电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材

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国家标准 GB/T29658一2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 High-puritysputteringaluminiumandaluminium aloytargetusedineleetronicfilm 2013-09-06发布 2014-05-01实施 国家质量监督检监检疫总局 发布 国家标准花管理委员会国家标准
GB/T29658一2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国有色金属标准化技术委员(SAC/TC243)归口 本标准负责起草单位;有研亿金新材料股份有限公司 本标准参加起草单位:宁波江丰电子材料有限公司、新疆众和股份有限公司 本标准主要起草人;万小勇,罗俊锋、廖赞,尚再艳,杨华,朱晓光、孙秀霖、何金江、熊晓东,王兴权、 王学泽、钱红兵、喻洁,刘杰,洪涛,努力古、宋玉萍
GB/T29658一2013 电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材 范围 本标准规定了电子薄膜制备用高纯铝及铝合金粑材的要求、,试验方法、检验规则及标志,包装、运 输、存贮、订货单(或合同)等内容 本标准适用于电子薄膜用各类高纯铝及铝合金溅射靶材(以下简称铝靶. 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标 准 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准 GB/T1804一般公差未注公差的线性和角度尺寸的公差 GB/T6394金属平均晶粒度测定方法 金属材料中氨、镇,氮、碳和碱分析方法通则 GB/T14265 GB/T15823无损检测氮泄漏检测方法 GB/T20975.25铝及铝合金化学分析方法第25部分:电感稠合等离子体原子发射光谱法 GJB1580A 变形金属超声检验方法 JB/T4734铝制焊接容器 Ys/T837溅射靶材-背板结合质量超声波检验方法 Ys/T871高纯铝化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法 要求 3.1产品分类 3.1.1按照应用领域分为;半导体布线用高纯溅射靶材、半导体封装用高纯溅射靶材、平板显示器用高 纯溅射粑材和太阳能电池用高纯溅射粑材 3.1.2按照结构形式分为单体和焊接两种 3.1.3按外形分为圆形,矩形和三角形等 3.2合金成分与纯度 3.2.1根据合金材料不同,可分为纯铝粑,铝硅合金粑、铝铜合金靶、铝硅铜合金靶四种靶材 3.2. 高纯铝合金靶中合金元素含量应不超过规定成分的士10% 2 3 2. 3 铝靶合金成分及杂质元素要求应符合表1规定 表1铝靶合金成分和对应的杂质元素 AISi 成分 AICu AISiCu A或A合金含量不小于 99,99 99.999l99.999599.99599.99999.999599.99999.999599.999l99.9995 简称 5N 4N 5N 5N5 4N5 5N 5N5 5N5 5N 5N5
GB/T29658一2013 表1(续 AISi 成分 AICu AISiCu 0.3 Ag As 0.5 0.5 0.5 0,5 Au 0.5 0.5 0.5 0,5 0,5 0.5 0.5 5 5 5 0.5 0.5 0 0， 0.5 Ba 0.5 0.5 0.5 0.5 B Be 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 Ca 0.2 0.2 0.2 0.2" 1.0 1.0 1.0 0. 0. 0.1 0.1 0.4 0.4 0,4 0,4 0.5 0.5 0.5 0.5 Cs 50 Cu Fe 50 0,5 0.l 0.5 0,5 0.1 0.5 0.1 0. 金属杂质 含量不大 La 0.5 0.5 0.5 0.5 于10-" L 0.5 0.l 0.5 0.！ 0.5 0.1 0.5 0.1 Mg 30 2 Mn 10 0.5 0.5 0.5 0.5 Mo 0.2 0.2 0.2 0,2 Na 0.5 0,5 0.5 0.1 0. 0.1 0.l Ni 20 Pb 0.3 0.3 0.3 Sb 0.5 0.5 0.5 0.5 30 sn 0.2 0.2 0.2 Tm 0,4 0.4 04 0,4 Z 0.5 0.5 0.5 0.5 Z 0.5 0.5 0.5 0.02 0.001 0.02 0.001 0.02 0.001 0.02 0.001 Th 0.02 0.001 0.02 0.001 0.02 0.001 0.02 0.001
GB/T29658一2013 表1(续 成分 AIsi AICu AISiCu Al 10 10 10 100 1o 50 杂质总含量不大于10-" 20 30 20 30 30 20 30 20 30 H 0.5 0.5 0.5 0.5 气体元素 含量不大 10 10 10 10 10 10 于10-" 30 30 30 20 30 30 20 20 30 20 10 10 10 10 注1:需方对元素有特殊要求的由供需双方协商,并在订货单(或合同)中注明 注2;铝粑的纯度为100%减去要求杂质总和的余量(不含c,oN,H.S). 3.3晶粒尺寸 铝靶的晶粒尺寸应符合表2规定,并且晶粒分布均匀 表2铝靶晶粒尺寸要求 晶粒尺寸要求 纯度 简称 合金成分 平均值 最大值 % m m 99.99 4N 二500 s1000 A 99.999 5N 500 300 99.9995 5N5 99.995 4N5 AIS 99,999 5N 5N5 99.9995 99.999 5N s150 二200 AICu 99,9995 5N5 99,999 5N AISiCu 99.9995 5N5 注:需方如有特殊要求时,由供需双方商定,并在订货单(或合同)中注明 3.4内部质量 铝靶内部不应有分层、疏松、夹杂和气孔等缺陷,由供方生产工艺保证 需方有特殊要求时按 GJB1580A执行 3.5焊接质量 铝靶的常规焊接方法为钉焊、扩散焊和电子束煤 钉焊、扩散媒质量应符合表3的规定,电子束焊 质量应符合表4的规定 需方如有特殊要求时,应由供需双方协商确定,并在订货单(或合同)中具体 注明
GB/T29658一2013 表3焊接质量要求 接方式 焊接结合率 单个未焊合间隙面积占总面积比例 钉媒 >95% 扩散媒 多98% 1% 表4电子束焊接质量要求 检验方式 指标 氮检 漏率10-"Pam'/s 0.4MPa水压下保持10min以上无泄漏 水检 3.6几何尺寸及允许偏差 铝粑尺寸及结构方式一般根据需方提供图纸确定,经供需双方协商确定并在订货单(或合同)中注 明后 如果需方图纸未提供允许偏差,则铝靶尺寸允许偏差应符合GB/T1804要求 3.7外观质量 铝粑表面应清洁光滑,无指痕,油污和锈蚀,无颗粒附加物和其他沾污,无凹坑、划伤,裂纹,凸起等 缺陷 试验方法 4.1化学成分分析方法 4.1.1合金元素按照GB/T20975.25规定的方法进行检测 4.1.2金属杂质元素,P的分析方法按照YS/T871规定的方法进行检验 气体元素H,O,N,C和s的分析方法按照GB/T14265执行 4.2晶粒尺寸检验 铝靶的晶粒尺寸检验按照GB/T6394执行 4.3 内部质量检验 铝靶的内部质量的检验按GJB1580A执行 4.4焊合质量 4. .4.1纤焊,扩散焊按YS/T837的规定检验 4.4.2电子束焊质量氮泄漏检测方法按GB/T15823执行,水压检测按JB/T4734中的方法执行 4.5尺寸检测方法 产品外形尺寸及其允许偏差应用相应精度的测量工具进行测量 4.6外观质量检验方法 铝粑外观质量采用目视检查,如发现异常现象,用放大镜或数码显微镜进行鉴别
GB/T29658一2013 检验规则 5.1检查和验收 5.1.1铝靶应由供方进行检测,保证产品质量符合本规范或订货单(合同)的规定,并填写质量证明书 5.1.2需方应对收到的铝靶按本标准的规定进行复验 如复验结果与本标准(或订货合同)的规定不 符时,应在收到产品之日起了个月内向供方提出由供需双方协商解决 如需仲裁,仲裁取样应由供需 双方共同进行 5.2 组批 产品应成批提交验收 每批应由同一生产批、同种成分和规格的产品组成 5.3检验项目、取样位置和取样数量 铝靶出厂前应进行全面检测 检验项目、取样位置,取样数量应符合表5规定 5.3.1 表5铝靶检测项目,取样及数量 检验项目 取样数量 取样数量 要求的章条号 检验的章条号 3.2.2 化学成分 铸锭端部 1个/炉 4.1.2,4.1.3 3.2.3 晶粒尺寸 5.3.2 1件/批 3.3 4.2 内部质量 焊接前 逐件 3,4 4.3 焊接质量 媒接后 逐件 3.5 4.4.l,4.4.2 几何尺寸 成品 逐件 外观质量 成品 3.7 逐件 4.6 包装质量 成品 逐件 6.2 4.7 5.3.2晶粒尺寸测定取样 圆形靶坯、矩形靶坯和三角靶坯在边缘位置进行取样,取样示意图如图1所示 联 样品 样品 样M 样品 样品 圆形靶坯 矩形靶坯 三角形靶坯 b 图1铝靶坯取样示意图
GB/T29658一2013 5 检验结果的判定 5.4.1化学成分检测不合格时,则判该锭生产的靶材不合格 5.4.2晶粒尺寸抽检合格,判该批合格;抽检不合格时,判该件不合格;再从同批产品中加倍抽样进行 复检,若复检全部合格,判该批其余产品合格;若复检不合格,则判该批不合格 5.4.3内部质量检测、焊接质量检测、尺寸检测、外观质量检任何一项不合格时,判该件产品不合格 标志、包装、运输、贮存及质量证明书 6.1标志 6.1.1在检验合格的铝靶上,将公司标志、成分及生产批号刻在产品指定位置 6.1.2在每个外包装上贴纸质标贴,内容包括 a)供方厂名厂址; b 公司标志; e)产品名称 d)纯度; 客户名称 e f 订单编号; 物料编号 g 生产批号 h 出厂日期 iD 其他要求内容 j 6.2包装 6.2.1铝靶的清洗、干燥及内包装应在洁净间内进行 靶材经过全面清洗,真空干燥后每片单独真空 包装,真空袋封口要平整无贯通,真空袋体无漏洞,无真空泄露 6.2.2外包装采用纸盒或中空盒包装 包装盒内应有防碰撞措施 将质量证明书用塑封袋装好后粘 贴于包装盒上 6.2.3包装产品应保存于清洁的环境中 运输与贮存 运输及贮存过程中,应注意防振防潮、防压防止二次污染 质量证明书 6 每批产品应附有质量证明书,注明 a)供方名称、地址、电话、传真; b) 产品名称 c)纯度 d 客户名称 e)订单编号 客户编号; g生产批号 h)分析检测结果和品质部门负责人的合格判定;
GB/T29658一2013 出厂日期 i j 其他要求内容 订货单(或合同)内容 订购本标准所列产品的订货单(或合同)内应包括下列内容: a)产品名称 纯度; D 化学成分、物理性能、表面质量等特殊要求 c d)规格; e)数量， 标准编号 f g其他需要协商或增加标准以外要求的内容

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材GB/T29658-2013

什么是电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材？

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材是一种用于电子薄膜制备的重要材料。它主要由高纯度的铝或铝合金制成，通过溅射技术将其沉积在基片上，形成所需的薄膜。

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材的主要特点有哪些？

1. 高纯度：电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材具有较高的纯度，可确保薄膜的质量和稳定性；

2. 良好的加工性能：该材料易于加工、切割和成型，可满足不同基片的要求；

3. 稳定性好：该材料具有较好的热稳定性和化学稳定性，适用于多种生产环境；

4. 优良的物理性能：电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材具有良好的导电性、导热性和光学性能。

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材的应用领域有哪些？

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材主要应用于电子器件、光学镀膜、太阳能电池板等领域。在电子器件方面，它被广泛应用于电容器、电阻器、电感器、场效应管等元器件的制备中；在光学镀膜方面，它则用于制备反射镜、透镜、滤光片等光学元件；在太阳能电池板方面，它则被用于制备薄膜太阳能电池的电极。

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材GB/T29658-2013标准是什么？

GB/T29658-2013是我国制定的电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材标准，该标准规定了该材料的化学成分、物理性能、机械性能、加工性能等方面的要求和测试方法。严格按照该标准生产的电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材具有较好的质量和稳定性，可以确保薄膜在制备过程中的可靠性和一致性。

结语

电子薄膜用高纯铝及铝合金溅射靶材是一种重要的材料，随着电子技术和材料科学的不断发展，其应用领域将会更加广泛。希望相关企业能够不断提高生产技术和质量标准，为推动我国电子制造业的发展做出积极贡献。

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