核科学技术术语核仪器仪表

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国家标准 GB/T4960.6一2008 代替GB/T4960.61996 核科学技术术语 第6部分;核仪器仪表 Glossaryoftermsfor”nuclearscieneeandtechnology Part6:Nuelearinstrumentationm 2008-09-19发布 2009-08-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管蹬委员会国家标准
GB/r4960.6一2008 目 次 前言 范围 核辐射探测器 2.1核辐射探测器通用术语 2.2 气体电离探测器 2.3闪烁探测器 2.！半导体探测器 20 2.5其他探测器 24 通用核仪器及其特性和试验 26 26 通用核仪器 32 主要特性 电源 39 3 44 试验和测量误差 3.5 质量鉴定 46 核设施仪表和控制 48 通用术语 48 测量系统 5 控制系统 55 安全系统 56 辐射防护仪器 6 5.1注量(率)、空气比释动能(率),剂量当量(率)的测量仪和监测仪 6 5.2污染和活度测量仪器 64 核辐射应用仪器 S 勘探,采矿仪器 67 6.2利用电离辐射源的测量仪器和系统 69 6. " 医用核仪器 参考文献 74 中文索引 75 英文索引 00
GB/r4960.6一2008 前 言 GB/T4960(核科学技术术语》分为8个部分 第1部分:核物理与核化学; 第2部分;裂变反应堆; 第3部分:核燃料与核燃料循环; 第4部分;放射性核素; 第5部分;辐射防护与辐射源安全 第6部分核仪器仪表; 第7部分核材料管制 第8部分;放射性废物管理 本部分为GB/T4960的第6部分 本部分主要参考 -HAF102(2004)(核动力厂设计安全规定》 EC60050-393,2003《核仪器 -物理现象和基本概念第2版); -IEc60050-394;2007《核仪器 仪表,系统,设备和探测器》(第2版). 本部分代替GB/T4960.6一1996《核科学技术术语核仪器仪表),本部分与GB/T4!960.6一1990 相比主要差异如下 -在第3章“通用核仪器及其特性和试验”中增加3.4“试验和测量误差” 将第4章标题由“反应堆仪表”改为“核设施仪表和控制”,将4.5“电源”移到3.3,并增加核仪 器通用电源的术语和定义,将4.6“质量鉴定”移到3.5; 为使术语各章结构一致(术语均为二级条),将第5章“辐射防护仪器”按IEV394分为5.1“注 量(率)、空气比释动能(率),剂量当量(率)的测量仪和监测仪”和5.2“污染和活度测量仪器” 将第6章“核辐射应用仪器”按体系分为6.1“勘探,采矿仪器”",6.2“利用电离辐射源的测量仪 器和系统”和6.3“医用核仪器”; 第4章“核设施仪表和控制”中有关安全的术语和定义按HAF102和1AEANo.NS-G-1.3的 “名词解释”修改 按IEC60050-393IEV393):2003和IEC60050-394(IEV394);2007修改部分术语的定义 按新制定和修订的核仪器标准增加部分术语和定义,特别是核辐射应用仪器的术语和定义 调整一些术语的位置和顺序 本部分由核工业集团公司提出 本部分由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口 本部分起草单位;核工业标准化研究所 本部分主要起草人:熊正隆、严陈昌、张京长、牛祝年、贺宣庆、范惠君 本部分所代替标准的历次版本发布情况: GB/T4960一1985,GB/T4960.61996 业
GB/r4960.6一2008 核科学技术术语 第6部分;核仪器仪表 范围 GB/T4960的本部分规定了核辐射探测器、,通用核仪器,核设施仪表和控制、辐射防护仪器及核辐 射应用仪器等核仪器的基本术语和定义 本部分适用于有关核仪器标淮、合同,报告和技术规格书等技术文件的编写,文献翻译以及技术交 流等 核辐射探测器 2.1核辐射探测器通用术语 2.1.1 核辐射探测器radiationdeteector 用于将人射致)电离辐射(以下简称电离辐射)能量转换为适合于指示和(或)测量信号的器件或 材料 [IEV394-24-01] 2.1.2 线性探测器lineardeeetor 输出信号与人射粒子能量呈线性关系的核辐射探测器 注:输出信号是一个与在探测器灵敏体积中所损失能量有关的量 [IEV394-24-02] 2.1.3 非线性探测器non-lineardeteetor 输出信号与人射粒子能量呈非线性关系的核辐射探测器 [EV394-24-03] 2.1.4 模拟探测器analoguedeteetor 以模拟量形式提供辐射信息的探测器 2.1.5 脉冲探测器pulse deector 以脉冲信号形式提供辐射信息的探测器 2.1.6 活化探测器aetiationdeteector 利用在核辐射辐照下产生的感生放射性来测定辐射粒子注量(率)的探测器 2.1.7 自给能探测器selr-powereddetetor 无需外加电源,通过中子或丫射线的活化和(或)激发作用产生弱电信号的中子或》射线探测器 [[IEV394-24-04]
GB/T4960.6一2008 2.1.8 中子热电偶neutronthermopile 通过吸收中子诱发反应产生的粒子而使材料变热,使用热电偶测量的中子探测器 [[IEV394-24-05] 2.1.9 电荷发射探测器cht hargeemissiondetector 在电离辐射作用下所产生的带电粒子从一个极板转移到另一个极板而改变极板间电位差的电容器 式探测器 2.1.10 2兀核辐射探测器2开radiationdeteector 在立体角为2开球面度的范围内,用于探测核辐射的探测器 [IEV394-24-06 2.1.11 4兀核辐射探测器4开radiationdeteector 在立体角为4兀球面度的范围内,用于探测核辐射的探测器 [[IEV394-24-06] 2.1.12 井型探测器welltypedeteetor 其灵敏体积中具有井型结构的核辐射探测器 将被测核素置于井型结构中,可在立体角接近4其 球面度的范围内用于aB、7或x发射体的高效探测 [IEV394-24-11] 2.1.13 化学探测器chemiealdeteetor 利用电离辐射在其灵敏体积材料中诱发的化学反应产物来探测电离辐射的探测器 2.1.14 辐射损伤探测器radiodefeetdetector 利用电离辐射在其灵敏体积材料中产生的缺陷来探测辐射的探测器 2.1.15 浸入式探测器dipdetector 浸人或淹没在待测活度液体中的核辐射探测器 [IEV394-24-1o] 2.1.16 核乳胶nuclearemwlsionm 用于记录单个电离粒子径迹的照相乳胶 注:使用反冲质子的方法,核乳胶也可用于探测快中子 [IEV394-24-13 2.1.17 辐射发光探测器 radioluminescecedetector 利用探测器中的灵敏体积材料在辐射作用下的发光效应的探测器 2.1.18 阔探测器thresholddetector 利用反应原理制成的探测器
GB/r4960.6一2008 2.1.19 次级发射探测器secondaryemissiondeeetor 由限定容积的真空腔体构成的核辐射探测器 由腔壁上射出的二次电子在适当外加电压作用下收 集而形成探测器电流 2.1.20 量热探测器cealorimetriedeteetor 其信号是在探测器灵敏体积材料中吸收电离辐射所产生的热能度量值的核辐射探测器 [[IEV394-24-08] 2.1.21 总电离totalionization 直接电离粒子以任何方式所产生的离子对总数 2.1.22 探测效率deteetionefieieney 在规定的几何条件下,单位时间探测到的某类型粒子数与辐射源同类型粒子的表面发射率之比 [IEV394-38-18] 2.1.23 探测器效率deteetorefrieieney 探测器测到的光子数或粒子数与同一时间间隔内人射到探测器上的同类型的光子数或粒子数 之比 [IEV394-38-17] 2.1.24 探测器的)选择性seleetivityofadeteetor) 探测器对被测电离辐射的灵敏度与同一探测器对总的人射辐射灵敏度之比 [IEV394-38-21] 2.1.25 感应度inlueneeability 当所有其他的影响量均保持不变时,探测器对某种伴生辐射的感应度为输出量的变化(探测器响 应)与输人量的变化(伴生辐射引起的)之比 当探测器的工作受某种伴生辐射干扰而有反应时,即称该探测嚣对这种蝈射是有感应的,这种伴生 辐射就成为一种影响量 2.1.26 探测器的)窗windowofadetector 探测器中用于保护灵敏体积不受外部影响并允许被测辐射穿透的部分 [[IEV394-30-l6们] 2.1.27 探测器的)灵敏体积sensitivevolume(ofadetector) 探测器中对辐射灵敏并能提供信号的那部分体积 2.1.28 中子灵敏材料neutronsensitiematerial 利用中子探测器的衬里或所充气体以直接产生电离粒子(包括核反应的裂变碎片)的材料 [[IEV394-30-07]
GB/T4960.6一2008 2.1.29 探测器的)使用寿命 efwlifeofadeteeor) usel 在限定的辐射和环境条件下,探测器的特性能保持在规定的容差范围内的最长使用时间或最大累 计计数 2.1.30 中子探测器的)燃耗寿命bur-plifeofaneutrondeteetor 中子探测器对给定能量分布的中子注量所能承受的估计值 超过此值后,探测器的灵敏材料将消 耗到使探测器的性能指标超出规定的容差 2.1.31 电离电流ionizationcurrent 在被电离的介质中所产生的离子和电子在电场的作用下移动并被电极收集而形成的电流 [IEV394-38-24] 2.1.32 探测器的)剩余电流residualeurentofadeteetor 在探测器不再承受外辐射以后继续产生的电流 注:剩余电流是由于探测器组成材料的活化、污染及其绝缘质量不好而产生的电流 [IEV39438-25] 2.1.33 漏电流leakagecurrent 探测器在工作电压下,无辐照时产生的电流 [IEV394-38-26] 2.1.34 电子收集时间eleetroncolleetiontime 由电离锅射在给定点产生的离子对到收集电极收集相应的电子之间的时间间隔 [IEV394-38-28 2.1.35 ioncolleetiontime 离子收集时间 由电离辐射在给定点产生的离子对到收集电极收集相应的离子之间的时间间隔 [IEV394-38-27] 2.1.36 壁效应wallefleet 壁材料的组分和厚度对测量结果产生的影响 [IEV394-38-23] 2.1.37 探测系统的)等效窗厚度equivalentwindowthickness(ofadeteetorsystem) 垂直人射到探测器的一个粒子穿过一定厚度到达该探测器灵敏体积的表面,此厚度用单位面积的 质量(mg/cm)表示 [[IEV394-39-44灯 2.1.38 康普顿连续谱Comptoncontinum 探渊器中释放的康普顿电子形成的连绩脉冲幅度活 [[IEV394-38-55]
GB/r4960.6一2008 2.1.39 蚀刻斑痕eehpt 在某些塑料表面因蚀刻可察觉的斑痕,系由质子和其他原子核的径迹造成的 注:这些径迹实际上是由塑料中较轻原子核被置换而造成的 [[IEV394-24-l4] 2.1.40 收集电极colleetingeleetrode 电离室或计数管的电极,用于收集电离辐射产生的电子或离子 [IEV394-30-04门 2.1.41 aleirradiationrateofadetector 探测器的)最大可接受辐照率 maximumaccepta 探测器能在规定条件下工作的最高剂量率或粒子注量率 [IEV394-38-58] 2.1.42 磷光phosphorescence 撤去激励辐照后继续保持相当长时间的发光现象 [IEV394-38-59 2.1.43 fluorescence 荧光 仅在辐照期间可观测的发光现象 [[IEV394-38-60] 2.1. 44 热释光radio)thermoluminescence 当某些晶体物质受到电离辐照或紫外线辐照后受热时出现的发光现象 [EV394-38-61] 2.1.45 能谱峰speetralpeak 能谱中包含一个局部最大值的那部分 注通常是一次单能辐射的全部能量 [IEV394-38-66] 2.1.46 radiation 核辐射探测器的)偏置biasofa detector 为了探测器能产生收集信号电荷所需的电场而施加的电压 [EV394-38-67] 2.1.47 discriminationthreshold 核辐射探测器的)甄别闹 ofaradiationdetector 在其以下脉冲不能被收集的限值 [[IEV394-38-68] 2.1.48 通pseheightudisrihatom) 谱(脉冲高度分布speetrumofa 脉冲的数量作为脉冲高度的函数 [IEV394-38-69]
GB/T4960.6一2008 2.1.49 能量窗energywindow 在能量上、下限之内的那部分能谱 [[IEV394-38-70] 2.1.50 剂量反射率dosealhedo 在给定的表面上,反射辐射产生的剂量与人射辐射产生的剂量之比 [[IEV394-38-71] 2.1.51 微分剂量反射率differentialdosealhedo 从表面向某一方向反射辐射产生的剂量与人射辐射产生的剂量之比 [IEV394-38-72] 2.2气体电离探测器 2.2.1 电离探测器 ionizationdeector 利用探测器灵敏体积中的电离效应而获得信号的核辐射探测器 [IEV394-25-01] 2.2.2 脉冲电离探测器pulseionizationdeteector 能探测单个电离事件的电离探测器 注1;脉冲电离探测器通常分为三种工作模式 电离模式,对应的工作电压范围是未发生气体中的放大的区域,脉冲幅度是一次电离事件在灵敏体积中 产生的离子总数的直接度量,例如电离室 -正比模式,对应的工作电压范围是气体中放大系数与初始电离无关的区域,脉冲幅度正比于一次电离事 件在灵敏体积中产生的离子总数,例如正比计数管; 盖革-米勒模式,对应的工作电压范围是每次电离事件都给出一个输出脉冲,其幅度与这次电离事件在灵 敏体积中初次产生的离子数无关,例如盖革-米勒计数管 注2脉冲电离探测器内充一种适当气体或气体混合物,并加有工作电压以产生电场,电场能将各个电离事件在探 测器灵敏体积中产生的离子和电子收集在电极上 [[IEV394-25-03] 2.2.3 流气式探测器gas-flowdeteetor 借助于气体在探测器中的低速流动,以保持其中充有适当的气体介质的核辐射探测器 注:例如: -流气式电离室; -流气式计数管 [IEV394-25-30] 2.2.4 sdeteetor 内充气体探测器 internalgas 测量充在探测器内的全部或部分气体的放射性活度的核辐射探测器,例如内充气体放射源的电 离室 2.2.5 电离室iomizationchamber 充有合适的气体或混合气体或保持真空并加有电场的电离探测器,所加电场不足以产生气体放大
GB/r4960.6一2008 作用,却能将电离辐射在探测器灵敏体积中产生的离子和电子收集到电极上 注1:例如 脉冲电离室; -积分电离室; 电流电离室 注2;真空电离室靠室壁效应及所加电场探测射线 [IEV394-25-02] 2.2.6 电子收集脉冲电离室eletrneletonpu pulseionizationehamber 利用电子迁移率比离子迁移率高很多,主要收集电子而获得输出信号的脉冲电离室 [IEV394-25-051 2.2.7 离子收集脉冲电离室ioneolleectionpulseionizationchamber 由全部收集离子和电子而获得输出信号的脉冲电离室 [IEV394-25-06 2.2.8 屏栅电离室gridionizationchamber 由一对平板电极和处于其间的一个称为Frisch栅极的附加电极组成的电离室 注，屏栅电离室是一种脉冲电离室,通常用于测量a粒子或裂变碎片的能量,其附加电极保持在中间电位以减少重 离子的影响 [IEV394-25-07] 2.2.9 borontrifluorideionizationchamber 三氟化棚电离室 使用三氟化棚气体来探测热中子的电离室 注:电离是由中子与棚进行核反应所产生的a粒子和锂核引起的， [IEV394-25-08] 2.2.10 涂础电离室boron-linedionmizationchamber 使用电离室壁上或在形状适宜的电极上的绷灵敏层来探测热中子的电离室 注:电离是由中子与涂层中的碉进行核反应所产生的a粒子和锂核引起的 [IEV39425-09] 2.2.11 裂变电离室fisionionizationchamber 使用裂变物质作灵敏层来探测中子的电离室 注1，电离是由中子和可裂变物质进行核反应所产生的裂变碎片引起的 注2根据所使用的可裂变物质,探测热中子,快中子或各种能量的中子都是可能的 注3，见裂变[IEV393-11-26]和可裂变[IEV393-1-28]的定义 [EV394-25-10] 2.2.12 反冲核电离室recoilneleiionizationcehamber 利用快中子与低原子序数核碰撞形成的反冲核产生的电离来探测快中子的电离室 注，当所充气体是氢气时,反冲核电离室称为反冲质子电离室 [[IEV394-25-22]
GB/T4960.6一2008 2.2.13 反冲质子电离室 recoilprotoionizationchamber 利用快中子与氢核碰撞产生质子来探测快中子的含氢电离室 [IEV394-25-31] 2.2.14 自由空气电离室freeairionizationchamber 灵敏体与大气相通,以空气作为介质的,主要用于照射量绝对测量的电离室 注1:电离室的设计要准确规定计算照射量所依据的空气体积,并且辐射束及其产生的大部分次级电子都不会打到 电极上 注2:电离室的设计要保证;可以准确规定计算照射量所依据的空气体积,并且辐射束及其产生的可观数量的次级 电子都不会打到电极上 [IEV394-25-13] 2.2.15 空气等效电离室 airequivalentiomizationchamber 室壁和电极材料以及所充气体与空气具有相同有效原子序数的电离室 注:当空气等效电离室是以自由空气电离室校准时,可用它确定空气中的吸收剂量或空气比释动能 在该电离室 内产生的电离与设有电离室的情况下在同一点的空气中产生的电离实质上是一样的 [IEV394-25-15 2.2.16 布拉格-戈瑞空腔电离室Brag-Graycavityiomizationchamber 用于确定介质中X或7辐射或中子的吸收剂量或空气比释动能的电离室 注，该电离室的特性(例如;灵敏体积,气体压力,室壁的性质和厚度)满足布拉格-戈瑞空腔规定的条件,即其体积 应小于电离粒子的路径 [IEV394-25-l4们 2.2.17 液体壁电离室liquid-wallionizationchamber 使液体的表面构成室壁,用于谢量该液体的a或月放射性话度的电岗室 [IEV394-25-16] 2.2.18 无壁电离室wal-lessionizationchamber 灵敏体积不是由电离室壁限定,而是由电场的电力线所限定的电离室,该电场取决于电极的形状、 排列方式和电极间的电位差 [EV394-25-17] 2.2.19 组织等效电离室tissueequivalentionizatonchamber 用于测量组织中吸收剂量的电离室,其中电离室壁的材料、电极和所充气体与软组织具有相同的有 效原子序数 [[IEV394-25-18] 2.2.20 差分电离室direrenceionizationehamber 结构上分为两部分的电离室,其输出电流为两部分电离电流的差 [[IEV394-25-19]
GB/r4960.6一2008 2.2.21 tedionizationchamber 补偿电离室compensat 其设计实际上可消除叠加在被测辐射上的其他辐射影响的差分电离室 注通常,设计补偿是为了有效降低中子-y混合场中丫辐射的影响 [EV394-25-20] 2.2.22 rapolatiionizatnchamher 外推电离室 eXtra 为了外推出电离室对灵敏质量为零时的响应,可改变某个特性(通常是电极间的距离)的电离室 [IEV394-25-21] 2.2.23 内充气体放射源电离室ionizationchamberwithinternalgassouree 全部或部分充有待测活度的放射性气体的电离室 [IEV394-25-25] 2.2.24 电容器电离室capacitoriomizationechamber 测量因辐射诱发的电容放电引起构成电容器的电极间电位差变化的电离室 [IEV394-25-26 2.2.25 2开电离室2开ionizationchamer 用于在立体角为2开球面度的范围内探测放射源辐射的电离室 [IEV394-25-27] 2.2.26 4兀电离室4开ionizationchamber 用于在立体角为4开球面度的范围内探测放射源辐射的电离室 [IEV394-25-27] 2.2.27 井型电离室well-typeionizationchamber 用于在立体角接近4开的范围内测量辐射体放射性活度的电离室 在电离室内有一中心圆柱形的 井,被测源就放置于井中 [IEV39425-24] 2.2.28 驻极体电离室eeetretionizationchamber 永久极化电介质电离室electretionizationchamber -种电离室,其中高压电极用具有永久性表面电位的驻极体或永久极化电介质代替,由于所充气体 的电离,驻极体的表面电位降低,可用来测量待测的辐射剂量 [IEV394-25-28] 2.2.29 脉冲电离室pulseionizationchambher 对每次探测到的电离事件都产生一个输出脉冲的电离室 [IEV394-25-04] 2.2.30 积分电离室integratingionizationchamber 用于测量在预定时间间隔内出现的多次独立电离事件产生的累积电荷的电离室 [[IEV394-25-1l1]
GB/T4960.6一2008 2.2.31 电流电离室eurrentionizationchambee 由于电离辐射而产生电离电流的电离室 [IEV394-25-12] 2.2.32 指形电离室thimbleionizationchamber 外部电极的形状和尺寸类似于指套筒的电离室 [IEV394-25-23] 2.2.33 流气式电离室gas-flowionizationchamber 其内部有气体连续流过的电离室 [IEV394-25-29] 2.2.34 漂移室drifechamber 利用测量电离电子在电场中的漂移时间来确定人射粒子的气体探测器,例如多丝漂移室、均匀电场 漂移室和可调电场漂移室等 2.2.35 portionalechamber 多丝正比室mwlti-wire prop 由一系列平行且等间距的阳极丝构成的平面,置于上下对称的两个阴极丝平面之间所构成的正比 型气体探测器 室内充有气压略高于大气压的气体,阴、阳极之间加有一定电压,当人射带电粒子在室 内气体中产生的初始电离电子漂移到阳极附近时产生气体放大,从而在丝上产生脉冲信号,它可提供人 射粒子能量损失和两维位置信息 2.2.36 计数管countertuhe 工作在正比区或盖革-米勒区的脉冲电离探测器 [[IEV394-29-01] 2.2.37 正比计数管proportionalcountertube 工作在正比区的计数管 [[IEV394-29-02] 2.2.38 countertube 浸入式计数管dip 可浸人或淹没在液体中测量其活度的计数管 [IEV394-29-12] 2.2.39 火花计数管sparkcownter 当强电离粒子通过时,能在电极间产生火花的核辐射探测器 [IEV394-29-16] 2.2.40 强流计数管strongcurrentcountertuhe 在一定范围内,其输出平均电流与人射的y射线强度的对数成正比,用于探测高强度射线的卤素 计数管 10
GB/r4960.6一2008 2.2.41 三氟化棚正比计数管borontrifluoride proportionaleountertuhe 充有三叙化谓气体,利用中子和棚的核反应所产生的 粒子和锂引起的初始电离来探测热中子的 正比计数管 [IEV394-29-03] 2.2.42 portionalcountertube 涂棚正比计数管boron-lined lprop 在壁上或适当形状的电极上涂有砌灵敏层,利用中子和砌的核反应所产生的a粒子和锂核引起的 初始电离来探测热中子的正比计数管 2.2.43 氮计数管heliu u1countertube 充有氮-3用于探测中子的正比计数管 注初始电离是由中子与氮-3进行核反应所产生的质子和氯核引起的 [IEv394-29-05] 2.2.44 反冲质子计数管recoil Iprotoncountertube 含有氢或含氢物质,利用快中子和氢核碰撞产生的反冲质子引起的电离来探测快中子的计数管 2.2.45 反冲核计数管reeoilnueleicountertube 利用快中子和低原子序数的原子核碰撞产生的反冲核引起电离来探测快中子的计数管 注如果初始电离是由反冲质子引起的,这种计数管称为反冲质子计数管 [IEV394-29-061 2.2.46 薄壁计数管thinwalcountertube 管壁的吸收低到足以能探测低能辐射的计数管 [EV394-29-09] 2.2.47 窗计数管windowcountertube 外壁上被称为“窗”的部分吸收低到足以能探测低能辐射的计数管 注:例如: 侧窗计数管; 钟罩计数管 [IEV394-29-10] 2.2.48 裂变计数管fissioncountertube 含有可裂变物质的灵敏衬里、用于探测热中子和快中子的计数管 注:初始电离主要由中子和灵敏衬里进行核反应所产生的裂变碎片引起 [[IEV394-29-l1] 2.2.49 液体计数管liquidcountertuhe 用于测量液体放射性活度的计数管,其典型结构为圆柱形管,外面套有一个同轴固定式的或可移动 的圆柱形杯 注，被测放射性液体置于杯与计数管之间的环状空间内 [[IEV394-29-13] 1l
GB/T4960.6一2008 2.2.50 外阴极计数管 eXternalcath0decOunter”tube 管壳一般为玻璃、其外表面涂覆碳或金属构成阴极的计数管 [IEV394-29-14们 2.2.51 平面计数管flatcountertube 由两块金属平行板阴极及在平行板间悬挂着若干条互相平行且与平板相平行的金属丝阳极构成的 正比计数管 2.2.52 coronacountertube 电晕计数管 由电离粒子引起电流急剧变化,并能维持电晕放电的计数管 [[IEV394-29-15] 2.2.53 盖革-米勒计数管Geiger-Millercountertubhe 工作在雪崩区盖革-米勒区)的计数管 [[IEV394-29-07] 2.2.54 nchedcountertube 自猝灭计数管selfg -quen6 仅靠所充气体而不采取其他措施就能猝灭的盖革-米勒计数管 注例如 卤素猝灭计数管; 有机蒸汽葬灭计数管 [IEV394-29-08 2.2.55 保护环guardring 用于降低电离室或计数管的收集电极与其他电极间的漏电流和(或)限定电位梯度及灵敏体积的- 种辅助电极 [EV394-30-05] 2.2.56 收集极eletingc electr0de 在电离室或计数管中,用于收集由电离辐射产生的电子或离子的电极 2.2.57 猝灭quenching 在盖革-米勒计数管中,单次电离事件后,为阻止其后的连续或多次放电,而终止电离雪崩的过程 [EV394-38-49] 2.2.58 猝灭电路quenehingcireuit 在单次电离事件发生后,通过降低、抑制或反向加在盖革-米勒计数管电极上的电位来实现猝灭的电路 [[IEV394-30-08] 2.2.59 猝灭气体quenchinggas 为确保放电的自猝灭,充人盖革-米勒计数管内的混合气体的组分 [IEV394-30-09] 12
GB/r4960.6一2008 2.2.60 气体放大gasmwltiplieation 由人射电离辐射在气体中产生的离子对,在足够强的电场作用下生成更多离子对的过程 [[IEV394-38-36] 2.2.61 气体放大因子gasmultiplicationfactor 经气体放大后的最终离子对数与初始离子对数之比 [IEV394-38-39] 2.2.62 汤森雪崩Townsendavalanche 一个带电粒子由于碰撞而迅速产生大量次级带电粒子的气体放大过程 [IEV394-38-37] 2.2.63 正比区proportiomalregiom 计数管所加的工作电压范围,在此电压范围内气体放大因子大于1,且实际上与单次电离事件在计 数管灵敏体积内最初生成的离子对总数无关,其脉冲幅度正比于最初的离子对总数 [IEV394-38-41] 2.2.64 有限正比区reeiomfimltedpropurtomality 处于正比区与盖革-米勒区之间的计数管的工作电压范围内,在此电压范围内气体放大因子与计数 管灵敏体积内最初生成的离子对总数有关 [IEV394-38-42] 2.2.65 盖革-米勒区Geiger-Milerregion 在计数管的工作电压范围内,且气体放大因子足够大,脉冲幅度基本上与计数管灵敏体积内最初生 成的离子对总数无关 [IEV39438-43] 2.2.66 盖革-米勒阔Geiger-MMillerthreshold 计数管工作于盖革-米勒区所需加的最低电压 [IEV394-38-44] 2.2.67 计数管的)临界电场eritiealfieldofacountertube) 引起气体放大所需的最小电场强度 [IEV394-38-38] 2.2.68 计数管的)边缘效应enderreetofacounter tube 由于靠近计数管收集极边缘电场的畸变,而对测量结果产生影响的效应 [IEV394-38-40] 2.2.69 盖革-米勒计数管的)过电压 ofaGeigerilercountertuhe overvoltage 工作电压与盖革-米勒阀之间的差" [IEV394-38-45] 13
GB/T4960.6一2008 2.2.70 探测器脉冲模式下的)死时间deadtime(inadeteetoroperatinginpulsemode) 探测器在脉冲模式下工作时,单次电离事件产生一个脉冲之后,不能响应后继的电离事件的时间 间隔 IEV394-38-50] 2.2.71 坪 plateau 核辐射探测器特性曲线的一部分,在此区间测得的电流或计数率与外加电压基本无关 [IEV394-38-47] 2.2.72 坪斜plateau relativeslope 坪区的斜率,表示外加电压每变化100V时电流或计数率变化的百分数 [IEV394-38-48] 2.2.73 核辐射探测器的)特性曲线characteristiccurve(ofradiationdetector) 所有其他参数都不变的情况下,表示计数率或电流作为核辐射探测器工作电压函数的关系曲线 注1:这条曲线是所有探测器在脉冲模式下工作的一种特性 注2:对于在电流模式下工作的探测器,此特性曲线是饱和曲线 [IEV394-38-46 2.2.74 (光晕计数管的)放电噪声dischargenoiseofacoronacountertube 当不存在电离辐射时,由电晕效应引起的一次稳定放电的电流或电压的波动 [IEV394-38-65 2.2.75 电离室中的)獐发burst(inanionizationchamber) 由于一个或多个高能粒子人射到电离室内的气体中或室壁上而引起的,在短时间内突然生成大量 离子对的过程 2.2.76 电离室的)饱和电流saturatoneurrentofanionizationchamber) 在给定的辐照下,当所加的电压高到基本上足以收集全部离子对,但尚未到达气体放大区时所得到 的电离电流 2.2.77 电离室的)饱和电压saturationvoltageofanionizationchamber 在给定的辐照下,电离室内为得到饱和电流所需加的最小电压 注，引伸之,实际上所用的“95%或90%)饱和电压"这类术语是为得到“95%或90%)饱和电流"所必须的设计 电压 [[IEV394-38-31] 2.2.78 补偿电离室的)补偿因子compensationfaetor(ofacompensatedionizationchamber) 补偿电离室对伴生辐射的灵敏度与它在无补偿情况下对同一伴生辐射的灵敏度之比 [[IEV394-38-34] 14
GB/r4960.6一2008 2.2.79 tedionizatioehamber 补偿电离室的)补偿比compensationratioofacompensat 补偿因子的倒数 注用它表示补偿电离室的一个性能指标 [IEV394-38-35 2.2.80 电流电离室的)饱和曲线satwrationcurveofacurrentionizationchamber) 在给定的辐照下,电流电离室输出电流随所加电压变化的特征曲线,用于确定饱和电流与饱和 电压 [[IEV394-38-32] 2.2.81 布拉格-戈瑞空腔Brag-Gruyeavity 在固体介质内含有气体的理想空腔,它小到不足以干扰初级和次级辐射在介质内的分布 [IEV394-38-33] 2.2.82 电离径迹ionizationtrack 电离粒子路径的一部分,在径迹室、核乳胶等处可见 [IEV394-38-51] 2.3闪烁探测器 2.3.1 闪烁scintllationm 由分子退激引起的、持续时间约几微秒或更短的闪光 [IEv394-38-01] 2.3.2 闪烁持续时间scintilationduration 闪烁从发射10%光子的瞬间到发射90%光子的瞬间之间的时间间隔 [IEV394-38-02] 2.3.3 闪烁上升时间scintilationrisetime 闪烁体受单次激发后,发射光的强度从其最大值的10%上升到90%所需的时间 [IEV394-38-03] 2.3.4 闪烁下降时间scintillatontalltime 闪烁体受单次激发后,发射光的强度从其最大值的90%下降到10%所需的时间 [IEV394-38-04] 2.3.5 ntln 闪烁衰减时间seint ationdecaytime 闪烁体受单次激发后,发射光的强度下降到其最大值的1/e所需的时间 注;e=2.718 [EV394-38-05] 2.3.6 engthofsetnlatm 闪烁光衰减长度lightattenuationle 闪烁光子在闪烁体内经自吸收后衰碱为原发光强度的1/e时光子在闪烁体中所通过的路程,表征 15
GB/T4960.6一2008 闪烁体对自身发光的透过能力 它与闪烁体的材料、工艺有关,且与测量时的光收集条件有关 按实际条件测得的数值称为技术光 衰减长度 2.3.7 闪烁物质scintilatingmateriat 在电离辐射作用下,能以闪烁方式发出光辐射的物质 [[IEV394-30-01] 2.3.8 激活剂aetivator 用于提高闪烁物质发光效率的杂质或移位原子 [IEV394-30-02] 2.3.9 移波剂 wavelengthshifter 与闪烁物质共同使用,用来吸收光子并发射波长更长的光子的荧光化合物 注:使用移波剂的目的是使光电倍增管或其他光电器件更有效地利用光子 [IEV394-30-03] 2.3.10 闪烁体scintilatoe 用一定数量的闪烁物质做成适当形状的闪烁探测元件 [IEv394-30-10 2.3.11 (闪烁体的)光学反射层optitalrelector(faseintilator) 在闪烁体(光导)表面上,为使闪烁体(光导)中向四周发射的光有效地反射到出射方向上的包层 2.3.12 (闪烁体的)光学窗opticalwindowofaseintilator) 闪烁体中能让光辐射透出的部分 2.3.13 闪烁体的)发射光谱eissionspeetrumofaseintiator 闪烁体发射的光子数随光子的波长或能量变化的分布曲线 [IEV394-38-06] 2.3.14 闪烁体的)吸收光谱absorptionspeetrumofaseinti tiator) 闪烁体的光吸收系数随光子的能量或波长而变化的曲线 2.3.15 闪烁体的)发射带emissionbandofaseintilhator 发射光谱中与光子发射概率最大时的能量波长)相对应的那一部分 2. .3.16 (闪烁体的)吸收带absorptionbandofascintillator) 吸收光谱中与光子吸收概率最大时的能量(波长)相对应的那一部分 2.3.17 闪烁体的)光子发射曲线photonemissioncurve(ofascintilator) 表示闪烁体单次激发所发射光的强度随时间变化的曲线 [IEV394-38-07] 16
GB/r4960.6一2008 2.3.18 闪烁体的)能量转换效率energyconversioneftieieneyofaseintillator) 闪烁体发射光子的总能量与其吸收的人射能量之比 [IEV394-38-08] 2.3.19 闪烁体的)光输出lightoutputofaseintiator 闪烁体发射光子的总数与该闪烁体吸收的人射辐射能量之比 2.3.20 闪烁体的)c-B比aBratio(ofascintilator) 在a粒子和能量相同的目粒子激发下,闪烁体的能量转换效率之比 它反映了闪烁体对电离密度 不同的粒子能量转换效率差异的程度 2.3.21 康普顿二极管Comptondiode 不需外加电源,利用能量在0.5MeV10MeV的y(X)射线与原子序数低的物质间的康普顿效 应,将部分光子能量转换为电流信号的光电探测器 它用于直接探测强脉冲的X和?射线，一般可分 为介质型和真空型两种 2.3.22 光电二极管photodiode 在两个半导体间的PN结附近或半导体与金属间的结附近,通过吸收光辐射而产生光电流的光电 探测器 [IEV394-30-18] 2.3.23 倍增极dynode 打拿级dynode 与其他电极的位置和工作情况有关的次级发射电极,它使得离开其表面的次级电子数超过人射到 其表面的初级电子数 [IEV394-30-14门 2.3.24 电子倍增器electronmutiplier 在真空中,加有递增电压的一组倍增极,通过级联过程来放大电子电流 [EV394-30-11] 2.3.25 光电倍增管photomultipliertuhe;multiplierphototuhe 由光阴极、电子倍增器和阳极组成、用于把光信号转换为电信号的真空器件 [IEV394-30-12] 2.3.26 无窗光电倍增管 windowlessphotomultipliertube;windowlessmultiplierphototube 在光源和作为光阴极的靶之间没有插人其他物质的光电倍增管 注，无窗光电倍增管的一种特殊应用是探测短波长的紫外辐射 [IEV394-30-13 2.3.27 光导lighguide 用于光的无明显损失传输的光学器件 注:可以将光导置于闪烁体和光电倍增管之间 17
GB/T4960.6一2008 [EV394-30-15] 2.3.28 transittime 光电倍增管中的)渡越时间 (in.aphwlipliertulhe) 从一个具有限定通量和持续时间无穷小的光脉冲到达光阴极开始,到阳极输出电流脉冲达到某一 指定值(例如幅度峰值或峰值的一半)时的时间间隔 [[IEV394-38-12] 2.3.29 光电倍增管中的)渡越时间分散 transittimejitter(in 1aphotomwtipliertubhe) 相对于各个光脉冲的渡越时间的变化,这些光脉冲应具有限定通量和持续时间无穷小,而且每个光 脉冲所产生的光电子数不能超过一个 2.3.30 durationof; 光电倍增管的)响应脉冲宽度responsepulse aphotomultipliertube) 当光阴极接受一个具有限定通量和持续时间无穷小的光脉冲而产生大量光电子时,在输出电流脉 冲曲线上与其半高宽相对应的持续时间 2.3.31 光电倍增管的)暗电流darkcurrent(ofaphotom nultipliertube 在光阴极无光照条件下流过光电倍增管阳极回路的电流 [[IEV394-38-14] 2.3.32 光电倍增管的)增益gainofaphotomwlipliertube) 在规定的电极电压下,阳极输出电流与光阴极发射电流之比 [IEV394-38-15 2.3.33 光电倍增管的)收集效率coleetioneflieieneyofaphotomultiplier tube 到达第一个倍增极的可测量的电子数与光阴极发射的电子数之比 [IEV394-38-16] 2.3.34 光阴极灵敏度phtweathodesensitvity 在规定的光照条件下,光阴极的光电发射电流与人射光通量之比 [IEV394-38-11] 2.3.35 lighsensitivityofaphotomutipliertube 光电储增管的)光灵敏度 光电倍增管的阴极电流除以给定波长的人射光通量之比 [IEV394-38-62] 2.3.36 光电倍增管的)光谱灵敏度 spectralsensitivityofaphotomultipliertube 作为波长函数的光灵敏度 [[IEV394-38-63] 2.3.37 光电倍增管的)光灵敏度的不均习性lightsensitivitynonuniformityofaphotomutipliertnhe 在光阴极表而上光灵敏度的变化. [[IEV394-38-64] 18
GB/r4960.6一2008 2.3.38 光阴极的)量子转换效率eonverstonquantumefieieneyof注photoeathode) 光阴极发射的电子数与给定能量的人射光子数之比 [IEV394-38-09] 2.3.39 光阴极的)光谱响应曲线spectralresponsecurveofaphotoeathode 量子转化效率随人射辐射波长变化的曲线， [IEV394-38-10] 2.3.40 光耦合材料optiealcoupledmaterial 为使闪烁体所发的光有效地传输到光电倍增管的光阴极上,在闪烁体光学窗与光电倍增管窗(闪烁 体光学窗与光导及光导与光电倍增管窗)间所加的物质 2.3.41 闪烁探测器secintiationdeteetor 由闪烁体构成的核辐射探测器,该闪烁体通常直接或通过光导与光敏器件光耦合 注闪烁体由闪烁物质组成,电离粒子在闪烁物质中沿其路径产生光辐射猝发 [IEV394-27-01] 2.3.42 空气等效闪烁探测器air-equivalenseintilationdeeetor 由有效原子序数等于或近似等于空气的材料构成的辐射闪烁探测器 [IEV394-27-02] 2.3.43 组织等效闪烁探测器tissueequivalentscntilationdeteetor 由有效原子序数近似于软组织的材料构成的辐射闪烁探测器 注:有些塑料闪烁体与组织近似等效 [IEV39427-03] 2.3.44 闪烁组合件scintebloek;seintilationintegratedbloek 将被测的电离辐射能转化为光电信号的核辐射探测器部件 通常由闪烁体,光稠合材料、光敏器件 如光电倍增管)等连成一体,在某些情况下,还包含分压器和前置放大器等,并装在同一外壳内 2.3.45 闪烁室scintillationchamber 室的内壁覆盖一薄层闪烁物质的探测元件 2.3.46 proportionalscintillatiodeteetor 气体正比闪烁探测器gas 利用气体电离特性的闪烁探测器 其光输出正比于人射粒子在闪烁气体中损耗的能量 2.3.47 全吸收峰探测器效率totalabsrptiondetectrereienesy 对于给定的光子能量,在全吸收峰内探测到的光子数与同一时间间隔内人射到探测器上的光子数 之比 注全吸收蜂探测器效率等于峰总比与探测器效率之积 [IEV394-38-19] 19
GB/T4960.6一2008 2.3.48 全吸收峰探测效率 otalabsorptiondeteetionefieie eney 在规定的儿何条件下,对于给定的探测装置和光子能量,每单位时间在全吸收峰内探测到的光子数 句 -个辐射源的发射率之比 注，全吸收峰探测效率等于峰总比与探测效率之积 [[IEV394-38-20] 2.4 半导体探测器 2.4.1 半导体semiconductor 在正常情况下,总电导率在导体与绝缘体之间的物质，总电导率由两种符号的电荷载流子形成,电 荷载流子密度可以用外部手段加以改变 注;“半导体”一词通常适用于电荷载流子是电子或空穴的情况. [IEV394-28-33 2.4.2 本征半导体intrinsicsemiconductor 近似纯净和理想的半导体,在热平衡条件下其导电的电子和空穴密度基本相等 [IEV394-28-34门 2.4.3 补偿半导体compensatedsemiconductor 半导体中一种给定类型的杂质对载流子密度的影响能部分或全部抵消另一类型杂质影响的半 导体 [IEV394-28-35] 非本征半导体extrinsicsemiconduetor 电荷载流子密度取决于杂质或其他缺陷的半导体 [IEV394-28-36] 2.4.5 N型半导体N-typeselcondetor 导电电子密度超过空穴密度的非本征半导体 [IEV394-28-37] 2.4.6 P型半导体P-t -typesemiconductor 空穴密度超过导电电子密度的非本征半导体 [IEV394-28-38] 2 4.7 半导体探测器 SemmicndIctordetector 利用在半导体电荷载流子耗尽区中电子-空穴对的产生和运动来探测和测量辐射的半导体器件 注:见2.4.1“半导体”" [IEV394-28-01] 2.4.8 surfacebarrierdetector 面垒探测器 由表面反型层形成电荷载流子耗尽区(势垒)的半导体探测器 [IEV394-28-02] 20
GB/r4960.6一2008 2.4.9 扩散结探测器diffuseljunetiondeteetor 用施主(N)型或受主(P)型杂质扩散的方法产生结的半导体探测器 [[IEV394-28-03] 2. .4.10 注入结探测器iplantedjunetiondeeetor 用施主(N)型或受主(P)型杂质注人的方法产生结的半导体探测器 注，例如离子注人探测器 [IEV394-28-04] 2.4.11 补偿型半导体探测器eompensatedsemieondectordeteetor 在P型区与N型区之间存在施主(N)和受主(P)儿乎彼此平衡的区域(补偿型半导体)的半导体探 测器 [IEV39428-05] 2.4.12 锂漂移半导体探测器lithiumdrifted semicOnductordetector 在外加电场和高温的作用下,使锂(N型)离子在P型晶体中移动以平衡(补偿)束缚杂质,从而获 得补偿区的补偿型半导体探测器 [[IEV394-28-06] 2.4.13 内放大半导体探测器amplifyingsemiconduetordetector 由类似雪崩的次级过程产生电荷倍增的半导体探测器 [EV394-28-07] 2.4. 14 透射式半导体探测器transmissionsemiconductordetector 包括人射窗和出射窗在内,其厚度薄到足以允许粒子完全穿过的半导体探测器 [EV394-28-08] 2.4.15 dE/dx半导体探测器difrterentialdE/drsemiconduetordetector 其灵敏体积厚度远小于人射粒子射程,且人射和出射的死层厚度又小于探测器灵敏体积厚度的全 耗尽层半导体探测器 [IEV394-28-09] 2.4.16 全耗尽半导体探测器totallydepletedsemicondueordeteetor 耗尽层厚度与半导体材料厚度实质上相等的半导体探测器 [IEV394-28-1o] 2.4.17 涂棚半导体探测器boroncoatedsemiconductordeteetor 表面涂有棚-10,用于探测热中子的半导体探测器 注，电离是由中子在涂层内的核反应所产生的带电粒子引起的 [[IEV394-28-1l1] 21
GB/T4960.6一2008 2.4.18 涂锂半导体探测器lithiumcoatedsemicondwectordeteetor 表面涂有锂-6,用于探测热中子的半导体探测器 注电离是由中子在涂层内的核反应所产生的带电粒子引起的 [IEV394-28-12] 2.4.19 裂变半导体探测器rissionsemiconductordetector 表面涂有裂变物质、用于探测热中子的半导体探测器 注电离主要是由中子与裂变物质进行核反应所产生的裂变碎片引起的 [IEV394-28-13] 2.4.20 condctiondeteetor 晶体导电型探测器eystal 由晶体结构均匀的半导体做成的电离探测器 2.4.21 高纯半导体探测器high-puritysemiconduetordetector 采用高纯度例如电阻率高)半导体材料的半导体探测器 [IEV394-28-14] 2.4.22 辐照补偿半导体探测器radiationcompensatedsemieonduectordeteetor 经过预先对半导体材料大剂量辐照,其电子结构是由辐射损伤掺杂造成的补偿型半导体探测器 [IEV394-28-15 2.4.23 化合物半导体探测器chemiealcompoundsemmiconductordeteetor 用化合物半导体做成的探测器 一般是用平均原子序数高、禁带宽度大,净杂质浓度低的化合物半 导体材料(例如碘化汞、碚化镐、碚锌、呻化嫁等)做成的,用于室温探测7射线 2. 4.24 中子探测器的)转换体converter(forneutrondeteetors) 涂敷在中子探测器的内壁或渗人探测器的灵敏体积内以提高探测效率的包含轻原子(例如氢)的 物质 [IEV394-28-16] 2.4.25 多结型半导体探测器multijunetionsemiconductordetector 采用几个PN结组合的半导体探测器 [IEV394-28-17] 2.4.26 平板(或平面)型半导体探测器planarsemieondueordeteetor 其灵敏体积为平板型的半导体探测器 [IEV394-28-18] 2.4.27 coaxialsemiconductordetector 同轴型半导体探测器 其灵敏体积对称环绕中心轴的半导体探测器 [[IEV394-28-19] 22
GB/r4960.6一2008 2.4.28 普通电极绪同轴半导体探测器 conventionaeleetrodegermaniumcoaxialsemiconduetordeteetor 用P型高纯错为材料,外电极为N'接触,内电极为P接触,正偏压加在外电极上的同轴半导体探 测器 2. 4.29 反电极错同轴半导体探测器revers-eleectrodegermaniumcoaxialsemiconduectordeteetor 用N型高纯错为材料,外电极为P*接触,内电极为N接触,正偏压加在内电极上的同轴半导体探 测器 2.4.30 保护环半导体探测器guard-ringsemiconduetordetector 为了降低表面电流和噪声,有一个围绕探测器灵敏面的辅助PN结的半导体探测器 [IEV394-28-20] 2.4.31 镶嵌半导体探测器m0saicsemconductordeteetor 为了增加灵敏面积,用镶嵌式结构将几个独立的探测器并联的半导体探测器 [IEV394-28-21] 2.4.32 位置灵敏半导体探测器position-sensitivesemiconductordeteector 对人射到探测器表面的电离辐射离子,能给出其一维或二维位置的半导体探测器 [IEv394-28-22 2.4.33 半导体探测器的死层deadlayerofasemiconductordetector) 半导体探测器中的一个层,粒子在该层内损失的能量的大部分对形成的信号无贡献 2.4.34 juneion 结 半导体的不同电性能区域之间的过渡层,或者是不同类型半导体之间的过渡层,其特性由阻止电荷 载流子从一个区域流到另一个区域的势垒来表征 LIEV394-28-23 2.4.35 反向偏置N结的)击穿brekdowm(of reversebiase edPNjunetiom) 当反向电压增加时,由高电阻状态向明显低的电阻状态的跃变 [IEV394-28-27] 2.4.36 avalanchebreakdown(ofa ction 结的)雪崩击穿 ajune 在强电场作用下,一些载流子获得足够的能量而产生新的空穴电子对,使半导体中载流子累积倍增 所引起的击穿 注，雪崩击穿也称场致碰撞电离 [[IEV394-28-28] 2.4.37 雪崩电压avalancheoltage 发生雪崩击穿时所加的反向电压 [IEV394-28-29] 23
GB/T4960.6一2008 2.4.38 ofasemiconductordeteetor 半导体探测器的)耗尽层depletin iolayer 构成半导体探测器灵敏体积的一层 注光子或粒子在这一区域损失的绝大部分能量都可能对形成的信号做出贡献 [EV394-28-30] 2.4.39 ofasemicondueordeeetor 半导体探测器的)全耗尽电压toealdepletionoltage 使耗尽层基本上扩散到半导体整个厚度时所加的反向电压 [IEV394-28-31] 2.4.40 半导体探测器的)电荷收集时间chargecoleetiontimeofasemiconduectordetector) 当电离粒子通过半导体探测器后,由电流积分收集的电荷从其最终值的10%增加到90%所需的 时间 [IEV394-28-32] 2.4.41 半导体探测器的)反型层 inversionlayerofasemicondctordetector) 对给定的导电类型半导体,其反型的表面层即反型层 2.4.42 (半导体探测器的)偏压bias(ofasemiconductordeteetor) 探测器两电极间所施加的反向工作电压 此电压在探测器灵敏体积内形成一定的电场强度,进而 使射线所产生的电荷被收集到两电极处而形成电信号 2.4.43 半导体探测器的)伏安特性vot-amperecharaecteristieofasemicondwetordeteetor 半导体探测器的正、反向电压-电流特性 2. 4.44 半导体探测器的)结电容junetoncapaetaneeofasemiconduetordeteetor) 半导体探测器PN结势垒层的电荷增量与加在结上的电压增量之比 2.4.45 半导体探测器的)噪声noiseofasemiconduetordeteector) 无照时,在半导体探测器输出端测到的无规则的信号,它与所加偏压的大小有关 2.4.46 面势接触surfaeebarriercontact 金属-半导体接触或金属-绝缘体-半导体接触的一种结构,其整流特性决定于接触界面上和绝缘体 中捕获的电荷 [IEV394-30-17] 2.5其他探测器 2 5.1 径迹探测器trackdeteetor 利用辐射在其内部产生的径迹以获得与辐射有关信息的核辐射探测器 2.5.2 蚀刻径迹探测器etchedtrackdeteetor 重带电粒子经过构成核辐射探测器材料时,造成材料的局部损伤,其表面经腐蚀后,使损伤的 局部显示出来,由此可测量粒子引起的径迹数目的探测器 使用某种转换材料后,该探测器也可 214
GB/r4960.6一2008 用于探测中子 3 2.5. 径迹室traekchamber 辐射在其中产生可见粒子径迹的探测器 [IEV394-26-01] 2.5.4 气泡室bublechamber 在过热液体中,沿电离粒子的路径液体沸腾时形成气泡的径迹室 [IEV394-26-02] 2.5.5 云室eloudehamber 含有过饱和蒸汽、沿电离粒子路径产生的离子作为凝结中心的径迹室 [IEV394-26-03] 2.5.6 扩散室difusionchamber 由于室壁间的温差引起饱和蒸汽连续扩散而产生过饱和蒸汽的云室 [[IEV394-26-04] 2.5.7 威尔逊云室wils Isonclodlchamber 由于快速膨胀,在短时间内产生过饱和蒸汽的云室 [IEV394-26-05] 2.5.8 火花探测器sparkdetetn 当强电离粒子通过时,能在电极间产生火花的核铜射探渊器.例如;火花室.罗森布拉姆探渊器 2.5.9 热释光探测器 tlhermoluminescentdetector 使用热释光介质的核辐射探测器,当其受热激发时能发光,发光量是探测器在电离辐射照射过程中 贮存的能量的函数 [IEV394-27-04打 2.5.10 光致发光探测器photoluminescentdetector 用光致发光材料做成的核牺射探测器,当它受电离牺射照射后,再接受某一波长光辐射时能发出另 -波长的光辐射(通常在可见光谱区内),光的强度是电离辐射过程中贮存在探测器中能量的函数 2.5.11 切连科夫探测器Cerenkodeteetor 使用能产生切连科夫效应的介质、用于探测相对论粒子的核辐射探测器 注:介质直接或通过光导与光敏器件进行光羁合 [IEV394-29-17] 2.5.12 径迹室的)敏感时间sensitivetimeofatrackehamber) 在某些径迹室(例如威尔逊云室或气泡室)内允许处于电离径迹形成状态的持续时间 [[IEV394-38-52] 25
GB/T4960.6一2008 通用核仪器及其特性和试验 通用核仪器 核仪器nuelearinstrumentatiom 用于测量电离辐射量和控制涉及电离辐射的设备或过程的仪器或设备 [[IEV394-21-01] 3.1.2 核仪器)系统system(ofnuelearinstrummentation) 为了完成一个确定的目标利用核测量方法组合起来的设备、装置、部件或连接单元 3.1.3 核仪器的)装置assemblyofnuclearinstrumentatiom) 为实现一个确定的总的功能而连接起来的一套核仪器 注1:装置可以是不同的可移动的部分,部件或分离的仪器的组合,它们都具有局部的功能 注2:用于功能和目的测量的装置是测量装置 3.1. 4 测量通道measuringchannel 由一个或多个探测器和有关的电子线路组成、用于产生相关信息的装置 [IEV39421-12] 3.1.5 部件 sub-assembly 由基本功能单元组成的装置中,起局部功能作用的部分 注例如在脉冲计数装置中,探测器和定标器部分就是部件 3.1.6 功能单元funetionnit 执行一个或一个以上基本功能的部件或部件组合 注，例如在“定标器"中,“成形单元",“脉冲幅度甄别单元",“定标单元”都是功能单元 [IEV394-21-02] 3.1.7 插件module 通常具有前面板并能单独或多个一起插人机箱的插拔式单元,例如NIM插件 [IEV394-21-06 3.1.8 核仪器插件(NIMnuelearinstrumentationmodule(NI1 在科学和工业领域中使用的一种标准化插件式核仪器系统中的部件 [IEV394-21-05] 3.1.g NIM机箱NIMbinm 设计用于容纳核仪器插件的机箱 [IEV394-21-04] 3.1.10 controlcAMIAC 计算机自动测量和控制插件(CAMAC computerautomatedmeasurementandlG 在科学和工业应用中使用的一种标准化插件式仪器和数字接口系统 [IEV394-21-07] 26
GB/r4960.6一2008 3.1.11 CAMAC机箱控制器cCAMACcrate-eontroler 安装在控制站中或者安装在一个或多个CAMAC机箱标准站中的功能单元它控制数据通路 运行 注1:标准站是CAMAC机箱中插人单元的安装位置,它提供通向数据通路的路径 注2:控制站是cAMAc机箱中容纳该机箱控制器的一个安装位置.它提供通向所有站编码和“中断信号(LAM” 线的路径 [IEV394-21-08] 3.1.12 并行(cAAC)机箱控制器paralel(cAAC)erteeotroler 用作机箱通道和并行分支干线之间信息连接的一种机箱控制器 3 1.13 串行(CAAC)机箱控制器serial(cAMAC)cratecontroller 用作机箱通道和串行分支干线之间信息连接的一种机箱控制器 3.1.14 总线bus 计算机或数字仪表的元器件之间的电气连接,通过总线信息可以从任一信息源传输至任一目 的地 [IEV394-21-09] 3.1.15 快总线fastbus -种标准化模块式的数据高速采集和控制系统 该系统具有大量的地址域且可能按单机箱系统或 多机箱系统配置,在多机箱系统中机箱能够与多个处理器一起自动运行,也可以为实现数据传输、控制 和整个系统寻址信息提供路径 [[IEV394-21-10] 3.1.16 辐射测量仪radiationmeter 用于测量电离辐射的仪器 [IEV394-22-01] 3.1.17 辐射监测仪radiationmonitor 用于测量电离辐射水平并能发出报警信号的装置 注，辐射监测仪也可以提供定量信息 [IEV394-22-03] 3.1.18 radiationindicator 辐射指示仪 借助于可视或可听信号,对与电离辐射有关的量提供粗略估计的一种装置 3.1.19 辐射测量仪的)探头probeofaradiationmeter -种可能带有前置放大器及某些功能单元的核辐射探测器 其构造使它能在难接近的或远离与其 相连接仪器的位置上工作