静电感应晶体管系列型谱

静电感应晶体管系列型谱

国家标准 GB/T164681996 静电感应晶体管系列型谱 Seriesprogrammesforstaticinduetiontransistors 1996-07-09发布 1997-0101实施 国家技术监督局 发布国家标准
国家标准 GB/T16468一1996 静电感应晶体管系列型谱 Seriesprogrammesforstatieinduetiontransistors 主题内容与适用范围 主题内容 本标准规定了静电感应晶体管的标准系列和品种,以及选择和应用导则. 1.2适用范围 本标准适用于电子设备在设计和制造时应优先选用的静电感应晶体管的标准系列和品种,同时也 作为静电感应晶体售生产,研制,开发时选择系列和品种的基本依据 1.3目的 本标准的目的是 为电子设备设计和制造者提供适用的静电感皮晶体管标准系列和品种 a. 促进电子设备使用静电感应晶体管标准系列相品种,以最大限度地减少类似的非标难品种的使 b 用,提高标准化和系列化水平 对静电感应晶体管的生产,研制.开发进行挖翻相计划管理,以较少的系列相品种情足电子设备 的需要,以有利于控制品种,增强投资效果,提高产品质量和有效的配套供应 引用标准 半导体分立器件型号命名方法 GB249 GB4586半导体分立器件第8部分场效应晶体管 GB7581半导体分立器件外形尺寸 术语符号、代号 3.1术语 本标准使用的有关静电感应晶体管的术语和定义按GB4586的规定 3.2符号 本标准使用的有关静电感应晶体管的参数符号按GB4586的规定 3.3代号 本标准系列型谱表中“生产及研制状况”栏所用的代号含义如下 表示已生产并优选的品种; B- 表示正在研制并优选的品种; 表示待开发的品种 技术内容 4.1列入系列型谱的准则 1997-01-01实施 国家技术监督局1996-07-09批准
GB/T16468一1996 411性能指标适用于多种应用场合,有较大应用范围,而且结构、安装方式和功能不重复的标准通用 品种 41.2已生产的品种其设计已定型,材料和工艺已得到验证,并有适合的质量控制措施,有较好的试验 和使用经历;正在研制和待开发的品种是为电子设备使用和发展所需要的标准通用品种 4.2系列型谱构成因素 静电感应晶体管系列型谱主要由型号,最大额定值、主要电特性,外形、生产及研制状况等各因素构 成 43系列型谱排列原则 4.3.1硅功率静电感应放大用晶体管系列型谱按工作颚率排队 在相同工作频率下,再按输出功率大 小依次排列 43？硅功率静电感应开关用晶体管系列型谱按托散功率排队 在相同耗散功率下,再拨击穿电E大 小依次排列 43.3双极模式硅功率静电感应晶体管系列型谱按耗散功率排队 在相同耗散功率下,再按极电浦 或击穿电压大小依次排列 与规范的关系 4.4 系列型谱中静电感应晶体管品种所列的技术内容与现行有关规范不一致时,应以后者为准 4.5选择和应用 45.1电子设备的设计应优先从本系列型谱中选择静电感应晶体管品种.初选后应检查适用规范以核 实产品能否满意地用于预定应用场合.选择正在研制品种时,应核实研制进展悄况;选择待开发品种时 应通过新品研制合同提出安排研制 452电子设备设计者在本系列型谱中未能选到满足适用性能要求的品种时,可选用或提出研制系列 型谱中未列入的品种 45.3电子设备设计者应正确使用系列型谱中所列的静电感应晶体管 为了获得更好的使用可靠性 可在规范规定的最大额定值基础上合理降额使用 4.6型号 本标准中静电感应晶体管的型号符合GB249的规定 详细要求 5.1硅功率静电感应放大用晶体管系列型谱见表1 5.2硅功率静电感应开关用晶体管系列型谱见表2 5.3双极模式硅功率静电感应晶品体管系列型谱见表3 表1硅功率静电感应放大用晶体管系列型谱 最 主 电 大额定值 要 特性 生产及相应的 形 研制国外产备注 外 序号型 yn V手 I P fo Gp '面 gmm 况品型号 % ms MHz w dB W s01Hr >1 >1o|>50c3-o1B 10 0.6 60 >10o>10100 3o C3-01B 60 >25o>1o10o>20>1o>50 CS0118 l.6 CS0l19 75 3.5 >60ol>1010050>8 >50C3-01B 60 CS01o1 0.6 45 >10o>1o40o A >3>10>50lB2-08F CS0102 15 0.8 60 >70 >5400>10>9>5olC4-01D A CS0103 30 1.6 60 >230 400 >20 >9 >50lC4-01D A
1996 GB/T16468 续表1 性 最 大 额 定 值 主 要 电 特 生产及相应的 外形研制国外产备注 序号 型 号 I. P Vx Vsa o Gp gm -25c 况品型号 V v MHz w dB % A ms w CS0104 2.3 0.2 >20>10600 l >7>35B2-08C >8>50B2-08F CS0105 4.5 0.6 55 >50>I5600 3 >10o>12600>10>7>5oB2-08F A 15 45 CS0106 1.2 260o>10 600 >30 >9>5olc4-oID A 60 10 CS0107 45 2.5 >8o>4100o>5 60 >9>30lc4-0D 0.8 CS010812.5 >12ol>10100o>10 >30C4-01D B 23 l.2 60 2 12 CS0109 B CS0110 2.3 0.15 6o >15>131500>l >5 >30B2-08C B CS01l 15 0.8 60 >120>10l15005 >4>25C4-0D 表2硅功率静电感应开关用晶体管系列型谱 要 特 最 值 主 额 大 生产及相应的 外 国外产 备注 序号 型 形倾 I f VcovcIssVsun rs(mrslftonla -25C 品型号 Mnns|ns Q MHz w cS0112 0.4 300300.1 20 10 100 15 15 B2-01B CS0113 0.4 400 40 0.1 20 10 100 15 15 IB2-01B 10 50 CS0120 80 60050 30 S5>15050B2-01C 10 50 50 CS0121 80 100050 30 50 > IB2-01C B2-01c C > 5 30 50 50 CS0122 80 120070 CS0123 5d 50 lB2-01c 150070 30 10 >I 5 80 50 d 50 50 CS0114 150 1o 600 30 IB2-01 C 2.5>1l 70 心 50 CS0124 150 10 1000 > 5050B2-01C 50 50 50 50 CS0125 300 20 600 30 IB2-01C 2SK180 10 CS0126 70 50 50 50 IB2-01C 300 20 l000 30 2SK181 0 10 l!cS0127 400 30 600 50 30 5G 5C 50 IB2-01C B THEF-51 30 12 CS0128 400 30 800 70 50 >l5050B2-01C B THF-52 cS0 13 500 50 30 129 60 600 18 16 >1253o|B2-01C B 2SK182E 70 B CS0115 500 60 1000 2SK183E 25ol30oB2-01c 18 30 10 cS01161000 5d 25ol300 B 2SK182 15 60 600 18 30 板 CS013o1000 60 00o7o 30 1G 25ol300 平 B 2SK183 18 17 cS01311000 100 000 7G 2C 20 300300平 2SK183V I8 25 义 CS01323000 150100070 20 S0.2 35o350 板 TS-300 15 板 19CS01333000 15010007050 20 S0.4>l35o350平 TS-300H 20lcS0134800x200×100ol700x公 模 20 0.5 习 1510 250300 块 TM201-N二配对 cS0135800x400×100o7020x 221 20 10s0.5 125030o模块 TM401-N四配对
GB/T16468一1996 老3双极根式硅功率静电感皮晶体管系列型选 额 定 要 特 性 主 最大 电 生产及相应的 号 Pe 外 形 研制国外产备注 序号 Vsa0 v6am hs Csene =-25c 快 况 品型号 心 uss s s A CS0151 500500 5~10<0.5s1.00.05|.11.ol0.1B2-01C 2 CS0152 14 500500 510 O.5s1.0p.05.121.00.lB2-01C F3-03 TsR204 CS0160 35 10025020300~40c<0.5 2.0 F3-03 C TSR203 0.6 CS0161 106010o2000~400 35 5 cs0153 500500 0.5<1.0b.05o.120.5 B2-01C 42 510 cS0162 50 1510o2502030040d<0.5 F3-03 TSR202 cS0163 50 206o100o20300~500<0.6 F3-03 TSR201 cS0154 70 5~10 0.5<1.0p.0.15o.6 10500500 B2-01C 'S0164 90 20 60 60 10 8012ol<0.3<1.oo.0p.1s0.8p.04F3-04A TSR003P沟道 TSR002 10CS0165 90 2010010020250~35<0.5 F3-04A 按协议 cS303s敏感 1 CS0166 90 406010020300500<0.5<1.op.l5.31.0 CS0155 25o25o B2-01c 12 150 801200.5 15 13lcS0156 30600l600 510<0. 1.0.07.15s1.o.15c3-02B 500 14cS0157 500 30600600 0~50<1. C3-02E 达林顿 15cS0167 600 200100m300 2G 80~12o|<0." 0.72.20.3按协议 TSM002 20 l6CS0168 600 250100'300 00200s0.41.o0.3 按协议 TSM003 按协议 CS01581000 6060060o 3050s0.5 按协议 18CS01593000 2o0600600 3050|0.5l.0 注:1此值为Vr%值 附加说明: 本标准由电子工业部提出 本标准由电子工业部标准化研究所归口 本标准由电子工业部标准化研究所和河北半导体研究所负责起草 本标准主要起草人王长福、顾振球、韩直、梁法国,聂荣琪