GB/T38867-2020
电子工业用四氯化硅
Silicontetrachlorideforelectronicindustry
- 中国标准分类号(CCS)G86
- 国际标准分类号(ICS)71.100.20
- 实施日期2021-02-01
- 文件格式PDF
- 文本页数14页
- 文件大小956.61KB
以图片形式预览电子工业用四氯化硅
电子工业用四氯化硅
国家标准 GB/T38867一2020 电子工业用四氯化硅 Silieontetraehorideforeleetromieindustry 2020-07-21发布 2021-02-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标涯花警理委员会国家标准
GB/38867一2020 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/Tc203)提出并归口
本标准起草单位;湖北晶星科技股份有限公司、湖北省标准化与质量研究院、洛阳中硅高科技有限 公司、唐山三孚电子材料有限公司、湖北光谷标准创新科技有限公司、广东华特气体股份有限公司、浙江 西亚特电子材料有限公司、上海华爱色谱分析技术有限公司、大连大特气体有限公司、上海市计量测试 技术研究院、联雄投资上海)有限公司、随州市信息与标准化所、达州市质量技术监督检验测试中心 西南化工研究设计院有限公司
本标准主要起草人:徐德、张国光、黄嫦、刘畅、杨剑、赵雄、楚东旭、王春英、戴帅、张竟、黄国菲、 廖恒易陈艳珊、杨利、于青玉、方华、曹作斌、曲庆、陈鹰、李春华、黄辉、谭鹏程、邓远方、周鹏云、徐龙、 赵帅德、唐霞梅
GB/38867一2020 电子工业用四氧化硅 范围 本标准规定了电子工业用四氯化硅的技术要求、检验规则,试验方法、标志、包装、运输、储存及安全 的要求
本标准适用于工业四氯化硅精制提纯后的电子工业用四氯化硅
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件
GB190危险货物包装标志 GB/T602化学试剂杂质测定用标准溶液的制备 GB/T3723工业用化学产品采样安全通则 GB/T4842 敏 GB/T5099钢质无缝气瓶 GB/T6040红外光谱分析方法通则 GB/T6680液体化工产品采样通则 GB/T7144气瓶颜色标志 电子级水 GB/T1l446.1一2013 GB15258化学品安全标签编写规定 GB/T16804气瓶警示标签 GB/T28726气体分析复离子化气相色谱法 GB/T32566不锈钢焊接气瓶 GB/T34972电子工业用气体中金属含量的测定电感耦合等离子体质谱法 TsGR0006气瓶安全技术监察规程 危险化学品安全管理条例(2002年1月26日国务院令第344号公布,2011年2月 16日国务院第144次常务会议修订通过 特种设备安全监察条例(2009版,国务院令第549号 技术要求 四氯化硅的技术要求应符合表1的规定,光纤用四氧化硅还应增加相对透过率的要求,相对透过率 的要求应符合表2的规定
GB/T38867一2020 表1技术要求 项目 光纤用 半导体用 四氯化硅(siCl,)纯度(体积分数)/10 >99,.9 99.99 25 三三叙氢硅(siHCl.)含量(体积分数)/10-" 400 二400 <25 二氧硅婉(sSHCl)含量(体积分数)/10- 甲基二氧硅烧(SiCl.CH)含量(体积分数)/10-" <200 <5o0 绷十铝)(B+AI)含量/(g/kg <0.l0 磷十碘)(P十As)含量/(4g/kg 0.30 嫁(Ga)含量/4g/kg 0.50 锁(sb)含量/4g/ke) 0,50 C0.5o 绸(In)含量/4g/kg) 钙(Ca)含量/ <1.00 0.50 /4g/kg 铬(Cr)含量/(4g/kg <1.00 s0.50 铁(Fe)含量/(4g/kg 1.00 0.50 钾(K)含量/4g/kg 1.00 0.50 金属元素及 其他元素含量 <0.50 钠(Na)含量/4g/kg 1.00 镍(Ni)含量/(4g/ke) 1.00 s0.50 (Mo)含量/(4g/kg <1.0o 钼 s0,50 <1.00 <0.50 缸(Mn含量/(4g/kg) 铜(Cu)含量/(4g/k) <1.00 s0.50 (Cd含量/4g/kg <1.00 <0.50 钻(Co)含量/4g/kg 1.00 <0.50 锌(Zn)含量/(4g/kg) <1.00 0.50 钮(V)含量/g/kg 1.00 0.50 表2相对透过率技术要求 红外吸收峰位置/em" 对应的物质或官能团 相对透过率/% SiCl.OH 3666士4 98 >99 31003020 芳香-CH 2970~2925 98 脂肪族CH 28602830 HCl 98 Co 98 2338士4 2295士4 Si(NCO). >98 2257士4 SiHC >98 2023士4 Si(CH,)C >98 1540士4 Si.0C >98
GB/38867一2020 检验规则 4.1抽样和判定 四氯化硅产品应逐一检验并验收
当检验结果有任何一项指标不符合第3章技术要求时,则判该 产品不合格
4.2采样 4.2.1四氯化硅采样安全应符合GB/T6680,GB/T3723中的相关规定
4.2.2测定四氯化硅中的杂质含量时,应液相取样,取样方法参见附录A
4.3尾气处理 测定四氯化硅中的杂质含量时,应有四氯化硅尾气处理措施,以防止四氯化硅对环境的污染
试验方法 5.1四氧化硅的含量 四氯化硅纯度以体积分数表示,按式(1)计算 =100-十十×10 式中: -四氧化硅纯度(体积分数),l0; 三氯氢硅含量(体积分数),10-" 二氯硅熔含量(体积分数),10-" 甲基二氨硅烧含量(体积分数),10-" 5.2三氧氢硅、二氧硅炕、甲基二氯硅炕含量的测定 按GB/T28726规定的切割进样的方法测定四氯化硅中的三氯氢硅、二氯硅婉、甲基二氯硅烧 含量
预分离柱;长约3m,内径约2mm的316L不锈钢管,内装粒径为0.18mm~0.25mm的Hayesep -种高分子聚合物),或其他等效色谱柱
Q 色谱柱:长约50m、内径0.53mm、内涂聚甲基硅氧婉的毛细柱,或其他等效色谱柱
标准样品:组分含量与样品中被测组分含量相近,平衡组分为四氯化硅
允许采用其他等效的方法测定四氯化硅中的三氯氢硅、二氯硅婉、甲基二氯硅熔含量
当测定结果 有异议时,以本标准规定的方法为仲裁方法
5.3金属元素及其他元素含量的测定 5.3.1方法原理 四氯化硅在加热条件下,大量挥发,金属杂质残留于烧杯中,用2%硝酸溶解,制备成待测样品
样 品在载气的作用下进人高频等离子体炬焰中,在高温下被充分电离,产生的离子经过离子采集装置后进 人质量分离器,根据离子的质荷比进行分离后进人检测器,根据待测元素信号响应值测定含量
5.3.2环境 溶液的配制、稀释及转移均应在洁净度至少为1000级的超净室或超净台内进行,全部器皿在使用
GB/T38867一2020 前均应在硝酸(5.3.3.3)溶液中浸泡12h以上
5.3.3试剂和材料 5.3.3.1试验用水:符合GB/T11446.1一2013中Ew-I级的要求 5.3.3.2氢氟酸;电子级,金属元素含量低于1g/kg,浓度为40%~50%
5.3.3.3硝酸;电子级,金属元素含量低于14g/kg,浓度为60%~70%
5.3.3.4四氯化钛:分析纯
5.3.3.5多元素混合标准溶液;应使用有证标准物质或者按GB/T602的规定制备
5.3.3.6高纯氧;符合GB/T4842中高纯氧的要求
5.3.3.7 洗气瓶:200ml,PFA材质可熔性聚四氟乙烯或聚丙烯),或FEP材质(氟化乙烯丙烯共聚 物
5.3.4仪器 5.3.4.1 电感耦合等离子体质谱仪 质量分辨率优于(08士0. amu 5.3.4.2堆塌 聚四氟乙烯材质,带螺纹口盖,100ml 5.3.4.3样品预处理装置 样品预处理装置示意图见图1,聚四氟乙烯或者聚丙烯材质,带有加热装置,温控精度士1C
出口管路上串联两个洗气瓶,第一个装有100mL的四氧化钛,第二个装有100mL的氢氟酸与硝 酸的混合液(体积比1:1. 说明: 高纯缸气; -调压阀; 聚四氟乙熔密封箱; -堆蜗" -电加热板; -四氯化钛洗气瓶 氢氟酸硝酸洗气瓶
图1预处理装置示意图 5.3.4.4电子天平 分度值为0.1mg
GB/T38867一2020 5.3.5样品预处理 11.0L/min
5.3.5.1打开图1中的高纯氨气瓶阀门,流量控制在0.5L/min" 5.3.5.2称量聚四氟乙烯堆蜗(带盖)的质量m,然后快速移取一定量(5g一10g)的四氯化硅,盖上盖 子,在电子天平上称量聚四氟乙烯堆蜗和四氯化硅的质量m2
5.3.5.3将装有四氯化硅样品的聚四氟乙烯堆蜗置于密封箱中,同时放置两个空白堆蜗,取下聚四氟乙 烯堆蜗盖子,迅速将密封箱的盖子密封,打开电热板,调节温度至65C 5.3.5.4蒸发至干,添加1mL氢氟酸,轻轻摇晃堆蜗,使酸接触堆蜗大部分内壁,调节温度至120C, 保温10min,再添加lmL硝酸,保温10min后,用水稀释至10g20g,将溶液转移至100mL的PFA 容量瓶中,摇匀待测
5.3.5.5同时做空白试验
5.3.6工作曲线的绘制 分别移取0.000mL.0.o10mL.Q.020ml.Q.050mL.0.100ml多元素混合标准溶液置于5个洁净 的100mL的PFA容量瓶中,用2%硝酸溶液定容至刻度,混匀
此系列标准溶液1ml含各金属元素 分别为0.00ng,0.10ng,0.20ng、0.50ng和1.0ng,待仪器稳定后测定工作曲线
采用最小二乘法制作 仪器响应值对浓度值的线性方程,线性相关系数应不小于0.999
5.3.7检测 按照GB/T34972的规定执行
5.3.8计算 金属元素及其他元素的含量以4g/kg计,按式(2)计算: =c;×100/m一m) 工 式中 金属元素及其他元素含量,单位为微克每千克(4g/k); nL); 各元素浓度测定值,单位为纳克每毫升(ng/m 聚四氟乙烯堆蜗带盖)的质量,单位为克(g); 77 -聚四氟乙烯堆蜗和四氧化硅的质量,单位为克(g). n 5.3.9结果处理 重复测量精密度应小于20%,各金属元素回收率应满足7万%一135% 5.4透过率的测定 5.4.1原理 四氯化硅中含有氢的物质或原子团等杂质在4000em-'~1000cm'红外波段内产生明显吸收 峰,其透过率的高低与杂质的含量成反比,通过测量其红外吸收峰透过率间接地表征光纤用四氯化硅中 杂质的含量
5.4.2测量范围 4000cm-11000cm
GB/T38867一2020 5.4.3仪器,装置 5.4.3.1 红外光谱仪 傅里叶变换红外光谱仪,分辨率不大于4cm-',透过率精度优于0.1%. 5.4.3.2吸收池 池体;耐腐蚀,不污染产品,壁厚2mm一4mm,外径24mm一26mm,长度100mm士0.1mm 具 有两个进出口,外径6mm8mm,与池体垂直焊接
窗片;抛光氟化钙,厚度5mm,窗片与池体之间的连接应保证密封
5.4.4测定要求 5.4.4.1采样和测量环境的相对湿度不大于45%,温度为25士2C
5.4.4.2试样吸收池、管道和所有用具在使用前应进行洁净和干燥处理
5.4.5测定 5.4.5.1仪器准备 按GB/T6040的规定进行
5.4.5.2采样 通过洁净的管道使试样流人吸收池中
5.4.5.3测定步骤 测定步骤如下 采集背景光谱" a b 将吸收池置于红外光谱仪试样仓中,其位置应保证光路从四氯化硅液体中平行穿过 调整仪器,采集4000cm-1~1000cm'波数范围内的试样光谱; c 用试样光谱扣除背景光谱,调整试样光谱的基线至100%; d 测定试样光谱图中吸收峰的透过率; e 绘制4000cm-1~1000em'波数范围内的试样光谱图 5.4.6测定后吸收池的处理 测定完成后将吸收池中的SiCI,迅速除去,吹掉残留物,封闭进样口,备用
5.4.7计算 相对透过率按式(3)计算 T=一×100% 式中 相对透过率 透过试样的辐射能,单位为电子伏(eV). 人射光的辐射能,单位为电子伏(eV. !
GB/T38867一2020 5.4.8结果处理 连续测定两次,直到当两次测定结果的相对偏差不大于1%时,取两次测定值的算术平均值为最终 测定结果
标志,包装,运输,储存和安全警示 6.1标志 6.1.1四氯化硅出厂时应有产品质量合格证,其内容至少应包括: -产品名称,生产厂名称,危险化学品生产许可证编号; -生产日期或批号,以及安全使用期或者失效日期; 充装质量(kg) 本标准编号及技术指标
6.1.2包装容器上应涂刷“电子级四氧化硅”字样
6.1.3四氯化硅的包装标志应符合GB190的相关规定,颜色标志应符合GB/T7144的规定,标签应符 合GB15258,GB/T16804规定的要求
6.2包装、运输和储存 包装四氯化硅的气瓶应符合GB/T5099,GB/T32566的规定
6.2.1 6.2.2四氯化硅的充装及贮运应符合TsGR0006、《危险化学品安全管理条例》和《特种设备安全监察 条例》的相关规定
6.2.3推荐使用进行内表面处理的气瓶,处理后的气瓶应满足本标准的要求
瓶阀出气口连接方式推 荐使用cGA636
6.2.4应防止泄漏和瓶口被污染
6.2.5四氯化硅产品应存放在阴凉、干燥,通风的库房内,不应暴晒,远离热源
6.3安全警示 四氯化硅的安全警示见附录B
GB/T38867一2020 附 录 A 资料性附录) 取样方法 取样装置图 A.1 取样装置示意图见图A.1
说明 -采样容器进气口(样品采集连接口); 针阀1; 针阀2; 针阀3 取样瓶 管道; 采样容器出气口(分析设备连接口); -真空系
图A.1取样装置示意图
GB/T38867一2020 A.2取样步骤 按图A.1方式连接用高纯氮吹扫过的取样瓶,对取样瓶和取样管线进行抽真空处理
关闭真空泵 连接阀门,打开样品和取样口阀门,定量取四氯化硅样品,建议所取样品的质量按照取样瓶标明内容积 的1/2计算
计算公式见式(A.l)
将装有样品的取样瓶内充人0.5MPa~1MPa的高纯氨,高纯氨宜 符合GB/T4844中高纯氨的要求
A.1 =V×p/2 n1 式中 四氯化硅样品的质量,单位为千克(kg); 71 -取样瓶标明的内容积,单位为升(L); -四氯化硅液体的密度,p=1.48,单位为千克每升(kg/L)
GB/T38867一2020 录 附 B 规范性附录) 安全警示 B.1基本信息 B.1.1名称;化学式;SiC;中文名;四氯化硅;英文名:silicontetraehloride B.1.2相对分子质量169.8975(按2017年国际相对原子质量计算)
BB 1.3代码:CAs号10026-04-7,UN.NO.1818.
B.1.4物理性质;沸点57C,熔点一70C,密度1.483g/cnm B.1.5毒性;半数致死剂量;大鼠经口LD铺=0.19g/kg~2g/kg;半数致死浓度;大鼠吸人LCm7 559 5 mg/m.对皮肤和黏膜有强烈刺微作用
B1.6无色或淡黄色发烟液体,有刺激性气味,易潮解
可混溶于苯、三氯甲烧、石油酥等多数有机 溶剂
B.2危险性说明 造成皮肤刺激;造成严重眼刺激;可引起呼吸道刺激
B.3 操作注意事项 B.3.1生产过程密闭操作,生产装置全面通风
操作人员应经过专门培训,严格遵守操作规程 B.3.2应远离热源、热表面,火花、明火和其他点火源
工作场所严禁吸烟. B.3.3作业后应彻底清洗
B.4紧急情况应对措施 B.4.1发生火灾时,消防人员应穿全身耐酸碱消防服,佩戴空气呼吸器灭火
B.4.2发生火灾时,在条件允许的情况下,尽量将容器从火灾区域移开
灭火剂;本品不燃,根据火灾 原因选择适当灭火剂
禁用灭火剂;水,泡沫、酸碱灭火剂
B.4.3误吸后的急救措施;迅速脱离现场至空气新鲜处
保持呼吸道通畅
如呼吸困难,给输氧
呼 吸、心跳停止,立即进行心肺复苏术并就医
B.4.4与眼睛接触后的急救措施:立即分开眼脸.用大量流动清水或生理盐水彻底冲洗10min~ 15min并就医
B.4.5与皮肤接触后的急救措施;立即脱去污染的衣着,用大量流动清水彻底冲洗,冲洗时间一般要求 0nmin一30min并就医
B.4.6误食后的急救措施;用水漱口,禁止催吐并就医
B.5泄漏处理处置 B5.1根据液体流动和蒸气扩散的影响区域划定警戒区,无关人员从侧风、上风向撤离至安全区
10
GB/T38867一2020 B.5.2建议应急处理人员戴正压自给式呼吸器,穿防酸碱服,戴橡胶耐酸碱手套
B.5.3作业时使用的所有设备应接地
B.5.4穿上适当的防护服前不应接触破裂的容器和泄漏物
B.5.5不应使水进人包装容器内
B.5.6应尽可能切断泄漏源
防止泄漏物进人水体、下水道,地下室或限制性空间
B.5.7小量泄漏时,可用干燥的沙土或其他不燃材料覆盖泄漏物
B.5.8大量泄漏时,应构筑围堤或挖坑收容
用碎石灰石(CacO,苏打灰(Na.CO.)或石灰(CaO)中 和
用耐腐蚀泵转移至槽车或专用收集器内
B.6存储注意 应存放于通风良好处
保持容器密闭
B.7 废弃处置 处置前应参阅国家和地方有关法规,建议将剩余的和未回收的四氧化硅交给有资质的单位处理
GB/T38867?2020 [1]GB/T4844??
电子工业用四氯化硅GB/T38867-2020
四氯化硅是一种重要的无机化合物,广泛应用于各个领域。在电子工业中,由于其特殊的物理性质和化学性质,被广泛地应用于半导体材料、光纤通讯等领域。
GB/T38867-2020作为电子工业用四氯化硅的行业标准,它规定了四氯化硅的质量指标、检验方法、包装、运输、存储等方面的要求。
四氯化硅的质量指标
根据GB/T38867-2020的规定,电子工业用四氯化硅的主要质量指标包括以下几个方面:
- 外观:应为无色透明液体,无杂质、无混浊。
- 相对密度:20℃时,相对密度应在1.47~1.48之间。
- 含量:四氯化硅的含量应在99.5%以上。
- 水分:应小于0.02%。
- 酸度:按照标准方法进行测试,其酸度应小于等于0.001N。
四氯化硅的检验方法
GB/T38867-2020中规定了电子工业用四氯化硅的检验方法,主要包括以下几个方面:
- 外观检查:应使用肉眼或显微镜进行观察,检查其外观是否符合要求。
- 相对密度测定:应使用密度计进行测定,测定结果应符合标准规定。
- 含量测定:应使用气相色谱法进行测定,测定结果应符合标准规定。
- 水分测定:应使用卡尔费休法进行测定,测定结果应符合标准规定。
- 酸度测定:应使用酸度滴定法进行测定,测定结果应符合标准规定。
四氯化硅的包装、运输、存储要求
GB/T38867-2020中还规定了电子工业用四氯化硅的包装、运输、存储要求,主要包括以下几个方面:
- 包装:应采用不锈钢罐进行包装,并在外部加固和防护措施,以防止泄漏。
- 运输:应使用封闭式罐车或罐船进行运输,运输过程中应注意防止震荡和碰撞,防止泄漏。
- 存储:应存放在通风干燥的地方,避免阳光直射,禁止与酸类以上是关于电子工业用四氯化硅GB/T38867-2020的简要介绍,相信读者对该行业标准有了更加深入的了解。在今后的生产和应用过程中,我们应将该标准作为生产、质量管理和技术创新等方面的重要指南,以提高产品质量和企业经济效益,推动中国电子工业的发展。