GB/T7265.2-1987
固体电介质微波复介电常数的测试方法开式腔法
Testmethodforthecomplexpermittivityofsoliddielectricmaterialsatmicrowavefrequencies--Opencavitymethod
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- 中国标准分类号(CCS)L32
- 国际标准分类号(ICS)19.080
- 实施日期1987-11-01
- 文件格式PDF
- 文本页数9页
- 文件大小414.24KB
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固体电介质微波复介电常数的测试方法开式腔法
国家标准 GB7265.2一87 固体电介质微波复介电常数的 试 测 方法 “开式腔”法 Testmethodlforeomplexpermittivity ofsoliddielectricmaterialsamierowave requeneies一“Opencaxity”method 1987-02-13发布 1987-11-01实施 耳 家 际 住 局 发布国家标准
GB7265.2一87 时(入为介质波导波长,n为正整数1、2、3) 产生谐振现象,成为介质腔,又称为“开式腔” 二空 图2 “开式腔”存在多种谱振模式
选择TE,模工作,能够避免试样端面与短路板间隙电容的影响
对每个确定的介质腔来说,它的谐振频率和介电常数e'有关,品质因数Q和介质损耗有关
因此, 根 据介质腔试样的直径、高度、测得的“开式腔”谐振频率和有较品质因数,可以计算出介质的介电常 数e'和损耗角正切tand, 介质试样 2.1试样形状 一正圆柱体 试样尺寸根据介电常数
'的大致范围和测试频率确定
一般原则是 7L
GB7265.2一87 正、反向驻被比S小于1.05, 频带宽度大于15%
4.5测试步骤 4.5.1测定样品直径d,高度L
开机预热一小时,系统进人正常工作状态,标准衰减器处于某一固定衰碱值dB). 4.5.2 4.5.3将样品置于下短路板中央,调节下短路板高度使糊合装置位于一(TE模) 云 TE 模》附近,适当调节糊合元件和试样的间距,使示波器上出现“开式腔"的TEn或TEn类的谐振曲 线
调节被长计,使其谐叛峰对准“开式腔”工作模式的谱振曲线,如图4
再增大祸合元件与 4.5.4 试样的间距,直至“开式腔”谐振频率不再变化为止
“开式腔” 谐叛曲线 波长计 谐振曲线 图 调节标准精密衰减器至叫加3.aldB的刻度位置,使“开式腔”谐振蜂值衰减到半功率点,确 4.5.5 定半功率点位置,见图5(a). 回复标准精密衰减器到dB位置,用波长计测定谐振频率MHz),和半功率点带宽A MHz,示波器图形如图5(b). 半功率点 一4- b 图5 将试样倒置,重复测试步粟4.5.3至4.5.5. 4
5.6 4.5.7以试样正、反两次放置所测数据的算术平均值作为最后测试结果
4.5.8测试原始记录表格见附录B
计算公式 5.1试样尺寸计算 根据试样介电常数
'的大致范围、测试频率和工作模式,由下列公式确定试样尺寸 u2 )'c'-()7 4 v2= 5 '[()'-1]
GB7265.2一87 wu .u 6 K( uK( 式中,A自由空间被长; = 电磁波在真空中传播速度c=2.998x10'm/s
.); mm A介质放导放长,mm,,=H(n为TEn,模下标,表示袖向半放长数>》 J,(u、(u零阶、一阶贝塞尔函数, (w)、K,(w K -零阶、一阶变宗量贝塞尔函数
求解超越力醒B>,可采用计算机数值解法或困解法
介电常数计算公式 5.2 联解公式4)、5得到 e' ( (u2++1 7 联解公式5、6得到u、v值代人式7计算'值
损耗角正切值计算公式 5.8 上 abC[1*不 (u-了.(u u K(wK,(w-K(w Rs v 30rie'n u K.oK.c-Ko 8 〔1+ a-.a K(w 式中,(切) 二阶贝塞尔函数; K) 二阶变宗量贝塞尔函数 Mo Rs 金属短路板表面电阻率,Rs (, 真空磁导率, 金属短 路板电导率). Q. “开式腔”有载品质因素,QL= A A" 5.4Rs定标 确定金属短路板表面电阻率Rs的数值
方法一,用已知损耗角正切值的材料做成试样,测定和QL值,按公式8计算R;值
方法二,用同一材料制成适合于TE模和TE模同时存在的试样,并使两个模式的谐振频率相 再 近,间隔100MHz左右,分别测定两个模式的谐振频率儿和QL1、Q值,计算出介电常数
'值, 按下式计算Rs值
e'+AW Rs=60n? 1+AW 0 QLQ 式中; Aw=F(u)G(u) .10
GB7265.2一87 (u F(u) 11 =Ru-
u).u G(o_K.oKo-Ki 12 Kwy 误差 本标准测试方法在测量范围内测量精确度为 <1% Atand <土5%tand.+5x10 tan
GB7265.2一87 录 附 “开式腔”简图 补充件 5一上、下短路板位置调节旋钮,2一上、下金属短路板, 3一硬同轴线制成的糊合装置;4一糊合度调节旋钮,6一介质试样
GB7265.2一87 附录 B 参考件 测试原始记录 湿度 渊试人 渊试日期 温度 编号 Dmm L. 委托单位样品名称 mm(MHzt(MHz>l(MHz) tan8 附加说明 本标准由电子工业部提出
本标准由上海科技大学、电子工业部第四研究所负责起草
本标准主要起草人徐得名、李兆年、王玉功