GB/T15878-2015
半导体集成电路小外形封装引线框架规范
Semiconductorintegratedcircuits—Specificationofleadframesforsmalloutlinepackage
- 中国标准分类号（CCS）L56
- 国际标准分类号（ICS）31.200
- 实施日期2016-01-01
- 文件格式PDF
- 文本页数15页
- 文件大小407.74KB
以图片形式预览半导体集成电路小外形封装引线框架规范
半导体集成电路小外形封装引线框架规范
国家标准 GB/T15878一2015 代替GB/T158781995 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范 Semicomductointegrateeireuits一 Speeifieationofleadframesforsmalloutlinepackage 2015-05-15发布 2016-01-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T15878一2015 目 次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 技术要求 4.1引线框架尺寸 4.,2引线框架形状和位置公差 4.3引线框架外观 4.4引线框架镀层 4.5引线框架外引线强度 4.6铜剥离试验 银剥离试验 4.7 检验规则 检验批的构成 5.1 5.2鉴定批准程序 5.3质量一致性检验 订货资料 标志、包装、,运输、贮存 7.1标志、包装 7.2运输、贮存 附录A(规范性附录引线框架机械测量
GB/T15878一2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
本标准代替GB/T15878一1995《小外形封装引线框架规范》
本标准与GB/T15878-1995相比主要变化如下 按照标准的使用范围.将原标准的标准名称修改为“半导体集成电路小外形封装引线框架 规范”; 关于规范性引用文件;增加引导语;抽样标准由GB/T2828.12012代替s/Z900787;增 加引用文件GB/T2423.60-2008.S20129; 标准中的4.1由“设计”改为“引线框架尺寸”,将原标准中精压深度和金属间隙的有关内容调 整到4.2,并将原标准中“精压区”的有关内容并人到“精压深度”条款中; 对标准的“4.2引线框架形状和位置公差”中相应条款顺序进行了调整,并增加了芯片粘接区 下陷和引线框架内部位置公差的有关要求; 修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1);原标准中仅规定了在150mm的长度方向上,不超 过0.5mm,本标准在整个标称长度上进行规定; 修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2);原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm,本标准根 据材料的厚度分别进行了规定 “的要求(见4.2.4);原标准中仅规定了每条框架上扭曲不超过 修改了标准中对“条带扭曲” 1,本标准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度分别进行了规定 0.51mm. 修改了标准中对“引线扭曲”的要求(见4.2.5);原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量,本标准刷除了引线宽度上最大偏移量的规定 原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响,简单地规定了精压深度的尺寸范围
本标准修改 为:在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下,精压深度不大于材料厚度的30%,其参考 mm0.06mm(见4.2.6); 值为0.015 将“金属间隙”修改为“绝缘间隙”,并修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7);原标准规 定“引线框架各内引线之间内引线与芯片粘接区之间的距离不小于0.152mm”,本标准修改 为“相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.0761 mm -修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求(见4.2.9):原标准中分别规定了在打凹和未打凹条 件下的最大斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05" mm; 将原标准中的“芯片粘接区平面度”与“芯片粘接区平整度”统一规定为“芯片粘接区平面度" 见4.2,11); -修改了标准中对“毛刺”的要求(见4.3.1)取消了原标准中连筋内外不同区域垂直毛刺的不同 要求,本标准统一规定为0.025 mm; 修改了标准中对“凹坑、压痕和划痕”的要求(见4.3.2):在原标准的基础上增加划痕的有关 要求; -修改了标准中对“局部镀银层厚度”的要求(见4.4.1):原标准仅规定了局部镀银层的厚度,本 标准对局部镀银层厚度及任意点分别进行了规定; -增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6); -增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7); -对标准“5检验规则”中相应条款进行修改,参照GB/T14112一2015检验规则,并增加了鉴
GB/T15878一2015 定批准程序和质量一致性检验的有关内容; -修改了标准中对“贮存”的有关要求;原标准有镀层的保存期为3个月,本标准规定为6个月 见7.2); -增加了规范性附录A“引线框架机械测量” 请注意本文件的某些内容可能涉及专利
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
本标准由工业和信息化部提出
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口
本标准起草单位:厦门永红科技有限公司
本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、申瑞琴
本标准所代替标准的历次版本发布情况为 -GB/T15878一1995
GB/I15878一2015 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范 范围 本标准规定了半导体集成电路小外形封装(sOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验 规则
本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
凡是注日期的引用文件.仅注日期的版本适用于本文 件
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件
GB/T2423.602008电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验U;引出端及整体安 装件强度 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 (GB/T7092半导体集成电路外形尺寸 (GB/T14112一2015半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范 GB/T14113半导体集成电路封装术语 S20129金属镀覆层厚度测量方法 术语和定义 GB/T14112-2015和GB/T14113中界定的术语和定义适用于本文件
技术要求 4.1 引线框架尺寸 引线框架的外形尺寸应符合GB/T7092的有关规定,并符合引线框架设计的要求
4.2引线框架形状和位置公差 4.2.1侧弯 侧弯在整个标称长度上不超过0.05mm. 4.2.2卷曲 材料厚座不大于0.1532mm时卷曲为材料厚度的25倍;材料厚度大于0.132mm时.卷曲为材料 厚度的2倍
GB/T15878一2015 4.2.3横弯 最大横弯不得超过士0.127 mm 4.2.4条带扭曲 材料厚度不大于0.152mm时,条带扭曲为材料厚度的2.5倍;材料厚度大于0.152mm时,条带扭 曲为材料厚度的2倍
4.2.5引线扭曲 引线扭曲不超过3"30' 4.2.6精压深度 图纸上表明的尺寸为精压前尺寸,在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下,精压深度不大 于材料厚度的30%
最小精压深度受最小键合区要求的限制,最大精压深度受最小引线间距要求的限 制,参考值为0.015mm一0.06mm
4.2.7绝缘间隙 相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.076mm
4.2.8精压引线端共面性 引线框架内引线精压区端头共面性在士0.1mm范围内 4.2.9芯片粘接区斜度 在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm,测试从角到角进行
4.2.10芯片粘接区下陷 芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算,公差为士0.05mma 4.2.11芯片粘接区平面度 芯片粘接区平面度测试从中心到拐角进行.拐角测量点规定为离每边0.127mm处.平整度不大于 0.005mm
4.2.12引线框架内部位置公差 所有引线框架的特征中心相对于边框上定位孔中心线实际位置公差,应在士0.05mm之内
4.3引线框架外观 4.3.1毛刺 垂直毛刺最大为0.025mm,水平毛刺最大为0.05 mm
4.3.2凹坑、压痕和划痕 在功能区和外引线,凹坑和压痕深度不应超过0.008mm,最大表面尺寸为0.013mm
在非功能区 内,凹坑和压痕深度不应超过0.025mm,最大表面尺寸不应超过0.051nmm;划痕最大尺寸宽×深为
GB/T15878一2015 0.075mmx0.030mm,数量不超过1个
4.3.3表面缺陷 无镀层部位应呈金属材料本色,无锈蚀,发花等缺陷
4.4引线框架镀层 4.4.1镀层厚度 4.4.1.1局部镀金 引线框架局部镀金层厚度不小于1 从m
4.4.1.2局部镀银 局部镀银引线框架,其镀银层厚度不小于3Am(平均值),任意点不小于2.5Am
4.4.2镀层外观 镀层表面应致密、平滑,色泽均匀呈镀层本色,不允许有起皮、起泡,玷污、斑点,水迹,异物、发花等 缺陷
应无明显污点、脱落或镀层漏镀,无贯穿整个镀层的划痕
4.4.3镀层耐热性 镀层经高温试验后应无明显变色,不允许起皮、起泡、剥落,发花、斑点等缺陷
4.4.4镀层键合强度 引线框架的镀层应易于粘片及键合,键合强度大于40mN
4.5引线框架外引线强度 引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂
4.6铜剥离试验 胶带上的铜覆盖面积不得超过引线框面积的10%
银剥离试验 胶带上不允许银层粘附
检验规则 检验批的构成 5.1 个检验批可由 击一个生产批构成,或由符合下述条件的几个生产批构成 这些生产批是采用基本相同的材料、工艺、设备等制造出来的 a b每个生产批的检验结果表明,材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的 质量要求; 若干个生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周,除另有规定外,最长不得超过一个月
GB/T15878一2015 5.2 鉴定批准程序 5.2.1鉴定检验由A组,B组、C组检验组组成
5.2.2鉴定后的引线框架应按5.3的规定进行质量一致性检验 5.2.3对于已鉴定的引线框架,当发生以下任一情况时,应重新进行鉴定 a)修改了引线框架设计图纸; 生产制造技术改变(包括生产场地的改变); b 停止生产半年以上(如果该生产线生产另一种已鉴定的引线框架,且主要工艺未作改变,则可 以认为生产是连续的
重新鉴定时,必须进行A组、B组和c组检验
在检验没有结果之前,这些引线框架不得交付 使用
5.3质量一致性检验 5.3.1组成 质量一致性检验由A组、B组,C组检验组组成
5.3.2A组检验 A组检验应逐批进行,其检验分组见表1
表1 A组检验 分组 检验或试验 试验方法章条号 检验要求章条号 毛刺检验按GB/T14l12一2015附录A,其 引线框架外观 A 4.3.1l4.3.3 他用满足测量精度的量具或工具进行测量 A2 镀层外观 目检 4.4.2 5.3.3B组检验 B组检验应逐批进行,其检验分组见表2
表2B组检验 试验方法章条号 分组 检验或试验 检验要求章条号 引线框架尺寸 用满足测量精度的量具或工具进行测量 B1 4.l GB/T141122015附录A及本标准附录A B2 引线框架形状和位置公差 4.2.14.2.12 中A.lA.5 B3 镀层厚度 其试验方法引用s20129 4.4.1 B 镀层耐热性 GBy/T14112一2015附录B 4.4.3 5.3.4C组检验 C组检验为周期检验,应每3个月进行一次,其检验分组见表3
GB/T15878一2015 表3C组检验 分组 检验或试验 试验方法章条号 检验要求章条号 键合强度 GB/T14l12一2015附录B 4.4.4 GB/T2423.602008 外引线强度 1.5 试验Ub 铜剥离试验 GB/T14112一2015附录B 4.6 银剥离试验 GB/T14112一2015附录B 4.7 5.3.5检验要求 5.3.5.1抽样方案 A组和B1一B3组检验采用AQL抽样方案见表4
B和C组检验采用LTPD抽样方案见表5
抽样以条为计数单位
表4A组和B1B3组检验的抽样要求 正常检验一次抽样 分组 lIL(检验水平 AQL Al 2.5 A2 2.5 B1 1.5 B2 2.5 S3 B3 S3 1.5 表5B4和C组检验的抽样要求 分组 LTPD B4 30 30 Cl C2 30 30 C3 C4 30 采用AQL抽样方案时,应根据GB/T2828.1一2012正常检验一次抽样;采用LTPD抽样方案时 应根据GB/T14112一2015附录C确定抽样方案
逐批检验的样品应从该检验批中抽取
周期检验的样品应从通过了A组和B组检验的一个或几 个检验批中抽取 5.3.5.2批拒收判据 不符合A组和B组检验要求的批为不合格批
如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一
GB/T15878一2015 分组中的一项试验要求,将使该批引线框架被拒收,质量一致性检验即可停止
如果一检验批在质量一 致性检验中不符合A组或B组要求,而且未被重新提交,则该批即判为拒收批
5.3.5.3重新提交的批 通过采用尺寸校正,镀层清洗后重镀的方法,可以对初次提交的不符合A组或B组检验要求的批， 经返工后重新提交
重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架
每个检验组(A组或B组)只能 重新提交一次
重新提交的批应与其他批分开,并清楚标明为重新提交的批
重新提交的批对初次提 交的全部不合格试验分组,应采用加严检验,随机地重新抽样
B组检验不合格而重新提交时,应包括 A组检验
5.3.5.4试验设备故障或操作人员失误时的程序 如果确认引线框架失效是由于试验设备故障或操作人员失误引起的,应将失效记人试验记录
质 量管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架,替代的引 线框架应进行规定的全部试验
5.3.5.5周期检验不合格的程序 如果周期检验不合格,且不是由于设备故障或操作人员失误所引起,则应执行下述规定: a)立即停止引线框架的放行 调查不合格的原因,并根据调查结果对以后的生产批实施解决质量问题的措施; b 从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验
试验合格的批可以 c 放行
只有连续三个检验批通过这些分组的检验后,才能恢复正常的周期检验 5.3.6放行批证明记录 应编写放行批证明记录,并对记录的准确性负责
放行批证明记录的内容应包括: a)制造单位名称,商标和地址; b 引线框架的型号和规格; 放行批证明记录周期的起止日期; d)所做的试验项目及试验结果 订货资料 若无其他规定,订购引线框架至少需要以下资料 a)型号,规格 b) 设计图纸的编号 e)数量
标志,包装、运输、贮存 7.1标志,包装 包装中应有检验合格证,标明制造单位名称、产品型号和规格、数量、批号及检验批代码 内包装应采用化学中性的防潮包装,并保证产品不受损坏和玷污 外包装应保证产品在贮存、运输过程中不受损伤,不变形
其上注明“怕雨”“易碎”字样
GB/T15878一2015 7.2运输、贮存 产品在运输过程中应防止雨淋,受潮
产品应贮存在环境温度为10C~35C,相对湿度小于60%,周围无腐蚀性气体的库房内
自生产日期起算,镀金引线框架保存期为6个月,镀银引线框架保存期为6个月
GB/T15878一2015 附 录A 规范性附录 引线框架机械测量 A.1绝缘间隙 A.1.1目的 测量引线框架精压区端点间,精压区端点与芯片粘接区间的间隔距离
A.1.2测量方法 测量步骤如下 用投影仪的零中心线对准如图A.1“1”处的端点边,记录在零线的数据
再用投影仪的零中心 线对准如图A.1“2”处的端点边,测微计读数之差即为相邻两精压区端点间的间隔
用同样方法测图A.1“3”处的端点边与芯片粘接区“4”处间的间隔
图A.1引线框架绝缘间隙 A.2精压引线端共面性 目的 A.2.1 测量引线框架精压区是否处于同一平面
A.2.2测量方法 测量步骤如下:
GB/T15878一2015 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行
b把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面
再将焦点移至另一引线连筋 把显微镜聚焦在如图A.2引线连筋1处的中点,焦点高度为零
2处的相应点上,并重新聚焦
两个焦点高度的平均值为基准高度
将焦点移至精压区3处,并在距端点0.254mm处重新聚焦,记录相对于基准高度的高度差， 减去已知的精压深度,即得出实际的精压区共面性数值
用同样方法依次对每个精压区进行测量,准确记录每个读数的正(十)或负(一)值,最大值减去 最小值为内引线脚精压区共面性
测量 口口 基准面 口 引线连筋 图A.2引线框架精压引线端共面性 A.3芯片粘接区斜度 A.3.1目的 测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度
A.3.2测量方法 测量步骤如下 a)将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行
b把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面 测试点应在距芯片粘接区切割边缘0.127nmm处
把显微镜聚焦在如图A.3的目标1处,其 焦点高度为零 转动测微计的轴使其移至目标2处,重新调节显微镜焦距,测出焦点高度即为芯片粘接区的 斜度
用同样方法分别测量目标3和目标4,得出芯片粘接区的最大斜度
GB/T15878一2015 芯片粘接区 引线连筋 z m 图A.3引线框架芯片粘接区斜度 A.4芯片粘接区平面度 A.4.1目的 测量引线框架芯片粘接区的平面程度
A.4.2测量方法 测量步骤如下: a)将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与x、Y移动轴平行
b) 把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定乙平面
把显微镜聚焦在如图A.生芯片粘接区的中心点,其焦点高度为零
再将焦点移至目标1处(距 c) 芯片粘接区切剐边缘0.127mm),测出焦点高度即为芯片粘接区该点的高度
d 用同样的方法分别测量目标2、目标3和目标4,分别得出芯片粘接区在该点的高度
1、2、3、4点中的最大值即为该区域的芯片粘接区平面度 e 中心点 芯片连接区 -引线连筋 物 图A.4引线框架芯片粘接区平面度 10o
GB/T15878一2015 A.5引线框架内部位置公差 A.5.1目的 测量引线框架内部位置公差
A.5.2测量方法 测量步骤如下 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行; a 把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定乙平面. b 把显微镜聚焦在如图A.5边框上定位孔的中心点,其坐标尺寸为零 分别移动显微镜至如图A.5引线框架的特征中心1.2.3,分别读出其x或Y坐标特征值,该 值与图标尺寸的实际误差即为该部位的引线框架内部位置公差
定位孔中心点 图A.5引线框架内部位置公差
半导体集成电路小外形封装引线框架规范GB/T15878-2015
半导体集成电路是现代电子科技中的重要组成部分，而引线框架规范则是半导体集成电路封装中不可或缺的一部分。GB/T15878-2015是我国半导体集成电路小外形封装引线框架规范的标准，对于保证半导体集成电路质量和可靠性具有重要意义。
一、GB/T15878-2015标准概述
GB/T15878-2015标准规定了半导体集成电路小外形封装引线框架的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和存储等内容。该标准适用于半导体集成电路的引线框架设计、制造和检验等环节，旨在提高半导体集成电路的可靠性和质量。
二、GB/T15878-2015标准内容
GB/T15878-2015标准主要包括以下内容：
2.1 引线框架技术要求
该部分规定了半导体集成电路小外形封装引线框架的结构、材料、制造工艺等技术要求，以及引线框架的尺寸、位置、距离等设计要求。
2.2 引线框架试验方法
该部分规定了对半导体集成电路小外形封装引线框架进行试验的方法和标准，包括引线框架的引出力试验、热冲击试验、湿热试验等。
2.3 引线框架检验规则
该部分规定了对半导体集成电路小外形封装引线框架进行检验的规则和标准，包括引线框架的外观检验、引线弯曲度检验、引线间距偏差检验等。
2.4 引线框架标志、包装、运输和存储
该部分规定了对半导体集成电路小外形封装引线框架进行标志、包装、运输和存储的要求和标准。
三、GB/T15878-2015标准的应用
GB/T15878-2015标准的实施，可以保证半导体集成电路小外形封装引线框架的质量和可靠性。在半导体集成电路设计、制造、检验等环节中，都需要按照该标准进行操作，以确保半导体集成电路的稳定性和可靠性。
四、总结
半导体集成电路小外形封装引线框架规范GB/T15878-2015标准是我国半导体集成电路封装领域的重要标准之一，它的实施对于促进我国半导体产业的发展和提升产品质量具有重要意义。同时，GB/T15878-2015也为国际半导体行业提供了参考和借鉴，推动了标准化在全球范围内的普及和应用。
总之，半导体集成电路小外形封装引线框架规范GB/T15878-2015是我国半导体集成电路封装领域的重要标准，它对于保证半导体集成电路的质量和可靠性具有重要意义。在半导体集成电路设计、制造、检验等环节中，需要严格按照该标准进行操作，以确保半导体集成电路的稳定性和可靠性。
半导体集成电路小外形封装引线框架规范的相关资料
- 半导体变流串级调速装置总技术条件GB/T12669-2012解读
- 同步电动机半导体励磁装置总技术条件GB/T12667-2012
- 带电粒子半导体探测器测量方法GB/T5201-2012
- 半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T4937.3-2012
- 半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）GB/T4937.4-2012
- 频率低于3MHz的印制板连接器第12部分：集成电路插座的尺寸、一般要求和试验方法详细规范GB/T15157.12-2011
- 识别卡集成电路卡编程接口第2部分：通用卡接口GB/T29271.2-2012
- 识别卡集成电路卡编程接口第1部分：体系结构GB/T29271.1-2012
- 多晶硅棒规程评价方法——区熔拉晶法和光谱分析法
- 集成电路记忆法与符号GB/T20296-2012
- 封装闪烁体光输出和固有分辨率的测量方法GB/T28544-2012
- 瓶装、罐装和其它封装饮料自动售货机性能试验方法GB/T28493-2012
- 半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检GB/T4937.3-2012
- 半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-2013
- 证券期货业电子化信息披露规范体系第4部分：实例文档封装格式GB/T30338.4-2013
- 半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架规范GB/T15877-2013
- 半导体集成电路塑料有引线片式载体封装引线框架规范GB/T16525-2015
- 半导体集成电路小外形封装引线框架规范GB/T15878-2015
- 半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架规范GB/T15876-2015
- 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14112-2015解读
- 半导体集成电路小外形封装引线框架规范GB/T15878-2015
