半导体材料术语

半导体材料术语

国家标准 GB/T14264一2009 代替GB/T14264一1993 半导体材料术语 Semiconductormaterials一Tersanddefinitions 2009-10-30发布 2010-06-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管蹬委员会国家标准
GB/T14264一2009 半导体材料术语 范围 本标准规定了半导体材料及其生长工艺、加工、晶体缺陷和表面沾污等方面的主要术语和定义 本标准适用于元素和化合物半导体材料 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准 ASTMF1241硅技术术语 SEMIM59硅技术术语 术语 以下术语和定义适用于本标准 3.1 受主aceeptor 半导体中的一种杂质,它接受从价带激发的电子,形成空穴导电 3.2 电阻率允许偏差alowableresistivitytolerance 晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值,它可以用标称值的百分数 来表示 3. 3 厚度允许偏差allowablethicknesstoleraece 晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值 3.4 各向异性anisotropie 在不同的结晶学方向具有不同的物理特性,又称非各向同性,非均质性 3.5 各向异性腐蚀anisotropieeteh 沿着特定的结晶学方向,呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀 退火annealing 改变硅片特性的热过程 ? 退火片 anealedwafer 在惰性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷(CcOP)区的硅片 3.8 脊形崩边apexchip 从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域 该区域至少含有2个清晰的内界面,而形成一条或多条 清晰交叉线
GB/T14264一2009 3.9 区域沾污areacomtamination 在半导体晶片上,非有意地附加到品片表面上的物质它的线度远大于局部光散射体 区域沾污可 以是由吸盘印,手指或手套印迹、污迹、蜡或溶剂残留物等形成的晶片表面上的外来物质 3.10 区域缺陷areadefect 无标准定义,参看延伸的光散射体(3.28.6) 氨气退火的硅片 argonannealedwafer 在氧气气氛下进行高温退火的硅片 3.12 自掺杂autodoping(selr-doping 源自衬底的掺杂剂掺人到外延层中 自掺杂源可来自衬底的背面、正面以及边缘、反应器中的其他 衬片,基座或沉积系统的其他部分 3.13 backseal 背封 在硅片背表面覆盖一层二氧化硅或其他绝缘体的薄膜,以抑制硅片中主要掺杂剂向外扩散 3.14 背面baeksidle 不推荐使用的术语 如在ASTMF1241中规定的使用术语“背表面” 3.15 背表面baeksurfaee 半导体晶片的背表面,相对于在上面已经或将要制作半导体器件的暴露表面 3.16 基底硅片basesiliowafer 指sO片,在绝缘薄层下面的硅片,支撑着上层的硅薄膜 3. 17 块状结构boekstrueture 参见胞状结构(3.27) 3.18 键合界面 bondinginterface 两种晶片之间的键合面 3.19 bondingwafer 键合硅片 两个硅片键合在一起,中间有绝缘层,这种绝缘层是典型的热生长的二氧化硅 3.20 弯曲度bow 自由无夹持晶片中位面的中心点与中位面基准平面间的偏离 中位面基准平面是由指定的小于晶 片标称直径的直径圆周上的三个等距离点决定的平面 3.21 亮点brighpoinmt 不推荐的术语,参见局部光散射体(LLS)(3.28.3).
GB/T14264一2009 3.22 buriedl 埋层 layer 外延层覆盖的扩散区,又称副扩散层或膜下扩散层 3.23 埋层氧化物硅buriedoxide 由氧注人形成的氧化物氧化硅)层 3.24 埋层氧化(oxburtedosidlelayer 当绝缘层为二氧化硅时,硅片中间的绝缘层 3.25 载流子浓度earrierdensity 单位体积的载流子数目 在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度 空穴浓度的符号为 p,电子浓度的符号为n 3.26 半导体材料中的载流子carrier,insemieonduetormaterials -种能携带电荷通过固体的载体 例如,半导体中价带的空穴和导带的电子 又称荷电载流子 3.27 胞状结构cellstructure 来源于晶体生长过程中晶体不均一性的畸变,也理解为块状结构 3.28 晶片的表面检查eheekofwafersurface 3.28.1 扫描表面检查系统(SsIs) scanningsurfaceinspectionsystem 用于晶片整个质量区的快速检查设备,可探测局部光散射体、雾等,也叫做颗粒记数器(particle counter)或激光表面扫描仪(lasersurfacescanner) 3.28.2 激光光散射现象laserlight-scatteringevent 个超出预置值的信号脉冲,该信号是由探测器接收到的激光束与晶片表面局部光散射体相互 作用产生的 3.28.3 局部光散射体(LLs)localizedlight-scatterer -种孤立的特性,例如晶片表面上的颗粒或蚀坑相对于晶片表面的光散射强度,导致散射强度增 加 有时称光点缺陷 尺寸足够的局部光散射体在高强度光照射下呈现为光点,这些光点可目视观察 到 但这种观察是定性的 观测局部光散射体用自动检测技术,如激光散射作用,在能够区分不同散射 强度的散射物这一意义上,自动检测技术是定量的 LLs的存在也未必降低晶片的实用性 .28.4 33 光点缺陷(LPDlightpointdefeet 不推荐的术语,参见局部光散射体(LLS)(3.28.3). 注2;LPD是通用的术语,它包括类似乳胶球和其他可检测到的表面不平整性 3.28.5 ence 乳胶球当量(LsElatexsphereequvale 用 一个乳胶球的直径来表示一个局部光散射体(LI.S)的尺寸单位,该乳胶球与局部光散射体 LLS)具有相同光散射量 用“LSE”加到使用的长度单位来表示,例如0.2AmLSE
GB/T14264一2009 3.28.6 延伸光散射体(xI.S)extendedlightscatterer -种大于检查设备空间分辨率的特征,在晶片表面上或内部,导致相对于周围晶片来说增加了光散 射强度,有时称为面缺陷 29 33 半导体工艺中的化学-机械抛光(CMPchem-meehanilealplanarizaton,insecondetorteehnology 利用化学和机械作用去除晶片表面物质,为后续工艺提供镜状表面的一种工艺 3.30 化学气相沉积(CVD)ehemienlvapordep0sitom 半导体工艺的化学气相沉积,是一个工艺过程,其控制化学反应,制成一个表面薄膜 3.31 崩边(边缘崩边周边崩边，圆周缺口,表面崩边chipedgechips;periphernlehips,peripherl indents,surfacechips 晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域 某些崩边是在晶片加工,测量或检验时,因传送或 放置样品等操作引起的 崩边的尺寸由样品外形的正投影图上所测量的最大径向深度和圆周弦长 确定 3.32 夹痕chuckmark 由机器手,吸盘或条形码读人器引起的晶片表面上的任一物理印迹 3.33 解理面eleavageplane -种结晶学上优先断裂的晶面 3.34 补偿compensaton 除去主掺杂剂浓度的杂质以外的杂质存在引起自由载流子数量的减少 3.35 补偿掺杂compensationdoping 向p型半导体中掺人施主杂质或向n型半导体中掺人受主杂质,以达到反型杂质电学性能相互补 偿的目的 3.36 化合物半导体eompondsemieonductor 由两种或两种以上的元素化合而成的半导体,如呻化嫁、磷化钠、缔化镐等 3.37 浓度 cOncentration 混合物中少数组分的量对于多数组分的比例如每百万分之几,每十亿分之几或百分之几) 3.38 电导率conductivity 载流子在材料中流动难易的一种度量 符号为a,单位为(Q cm- 3.39 导电类型conductivitytype 半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性
GB/T14264一2009 3.40 恒定组分区constantcompositionregion GaAsi-,P外延层中最后生长层的组分,该组分值按设定值保持不变，一般是磷的摩尔百分数， r=0.38 沾污contaminant,particulate 参见LLs(3.28.3 42 晶体原生凹坑COP)crystaloriginatedpit 在晶体生长中引人的一个凹坑或一些小凹坑 当它们与硅片表面相交时,类似IIs 因为在使用 sSIS观察时,在一些情况下它们的作用与颗粒类似,因此最初这种缺陷被称为晶体原生颗粒(crystal originatedpartieulate) 总之,现代的SSIS一般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑 当晶体原生凹坑 存在时,表面清洗或亮腐蚀常常会增大其被观察的尺寸和数量 3.43 裂纹crack 延伸到晶片表面的解理或断裂,其可能或许没有穿过晶片的整个厚度 3 44 火山口(弹坑状 crater 平滑中心区域的具有不规则的封闭山脉状表面织构 3.45 新月状物erescents 外延沉积后具有平行主轴的结构,其归因于硅衬底表平面的上面或下面的衬底缺陷,参见鱼尾状物 3.89 46 3. 鸦爪erow'sfoot 相交的裂纹,在(111)表面上呈类似乌鸦爪的“Y”图样,在100)表面上呈十字“十”形的图样 3.47 晶体crystal 在三维空间中由原子,离子或分子以一周期性图形排列组成的固体 48 晶体缺陷crystaldefeet 偏离理想晶格点阵中原子有规则的排列 3.49 晶体指数erystalindices 见密勒指数(3.158) 3.50 结晶学表示法erystalographicnotationm 用于标示晶体中晶面和晶向的密勒指数的一种符号体系 晶面 ,如1ll) 晶面族 ,如111 晶向 1,如[111 晶向族 >,如(1ll
GB/T14264一2009 3.51 晶面erystalographicplane 通过空间点阵中不在同一直线上的三个结点的平面 3.52 切割ceuttimg 把半导体晶锭切成具有一定形状的工艺 3.53 损伤damage 单晶样品的一种晶格缺陷,是一种不可逆转的形变,它因室温下没有后续热处理时的表面机械加工 引起,像切割,磨削,滚圆,喷砂,以及撞击造成 3.54 深能级杂质depledimpurity -种化学元素,引人半导体中形成一个或多个能级,且它的能级多位于禁带的中央区域,这类杂质 称深能级杂质 3.55 掺杂浓度densityofdopantatoms 在一个掺杂半导体中,每单位体积中的掺杂剂的数量 当下列三种情况时:(1)半导体没有补偿,(2)掺杂原子仅仅是施主或受主之一的单一类型,(3)掺杂 原子100%被电离 载流子的浓度等于掺杂剂的原子浓度 3. .56 洁净区denudedzone 在硅片的一个特定区域,通常仅仅位于硅片正表面之下,其中的氧浓度下降到一个比较低的水平 导致了体微缺陷密度(氧沉淀)减少 3.57 耗尽层depletionlayer 可动载流子电荷密度不足以中和施主或受主的净固定电荷密度的区域 又称势垒区、阻挡层或空 间电荷层 3.58 耗尽层宽度depletionwidth 临近金属-半导体接触的半导体中的一个区域的宽度,该区域内荷电载流子密度不够中和施主和受 主的固定电荷密度 3.59 直径diameter 横穿圆片表面,通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度 3.60 扩散层dirusellayer 采用固态扩散工艺将杂质引人晶体,使单晶近表面层形成相同或相反导电类型的区域 3.61 凹坑dimple 晶片表面的一种浅凹陷,具有一个凹面,似球状的外形和倾斜的侧面 在适当的光照条件下,肉眼 可见 在抛光初始阶段,晶片浮抛可能诱生这种表面织构
GB/T14264一2009 3.62 污物dirt 半导体晶片上的尘埃,表面污染物,不能用预检查溶剂清洗去除 3.63 位错disoeationm 晶体中的一种线缺陷它是晶体中已滑移与未滑移区之间边界构成的,或是以伯格斯回路闭合性破 坏来表征的缺陷 3.64 位错排dislocation array -种位错蚀坑的某一边排列在一条直线上的位错组态 3.65 位错密度diislocationdensity 单位体积内位错线的总长度em/emi'),通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目(个 cm)来表示 3.66 位错腐蚀坑disloeationetchpit 在晶体表面的位错应力区域,由择优腐蚀而产生的一种界限清晰、形状规则的腐蚀坑 3.67 D晶片I wafer 由硅多晶、二氧化硅和硅单晶区域组成的一种晶片 3.68 施主donon 一种杂质或不完整性,它向导带提供电子形成电子导电 半导体中- 3.69 掺杂剂dopamt -种化学元素,对元素半导体,通常为周期表中的川族或V族元素 以痕量掺人半导体晶体中,用 以确定其导电类型和电阻率等 3.70 掺杂条纹环dopantstriationrings 硅片表面上由于杂质浓度的局部变化呈现出的螺旋状特征 3.71 掺杂doping 将特定的杂质加人到半导体中,以控制电阻率等 3.72 掺杂片dopingwafer 经工艺处理已变成含有附加结构,可进人器件加工工艺的半导体基片 3.73 边缘凸起eugeerown 距晶片边缘3.2mm(1/8英寸)处的表面高度与晶片边缘处高度之间的差值 单位为pm. 3.74 边缘去除区域edgeexclusionarea 晶片的合格质量区和晶片实际周边之间的区域,该区域随晶片实际尺寸而变化
GB/T14264一2009 3.75 标称边缘去除(EE)edgeexeusionnominal 对标称边缘尺寸硅片,指从合格质量区边界到品片周边的距离 3.76 边缘轮廓edgeprofile 在边缘倒角的晶片上,其边缘经化学或机械加工整形,是对连结晶片正面与表面边界轮廓的一种 描述 3.77 倒角edgerounding 晶片边缘通过研磨或腐蚀整形加工成一定角度,以消除晶片边缘尖锐状态,避免在后序加工中造成 边缘损伤 3.78 外延层的有效层厚度effeetivelayerthiekenessofanepitaxiallayer 距正面的深度,在该深度内,净载流子浓度在规定范围内 3.79 电子导电eleetronconduetion 在半导体单晶中,导带中的一种带电载流子,其作用像带负电荷的自由电子,但通常有稍微不同的 质量,是n型材料中的多数载流子 3.80 元素半导体 elementalSemicOnductor 由一种元素组成的半导体 如硅和错 3.81 外延层epitaxiallayer 在基质衬底上生长的半导体材料单晶薄层,其晶向由衬底决定 3.82 外延epttaxy 用气相、液相、分子束等方法在衬底上生长单晶薄层的工艺 在衬底上生长组份与衬底材料相同的 单晶薄层,称同质外延;在衬底上生长与衬底材料组份不同的单晶薄层,称异质外延 3.83 腐蚀etch 用一种溶液,混合液或混合气体侵蚀薄膜或衬底的表面,有选择地或非选择地去除表面物质 见各 向异性腐蚀(3.5)、择优腐蚀(3.195) 3.84 腐蚀坑etchpit 晶片表面上局限于晶体缺陷或应力区处择优腐蚀形成的凹坑 3.85 腐蚀的多晶硅etchedpolysilicon 用酸腐蚀去除表面沾污后的多晶硅 3.86 非本征的extrinsie 1)导电性的电导率-温度曲线是由掺杂剂原子提供的电子或空穴控制的区域 2)一个过程,例 如,像非本征吸除,是由晶片本身以外的因素引起的
GB/T14264一2009 3.87 层错falt 见堆垛层错(3.238) 3.88 基准 iducial 指晶片上的一个平面或切口,以提供其结晶轴的参考位置 3.89 鱼尾状物fishtails 属于衬底的结构缺陷,外延沉积后的表平面的上面或者下面,沿特定的结晶学方向排列的"尾状 物”,参见新月状物(3.45). 3.90 合格质量区(ro fixedqalityarea 标称边缘除去后所限定的晶片表面中心区域,该区域内各参数值均符合规定的要求 FQA的边界是距标称尺寸的晶片边缘的所有点 FQA的大小与晶片直径和参考面长度的偏差无 关 为了规定FQA,假定在切口基准位置处晶片标称尺寸的周边是沿着直径等于晶片标称直径的圆 周 为规定去除区域,对有切口、激光标志,或处理/夹片装置接触晶片的区域,规定的参数值不适用 3.91 鳞片lake 从晶片的一面上剥落而从另一面上不剥落材料的区域 在晶片内部界线为一条长度不超过2mm 的清晰直线或弧线,且不会延伸到规定的边缘去除区域以外的晶片处 92 3. 参考面直径tatdiameter 横过半导体晶片表面,从参考面中点沿着垂直于参考面的直径,通过品片中心到相对边缘的圆周的 直线长度 参考面直径常与主参考面联系在一起 在主参考面和副参考面相对的情况下,比如125 mm 的或更小直径的(100)n型晶片,参考面直径的概念不能使用,因为直径垂直参考面,它不能与晶片圆周 相交 3.93 半导体晶片的参考面flat,onsemmeonduetorwafer 晶片圆周的一部分被割去,成为弦 见主参考面(3.197)、副参考面(3.217) 3.94 外延层的平坦区flatzone,ofaneptasiallayer 从正表面到净载流子浓度大于或小于外延厚度的0.250.75区域内平均净载流子浓度的20%的 点的深度 3.95 平整度latness 晶片背表面为理想平面时,例如,晶片背表面由真空吸盘吸附在一个理想、平坦的吸盘上,晶片正表 面相对于一规定的基准面的偏差,以TIR或FPD的最大值表示 晶片的平整度可描述为下面任何一种 a)总平整度; 在所有局部区域测量的局部平整度的最大值; b 局部平整度等于或小于规定值的局部区域所占的百分数
GB/T14264一2009 3.95.1 焦平面foealplane 与成像系统的光轴垂直且包含成像系统焦点的平面 成像系统使用的基准平面和焦平面重叠或平行,全视场成像系统使用重叠的总焦平面和基准平面 局部视场成像系统使用局部焦平面和基准平面重合或者使用取代的局部焦平面和总基准平面 若基准 平面和焦平面不重合,用焦平面代替基准平面,所以正表面局部区域的中心点位于焦平面上 3.95.2 deviation 焦平面偏差FPD) telplae 晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离 3.95.3 总平整度globallatmess 在FQA内,相对于规定基准平面的TIR值或FPD的最大值 3.95.4 最大的FPDnmaximumFPD 焦平面偏差中绝对值最大的值 3 .95.5 百分可用区域percentusablearea 在FQA内符合规定要求的面积比,以百分数表示 PUA通常是指符合要求的局部平整度区域 包括完整的或全部的)所占的百分数 3.95.6 基准面 referenceplane 由以下的一种方式确定的平面: a)晶片正表面上指定位置的三个点; b)用FQA内的所有点对晶片正表面进行最小二乘法拟合 o用局部区域内的所有的点对晶片正表面进行最小二乘法拟合 d)理想的背面(相当于与晶片接触的理想平坦的吸盘表面. 选择规定的基准面应考虑成像系统的能力,应根据晶片放置系统选用正表面或背表面为基准面 如果成像系统中晶片不能用万向夹具固定,应规定背面为基准面 3.95.7 scandireetionm 扫描方向 在扫描局部平整度计算中顺序扫描次局部区域的方向 局部平整度值可能与扫描方向有关 3.95.8 scannersitelatness 扫描局部平整度 一个局部区域内的次局部区域的TIR或FPD的最大值 一个次局部区域的TIR是在合格质量区 内和局部区域内的这个次局部区域的TIR 一个次局部区域的最大FPD是在合格质量区内和局部区 域内这个次局部区域的最大FPD 基准面的计算用到了合格质量区内的次局部区域所有的点 精确的扫描器局部平整度的测量要求测量点足够接近,足以详细地显示表面形貌 推荐测量扫描 局部平整度使用相邻点间隔为1mm或更小些的数据点阵列 3.95.9 局部区域site 晶片正表面上平行或垂直于主定位边方向的区域 10
GB/T14264一2009 3.95.10 局部区域阵列sitearay -组邻接的局部区域 3.95.11 局部平整度sitelatness 在FQA内,一个局部区域的TIR或FPD的最大值 精确的局部平整度测量要求测量邻接的定位点,足以详细地显示表面布局 推荐测量局部平整度 利用一组相邻点间隔2mm或更小些的数据点阵列;也可推荐用来计算局部平整度的数据组,其数据取 自每个局部区域的拐角处及沿着各局部区域的边界处 这样使得局部区域的有效测量面积等于局部区 域的大小 3.95.12 局部区域内的次局部区域susite,ofasite 晶片正表面上的一个矩形区域.L×w.,与一个特定局部区域有关.次局部区域的中心必须在此 局部区域内且矩形的某一部分都在FQA内或落在FQA的边界上 次局部区域与步进光刻机曝光时 的瞬时区域相一致 3.95.13 totalindicatorreading 总指示读数(TIR) 与基准平面平行的两个平面之间的最小垂直距离 该两平面包含了晶片正表面FQA内或规定的 局部区域内的所有的点 3.95.14 总指示器偏移 TIRtotalindicatorrunout 在硅片正表面,包含位于规定的平整度质量区域或地点的所有点的,相对于参照平面平行的两个平 面之间的最小垂直距离 3.96 悬浮区熔法(r)rlotationzonemethod 将晶锭垂直固定,在下端放置籽晶,利用熔体的表面张力,在籽晶上方建立熔区,然后以一定的速度 垂直向上进行区熔,将晶锭提纯并制成单晶的方法 3.97 四探针 fourpointprobe 测量材料电阻率的一种点探针装置 其中一对探针用来通过流经样片的电流,另一对探针测量因 电流引起的电势差 3.98 流动图形缺陷(FPDs)nowpatterndefeects 在硅片表面用特定腐蚀液Secco腐蚀剂择优腐蚀显示出的呈流线状的腐蚀痕迹 3. .99 裂痕fraeture 见裂纹(3.43) 100 3. 正面frontside 不推荐使用的术语 如在SEMIM59-1105中规定的使用术语“正表面” 3.101 正表面frontsurface 半导体硅片的前表面,在上面已经制造或将制造半导体器件的暴露表面 1l
GB/T14264一2009 3.102 炉处理硅片 furnacewafer 可用于监控热工艺或作为注人的监控,通常只在洁净室使用 3.103 碘化稼退火GaAsamnealed 3. .103.1 退火GaAsannealing 将置于炉子中的GaA、加热到特定温度的过程,它是在还原气氛中进行的,退火过程中要设法防止 由于升华所造成的材料表面伸(As)损失 3.103.2 盖帽退火ceappedannealing 为防止退火过程中,样品表面A、蒸气损失在GaAs试样表面放置一保护层(通常是氮化硅si.N 或二氧化硅SiO作保护层),注意;盖帽方式不同对测试结果有一定影响 3.103.3 邻近退火prosimityamnealim 将GaA、试样置于两个同样GaA、片中间,以此来减少退火时呻燕气在退火过程中GaA、样品表面 As的损失 3.104 嫁夹杂ealtuminewsinm 结合到表面结构中的一种分凝的富嫁微滴 在晶体生长工艺结束时,通常由于呻的燕气压不足或 由嫁与某些近于饱和的掺杂剂络合产生的 3.105 aded 渐变区gr"i region 用于起始生长的GaAs-,P外延层,其在生长过程中外延层的组分由GaAs逐渐变为GaAsi- 该层的目的是尽可能该少GaAs衬底与GaAs1-,P外延层同的晶格失配 P. 3.106 晶粒间界grainbondary 固体内,一晶粒与另一晶粒相接触的界面,简称晶界 该界面上的任一点至少构成两个晶向差大于 1的晶格点阵 3.107 吸除getering 使杂质在晶片特定区固定.以获得表面洁净区的工艺过程 3.108 电阻率梯度gradient,resistiity 也常常被称为径向电阻率梯度radialresistivitygradient(RRG)不推荐使用的术语 3.109 einsemiconduetorwafer 半导体晶片的沟槽grooe 通常为半导体晶片上的一种抛光时没有完全去除的、残存的、边缘光滑的浅划伤 3.110 霍尔系数hallceffieient 见霍尔效应(3.lll) 12
GB/T14264一2009 3.111 霍尔效应hall-efleet 若对通电的样品施加磁场,由于罗伦兹力的影响,在与电流与磁场的垂直方向上有横向电势差产 生,该效应称为霍尔效应 所产生的横向电场为霍尔电场 霍尔电场的大小与磁感应强度及电流密度 成正比 比例系数R称为霍尔系数,其计算公式为: RH=士/ne 式中,“十”、“一”号分别对应空穴导电和电子导电,y是一个与散射机构、样品温度、能带结构及磁 场强度有关的因子 n为载流子浓度,e为电子电荷 单位为m=/C 3.112 霍尔迁移率hall-mobility 霍尔系数和电导率的乘积 RHo),与迁移率有相同的量纲,通常将这个量叫做霍尔迁移率,用4H 表示: RHa H 3.113 手刻标记handseribemark 为了识别晶片，一般在晶片的背面比如用金刚石刻刀,手工刻在晶片表面的任何标记 3.114 haze 雾 由表面形貌(微粗糙度)及表面或近表面高浓度的不完整性引起的非定向光散射现象 由于一群不完整性的存在,雾是一个群体效果;引起雾的个别的这种类型的不完整性不能用眼或其 他没有放大的光学检测系统很容易的辨别 对于一个颗粒计数器(sSIS),雾可引起本底信号及激光光 散射现象,它和来自硅片表面的光散射,两者共同组成信号 它是由一个光学系统收集的,由人射通量 归一化的总散射光通量 3.115 重掺杂heayydoping 半导体材料中掺人的杂质量较多,通常硅单晶中杂质浓度大于10'"cm,为重掺杂 3.116 异质外延heteroepitaxy 见3.82 3.117 Hr缺陷Hdefects 在氢氟酸液中浸蚀一段时间后缀饰的SOI层中的缺陷 3.118 空穴hole 半导体价带结构中一种运动空位,其作用就像一个正有效质量的带正电荷的电子一样 在p型半 导体材料中,空穴为多数载流子 3.119 同质外延 hom0epitaxy 见3.82 3.120 水平法horiomtalerystalgrowthmethodl 沿着水平方向生长单晶体的一种方法 13
GB/T14264一2009 3.121 氢退火的硅片hydrogenannealedwafer 在氢气气氛下进行高温退火的硅片 3.122 亲水性hydrophilie 对水有很强的亲和力,可湿润的 3.123 疏水性hydrophobie 对水完全不具亲和力,不可湿润的 3.124 疏水性表面hnydrophobiesurface 晶片接触角大于60",例如:原始外延的,或用HF或MIs[六甲基乙硅烧(hexamethyldisr lazane处理过的表面 3.125 嵌入磨料颗粒imbeddedabrasive "grain embedded 表面上嵌人的磨料细粒,磨料微粒机械地强制嵌人半导体表面 3.126 杂质浓度impuritycoeentrationm 单位体积内杂质原子的数目 3.127 杂质富集immpurityconcentration 在生长重掺杂单晶时,如果杂质在晶体中的分凝系数K远远小于1时,在晶体尾部,由于熔体杂质 浓度过高,组分过冷而使杂质局部富集,当晶体中杂质浓度超过其固溶度时发生的杂质析出现象 3.128 缺口indent 上下贯穿边缘的缺损 3.129 红外吸收系数(IR)infraredabsrptioncerieient 波长为入的红外光通过半导体试样.试样透过率倒数的自然对数与试样光程之比 单位为em 3.130 红外吸收光谱infraredabsorptionspeetrum 当半导体受到红外光的辐射时,产生振动能级跃迁 在振动时伴有偶极距改变的原子,吸收红外光 子所形成的光谱 3.131 硅工艺中的晶锭ingot,insilieonteehnology -种圆柱形或长方形固态硅多晶或硅单晶 3.132 界面interface 两相或两体系(如衬底和外延层)间的区域 当用特殊的测试方法如红外反射或扩展电阻剖面测量 时,衬底与外延层的边界 3.133 本征半导体 intrinsicsemicOnductor 晶格完整且不含杂质的单晶半导体,其中参与导电的电子和空穴数目相等 14
GB/T14264一2009 3.134 离子注入 iomimplantation 将杂质离子在真空中加速到一定能量后,以高速度穿过晶体表面进人体内,经过与晶体原子的不断 碰撞而速度减慢,最后在晶体的一定深度处终止，经过适当热处理,达到掺杂的目的 3.135 各向同性腐蚀isotropieetch 通常是指不同的结晶学平面呈现出相同腐蚀速率的腐蚀方法 136 3. lamella 夹层 一种多重李晶,极薄且又比较长,可能与- 李晶的一种特殊情况:一 一个以上的平面相交 3.137 研磨lapping 利用研磨液,把切割片研磨成具有一定儿何参数的品片的工艺 3.138 劳埃法lauemethwd 用连续能谐的X射线投射到固定的单晶体上,满足布拉格定律的X射线得到的反射,对反射出的 x射线进行晶体学分析,以确定晶体宏观对称性的一种X射线衍射方法 3.139 薄层边界layerbondary 衬底与薄层的界面 3.140 寿命lifetime 晶体中非平衡少数载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数载流子浓度衰减 到起始值的1/e(e=2.718)所需的时间 又称少数载流子寿命,体寿命 非平衡少数载流子寿命等于非平衡少数载流子扩散长度的平方除扩散系数所得商,而扩散系数是 设定的或由载流子迁移率测量确定的 寿命符号为,单位为s 3.141 系属结构lineage 由位错阵列引起的小角度晶粒间界 系属结构包括位错坑,晶粒间界 由位错排造成的小角晶界 由于晶体的一部分与另一部分取向 差别该角度可从零点几秒到1分(弧度)变化 在择优腐蚀面上,该位错排会呈现为多列腐蚀坑 在晶 体生长以及随后的热处理或外延工艺中,系属结构可能被引人材料,只有在择优腐蚀后,系属结构才会 用肉眼观测到 3.142 线性厚度变化(LT) inearthicknessvariatiom 晶片的正表面和背表面能用两个非平行平面表示的晶片厚度变化 143 3. 液相外延(LPE)liquidphaseepitasy 把半导体材料溶解在溶剂中,使其形成饱和溶液,然后把此饱和溶液覆盖在单晶衬底上,降低温度， 溶液过饱和,在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺 3.144 光刻硅片lithographywafer 专门用于试验光刻设备的硅片,为此对工艺监控来说表面平整度是关键 该种硅片一般只在洁净 室环境中使用 15
GB/T14264一2009 3.145 defees 红外散射缺陷(LSDs) laserscatteringtop0graphy 利用红外激光散射层析成像观察到的缺陷 3.146 批lot 出于晶片商业交易的目的(a)一个发运出货中包含同一标称尺寸和特征的全部晶片,或(b)由上述 晶片组成的由承制方标识的大包装中的一部分,视为一批 3.147 小角晶界low-anglegrainboundary 品体中相邻区域晶向差别在几分之1'到1"的晶粒间界 化学腐蚀后呈现的一个腐蚀坑顶对另一 个腐蚀坑底直线排列的位错组态 3.148 重划伤 macroscratch 用肉眼在白炽灯(高强度光)或荧光灯(漫射光)照明条件下可看得见的划伤 3.149 eticfieldcz0ehralski 磁场拉晶法(Mcz magne 1crystalgrowth 晶体生长时,外加磁场,抑制熔体的热对流,熔体温度波动小,是一种生长单晶的方法,按照磁场相 对于单晶拉制方向有横向磁场法和纵向磁场法等 3.150 多数载流子majoritycarrier 在非本征半导体中,多于载流子总浓度半数的载流子,例如p型半导体中的空穴 3.151 痕迹 mark 真空吸盘、真空吸笔或不清洁的锻子夹持晶片边缘所引起的表面局部沾污,及可能由包装引起的环 绕整个边缘区域的痕迹,等等 3.152 ofslices 晶片机械强度 mechanicalstrength 晶片抗破碎与翘曲的内在力学性能 3.153 mechanicaltestwafer 机械测试片 侧重于尺寸和结构特性检测的硅片,只适用于检验仪器 154 3. 机械硅片mechaniealwafer 适用于设备和工艺试验的硅片 该种硅片一般只在洁净室环境外面使用 3.155 中位面mediansurface 与晶片的正表面和背表面等距离点的轨迹 3.156 微缺陷 microdefect 晶体中缺陷尺寸通常在微米或亚微米数量级范围内的缺陷,微缺陷是无位错区熔和直拉硅单晶中 常见的一类缺陷 16
GB/T14264一2009 3.157 轻微划伤mieroserateh 用肉眼在荧光灯(漫射光)照明条件下看不见,但在白炽灯高强度光)照明条件下可以看得到的 划伤 3.158 结晶学平面密勒指数Milerindices,ofacrystallographicplane 晶面在三个单位长度晶轴上截距的倒数的最小整数比 3.159 carrier mmrity 少数载流子 min 在非本征半导体中,少于载流子总浓度半数的载流子,例如,p型半导体中的电子 3.160 迁移率mobility 载流子在单位电场强度作用下的平均漂移速度 在单一载流子体系中,载流子迁移率与特定条件 下测定的霍尔迁移率成正比,迁移率的符号为丝,单位为cm/(VS). 3.161 分子束外延(MBEmoleulareameptay 在超高真空下,使衬底保持在适当温度,把一束或多束分子连续沉积到衬底表面而得到超薄单晶层 的工艺 3.162 月球火山口(月牙洼 m00ncrater 半导体硅片上的月球火山口(月牙洼),在旋转杯状腐蚀器中化学抛光的最初阶段硅片漂浮产生的 表面织构 3.163 小丘mound 半导体晶片上的凸起物,带有一个或多个不规则显露的小平面 3.164 硅片表面的纳米形貌 opographyofawafersurface nan0t0 在近似0.2mmm一20nmm空间波长范围内一个表面不平整的偏差 3.165 在硅片表面的纳米拓扑结构nanotopologyofawafersurfaee 见(3.164) 3.166 自然氧化物nativeoxide 在空气或清洁溶液中,抛光片和外延片上生长的硅,氧和水的化合物 3.167 中子擅变掺杂(NTD) neutrontransmutationdoping 用中子流辐照硅单晶锭,使晶体中的Si”娘变成磷原子使硅单晶掺杂 3.168 非线性厚度变化(NTV)onlinearthickessvariation 宏观非均匀厚度变化 此种晶片的剖面近似于凸透镜或凹透镜的剖面 3.169 半导体晶片切口 notch,onasemiconductorwafer -种有意制作的具有规定形状和尺寸的凹槽 其定向为通过切口中心的直径平行于规定的低指数 晶向 17
GB/T14264一2009 3.170 总固定电荷密度(Ntf) totalixedlehargedensity 不可动电荷密度之和:氧化物固定电荷、氧化物俘获的电荷以及界面俘获的电荷密度 3.171 n型半导体n-typesemiconductor 多数载流子为电子的半导体 3.172 晶向偏离offorientation 晶片表面法线与晶体结晶学方向偏离的一定角度 3.173 桔皮orangepeel 在荧光照明下晶片表面呈现的一种肉眼可见的形如桔皮状特征的大面积不规则粗糙表面 3.174 晶向orientation 单晶的结晶学取向 3.175 正交晶向偏离orthogonalmisorientation 在有意偏离晶向切割的晶片上,晶片表面的法向矢量在111}晶面上的投影与最邻近的(110>晶向 在'1ll)晶面上的投影之间的夹角 176 3. 氧化物缺失oxidedefeet 背封硅片背表面缺少氧化物的区域,肉眼可辨别 3.177 氧化层错(OSF)oxidationinducedstackingfault 晶片表面存在机械损伤、杂质沾污和微缺陷等时,在热氧化过程中其近表面层长大或转化的层错 3.178 氧化夹杂osidelamella 硅多晶横截面上呈同心圆结构的氧化硅夹杂 3.179 article 颗粒pan 种小的、分离的外来物质或不连续地结晶到硅片上的硅 3.180 微粒partiulate 尘埃或其他物质的分立的颗粒,见污物(3,62). 3.181 颗粒计数Partitecounting 用于测定硅片加工过程中使用加工设备所增加的粒子沾污,其中LLs(见局部光散射体(3.28.3) 包括颗粒和COP(见晶体原生凹坑(3.42)). 3.182 particlewafer 颗粒硅片 用于监控区域或工艺洁净度的硅片而且只能在洁净室环境中使用 18
GB/T14264一2009 3.183 周边锯齿状凹痕peripheralindent 来自一种平滑的周边轮廓的局部偏移,它不表示贝壳状断裂的征兆 3.184 管道piping 在重掺杂单晶中,沿晶体纵向形成的管道状杂质富集区域 3.185 坑pit 晶片表面的凹陷,有陡峭地倾斜侧面,该侧面以可分辨的方式与表面相交,和凹坑的圆滑侧面形成 对照 3.186 p"结pnjunetiom 同一块半导体晶体内彼此相邻接的p型和n型的界面区域 3.187 点缺陷pointdefeet --种局部的品体缺陷,像晶格空位,间腺原子,或替位杂质 参照光点缺陷(3.28.4) 3.188 抛光面polishedsurface 晶片抛光后获得的如镜面状完美的表面 3.189 多晶硅吸除polycating 在硅片背表面沉积一层多晶硅,从而增强衬底吸杂能力 3.190 多晶硅polyerystallimesilicon 由一种硅源气体经化学气相沉积生成的结构上具有大角度晶粒间界,李晶间界或两种结构兼有的 硅多晶 3.191 多晶半导体polycrystalneseeondwctor 由大量结晶学方向不相同的单晶体组成的半导体 3.192 环状氧化诱生层错(R-OSF)Ring-oxidationindceistackingfault 硅单晶抛光片表面经高温处理和腐蚀后可以观察到的环状分布的氧化诱生层错,可肉眼观察到 193 兮 功率谱密度powerspeetraldensity 显示在轮廓高度中各种固有空间频率之中一个给定数量的均方根数量是如何分别的统计函数 194 3. 沉淀物preeipitates 晶体生长时或其后续高温工艺中达到溶解度极限的掺杂剂或杂质形成的局部富集物 如在硅晶格 内包含硅的氧化物的区域,通常显现为腐蚀坑 3.195 择优腐蚀preferentialetch -种选择性腐蚀,不同晶体应变区或不同电导率区域,有不同的腐蚀速率 用来描绘晶面的晶体缺 陷或不同的电导率区域 19
GB/T14264一2009 3.196 优质硅片 premiumwafer 为适用于微粒计数、金属沾污监测和光刻工艺中检测图形清晰度的硅片 对于用在某此特殊项目上较硅正片具有更加严格的规格值,并且与硅正片相比另外一此项目具有 较宽松或相等的规格值 3.197 主参考面primmaryorientationlat 晶片上长度最长的参考面,用与弦平行规定的低指数品面来定向 又称主取向参考面 3.198 s 探针损伤probedamage 由探针操作引起的距离等于探针间距的坑状局部损伤 3.199 工艺测试片 preesstestwafer 适用于加工工艺及区域和加工洁净度(比机械试验等级高)检测的硅片 3.200 rofile pitaxialla 外延剖面斜度pr e,ofanepi slpe. layer 外延层厚度的0.75处与0.25处的净载流子浓度差值与外延层厚度比值的1/2 外延剖面斜度=(N一N/0.5t 式中: -净载流子浓度,单位为每立方厘米(em); 外延层厚度,单位为微米(um). 3.201 ofiloeter 表面形貌计pro -种用来测量硅片表面形貌的工具 3.202 semicondctor 型半导体ptypes p 多数载流子为空穴的半导体 3.203 棱锥pyramid 外延生长后在表面出现的显示(l1l)小平面的一种结构也理解为“小丘”,见隆起小丘(3.163). 3.204 径向电阻率变化radialresistivitytoleranee 晶片中心点与偏离晶片中心的某一点或若干对称分布的设置点(典型设置点是晶片半径的1/2处 或靠近晶片边缘处)的电阻率之间的差值 这种电阻率的差值可以表示为测量差值除以中心值,以百分 数表示 又称径向电阻率梯度 3.205 回收硅片reelaimedwafer 为了继续利用已被重新处理的硅片 3.206 recombinatiocenter 复合中心 半导体中对电子和空穴起复合作用的杂质或缺陷 20
GB/T14264一2009 3.207 edeviation 基准平面偏差(RPD) unepae refere 在任一指定的点,沿垂直基准面方向测量硅片表面和基准平面间的距离 3.208 残留机械损伤residwalmeehaniealdamage 晶片经过切、磨、抛加工之后,表面残留下来的没有完全去除的机械损伤 3.209 电阻率(电学的resistivity(electrieal 荷电载体通过材料受阻程度的一种量度 电阻率是电导率的倒数 符号为p,单位为Q cm 3.210 电阻率条纹resihstiity striationm" 见杂质条纹(3.241) 3.211 粗糙度 roughness 间距更小的表面织构的分量 与波纹(waviness)比较,表面结构是那种彼此更窄间距的组织构成 这些分量被认为是在空间波长(或频率)限定的范围内 3.211.1 平均粗糙度(Ra)averageroughness 在求值长度内相对于中间线来说,表面轮廓高度偏差z(r)的平均值 3.211.2 峭度(分布曲线中的高峰程度(Rku)kurtosis 在求值长度内,相对于中间线的表面轮廓高度偏差Z(r)的直方图,其锐度的测量 一个完整的随 机表面将有一个高斯分布的直方图和Rku=3 3.211.3 表面织构主方向lay 表面织构起主要作用的方向 虽然硅抛光片的织构通常是各向同性的,但用近原子级分辨率的原 子力显微镜检验时,某些外延片表面呈现一种阶梯和凸缘图形 3.211.4 微粗糙度mieroroughness 在不规则物(空间波长)之间的间隔于小于100xm时的表面粗糙度分量 又称为微粗糙度 3.211.5 峰到谷差peaktovaley(Rt) 在一个求值长度L内,相对于中间线表面轮廓最高点至最低点的高度偏差Z(r)值 3.211.6 均方根区域微粗糙度(RqA rmsareamicroroughneSS 在求值区域内(=LL,)(SEMIMI),相对于中间面的表面形貌偏差Z(.r)的均方根值 3.211.7 均方根微粗糙度(Rq)rmsmieroroughness 在取值长度L(SEMIM1)内,相对中间线的表面剖面(轮廓)高度偏差z(r)的均方根 3.211.8 均方根斜率(mq)rmsslope(mq 在求值长度内,轮廓偏差变化速率的均方根值 21
GB/T14264一2009 3.211.9 非对称性(分布不均(Rsk)skewness 对于中心线，一个表面Zr,)的表面形貌偏差的一种不对称性的测量 一个完美的随机表面应有 Rsm=0 3.211.10 表面织构surfaeetexture 真实表面与基准表面的形貌偏差 表面织构包括粗糙度,波纹和织构主方向 3.211.11 十点粗糙度高度(Rtepointroughnessheigeht 在求值长度内,相对中间线,5个最高轮廓峰高度的绝对值和5个最低轮廓谷深度的绝对值的平 均值 3.212 碟状坑saueerpits 见浅蚀坑(3.219). 3.213 刀具缺陷sawbladedefet 半导体硅片的刀具缺陷,抛光后具有刀具运行图样特征的表面粗糙区域 3.214 sawexitmarks 退刀痕 晶片周边处的一种高低不平的边缘,由众多小的邻接的由刀具退出引起的边缘缺损组成 3.215 刀痕sawmmarks 晶锭切割时,在晶片表面留下的一系列弧状凸纹和凹纹交替形状的不规则痕迹 使用内圆切割时 其弧状的半径与切割刀具的半径是相同的;而线切割产生的刀痕特点取决于切割过程 3.216 划伤serateh -种浅的细沟槽或晶片表面已确立的平面下的刀痕,其长宽比大于5:1 3.217 副参考面secondaryflat 长度比主参考面短的参考面 用其相对于主参考面的位置来标志晶片的导电类型和晶向 3.218 半导体semionductor 电阻率介于导体与绝缘体之间,其范围为10Qcmm10"Qcmm的一种固体物质 电流是由带 正电的空穴和带负电的电子的定向传输实现的 半导体按其结构可分为;单晶体、多晶体和非晶体 态等 3.219 浅蚀坑shallowetehpits 在大于200倍的高放大倍数下是小而浅的腐蚀坑,见雾(3.114) 3. .220 形状shape 晶片表面形状指当晶片处于无夹持状态时,该晶片表面相对于特定基准平面的偏差 表示为在规 定的合格质量区内的总指示读数(TIR)范围或最大的基准平面偏差(最大RPD) 22
GB/T14264一2009 3.221 薄层电阻sheeresistanee 半导体或薄金属膜的薄层电阻,与电流平行的电势梯度对电流密度和厚度乘积的比 又称方块电 阻 符号为R.,单位为Q/口 3.222 erystal 单晶single 不含大角晶界或李晶界的晶体 33 223 晶片slice 半导体工艺中的晶片,从半导体晶体切取的具有平行平面的薄片 3.224 滑移slip -种塑性形变过程,其间晶体一部分相对另一部分发生切变位移,在形式上仍保留材料的结晶性 择优腐蚀后,有一条或多条位错蚀坑的平行直线可证明是滑移线,这些位错蚀坑不一定彼此接触 在(111)表面,线的族彼此成60"倾斜 在(100)表面,它们彼此成90"倾斜 3.225 滑移线slpline 在滑移平面与晶面相交处形成一个台阶 3.226 滑移面slipplane -结晶学平面,在该平面上位错构成滑移运动 是 3.227 污迹smdee 通常由操作或指纹引起的一种密集的局部沾污 3 228 雪球snowbal 在放大的条件下观察到的半导体硅片上类似于雪球滚动穿过的外貌轨迹 3.229 非SOI边缘区no-SOledgearea 表面硅层的标称半径和基底硅片标称半径之间的环形区域(即键合sO1片),在尺寸上以宽度来确 立这一区域,为表面硅层标称半径和基底标称半径之差 3.230 溶剂残留物 solventresidue 表面的溶剂蒸发后在晶片表面发现的残渣表征,残留物或来自溶剂本身,或已被溶剂溶解又沉淀出 来的物质 3.231 峰-谷差sori 晶片在无吸盘吸附的状态下,正表面与基准面的最大正偏差和最小负偏差之间的差值 基准面是 对正面进行最小二乘法拟合得到的 3.232 sepltxtilwaler sO5外延片wafer,SOs 蓝宝石衬底与其上沉积的硅外延层的总体 23
GB/T14264一2009 3.233 螺旋spiral 具有螺旋状图样的“桔皮”类型表面织构 3.234 斑点spot 洗涤剂、溶剂或蜡残留物液滴的痕迹 3.235 色斑stain 区域沾污,它本质上是化学品,除非经过进一步研磨或抛光否则不能去除 3.236 表面缺陷surfaeedefeet 指晶片表面上能观察到的机械损伤、SiO残留尘埃和其他的不完整性 表面缺陷的一些例子,如 凹坑、小坑、微粒、划伤、小丘、多晶区等 3.237 溅射法spur tteringmethod 在衬底表面制备半导体,金属、非金属薄膜的一种方法 一般是在充惰性气体的低真空系统中,通 过高压电场的作用,使惰性气体电离,产生气体离子流,去轰击靶阴极(溅射材料),被溅射出的靶材料原 子或分子沉积在衬底表面上而形成薄膜 3.238 堆操层错staakimgtmt -种二维缺陷,它由于晶体内原子(排列)偏离了正常的堆垛次序所致 3.239 星形结构starstructure 系列位错沿(110>方向密集排列成星状结构,在111面上,星形结构呈三角形或六角形组态,在 100)面上,呈井字形组态 3.240 sIMOx层sIMOXla ayer 在BOX上面的一层薄硅,也称顶部硅或表面硅 3.241 杂质条纹striation 晶体生长时.在旋转的固液界面处发生周期性的温度起伏.引起晶体内杂质分布的周期性变化也 使电阻率局部变化 择优腐蚀后,在放大100倍下观察,条纹是连续的 3.242 衬底substrate 半导体工艺中的衬底,在半导体器件和电路制造中作为后续工艺加工操作的基底 3.243 支撑片,或基底硅片,或基底硅衬底sustentationwafer 结构上支撑BOX和sO层的衬底 3.244 漩涡swirl 螺旋状的或同心状的特征,择优腐蚀后肉眼可见,在放大倍数100倍下显现不连续状 3.245 锥度(平行度taper 半导体硅片的锥度,整个硅片厚度变化的线性度 214
GB/T14264一2009 3.246 温度圈temperatureeirele 由于温度起伏,在硅多晶的横截面上引起结晶致密度、晶粒大小或颜色的差异,晶粒呈现出以硅芯 为中心的年轮状结构 3.247 平台terracing -种等高线的网络,它与外延沉积表面上的类似棱锥的缺陷有关联并且与表面的晶向有关 3.248 testwafer 测试硅片 在半导体制造中适用于工艺监控的硅片,又称监控片 3.249 厚度thickness 通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离 3.250 oxide 热生长的氧化物thermallygrown 在含氧气氛的热工艺中,沉积或生长的氧化物 3.251 外延层厚度thiekness,ofaneptaxinllayer 从晶片表面到外延层-衬底界面的距离 3.252 晶片厚度 thicknessofslices 晶片中心点的厚度 3.253 siliconfilm 顶层硅薄膜厚度thiekness ftups 顶层硅薄膜表面与顶层硅薄膜-埋层氧化物界面之间的距离 绝缘薄膜上面的硅薄层 在硅薄层内制造半导体有源器件 3.254 热稳定性thermalstability 退火后样品的体电阻率与其退火前体电阻率的比 3.255 totalthicknessvariation 总厚度变化(TTV 晶片厚度的最大值和最小值间的差 3.256 公差toleranee 产品规格范围内允许的绝对值 3. 257 在重掺杂衬底上沉积相同导电类型外延层的过渡区transition.ofanepitaxiallayerdepositedoma moreheavilydopedsubstrateofthesameconductivitytype 红外反射测量的外延层厚度和基于同一厚度测量的平坦区之间的差值 3.258 turretnetwork 六角网络 在重掺杂单晶尾部的横截面上,呈现的一组其外围是杂质富集条纹的封闭的六角环状网络 25
GB/T14264一2009 3.259 孪晶带twinband 在由李晶平面限定的晶体内部的体积 3.260 李晶twinnedcrystaTwinboundary -个晶体内晶格是两部分,在晶向上成镜像对称,交叉于一个连贯的平坦界面,称为李晶生长平面 或李晶边界 3.261 二探针tpuipwle 测量材料平均体电阻率的一种点探针装置 在柱形样品两端通以直流电流,测量垂直压在被测样 品侧面上的两根金属探针间的电位差 3.262 损伤深度(Tz)damagedepth 用择优腐蚀去除形变区域所显现出的损伤区的最大厚度 3.263 气相外延(VPE aporphaseepitaxy 在气相状态下,将半导体材料沉积在衬底上,使其沿着衬底的结晶轴方向生长出一层单晶薄层的 工艺 33 264 wth 直拉法(Cz ertiealpulingmethod(Czehralski igro 沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法 又称切克劳斯基法 3.265 空洞(孔洞 voidcavity 空位聚集形成的缺陷 或晶片中的空隙或空洞 也指SO材料中键合界面缺少化学键合 在化合物中通常由沉淀物和镶夹杂物溶解,呻离解留下来的或过高蒸汽压产生 3.266 多晶硅内的空洞vodintheplyerystalnesileom D晶片的多晶硅区域表面上的一种微观凹陷 3.267 原始测试片yirgintestwafer 在半导体制造中首次使用的测试片 3.268 翘曲度 warp 在质量合格区内一个自由的.无奥特的硅片中位面相对参照平的最大和最小距离之差 3.269 波纹waves 在大面积漫散射照明下目视可见的晶片表面上不平坦的轮廓 3.270 波动度waviness 较宽间隔的表面织构分量 波动度可由这些因素产生,如;机器或工件的偏离,振动和颤动 粗糙 度可认为是一种波动表面的叠加 3.271 waxresidue 蜡残留物 从几种可能的蜡源转移到晶片上的一种很难去除的蜡薄膜 26
GB/T14264一2009 3.272 无位错单晶eroDsinglecrystal 位错密度小于某一规定值的单晶 如硅单晶中位错密度小于100cm"的单晶 27
GB/T14264一2009 附 录A 资料性附录 符 号 r半径 在SEMM20中定义的,晶片坐标系的以晶片中心为原点的径向尺度 A.2 1片厚 A.3 在SEMIM20中定义的晶片坐标系的方向,当晶片正面朝上,主参考面朝向操作者时,该方向与主 参考面的平分线垂直,且以晶片中心为原点指向右边 在SEMIM20中定义的晶片坐标系的方向,当晶片正面朝上,主参考面朝向操作者时,该方向是主 参考面的平分线且以晶片中心为原点指向上方(远离参考面的方向) A.5 在SEMIM20中定义的晶片坐标系的方向,当晶片正面朝上时该方向穿过晶片垂直向上 希腊字母 A.6 A偏差 A.7 p电阻率 A.8 o电导率 A.9 w 半导体的一个电子和空穴的载流子迁移率 A.10 2 电阻的单位和线性尺寸通常是厘米结合作为电阻率单位 A.11 在SEMIM20中定义的,以主参考面的平分线的垂直线为基准,逆时针方向旋转的角度 28