,涵盖了siP方案论证,SiP方 案设计,SiP初样研制SiP正样研制
sSiP器件在首次生产或发生重要设计与工艺状态更改时,针对SiP器件的保证工作包括需求分析、
GB/41037一2021 设计保证、评估及验证、鉴定、装机产品质量保证等
在完成设计定型后,只进行装机产品质量保证
siP工艺能力保证 品 NP隆力批t 工像力城准达大RA N工艺能力城及K边界确定 PT的 NE 工z能力城汗纳试旋大纲剩定 2能力 NP光修力城社加以验保价 P工z=力城评结试转载体驯各 ml 香通过工 NP工然能力城评估试转实 NP工艺能力域评钻试松报告 管D次汤 工艺能力认司 工艺能力域范围包络SsiP 器件所需工艺基线 SiP器件保证 SiP方案论证 siP方案设计 SiP初样研制 siP正样研制 uP功禁性发用求分新 ur证求分折 sP系统架构与功 能性能真验证 TfN J4转直4 管n r装加设计及伤A教证 sP时装与时 常句 设i计仿真验证 S悦力学环设什防真 放件动量保F siP内部元器件选 A部足元a代选用分新通 中 清t 格格号 NP器建设 宇航用SiP保证流程
GB/T41037一2021 6 siP工艺能力保证 6.1siP工艺能力认可 6.1.1一般要求 工艺能力认可是宇航用SiP保证的基础
当需要扩展工艺能力认可范围,或者部分工艺发生更改 时,经SiP宇航鉴定机构批准后,可针对发生变更的工艺能力域开展针对性的评估与批准工作
后续工艺能力域的维持可按照变更后的工艺能力域开展保证工作
6.1.2siP生产厂审查 由SiP生产厂向SiP宇航鉴定机构提出申请,由SiP宇航鉴定机构组织开展iP生产厂资质审查， 确认宇航用siP生产厂是否具备能够完成SiP的生产基础能力
6.1.3siP工艺能力域评估 SiP工艺能力域及其边界的说明应由SiP生产厂根据SiP的功能及制造工艺给出
应系统覆盖 SiP生产过程,提出适当的监测与控制要求,并通过SiP宇航鉴定机构确认
针对混合集成工艺类的siP工艺能力域及其边界,可按附录A完成工艺能力域定义,并对工艺能 力域范围内拟研制siP的功能、产品系列等给出具体描述
对于除混合集成工艺以外的其他工艺能力 域类型,可结合siP生产 产线的实际情况确定描述的要素
应由SiP生产厂编制工艺能力域评估试验大纲,并通过SiP宇航鉴定机构的认可
SiP工艺能力域评估试验载体(TVCE)的制备可按附录B开展
试验的实施及试验报告的编制均 应符合附录c的规定
6.1.4siP工艺能力域批准 SiP生产厂可按附录D的规定开展sSiP工艺能力域批准试验时,应分析并确认sSiP生产厂的生产 线满足高可靠、适合宇航应用的SiP的研制需要
SiP宇航鉴定机构应检查以下要求,然后实施SiP工艺能力域批准 提交工艺能力域批准的SiP生产线应已通过工艺能力域评估; a b) 工艺能力域所覆盖各项SiP器件的材料和工艺以及相关的技术规范已经由SiP宇航鉴定机构 确认 各项改正事项均已完成闭环 c SiP生产线涉及的全部设备、工具、工装等应全部处于有效状态,并且受控; d SiP生产线涉及的全部人员应具备必要资质,相关管理规章制度能够得到落实; e 静电防护体系完备,状态固化,满足宇航用SiP研制需求
f 完成工艺能力域批准后,SiP生产厂应依据在工艺能力域及其边界确定过程中确定的工艺能力域 PID识别要素,完成工艺能力域PID编制,并通过SiP宇航鉴定机构审查
6.2SiP工艺能力的维持 在通过SiP工艺能力域批准后,SiP生产厂应以24个月为周期,采用I类试验载体与I类试验载 体,按照工艺能力认可试验要求,开展工艺能力维持
GB/41037一2021 SiP器件保证 7.1需求分析 7.1.1siP功能性能需求分析 SiP功能性能需求一般由SiP用户方提出
SiP生产厂应梳理形成需求清单,作为正式需求管理文件
需求清单中应明确需求的来源,实现的 方式以及验证的方法
由SiP宇航鉴定机构组织开展SiP的需求确认工作,应明确和固化功能性能需求,确定器件的逻辑 功能、性能参数、物理结构等内容
7.1.2siP质量与可靠性保证需求分析 SiP生产厂应配合SiP宇航鉴定机构在已经确定的SiP功能性能需求分析基础上,确定SiP保证工 作项目
7.1.3SiP验证需求分析 SiP宇航鉴定机构应根据SiP的性能指标、宇航应用任务对SiP功能和环境适应性的要求,确定 SiP验证的技术需求
7.1.4SiP需求管理 SiP的需求分析应作为SiP器件保证工作的输人,并将SiP功能性能需求,SiP质量与可靠性保证 需求、SiP验证需求纳人SiP器件的保证大纲
7.2设计保证 7.2.1概述 SiP设计保证主要包括以下四个方面 SiP系统架构与功能性能仿真验证:SiP系统架构仿真验证,SiP电性能设计及保证,SsiP可测 a 性设计及保证、SiP最坏情况仿真分析 b SiP封装与可靠性设计仿真验证:SiP故障模式影响与危害性分析SiP故障树分析、SiP抗辐 射加固设计及仿真验证、SiP抗静电损伤设计与仿真验证、SiP抗热学环境设计与仿真验证、 SiP抗力学环境设计与仿真验证 SiP内部软件保证 c dSiP内部元器件选用控制等
7.2.2siP系统架构仿真验证 应针对宇航用SiP的架构开展系统级仿真分析与原型验证
7.2.3SiP电性能设计及保证 siP器件的功能性能指标体系应符合产品的详细规范或采购规范要求 应针对SiP器件开展信号完整性分析、电源完整性分析、阻抗匹配分析、时钟及接口时序分析、降额 设计分析等保证工作
GB/T41037一2021 7.2.4sSiP可测性设计及保证 需要采用必要的可测性设计方法,应充分考虑裸芯片和SiP器件的可测性问题
可在siP的制造过程中,针对裸芯片、半成品等开展测试,并作为siP测试数据包的构成部分
需要提出可测性设计要求和保证要求,对SiP的可测性进行评价
7.2.5siP最坏情况仿真分析 应在设计限度内分析SiP所经历的环境变化、参数漂移及输人漂移出现的极端情况及其组合,并进 行SiP的性能和应力相关的仿真分析
应分析温度、辐射,电磁、湿度、振动等环境对siP功能性能的影响
7.2.6siP故障模式影响与危害性分析 应按照GB/T7826开展siP器件的故障模式影响与危害性分析
7.2.7siP故障树分析 应按照GB/T7829开展SiP器件的故障树分析
7.2.8SsiP抗辐射加固设计及仿真验证 应充分利用仿真分析方法识别sSiP器件抗辐射能力的薄弱环节,避免SiP由于抗辐射能力问题不 满足型号应用要求
应优先选用具有抗单粒子效应指标数据和具有成功飞行经验的元器件,并根据选用元器件的工艺、 结构,类型开展siP器件的抗辐射加固设计
7.2.9siP抗静电损伤设计与仿真验证 应通过设计手段保证SiP抗静电损伤能力,并通过仿真分析方法予以验证
7.2.10siP抗热学环境设计与仿真验证 应通过合理地开展电学设计(如容差和漂移设计、降额设计等.SiP内部使用元器件的选择应用 工艺设计、结构设计等工作,减小SiP内部元器件的发热量,并合理地进行散热,避免热量积蓄和过热， 使SiP在预期的工作温度范围内保持功能性能的稳定性
可综合运用仿真分析与热测量试验等手段,对siP抗热学环境设计结果进行验证
7.2.11SiP抗力学环境设计与仿真验证 应合理开展SiP结构设计,确保SiP结构强度与刚度满足要求,连接可靠
SiP封装结构抗力学环境设计应确保各部件,元器件及其连接环节在经受准静态过载、正弦振动、 随机振动,冲击、温度循环,温度冲击,焊接与装配等应力过程中,满足相关规范与准则要求
综合运用仿真分析与力学试验等手段,对SiP抗力学环境设计结果进行验证
7.2.12sSiP软件质量保证及评价 应保证嵌人式软件与SiP硬件之间的协调性,应按照GB/T28172和GB/T25000.1开展SiP软件 质量保证及评价
7.2.13内部元器件选用分析与评价 应针对SiP内部拟选用的元器件进行选用分析,并根据SiP工艺条件开展验证工作
GB/41037一2021 SiP内部元器件的筛选、鉴定、抗辐射能力评估等应符合各类元器件的详细规范或采购规范要求， 或者满足SiP系统设计需求
7.3评估及验证 7.3.1结构分析 通过一系列破坏性和非破坏性检验、分析和试验,应对SiP的设计、工艺和材料等是否满足宇航应 用要求的能力进行分析、试验
可在SiP初样研制过程中开展
7.3.2sSiP评估 可在SiP初样研制和siP正样研制过程中开展
应包括生产过程评估、详细评估试验方案的制定、详细评估试验的实施,评估结论的处理等工作
其中: 生产过程评估可采用工艺能力认可工作的结果; a b)详细评估试验项目应包含SiP特性表征、SiP步进应力试验、SiP强化寿命试验、其他针对性试 验等
在满足详细评估试验项目基础上,SiP评估试验样品分配说明如表1所示
详细评估试验样品说明 试验类型 样品数量/只 备注 SiP特性表征 样品未破坏时,可用于其他试验 26 SiP步进应力试验" SiP强化寿命试验 与鉴定过程寿命试验相同 不少于2000h 对于通过工艺能力认可的SiP器件,若已有相同工艺能力域的相似产品通过此项试验,可不开展此项试验
7.3.3SiP验证 7.3.3.1概述 在SiP研制过程同步开展SiP的验证,包括功能验证、环境适应性验证、飞行验证,在此基础上完成 应用指南编制
7.3.3.2功能验证 功能验证应以SiP功能性能需求分析结果作为输人,覆盖SiP可能应用到的全部功能
应由SiP用户方,SiP生产厂和SiP宇航鉴定机构共同确认SiP功能验证的方案,明确功能验证试 验项目和条件
7.3.3.3环境适应性验证 应采用SiP器件真实工况下的板级系统,开展器件的力学热学,空间辐射等环境试验 可采用同步开展的宇航型号的环境适应性试验数据作为SiP环境适应性验证的支撑结果
7.3.3.4飞行验证 必要时,可开展SiP器件的飞行验证试验,验证其在真实宇航应用环境条件下的功能性能
GB/T41037一2021 7.3.3.5应用指南 依据SiP器件的特性和验证与系统环境验证的结果编制应用指南
应用指南编制应符合SiP宇航鉴定机构的要求
7.4鉴定 按照GB/T29074并依据SiP器件的详细规范或采购规范开展鉴定工作
对于具有相同工艺能力域的SiP器件,按照GB/T4589,12006附录A中给出的抽样方案,由SiP 宇航鉴定机构采用合并抽样方式进行
7.5装机产品质量保证 7.5.1概述 宇航用SiP装机产品质量保证项目及要求见表2
表2装机产品质量保证要求 分组 项目 试验范围 要求 100% 内部元器件及原材料质量保证 按7.5.2的规定 100% 监制 按7.5.3的规定 3 筛选 100% 按7.5.4的规定 质量一致性检验 按检验批抽样 按7.5.5的规定 DPA 按检验批抽样 按7.5.6的规定,1(0)/2(0)每检验批” 验收 100% 按7.5,7的规定 如果出现失效,应进行失效分析,明确失效的原因和失效器件涉及的范围
对于通过工艺能力认可的产品,每检验批按照1(0)抽样,仅作为符合性验证,但需要提供工艺能力认可试验数 据作为支撑
香则按照每检验批2(o)进行抽样 7.5.2SiP内部元器件及原材料质量保证 SiP内部元器件(包括裸芯片)应符合各类元器件详细规范或采购规范的要求,或者满足SiP系统 设计需求
siP内部元器件应通过抗辐射能力分析和评估
应制定SiP及其内部半导体器件或裸芯片的抗辐射能力评估方案
可充分利用siP内部器件已有 抗辐射能力评估试验数据,例如抗单粒子效应可采信鉴定数据,抗总剂量效应可采信相同晶圆批产品 数据
应针对不具备数据或其他信息支撑的半导体器件或裸芯片开展抗都射能力评仙试脸 7.5.3监制 应根据SiP工艺特点,确定监制的时机及项目
在监制过程中出现严重质量问题或不合格品比例较大时,应停止监制工作,并要求承制方重新检验 或拒收有质量问题的批次
监制结果分为合格、不合格、返工 必要时,用户单位可参与SiP的监制工作
GB/41037一2021 7.5.4筛选 应针对SiP器件进行100%的筛选
7.5.5质量一致性检验 针对siP器件的质量一致性检验应按照SiP器件的生产批次逐批进行考核,考核试验项目应符合 详细规范或采购规范要求
可复用或采信工艺能力域维持过程中的试验数据
7.5.6破坏性物理分析 对于通过工艺能力认可的SiP器件,每检验批抽取1只样品进行DPA,仅作为符合性验证,但需要 提供工艺能力认可试验数据作为支撑;否则每检验批抽取2只样品进行DPA 可选用电性能不合格但未丧失功能的不合格产品,作为DPA试验样品
7.5.7验收 验收的结果分为接收、拒收 必要时,用户可参加SiP器件的验收工作
7.5.8SiP器件PID建设 SiP生产:厂应负责宇航用SiP器件的PID编制,并通过siP宇航鉴定机构审查
针对宇航用SiP器件,PID文件中应明确工艺能力认可要求 在SiP器件PID建设过程中,应基于工艺能力域PID建设的结果
必要时,宜考虑具体siP器件的 特有过程属性制定其PID. 7.5.9装机产品质量保证试验报告 装机产品质量保证试验报告应包括 筛选试验报告和试验数据; a 质量一致性检验报告和试验数据 b) 监制报告; c d验收报告; 失效分析报告(若有时
e 保证结果 8 对于各项保证工作结论均合格的,由SiP宇航鉴定机构开具装机质量证明文件
GB:/T41037一2021 附 录 A 资料性) SiP工艺能力域定义 A.1SiP工艺能力域定义概述 工艺能力域定义应至少包含以下内容
材料、工艺方法以及基板上安装的元器件
基于混合工艺研制的SP器件可参照表A.1、表A.2 a 及表A.3
SiP生产厂应根据实际情况对表中工艺能力域定义项目进行增减,并由SiP宇航鉴 定机构确认
b 物理结构设计
应包括涉及的各类物理结构设计准则可能涉及的各类结构与各类材料成分， 以及相关的评价方法和流程
检测与测试
c d 可追溯性
应确保原材料、元器件、测试与制造过程中半成品等可追溯
A.2工艺能力域定义应包含的信息 对于继承设计的SiP器件,工艺能力域定义中应包含保证与生产的相关信息及已有的PID信息
表A.1基板工艺 序号 工艺名称 工艺对象 工艺能力域定义关键点 材料成分,牌号与制造商 1 22 表面特性(例如热处理) 基板 最小尺寸,最大尺寸,厚度,形状等 3 ！ 切割方法; 5 钻孔方法,孔的尺寸以及单位面积的数量 材料成分、牌号与制造商 22 用途例如导电层、过孔填充、通孔或边缘的金属化等); 3 最小线宽; ！ 对于基板各层的最小间距要求(适用时 导电材料 5 浆料 厚度; 厚膜丝网印 6 电阻系数与电流密度; 7) 最大层数; 8 最小过孔或通孔尺寸 1 材料成分,牌号与制造商; 22 用途(例如多层基板间绝缘、层内布线跨接绝缘、表面钝化、电容绝缘介 质等) 绝缘浆料 33 厚度; 最大层数; 5 每层印刷图案数量; 耐压,绝缘电阻 6 10
GB/41037一2021 表A.1基板工艺续) 工艺名称 工艺能力域定义关键点 序号 工艺对象 材料成分,牌号与制造商" 用途(在绝缘介质上印刷,或者直接在裸露基板上印刷)3 2 与导电浆料相连作为电阻引出端使用的特殊用法(适用时). 3 厚膜丝网印 电阻浆料 40 电阻率范围方块电阻)、电阻率温度系数、长期稳定性、额定功率 5 最小尺寸; 6 单位面积最多/最少印刷数量; 7刀 修调方法 1 材料成分、牌号与制造商; 22 表面特性例如烧制、镀覆、抛光等); 基板 3 最小/最大尺寸,厚度,形状; 切割方法 4 通孔钻孔方法,通孔尺寸,单位面积通孔数量 5 淀积与刻蚀方法 2 材料成分、牌号与制造商; 金属化 最小线宽与间距,厚度 3 包括电阻、 4 导电层的电阻率,电流密度; 阻挡层、 电阻层的电阻率范围(方块电阻),电阻率温度系数,长期稳定性、,额定功率; 5 薄膜淀积 6 导电层 叠印导电层(适用时); 7T 电阻修调方法; 8 通孔金属化方法(适用时 材料成分、牌号与制造商 2 用途例如多层基板间绝缘、层内布线跨接绝缘、表面钝化、电容绝缘介 质等); 3 绝缘层 淀积与刻蚀方法 4 厚度; 5 最大层数 6 耐压,绝缘电阻 制造商; 22 陶瓷类型(例如Al.o..AIN等陶瓷成分 最小/最大尺寸,厚度、形状等 3 4 最小过孔尺寸 5 基体制备 最大层数; 6 每层最大生瓷带数量; 7 烧制后的典型收缩率; 高温共烧 8 烧制后最小绝缘层厚度; 9 陶瓷 耐压、隔离电阻 导体材料成分; 22 导体制备 最小线宽; 3 包括内部 最小线间距; 4！ 与外部导电 厚度; 结构 5 电阻率; 电流密度 6 1
GB/T41037一2021 表A.1基板工艺(续) 工艺能力域定义关键点 序号 工艺名称 T -艺对象 镀覆方法; 外部导电 10 22 材料成分 结构锁层 33 镀层顺序与厚度 高温共烧 针媒元件 元件功能描述(包括散热密封,互连、机械结构支撑等). 陶瓷 载具、柜 元件成分(包括本体材料与镀层). 2 1l 33 最大尺寸,最大厚度 架、引线框 ！ 架等) 附着介质成分 1 制造商、标识、瓷体材料 2 烧制后最小/最大尺寸,厚度; 33 过孔最小尺寸 ！ 最大层数; 5 烧制后的典型收缩率 12 基体制备 6 烧制后最小绝缘层厚度 7 耐压、隔离电阻 基板切割工艺方法 8 9 钻孔工艺方法、尺寸范围与单位面积上的孔数量 1 成分、标识、制造商、用途(例如导电层、过孔填充、孔/边缘金属化等); 22 最小线宽; 导电材料浆 33 最小线间距; 13 低谋其烧料(内部及 最小厚度 4 外部) 陶瓷 电阻率; 5 6 电流密度 成分、标识、制造商; 1 2 电阻率范围(欧姆/方块电阻),温度系数、长时间稳定性,功率降额; 电阻浆料混合方式(如果需要) 33 电阻浆料 最小尺寸 方块最小/最大尺寸 5 6 修调工艺方法 针焊元件 1 元件功能描述包括散热、密封、互连、机械结构支撑等) 22 载具、框 元件成分(包括本体材料与镀层); 15 架、引线框 33 最大尺寸,最大厚度 架等) 附着介质成分 制造商 16 引线特性 2 耐压,隔离电阻 1 陶瓷类型(例如AL.o.AIN等,陶瓷成分 最小/最大尺寸、厚度,形状等， 22 33 引线瓷体 最小/最大过孔尺寸; 17 基材 0 最小/最大通孔尺寸; 铜引线键合 5 最小线宽、线间距与厚度; 6 飞线最小宽度与最大长度 N 镀覆方法; 22 导体镀覆 材料成分; 33 镀层顺序与厚度 12
GB/41037一2021 表A.1基板工艺续) 序号 工艺名称 工艺对象 工艺能力域定义关键点 钉焊元件 元件功能描述(包括散热,密封,互连、机械结构支撑等); 22 载具,框 元件成分(包括本体材料与镀层) 19 铜引线键合 3 架、引线柜 最大尺寸、最大厚度; 架等) 附着介质成分 表A.2基板或载体上元器件装配工艺 序号 工艺类型 工艺对象 工艺能力域定义关键点 1 类型(电阻,电容,电感等); 封装(片式,封装形式); 2 元件类型 3 材料:基材陶瓷、硅等),绝缘体材料(NiCr、TaN等),互连金属(Ni/Au、 Ag/P等),最小/最大尺寸 机械支撑类材料类型(非导电胶,炽料等),厚度、工艺(配制,回流媒等) 无源元件 装配 附着介质 导电类;材料类型(导电胶、焊料、导线、导带等)、尺寸(直径、厚度、宽度等 工艺(配制,回流煤,、引线键合等》) 材料成分(包括厚膜基板或载体,封装基板等); 与基板间 原材料(铝,可伐等) 2 安装 金属化(厚膜金焊盘、Ni/Au等 类型(二极管、,三极管,集成电路等) 封装形式(裸芯片,梁式引线,倒装芯片,带封装器件的封装形式等) 2 有源器件 3 芯片材料(Si,(GaAs等); 类型 芯片互连金属化材料(A,Au等) 40 5) 最小/最大尺 机械支撑类;材料类型(非导电胶,焊料等),厚度、工艺(配制,回流媒等) 有源器件 附着介质 导电类;材料类型(导电胶,焊料,导线,导带等)尺寸(直径,厚度,宽度等 装配 艺(配制、回流焊、引线键合等 材料成分(包括厚膜基板或载体,封装基板等) 与基板间 原材料(铝,可伐,cu/w等): 2 安装 3 金属化(厚膜金媒盘,Ni/Au等) 引线/导带 材料成分、尺寸); 工艺(热压媒,热超声媒,超声媒,平行缝媒等》 2 键合 材料(胶粘剂,焊料等); 工艺(预成型固化回流焊等). 2 10 基板组件 基板到封装基体之间的零件(包括连接材料成分、金属化等) 3 基板与封装之间互连(材料、工艺 基板或载 体装配 材料(胶粘剂、焊料等); 2 工艺(预成型固化,回流媒等) 1 载体组件 基板到封装基体之间的零件(包括连接材料成分,金属化等) 3 主基板与载体之间或载体与封装壳体之间互连(材料、工艺 13
GB/T41037一202 表A.3封装工艺 工艺能力域定义关键点 序号 工艺类型 工艺对象 封装工艺类型(金属玻璃或陶瓷熔封,是否在封装壳体基材内部带有 互连结构的HrcC或L.Tcc等) 封装技术 封装本体 应用范围(小功率、大功率,低频、射频等); 2 33 管壳制造商 材料; 封装基板 最小/最大尺寸 2 33 镀层成分,厚度等》 材料; 封装侧框/框架 2 最小/最大尺寸; 33 镀层(成分、,厚度等 封装基板与框 附着介质种类; 22 架附着结构 工艺 绝缘材料(玻璃、陶瓷等)3 22 导体材料金属,浆料等); 壳体制备 填充材料 33 尺寸; 4 密封工艺(等膨胀封接等 材料; 2 尺寸; 33 镀层成分、工艺、厚度等); 数量; 4 封装引线 间距 5 引线与封装壳体之间的连接方式 6 7 引线与封装壳体之间的介质(Au/Sn,Ag/Cu等) 8 工艺 封盖材料 2 封盖制造商; 封装封盖 3 最小/最大尺寸 厚度; 4 封盖与密封 5 镀层成分,工艺,厚度等 工艺(平行缝媒,激光媒等) 密封工艺大气环境 2 密封 3 脱气剂/吸收剂 14
GB/41037一2021 附录 B 资料性 SiP工艺能力域评估试验载体(TvCE) B.1试验载体分类 可基于材料,工艺、基板工艺等条件,明确试验载体覆盖的工艺能力域范,并针对规定的工艺能力 域及边界,制备试验载体
试验载体通常包括两类: 类试验载体;用于验证基板工艺 a 类试验载体;用于验证包括基板上器件构成的组件以及实际封装工艺
b B.2试验载体要求 SiP生产厂可按照工艺能力域评估载体设计原则,确定试验载体的详细设计方案,参数测试方案及 明确的失效判据,并给出I类试验载体、类试验载体与拟开展评估的工艺能力域覆盖关系的详细说 明,且原则上试验载体所体现的SiP生产厂工艺技术能力不应低于或小于拟开展评估的工艺能力域 范围
在通过SiP宇航鉴定机构审核后方可进行评估试验载体的生产
通常 I类试验载体在以下方面具备代表性,并满足表B.1中的技术要求
1 封装与基板本体在长、,宽方向(X、Y方向)的最大尺寸,以及最小厚度(乙方向); 22 导电层及其相关的绝缘层的最大层数; 33 导电层与介质层的典型厚度 4 最小与典型线宽或线间距; 5 最小与典型过孔、通孔的尺寸,以及典型密度; 6 经过修调与未经过修调的电阻最小与最大尺寸; 77 导体、电阻层上方的保护钝化层的材料,成分、工艺、厚度等; 8 对于型谱化、系列化生产的产品,SiP生产厂确定产品系列中的最坏情况,经SiP宇航鉴 定机构确认后,在工艺能力域评估试验I类试验载体设计中予以体现
bI类试验载体在长、宽方向(X、Y方向)的最大尺寸,以及最小厚度(Z方向)具备代表性,并满 足表B.2中的技术要求
同时,还应兼顾以下方面的测试与验证
l)与附着有源器件和无源元件相关的主要电参数 附着介质,例如导电胶或焊接等的力学特性与电学特性; 2 33 引线键合与导带的力学与电学特性; 封装结构对于力热耦合,湿度、污染物等环境因素的适应性
4 表B.1工艺能力域评估试验I类试验载体技术要求 实施对象 序号 关键要素 具体要求 在靠近基板最顶部和最低部的两个导体层敷设希腊图样的导线(回形线),总 长度不少于基板周长,线宽不少于两种 多层结构中的导 导体电阻 电层或介质层 每对相邻两层导体间,需采用不少于200个过孔连接成为链路,并且涵盖不少 于两种线宽 15
GB/T41037一2021 表B.1工艺能力域评估试验I类试验载体技术要求续) 具体要求 序号 关键要素 实施对象 设计能够连接所有导电层的过孔,且能够连接不少于两种线宽
导体电阻 过孔的数量大于导体层数的100信 在靠近基板最顶部和最低部的两个相邻的平行平面上,分别敷设希腊图样的 导线(回形线),总长度不少于基板周长,具有多种间距 在一对交织线之间设计不同的间距
绝缘电阻 长度不应少于基板周长
多层结构中的导 多层绝缘电阻网络中,可在靠近基板最顶部和最低部的两个区域设计交织线 电层或介质层 两个地平面之间,设计不少于10%总基板面积的导体层 相邻平行平面间的希腊图样(回形线),长度不少于基板周长， 至少包括两种线宽 电容 每条希腊图样(回形线)与地平面之间由一个绝缘层分割 两个地平面之间,设计不少于10%总基板面积,并且由绝缘层分隔 10 绝缘层强度全部地平面,设计不少于10%总基板面积,并且由绝缘层分隔 导电层中的导体电阻具有不同的线宽 大功率或大电流 应用条件下多层导体电阻导电层中应设计不同的线宽-考核长期工作条件下,电流密度的影响,并且针 12 结构的导电网络 对规定的图样开展破坏性分析 设计宜考虑电阻值范围
在基板或绝缘层 13 设计宜考虑电阻的温度系数
上淀积的电阻网 设计宜考虑最大功率耗散值 络,适用于是否 淀积层 修调或是否封装 对于最小中等,最大电阻值,应分别设计4个最短的电阻线和4个最长的电 14 的情况 阻线 表B.2工艺能力域评估试验I类试验载体技术要求 序号 关键要素 具体要求 在以下方面具有代表性 D 多层基板结构绝缘层总数; 2)总厚度 具有代表性的基板 3)外部导电层; 4 由不同导电层引出的引线互连结构(适用时); 5 与附着元件连接的金属化孔,包括到地的金属化孔(适用时 在以下方面具有代表性 封装壳体的附着部件 附着部件类型及制造商 1 包括有源器件、无源 21 引出端镀层; 元件、载体,基板等 3 最小与最大尺寸,每种尺寸至少具备2枚样件 l6
GB/41037一2021 表B.2工艺能力域评估试验类试验载体技术要求(续) 序号 关键要素 具体要求 在以下方面具有代表性; 附着介质类型; 安装附着部件以后的2)互联工艺类型; 3)每种元件都与基板或者封装相连， 组件 针对可能在芯片和引线键合工艺中涉及的每种工艺、材料、不同尺寸的引线或导 带,设计不少于100个环形结构的菊花链" 封装 保证密封特性 对于采用重引线(粗引线)的工艺,可由SiP生产厂向siP宇航鉴定机构提出申请,经批准后可适当减少数量
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GB:/T41037一2021 录 附 C 规范性) SiP工艺能力域评估试验实施及报告要求 评估试验实施 C.1 c.1.1 -般要求 针对SiPTVCE开展的试验包括基板工艺能力域评估试验、组件及封装工艺能力域评估试验
具 体要求包括以下方面
SiP工艺能力域及其边界、工艺能力域评估试验项目、TvCE分组等内容在PID中固化
a b 在工艺能力域评估试验中,将同类试验载体随机分配至各个分组
当采用多种评估试验载体 时,SiP生产厂应保证各个工艺能力域评估试验分组中包含全部种类的试验载体
全部TvCE都应统一编序列号
c d 失效的试验载体,应开展失效分析
C.1.2初始DPA及对比样品要求 对于每种评估试验测试结构,提交至少1只对比样品用于对比分析
在工艺能力域评估试验过程 中,对任何测试结构开展的电气功能测试,均应以此对比样品作为对比
应使用未经过老炼试验的I类评估试验载体,或者未经过老炼试验的I类评估试验载体,单独开展 DPA试验,用于内部水汽含量试验
C.1.3SiP工艺能力域评估试验项目 按照SiP工艺能力域评估试验大纲要求,针对拟通过认可的工艺能力域及其边界,分别采用I类评 估试验载体和I类评估试验载体开展相应工艺能力域评估试验项目
SiP生产厂在完成评估试验载体研制后,按要求开展基板工艺能力域评估试验
I类评估试验载 体应满足表C.1的规定类评估试验载体应满足表C.2的规定
表c.1采用I类评估试验载体开展基板工艺能力域评估试验要求 样本大小允许不合 序号 分组 试验项目 试验条件 格品数)n(e) 目检 外部目检 I1 内部目检(混合电路 14(0)" 分组 外形尺寸 电测试 按照I类评估试验载体设计要求确定判据 -55C十125C,每轮开展100个循环 温度循环 共完成5轮试验(共500个循环),或出现失 效时截止 I,2 4(0)" 分组 目检 外部目检或 内部目检(混合电路 18
GB/41037一2021 表C.1采用I类评估试验载体开展基板工艺能力域评估试验要求续 样本大小(允许不合 序号 试验项目 分组 试验条件 格品数)n(c 电测试" 按照1类评估试验载体设计要求确定判据 4(0" I.2 外形尺寸" 前序项目完成5轮后开展 分组 DPA 1(o) 按规定 全部引线相连,并在引线和外壳之间施加 耐湿 10V直流电压,且引线端连接正极 目检 10 外部目检或 I.3 2(0" 内部目检混合电路 分组 外形尺寸 按照类评估试验载体设计要求确定判据 12 电测试 DPA" 13 按规定 每轮开展1000h,共开展两轮试验,共计 2000h; 14 稳态寿命" 环境温度应保证125CT150C; 如果样件或SiP的最高允许结温T低于 125C,则相应延长试验时间 I,4 目检" 6(0" 分组 15 外部目检或 内部目检混合电路 16 电测试" 按照I类评估试验载体设计要求确定判据 7 外形尺寸 前序项目完成2轮后开展 18 DPA" 按规定 19 外形尺寸" 20 耐溶剂性 对于可弯曲引线: F(N)=30×Smm=),F为强度,S为引线 I.5 截面积 21 引线牢固性 1(0)" 对于贯穿封装的固定引线 分组 直径<1nmm时,同上 直径>lmm时,扭矩1.5N
em 22 可焊性 每个样件至少3个引线 23 DPA 按规定 重点关注线宽、线间距,过孔直径,基板翘曲等 全部14只I类评估试验载体
通过后保留1只测试合格的1类评估试验载体作为后续电测试对比样品
I.2分组内全部样件应首先按照“温度循环>目检>电测试”的顺序开展5轮试验,待全部完成且合格,进行后 续试验项目
I.4分组内全部样件应首先按照“稳态寿命今目检今电测试”的顺序开展2轮试验,待全部完成且合格,进行后 续试验项目
从I.1分组合格样品中抽取
DPA样品从上述完成前序试验项目的4只I类评估试验载体中抽取 13分组、I.4分组、I.5分组中的DPA项目针对各分组中的全部评估试验载体开展
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GB/T41037一2021 表C.2采用I类评估试验载体开展组件及封装工艺能力域评估试验要求 样本大小(允许不合 序号 试验项目 分组 试验条件 格品数)n(c PIND 仅适用于有管腔的器件 密封 细检漏 l 粗检漏 18(0！" 分组 外部目检 外形尺寸" 电测试 按照类评估试验载体设计要求确定判据 烘熔 125C,240h,不加电,烘熔 密封 I2 细检漏 (0)" 分组 粗检漏 DPA 按规定 -55笔+125笔,每轮开展100个循环 温度循环 共完成5轮试验(共500个循环),或出现失 效时截止 10 外部目检 按照I类评估试验载体设计要求确定判据 电测试 I.3 4(0)" 仅适用于有管腔的器件 12 PIND 分组 密封 细检漏 13 粗检漏 外形尺寸 1 DPA 按规定 (0" 16 随机振动 44.8gRMS,3轴 1" 扫频振动 50g 18 外部目检 19 外形尺寸" 20 电测试 按照l类评估试验载体设计要求确定判据 21 PIND 仅适用于有管腔的器件 密封 22 细检漏 粗检漏 I.4 3(0)" 第一步 分组 封装尺寸小于或等于2.54cm×5.08cm时 峰值加速度1500g,脉冲宽度0.5ms;封装尺 寸大于2.54cmx5.08cm时,1000g,0.5ms 第二步 23 机械冲击" 封装尺寸小于或等于2.54cm×5.08cm时， 峰值加速度3000g,脉冲宽度0.3ms;封装 ×5.08e 寸大于2.54cmx scm时,峰值加速度 150og,脉冲宽度0.5 s 对Y、Y、X、Z四个轴方向施加冲击 共开展两轮试验 20
GB/41037一2021 表C.2采用类评估试验载体开展组件及封装工艺能力域评估试验要求续 样本大小(允许不合 序号 试验项目 分组 试验条件 格品数)n(e 24 外部目检" 25 按照l类评估试验载体设计要求确定判据 电测试" 26 PIND 仅适用于有管腔的器件 3(0" I.4 密封" 分组 21 细检漏 粗检汤 28 外形尺寸" 29 DPA 按规定 1(0)5 每轮开展1000h,共开展两轮试验,共计 2000h; 稳态寿命" 30 环境温度应保证125CT150; 如果样件或siP的最高允许结温T,低于 125C,则相应延长试验时间 37 外部目检" 60 l5 按照I类评估试验载体设计要求确定判据 32 分组 电测试" PINDy 仅适用于有管腔的器件 33 密封" 34 细检漏 粗检汤 35 DPA 按规定 1(0)" -30C十70C,20个循环,真空度<10Pa 热真空 36 保温时间2h,温变速率2C/n /min 全部引线相连,并在引线和外壳之间施加10V 耐湿 37 直流电压,且引线端连接正极 38 盐雾 试验时间24h 39 外部目检 3(0)" I.6 外形尺寸" 40 分组 按照I类评估试验载体设计要求确定判据 4 电测试 PIND e 仅适用于有管腔的器件 密封 43 细检漏 粗检汤 DPA 按规定 1(0)" 21
GB/T41037一2021 表c.2采用I类评估试验载体开展组件及封装工艺能力域评估试验要求(续 样本大小(允许不合 序号 试验项目 分组 试验条件 格品数)n(e 重点关注外部尺寸、封盖及封装变形等
全部18只l类评估试验载体
通过后保留1只测试合格的l类评估试验载体作为后续电测试对比样品 3分组内全部样件应首先按照“温度循环外部目检>电测试>PIND>检谢”的顺序开展5轮试验,待全部 完成且合格,进行后续试验项目
I.4分组内全部样件,从“机械冲击”开始,按照“机械冲击外部目检一电测试>PIND>密封”的顺序,开展2 轮试验,待全部完成且合格,进行后续试验项目
l.5分组内全部样件,从“稳态寿命”开始,按照“稳态寿命>外部目检>电测试>PIND>密封”的顺序,开展" 轮试验,待全部完成且合格,进行后续试验项目
从I.l分组合格样品中抽取
DPA试验对象从完成各分组前序试验项目的样品中随机抽取1只 c.2评估试验报告 SiP生产厂在完成SiP工艺能力域评估试验后,出具完整的SiP工艺能力域评估试验报告,并通过 SiP宇航鉴定机构评审
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GB/41037一2021 附 录 D 资料性 siP工艺能力域批准试验 D.1批准试验载体 SiP的工艺能力域批准试验载体(TVvCA)是一个,或者多个具有一定功能的产品,必要时还可附加 相应的测试结构
TVCA覆盖PID中规定的全部工艺能力域边界
针对每一个TVCA完成以下 工作 SiP生产厂编制工艺确认表,并给出PID中规定工艺能力域边界的确认情况 a b SiP详细规范已经过SiP宇航鉴定机构确认 依据PID制备的TVvCA通过筛选 c d 为保证TVCA的质量水平,SiP生产厂分别在封盖前、筛选试验结束前至少15个工作日,通知 SiP宇航鉴定机构,并由SiP宇航鉴定机构派人开展封帽前检查,以及筛选试验的检查
D.2批准试验实施 D.2.1试验大纲 SiP工艺能力域批准试验大纲应满足以下要求
sSiP工艺能力域批准试验开始前,试验大纲通过SiP宇航鉴定机构评审
a b SiP工艺能力域批准试验大纲中,明确TVCA的分配情况,并且符合PID中对于工艺能力域 的要求
TVCA随机进行分组
当采用多种TVCA时,通过SiP宇航鉴定机构确认,并且在 每个试验分组中包含全部类型的TVCA
SiP工艺能力域批准试验大纲明确拟开展试验的TVCA分配情况,并规定试验载体的编号规 则
在试验开始前,全部TVCA均应按照SiP工艺能力域批准试验大纲要求编号,并且在开 展每一项测量、检测项目时,均应按照编号记录试验数据或结果
明确进行测试的总数量、通 过测试的总数量,以及未通过测试的总数量
SiP工艺能力域批准试验大纲明确每种TVCA均应保留1个样品作为参考样件
当开展工艺 能力域批准试验所需电测试项目时,该样件可作为对比样件,并同时参与测试
SiP工艺能力域批准试验大纲规定以下内容 试验分组情况,包括试验项目的顺序,试验条件、约束条件等内容; 1) 22 电测试顺序,包括每个步骤的详细要求; 33 测试项目的步骤,包括相关的接收.拒收判据 每个分组的抽样数量,接收与拒收数量
4 D.2.2试验项目及分组 在提交SiP工艺能力域批准试验前,完成全部TvCA的生产、筛选以及电测试
SiP工艺能力域批 准试验项目如表D.1所示,试验载体分组如表D.2所示
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GB/T41037一202 表D.1SiP工艺能力域批准试验项目 样本大小(允许不合 试验项目 分组 试验条件 格品数)n(e 按照表D.2规定 抽取参考样件 封装尺寸小于或等于2.54em×2.54em时,加速度10000g,仅 恒定加 Y 方向; 速度" 封装尺寸大于2.54em×2.54em时,加速度5000g,Y及Y方向 二选 封装尺寸小于或等于2.54cm×5.08cm时,峰值加速度1500g 机械 脉冲宽度0.5ms;封装尺寸大于2.54emx5.08em时,峰值加速 冲击 度1000g,脉冲宽度0.5ms 按照表D,2规定 I分组 Y及Y方向,必要时可增加x与乙方向 扫频振动 20g 功率谱密度30(m/s)=/HH 随机振动 随机振动,均方根加速度20g,3个方向 电测试 按照详细规范要求 DPA 1(o)" 温度循环 -55C十125"C,100次循环 耐湿 按照表D.2规定 分组 电测试 按照详细规范要求 DPA 1(0)" 物理尺寸 按照详细规范要求 耐溶剂性 可弯曲引线 2.22N或F=30×S. -强度(N),s 引线截面积(mmi). 按照表D.2规定 分组 引线牢固性 贯穿刚性引线 mm,与上述相同; 直径<1 直径>1mm,扭矩1.5Ncmm 时间30s 可焊性 每个样件不少于3个引线 DPA (0" 分组 DPA 按照表D.2规定 10-5Pa，一30C十70 心 ,循环10次,温变速率2C/min,保持 热真空 时间2h 2000h 按照表D.2规定 V分组 环境温度应保证结温十125笔
宇航用系统级封装（SiP）保证符合GB/T41037-2021标准
系统级封装（SiP）是一种集成电路设计手段，通过将多个芯片、模块或子系统集成到一个单一模组中，可以实现更小、更轻、更快且更节省能源的解决方案。在宇航领域，由于空间、质量和功率等方面的限制，SiP被广泛应用。
与传统的分离式设计相比，SiP具有以下优点：
- 更小：多个芯片和元件可以集成到一个单一设计中，因此可以大大缩小整体尺寸。
- 更轻：SiP通常比传统解决方案轻得多，这对于宇航设备的发射和操作都非常重要。
- 更快：SiP可以提高电路板之间的信号速度，减少信号传输延迟。
- 更节能：由于SiP的小尺寸、低功耗特性，可以大幅减少系统能耗。
然而，在应用SiP时需要考虑到一些特殊的问题。例如，宇航中的设备必须能够经受极端的环境条件，如辐射、高温和低温等。为了保证SiP的高可靠性和稳定性，需要依据GB/T41037-2021标准进行设计和测试。
GB/T41037-2021标准是中国国家标准化委员会发布的《空间电子元器件应用指南》。该标准覆盖了宇航设备中使用的各种电子元器件，包括SiP。在符合此标准的前提下，SiP可以保证在极端环境下仍能正常工作。
同时，为了确保符合该标准，需要从以下几个方面进行设计和测试：
- 材料选择：所有使用的元器件和材料必须经过精心选择，以保证其在高温、低温和辐射环境下的稳定性。
- 布局设计：SiP必须按照特定的布局进行设计，以确保电路板之间的信号传输和电源供应的稳定性。
- 测试验证：SiP需要进行各种测试，包括高温、低温、振动和辐射等。这些测试可以模拟宇航设备可能遭遇的各种环境，从而验证其可靠性。
综上所述，SiP在宇航领域具有广泛应用前景，但必须符合GB/T41037-2021标准。通过精心设计和测试，可以确保SiP的高可靠性和稳定性，从而保证宇航设备在极端的环境下正常工作。相信在未来，随着宇航技术的不断发展，SiP将成为宇航设备中不可或缺的一部分。
总之，SiP是一种高度集成的电路设计手段，具有更小、更轻、更快和更节能等优点，并且正在逐渐被广泛应用于宇航领域。然而，在使用SiP时需要考虑到特殊的问题，如宇航设备所面临的极端环境。因此，必须符合GB/T41037-2021标准进行设计和测试，以确保SiP的高可靠性和稳定性。
