国家标准 GB/T28856一2012 硅压阻式压力敏感芯片 Silieonpiezoresistivepressuresensitiveehip 2012-11-05发布 2013-02-15实施国家质量监督检验检疫总局发布国家标准化管理委员会国家标准
GB/T28856一2012 目次前言范围规范性引用文件术语与定义分类电隔离类型 4 敏感芯片参考感压腔类型 2 基本参数 5.1测量范围工作介质 5 .2 5 .3 工作温度范围 5.4激励电源要求总则基本性能要求 6.2 试验方法环境条件 7.2电气连接及外观 7.3敏感电阻 7.！漏电流 7.5击穿电压 7.6隔离电压 7." 零点失调电压 7.8常压失调电压 7.9静态性能 7.10稳定性检验规则检验分类 8.l 出厂检验 8.2 8.3型式检验标志、包装、运输及贮存标志 9.2 包装 9.3运输贮存
GB/T28856一2012 附录A规范性附录传感器性能指标的计算方法 A.1实际校准特性 A.2最小二乘法直线方程 A.3满量程输出(Y) 12 A.4非线性( A.5迟滞(G 12 12 A.6重复性(R 13 A.7准确度(e 3 A.8零点漂移(d A.9热零点漂移(a) A.10热满量程输出漂移()
GB/T28856一2012 前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草本标准由机械工业联合会提出本标准由机械工业联合会归口本标准起草单位:沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究中心,国家仪器仪表元器件质量监督检验中心、昆山双桥传感器测控技术有限公司,大连理工大学,电子科技集团公司第四十九研究所北京鑫诺金传感技术有限公司,北京瑙普恩德斯豪斯仪表有限公司南京沃天科技有限公司、仪器仪表协会传感器分会,仪器仪表学会仪表元件分会本标准主要起草人唐慧、刘沁、徐秋玲、于振毅,张治国、徐淑霞、殷波、王冰、陈信琦,黄正兴、王文襄、郭宏、宁宁、李延夫、高峰 m
GB/T28856一2012 硅压阻式压力敏感芯片范围本标准规定了硅压阻式压力敏感芯片(以下简称敏感芯片)术语和定义、分类,基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志,包装、运输及贮存本标准适用于硅压阻式压力敏感芯片规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T191一2008包装储运图示标志 GB/T2829一2002周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验 GB/T7665一2005传感器通用术语术语与定义 GB/T7665一2005界定的以及下列术语和定义适用于本文件 3.1 硅压阻式压力敏感芯片silicnpiezoresistivepressuresensitivechip 利用硅材料的压阻效应,将压力变化转换成电阻变化的压力敏感芯片 3.2 绝缘介质隔离dieleetricisolatiom 用绝缘层(如氧化物)围绕着单片半导体敏感芯片中的元件,使该芯片中的一个或多个元件之间形成电的隔离 (元件包含弹性膜片 3 3. 多余物foreignmaterial 用压力为80kPa~100kPa细小气流吹不掉的异物 3 钝化层passivatonlayer 直接在芯片表面上生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料分类电隔离类型按电隔离类型分为 PN结隔离绝缘介质隔离
GB/T28856一2012 4.2敏感芯片参考感压腔类型按敏感芯片参考感压腔类型分为: -开放式参考感压腔敏感芯片; 密闭式参考感压腔敏感芯片 5 基本参数 5.1测量范围除另有规定外,敏感芯片测量范围宜从下列数系中选取 0,士1.0×10",士1.6×10",士2.0×10",士2.5×10",士3.0×10",士4.0×10",士5.0×10",士6.0× 10",士8.0×10" 其中n为整数,月=0,士1,士2,士3 量程的单位为:Pa(kPa、MPa,GPa) 5.2工作介质敏感芯片的工作介质应为非导电性、无腐蚀性气体或液体工作温度范围 5.3 除另有规定外,推荐工作温度范围的下限值为:-90C,一80,一70C,一60C,-55C,一45， 40C,一30C,一20C,一10C,0C 除另有规定外,推荐工作温度范围的上限值为:50,60C,70,85C,100C,125,150， 175C,200,300C,350C,400C,450C,500C,550C 激励电源 5.4.1 恒流激励敏感芯片采用恒流激励时,直流激励电流的数值不宜大于2mA 5.4.2恒压激励敏感芯片采用恒压激励时,直流激励电压宜从下列数值中选取:3VDC,5VIC,6VDC,9VDC. 10VDC,12VDC,l5VDC,18VDC,24VDC,36VDC 要求 6 总则敏感芯片应符合本标准和相关产品技术条件(详细规范)的规定,当本标准的要求与产品技术条件详细规范)的要求不一致时,应以产品技术条件(详细规范)为准 6 基本性能要求 6.2.1电气连接敏感芯片的电气连接方式应符合产品技术条件(详细规范)的规定
GB/T28856一2012 6.2.2外观 6.2.2.1 敏感芯片正面敏感芯片正面应符合下列要求: a)缺损,裂纹及划伤缺陷不应触及距离有效图形和敏感膜片25Mm范围内区域; D 敏感芯片缺损、裂纹或划伤裂纹不应延伸到金属化区或与之接触， e距离敏感电阻254m范围内钝化层不应有坑或针孔; 金属化层损伤而暴露出下层钝化层,使保留的未被破坏的金属宽度应大于标称金属条宽度的50%; 在敏感芯片表面上附着的多余物的尺寸在任何一个方向上均应不大于25Am 6.2.2.2敏感芯片背面(适用时) 敏感芯片背面应符合下列要求: a)封接面应闭合 b)静封缺陷应不影响标称封接面的封接敏感膜片上应无残留物 6.2.3敏感电阻敏感芯片的敏感电阻标称跟阻值应符合产品技术条件(详细规范)的规定其值宜从下列数值中选取;350Q,600Q,1kQ,2kQ,3kQ,4kQ,5kQ,8kkQ,10kkQ,12.5kQ,15kQ,20kQ,25kQ 敏感电阻阻值的允差用阻值的百分数表示,宜采用下列数值;士10%,士15%,士20%,士25% 6.2.4漏电流敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在规定的偏置电压下,允许漏电流应符合产品技术条件(详细规范)的规定偏置电压推荐从下列数值中选取:1oVDc,15VDC,20VDC,25VDC,30VDC,35VDC,40VDC 6.2.5击穿电压对于PN结隔离型敏感芯片,敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在允许通过的最大规定电流下,击穿电压应符合产品技术条件(详细规范)及硬击穿的规定最小击穿电压值宜从下列数值中选取 10VIC,15VDC,20VIC,25VDC,30VC,40VDC,50VDC,80VIC,100VIC 测试电流推荐从下列数值中选取:2A.5uA.10uA.20uA,50AA 6.2.6隔离电压对于绝缘介质隔离型敏感芯片,敏感芯片的敏感电阻与硅基底间在允许通过的最大规定电流下,隔离电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定最小隔离电压值宜从下列数值中选取:10VDC， 15VDC,20VDC,25VDC,30VDC,40VDC,50VDC,80VDC,100VDC 测试电流推荐从下列数值中选取lAA.2AA.54A,10 A 6.2.7零点失调电压对于开放式参考感压腔敏感芯片,在规定的激励电源激励下,敏感芯片的零点失调电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定其值宜从以下范围中选取;士1mV,士5mV,士10mV,士15mV,士20mV.
GB/T28856一2012 )nV,士0 士30 mV 6.2.8常压失调电压对于密闭式参考感压腔敏感芯片,在规定的激励电源激励下,敏感芯片常压下的失调电压应符合产品技术条件(详细规范)的规定其值宜从以下范围中选取;士1mV,士5mV,士10mV,士15mV,士20mV 士30mV,士50mV,100mV,<150mV 6.2.9静态性能 6.2.9.1满量程输出敏感芯片在规定的激励电源激励下,满量程输出应符合产品技术条件(详细规范)的规定其值宜从下列数值中选取:30mV,40mmV,60mV,80mmV，100mV,120mV,150mV，200mV 300mV，400mV,500mV 6.2.9.2非线性敏感芯片的非线性应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定表1敏感芯片非线性、迟滞、重复性、准确度等级非线性迟滞重复性准确度准确度等级 %FS %Fs %FS %FS 0,05 S0.03 S0,02 S0.02 士0.05 0.1 S0.065 s0,05 0.035 士0.1 0,25 S0.15 S0.l10 S0.10 士0.25 0.5 0,3 0.2 士0.5 0.2 S0.65 S0.5o <0.35 l.0 士l.0 2.5 S1.50o S1.0o <1.00 士2.5 6.2.9.3迟滞敏感芯片的迟滞应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定 6.2.9.4重复性敏感芯片的重复性应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定 6.2.g.5准确度敏感芯片的准确度应符合产品技术条件(详细规范)及表1的规定 6.2.9.6过载敏感芯片的过载应符合产品技术条件(详细规范)的规定 6.2.10稳定性 6.2.10.1零点漂移敏感芯片在规定时间内的零点漂移应符合产品技术条件(详细规范)的规定
GB/T28856一2012 规定时间宜从下列值中选取:4h,8h,12h,24h,48h,72h,96h,120h 漂移量数值宜从下列值中选取:<0.05%FS,<0.1%FS,<0.25%FS,<0.5%FS 6.2.10.2热零点漂移敏感芯片的热零点漂移应符合产品技术条件(详细规范)及表2的规定表2敏感芯片热零点漂移和热满量程输出漂移热零点漂移热满量程输出漂移准确度等级 %FS/" %FS/ 0.05 士0.01 士0.01 0. 士0.03 士0.03 0,25 士0.04 士0,04 0.5 士0.05 士0.05 士0.08 士0.08 1.0 2.5 士0.10 士0,10 注;激励电源为1mA 6.2.10.3热满量程输出漂移敏感芯片的热满量程输出漂移应符合产品技术条件(详细规范)及表2的规定试验方法环境条件 7.1.1环境净化条件敏感芯片应在不低于10万级的净化间内检验 7.1.2参比大气条件敏感芯片的参比大气条件为温度;20C士2C; 相对湿度:30%60%; 大气压力:86kPa106kPa 7.1.3 一般试验的大气条件当敏感芯片不可能或无必要在参比大气条件下进行试验时,推荐使用下述大气条件温度:15C30C; 相对湿度:<65%; 大气压力:86kPa106kPa 7.2电气连接及外观敏感芯片应采用不低于10倍放大倍数的显微镜进行检查,检查应在照明条件下进行结果应符合
GB/T28856一2012 6.2.1,6.2.2的要求敏感电阻测量各敏感电阻引出焊盘之间的电阻阻值,结果应符合6.2.3的要求漏电流 7.4.1p-N结隔离型敏感芯片按图1所示的电气连接方式连接,在规定的偏置电压U下,测量无光照条件下标准电阻R标两端的电压V,按公式(1)计算出敏感芯片的漏电流，结果应符合6.2.4的要求敏瞎电阻硅基底图1PN结隔离芯片漏电流测试电气连接图 1着 R 休式中: 漏电流,单位为纳安(nA); I% V -标准电阻R标上的取样电压,单位为伏(V); 标准电阻的阻值,单位为兆欧(MQ) R标 7.4.2绝缘介质隔离型敏感芯片按图2所示的电气连接方式连接,在规定的偏置电压U下,测量标准电阻R际两端的电压V,按公式(1)计算出敏感芯片的漏电流,结果应符合6.2.4的要求敏城电阳硅基底图2绝缘介质隔离芯片漏电流测试电气连接图 7.5击穿电压在规定的测试电流下,测量各敏感电阻引出焊盘与硅基底的引出焊盘之间的反向电压,在无光照条件下,结果应符合6.2.5的要求
GB/T28856一2012 7.6隔离电压在规定的测试电流下,测量各敏感电阻引出焊盘与硅基底的引出焊盘之间的电压,结果应符合 6.2.6的要求 7.7零点失调电压按儿.2.1规定进行电气连接,脆加5.1规定的激励供电,测试输出电压,结果应符合6.2.7的要求 7.8常压失调电压按6.2.1规定进行电气连接,施加5.4规定的激励供电,测试输出电压，结果应符合6.2.8的要求 7.9静态性能 7.9.1装配将敏感芯片固定在可加载荷测试的基座上,进行引线键合将信号引出,并进行桥臂电阻、漏电流、击穿电压.,隔离电压的满试.结果应符合几了.瓦.24.6.2.瓦.2.的要求敏感芯片表面应保持清洁干燥,防止灰尘和水气沾污 7.9.2试验装配后的敏感芯片置于试验环境条件下不少于2h,按6.2.1规定的电气连接方式连接好测试系统,施加5.4规定的激励供电,预热30min 给敏感芯片从零负荷加载到额定负荷待负荷稳定时,再退至零负荷,如此施加3次预负荷后,在敏感芯片的全量程范围内选择均匀分布的5个~11个试验点进行示值校准示值校准从测量范围下限开始,按规定的校准点平稳地加负荷,读取每个校准点上加负荷时敏感芯片的输出值,一直到测量范围的上限(称正行程) 然后按原校准点顺序回校(称反行程) 一个正,反行程为一个循环,连续进行 3 3个或3个以上标定循环 7.9.3满量程输出按附录A.3的规定计算敏感芯片的满量程输出,结果应符合6.2.9.1的要求 7.9.4非线性按附录A.4的规定计算敏感芯片的非线性，结果应符合6.2.9.2的要求 7.9.5迟滞按附录A.5的规定计算敏感芯片的迟滞,结果应符合6.2.9.3的要求 7.9.6重复性按附录A.6的规定计算敏感芯片的重复性，结果应符合6.2.9.4的要求 7.9.7准确度按附录A.7的规定计算敏感芯片的准确度,结果应符合6,2.9.5的要求 7.9.8过载按产品技术条件(详细规范)规定,对装配后的敏感芯片施加过载负荷,保持时间不少于1 ,然 min，
GB/T28856一2012 后退至零负载,重复3次恢复3min后测试,结果应符合6.2.9.6的要求 7.10稳定性 7.10.1零点漂移按产品技术条件(详细规范)规定,对装配后的敏感芯片在恒温条件下,不加载荷,在规定的时间内选择均匀分布的不少于9个时间试验点记录敏感芯片的零点输出,零点漂移按附录A.8的规定进行计算,结果应符合6.2.10.1的要求 7.10.2热零点漂移将装配后的敏感芯片放人高低温试验箱中,分别在;室温、上限工作温度、下限工作温度各恒温1h [或按产品技术条件(详细规范)规定的时间],记录上述各温度点的零点输出值热零点漂移按附录 A.9的规定进行计算,结果应符合6.2.10.2的要求 7.10.3热满量程输出漂移将装配后的敏感芯片放人高低温试验箱中,分别在室温、上限工作温度、下限工作温度各恒温1h [或按产品技术条件(详细规范)规定的时间],记录上述各温度点的满量程输出值热满量程输出漂移按附录A.10的规定进行计算,结果应符合6.2.10.3的要求检验规则 8.1检验分类检验分为出厂检验和型式检验 8.2出厂检验每只敏感芯片应经制造厂检验部门按照规定的检验项目进行检验,检验合格后方可出厂出厂检验项目、检验顺序按表3规定进行表3检验项目和检验顺序要求试验方法出厂检验型式检验检验项目序号检验项目章条号章条号项目项目不合格类型电气连接及外观 6.2.1、6.2.2 7." 敏感电阻 6,2.3 7.3 漏电流 6.2.4 7. 击穿电压 6.2.5 7.5 隔离电压 6.2.6 7.6 零点失调电压 6.2.7" 7." 常压失调电压 6.2.8 7.8 B 满量程输出 6.2.9.1 7.9.3 7.9,4 非线性 6.2.9.2
GB/T28856一2012 表3(续型式检验要求试验方法出厂检验检验项目序号检验项目章条号章条号项目项目不合格类型 10 5 6.2.9.3 7,9 迟滞 11 重复性 6.2.9.4 7.9.6 12 准确度 6.2.9.5 7.9.7 过载 13 6.2.9.6 7.9.8 14 零点漂移 6.2.10.1 7.10.1 B 15 热零点漂移 6.2.10.2 7.10.2 热满量程输出漂移 l6 6.2.10.3 7.10.3 注;“、”为检验项目;“一”为不检验项目 8.3型式检验检验原则敏感芯片具备下列情况之一时,应进行型式检验 -新产品或老产品转厂生产的试验定型鉴定; -正式生产后,如结构、材料、工艺等有重大改变; 正常生产时,定期或积累一定产量后,应周期性地进行检验,检验周期一般应为2年; -产品停产1年以上,恢复生产时; 同类型产品进行比对时; -国家质量监督机构提出进行型式检验的要求时 8.3.2型式检验项目型式检验项目及检验顺序按表3的规定进行,根据敏感芯片的不同用途可适当增减检验项目 8.3.3抽样、判定规定型式检验的抽样按GB/T28292002相应条款执行,以不合格品数为判断依据样本量n=10. 采用判别水平I的一次性抽样方案,采用不合格质量水平RQL=20,判定数组Ac=1,Re=2 项目判定每只样品有1个B类不合格或3个C类不合格,结果判定该样品合格 10只样品中有1只不合格，判定该批产品合格;有2只以上(含2只)不合格,判定该批产品不合格判定数组样本共10只,由质量管理部门按随机的方式抽取,生产部门提供的样品基数应大于2倍抽样样品数量 8.3.4对不合格判定的处理检验结果被判定为型式检验不合格时,按GB/T2829一2002中的规定进行处理 8.3.5对型式检验后的样品的处理经型式检验后的样品,按GB/T2829一2002中的规定进行处理
GB/T28856一2012 标志,包装,运输及贮存 9 标志 9.1.1敏感芯片包装盒在敏感芯片包装盒上应标明: 敏感芯片版图代码 a b 量程; c)受压方式; d 数量; e)生产批次号 9.1.2敏感芯片外包装箱盒在敏感芯片的外包装箱(盒)外表上应有运输标志,并标明 a)产品名称及型号规格; 收货单位 b e)发货单位; 注意标志 d 装箱日期 e) 包装 9.2 9.2.1敏感芯片包装敏感芯片的包装应符合设计文件要求,包装的图示标志应符合GB/T1912008的规定敏感芯片应采用防尘、防划伤、防静电的专用包装盒进行包装,包装盒外部应采用防震、防雨、防潮气聚集的塑料薄膜包裹,顶部、底部及产品四角应按需衬垫泡沫层;技术文件如使用说明书、合格证明书和保修单等应进行密封防潮包装,固定在包装箱内部明显的位置 9.2.2随箱文件随箱文件包括 a)装箱单; D 产品合格证; e)使用说明书其他相关文件资料 d) 9.3运输包装成箱的敏感芯片运输应严格遵照包装箱上注明的条件运输方式按订货合同上说明的要求执行 9.4贮存敏感芯片应存放在不低于10C35C、相对湿度不大于65%,洁净度不低于10万级的净化环境内,环境内空气中不得含有腐蚀性气体 10o
GB/T28856一2012 附录A 规范性附录传感器性能指标的计算方法 A.1实际校准特性敏感芯片的实际校准特性通过敏感芯片装配成敏感器件的静态校准获得设在敏感芯片的整个测量范围内有m个校准点，一般取m=(5~ll)点,进行n次压力循环校准试验,校准循环一般取n=(3~5)次,则在任一校准点上分别有n个正、反行程试验数据,按公式(A.1)计算每个校准点上正行程试验数据的平均值,按公式A.2)计算每个校准点上反行程试验数据的平均值按公式(A.3)计算总的平均值正行程平均值: Y=Y A.1 n 反行程平均值 Y Y A.2 2 总平均值 A.3 Y，=(Yu+Y 式中: Y 正行程第i个校准点第次的示值(i=1,2,3,,mj=1,2,3，,n); Y 反行程第i个校准点第次的示值(i=1,2,3,mj=1,2,3，,n); Y -第i个校准点正反行程总平均值; 重复试验次数校准点个数 2 A.2最小二乘法直线方程按公式(A.4),最小二乘法直线方程为: 4 A Ys=a十bX 截距a按公式(A.5)计算: x习Y-习x习x了 A.5 习x-(x) 7 斜率6按公式(A.6)计算 "之x二 A.6 Sx;-Sx) mn 11
GB/T28856一2012 式中: X -第i个校准点的压力值(i=1,2,3,, , A.3满量程输出(Y) 敏感芯片测量上限输出值与测量下限输出值之差的绝对值(以理论特性直线的计算值为依据)为满量程输出,按公式(A.7)计算: Y=|b(Xn-XL A.7) 式中: 理论工作直线的斜率 -测量上限的压力值 X" XY 测量下限的压力值非线性( 敏感芯片的非线性指标,按公式(A.8)计算 |Y,一Y s mX100% A.8 =！ Y 式中: Y -根据公式(A.3)式计算出的第i个校准点正反行程总平均值; Y -根据公式(A.4)式计算出的最小二乘直线方程的输出值; LS/ Y 满量程输出值 A.5迟滞(5n 按公式A.9)计算敏感芯片的迟滞 -Ylms yw 些×100% A.9 =" 式中: Yt同一校准点上正行程示值的平均值; -校准点上反行程示值的平均值 Ym 同一 A.6重复性(n 采用贝赛尔公式分别计算每个校验点上正,反行程输出值的子样标准偏差: 按公式(A.10)计算正行程子样标准偏差st: A.10 一习 u-Y su= 按公式(A.11)计算反行程子样标准偏差sw: A.11 S -Y Sw一按公式A.12)计算敏感芯片在整个测量范围内的子样标准偏差品+习i) (A.12 2m 12
GB/T28856一2012 则按公式(A.13)计算敏感芯片的重复性: 点=×100% A.13 Yrs 式中: 包含因子,敏感芯片的校准试验，一般只作刀=(35)个循环,其测量值属于小样本对于小样本，分布比正态分布更符合实际情况本标准按1分布取包含因子入=n保证95%的置信度) ta的与校准循环次数n的关系见表A.1 表A.1校准循环次数与包含因子 0 2.776 2.571 2.447 2.365 2.262 12.706 4.303 3.182 2.306 lo, 准确度(5 A.7.1准确度计算原则敏感芯片的准确度是系统误差与随机误差的综合反映,即取决于系统误差带U与随机误差带U 的大小 A.7.2敏感芯片的系统误差带U 按公式(A.14)计算正行程的系统误差 -Y A.14 AY)u=|Yuw" lm% 按公式(A.15)计算反行程的系统误差 (4Y');=|Y-Y A.15 则按公式(A.16)计算系统误差带U U=max(4Y),.(AY)m A.16) A.7.3敏感芯片的随机误差U 按公式A.17)计算敏感芯片的随机误差带U， U=土3 A.17) A.7.4敏感芯片的准确度(E 按公式(A.18)计算敏感芯片的准确度 U+U -×100% A.18) =士" YR A.8零点漂移(d, 按公式(A.19)计算敏感芯片的零点漂移d. Y 一Y Imx -×100% (A.19 d 式中: -零点漂移考核期间内零点示值的最大值;
GB/T28856一2012 Y -零点漂移考核期间内零点示值的最小值 min A.9热零点漂移(a) 按公式A.20)计算敏感芯片的热零点漂移a: Y.()-Y.( ×100% A.20 YG (t一t 式中 -室温,单位为摄氏度(C); 上限补偿温度或下限补偿温度,单位为摄氏度(C): Y.( 室温时,敏感芯片的零点输出; Y.(e 上限补偿温度或下限补偿温度下,敏感芯片零点输出; 温度下敏感芯片满量程输出 Ys(t tn A.10热满量程输出漂移(B 按公式(A.2)计算敏感芯片的热满量程输出漂移A [Y)-Y[Yn)-Y、 ×100% (A.21 [YG-YLG刀].一有式中: Y(4 室温时,敏感芯片的测量上限输出; 上限补偿温度或下限补偿温度下,敏感芯片的测量上限输出 Y(t2

硅压阻式压力敏感芯片GB/T28856-2012

硅压阻式压力敏感芯片是一种常用的压力传感器，广泛应用于汽车、机械等领域。GB/T28856-2012是我国针对硅压阻式压力敏感芯片制定的国家标准，下面我们来了解一下这个标准的相关内容。

1. 标准适用范围

GB/T28856-2012标准适用于使用硅压阻式压力敏感芯片的各种应用领域，例如汽车、机械等。该标准规定了硅压阻式压力敏感芯片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和存放等方面的内容。

2. 技术要求

GB/T28856-2012标准对硅压阻式压力敏感芯片的技术要求进行了详细规定。其中包括：芯片的结构要求、性能要求、电气特性、工作条件等要求。

3. 试验方法

GB/T28856-2012标准对硅压阻式压力敏感芯片的试验方法进行了规定。其中包括了灵敏度试验、零点漂移试验、温度循环试验、湿热试验等内容。

4. 检验规则

GB/T28856-2012标准对硅压阻式压力敏感芯片的检验规则进行了规定。其中包括检验项目、检验方法、检验频率等内容，确保了传感器的质量。

5. 标志、包装、运输和存放

GB/T28856-2012标准对硅压阻式压力敏感芯片的标志、包装、运输和存放进行了规定。其中包括了产品标志、包装材料、外观质量、运输条件和存放条件等方面的内容。

总之，GB/T28856-2012是我国对硅压阻式压力敏感芯片制定的国家标准，规定了硅压阻式压力敏感芯片的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和存放等方面的内容。这个标准的实施可以有效提高硅压阻式压力敏感芯片的质量和可靠性，推动我国相关产业的发展。