硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件

硼酸盐非线性光学单晶元件通用技术条件

国家标准 GB/T22452一2008 棚酸盐非线性光学 单晶元件通用技术条件 Generaltechnicalconditionof nonm-linearopticalb0oratecrystaldevices 2008-10-07发布 2009-04-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管蹬委员会国家标准
GB/T22452一2008 前 言 本标准由全国光辐射安全和激光设备标准化技术委员会(SAC/TC284)提出并归口 本标准起草单位:科学院福建物质结构研究所、福建光电子材料工程技术研究中心和福建福晶 科技股份有限公司 本标准主要起草人:兰国政、吴少凡、林文雄,谢发利,吴季、李雄
GB/T22452一2008 棚酸盐非线性光学 单晶元件通用技术条件 范围 本标准规定了绷酸盐非线性光学单晶元件月相偏碉酸铆(gBaB,O,简称BBo)和三碉酸锂 LiB,O.,简称LBO)的术语、产品分类、技术要求,试验方法、检测规则及包装、标志、运输、贮存等 本标准适用于砌酸盐非线性光学单晶元件BBO和LBO,其他种类的棚酸盐非线性光学单晶元件 也可参照使用 该元件主要用于制作激光器 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准 GB/T11297.1一2002激光棒波前畸变的测量方法 GB/T166o11996光学表面激光损伤闵值测试方法 GB/T22453一2008碉酸盐非线性光学单晶元件质量测试方法 JB/T9495.3一1999光学晶体透过率测量方法 术语和定义 3.1 棚酸盐非线性光学单晶Non-linearoptiealboratecrystal 阴离子基团为研氧基团的非线性光学单晶 3.2 棚酸盐非线性光学单晶元件Non-linearoptiealboratecrystaldevieces 碉酸盐非线性光学单晶经过定向、切割、抛光,必要时镀膜后加工成的光学元件 3.3 垂直度Perpendieularity 单晶元件通光面与侧面之间的垂直程度 3 切割角度和角度偏差cutinm ingangleandangletolerance 切割角度用0和中表示,角度偏差用0和公中表示 日是单晶元件通光面的法线和Z轴之间的夹角 中是单晶元件通光面的法线在X-Y平面内的投影与X轴之间的夹角 单晶元件的角度偏差(A,公)是实际切割角度与设计切割角度之间的偏差 X、Y、乙轴为碉酸盐非线性光学单晶的晶体主轴 3.5 平面度 Flatness 单晶元件的平面度指单晶元件表面凹凸不平的程度
GB/T22452一2008 3.6 表面疵病Serateh/digeode 单晶元件表面的划痕、麻点等微观结构缺陷,称为表面疵病 长与宽的比不小于4:1的表面疵病,称为划痕(Scratch),以s表示 长与宽的比小于4:1的表面疵病,称为麻点(Digcode),以D表示 3 损伤闭值Damagethreshold 可引起光学表面损伤几率为零的最大激光辐照能量密度或功率密度 3.8 波前畸变wavefrontdistortion 波前畸变是指平行光束的波面通过被检单晶元件后相对于标准参考波面的畸变 光学均匀性optiealhomogeneity 光学均匀性是指介质折射率的均匀程度 产品分类 本标准规定了碉酸盐非线性光学单晶中的两种单晶元件:低温相偏碉酸锁(-BaB.O,简称BBO) 和三棚酸锂(LiB,O.,简称LBO) 技术要求 1 5. 物理性能 5.1.1散射 在氮须激光照射下,使用带标尺的显微镜进行观察 要求单晶元件单位体积(em)内直径为10amm- 20Am的散射点不得多于4个 5.1.2光学不均匀性 在波长为632.8nm的激光照射下,单晶元件内单位长度(em)最大折射率和最小折射率的差值应 不大于5×10- 5.2特定波长吸收 单晶元件特定波长的吸收应符合表1的规定 表1单晶元件特定波长吸收的要求 0-"每厘米 1064nm 532nnm 种 类 LBo <2000 1000 BBO <1500 5.2.1倍频转换效率 单晶元件特定波长的倍频转换效率应符合表?规定 表2单晶元件特定波长倍频转换效率的要求 类 要求 件 激光器;LBOSHG(1064nm一532nm)测试所用激光器:Nd:YAG电光调Q的 LB0sHG 1H脉冲激光器,波长1064nmm,激光为准TEM模,近平顶结构的输出,光束直 >45% 1064nm一532nm径为7.5mm,脉冲宽度(8士2)ns,激光远场发射角0.7mmmrad,能量800mJ 品;长度15mm,I类非临界相位匹配,匹配角/=90",=0"
GB/T22452一2008 表2(续 种 条 类 件 要求 激光器;采用光纤耦合半导体端面系浦Nd:GdVO单晶产生1064nm声光调 BBOSHG 脉冲激光;经二信频器倍频产生532nm信频光;脉冲调制重复频率为15kHl Q >25% 532nm一266nm) 脉宽约18ns,光束直径为1.7mm,激光平均功率600mw 样品;长度8 I类临界相位匹配,匹配角0=47.7",声=0" 8mmm， 5.2.2激光损伤阔值 单晶元件的激光损伤闵值应符合表3规定 表3单晶元件激光损伤阔值的要求 指 标 条 件 种类 元件抛光表面及内部 元件镀膜表面 人射激光的光束质量因子M<1.2,波长为1064nm,脉冲 >3Gw/em >500Mw/em LBO 宽度为(10士2)ns,重复频率为(10士1)Hz,每个测试点连续照 BBO >1Gw/em >450MIw/cm 射10个脉冲,光斑直径为(1士0.1)mm 5.2.3减反膜剩余反射率 单晶元件减反膜的剩余反射率应符合表4规定 表4单晶元件减反膜剩余反射率的要求 项 目 剩余反射率R 基频光波长单面反射率 <0.20% 倍频光被长单面反射率 1.0% 5.2.4波前畸变 在波长为632.8nm的激光照射下,激光光束的波面通过被检单晶元件,被元件后表面反射后,其 相对于标准参考波面的偏差应不大于入/4. 5.3加工质量 5.3.1尺寸公差 尺寸公差应符合以下要求 当L>4mm时,尺寸应为w没1×H士没1×XL;mm" 当0.2GB/T22452一2008 5.3.3不平行度 单晶元件两个通光面的不平行度应不大于30" 5.3.4不平面度 在波长为632.8nm激光照射下,单晶元件通光面的不平面度应不大于入/4 5.3.5不垂直度 单晶元件的通光面与侧面之间的不垂直度应不大于10',相邻的两个侧面之间的不垂直度应不大 于10' 5.3.6有效通光孔径 单晶元件的通光表面扣除四周倒角后的可用面积与整个通光面面积的比值为有效通光孔径,其应 不小于85% 5.3.7表面疵病 单晶元件表面疵病应符合表5要求 表5单晶元件表面疵病的要求 要 求 目 项 抛光元件 镀膜元件 围 范 10/50 有效通光孔径中心区域85%内 20/100 L0.l 80/500 80/500 其余部位 S/D 有效通光孔径中心区域85%内 20/100 40/200 L<0.l 其余部位 80/500 80/500 注:L单位为mm,S单位为m,D单位为Am 试验方法 单晶元件激光损伤阔值的测量方法按GB/T16601一1996的规定 6.1 单晶元件波前畸变的测量方法按GB/T11297.1！ 6.2 -2002的规定 6.3单晶元件特定波长吸收的测量方法按JB/T9495.3一1999的规定 单晶元件其他技术要求的测量方法按GB/T22453一2008的规定 检验规则 7.1出厂检验 7.1.1产品需经生产厂质量检测部门检验合格,并附有合格证后方可出厂 7.1.2出厂检验项目为5.1.1和5.2.1一5.2.7 7.2型式检验 7.2.1检测项目:本标准所要求的全部项目 7.2.2批的组成;以同一加工工艺条件制成的产品为一批 7.2.3抽样;在出厂检验合格的产品中随机抽取2片 7.2.4在保证产品质量的前提下,正常生产时,每六个月至少进行一次型式检验;有下列情况之一时， 也应进行型式检验 新产品投产时 a 制备工艺有较大改变,可能影响产品质量时 b c 出厂检验结果与最近一次型式检验结果有差异时 d 停产半年以上的;
GB/T22452一2008 客户要求进行试验的; 质检部门要求进行的情况 检查结果的判定 检验结果符合本标准要求的,则判定该产品为合格 如有不合格,可自同批产品中加倍抽样,对不 合格项进行复检 复检结果如都合格,则该产品为合格品;复检结果如仍有不合格,则判定该产品为不 合格品 包装、标志,运输和贮存 8.1包装 采用弹性膜盒包装 包装时,产品应在超净室内擦拭干净后装人膜盒,通光面不得直接接触包 装物 包装应密封、洁净防潮、防震、防静电、抗冲击 8.1.2包装箱内应有装箱单和《使用说明书》 装箱单应标明;单晶元件种类,数量、尺寸、切割角度、镀 膜指标、生产厂名等 8.2标志 产品外包装上应标明 生产厂厂名、厂址 a) 产品名称.数量， b 执行标准编号 生产日期、保证期; d “小心轻放”,“防潮”,“易碎”等注意事项 运输 “品在运输过程中应轻装轻卸,不得挤压,并采取防震防潮等措施 贮存 8 产品保质期为1年 产品存放环境要求:洁净等级优于10000级，温度(23土2)C,湿度 55士5)%