GB/T12604.10-2011
无损检测术语磁记忆检测
Non-destructivetesting-Terminology-Termsusedinmagneticmemorytesting
- 中国标准分类号（CCS）J04
- 国际标准分类号（ICS）19.100
- 实施日期2012-03-01
- 文件格式PDF
- 文本页数9页
- 文件大小1.91M
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无损检测术语磁记忆检测
国家标准 GB/T12604.10一2011 无损检测术语磁记忆检测 Non-destuetietestng一Iermtmoogy一Termsulselinmagnetiememwrytesting 2011-06-16发布 2012-03-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB:/T12604.10一2011 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国无损检测标准化技术委员会(SAC/TC56)归口
本标淮起草单位;爱德森(厦门)电子有限公司、特种设备检测研究院、北京航空材料研究院、北 京航空航天大学华北电力科学研究院、装甲兵工程学院、上海泰司检测科技有限公司
本标准主要起草人:;林俊明、陈钢、徐可北、沈功田、雷银照、胡先龙、董世运,胡斌
GB:/T12604.10一2011 无损检测术语磁记忆检测 范围 本标准界定了金属磁记忆检测的术语和定义
本标准适用于磁记忆检测和无损检测及其他相关领域 术语和定义 2.1 金属磁记忆metalmagneticmemory MMM 在环境磁场中,铁磁性金属材料或焊缝由于制造、冷却或工作载荷形成的应力集中或损伤产生不可 逆的残余磁性现象 注:环境磁场包括地磁场和其他外部磁场
自有漏磁场self-magnetieleakagfield SMLR 由于工作应力或者残余应力的作用产生于铁磁性金属材料或焊缝表面的位错滑移稳定带或组织最 大不均匀区域的磁场
2. 3 磁记忆检测magnetiememorytesting MMT 以对铁磁性金属材料或焊缝表面的自有漏磁场进行分析为基础,确定金属和焊缝的应力集中或损 伤区域为目的的一种无损检测方法 注:自有漏磁场为磁记忆检测的表征
磁记忆显示图magnetiememorytestingdlisplay;MITdisplay 磁记忆信号幅值与扫查时间或位移变化之间的轨迹图形 磁记忆异常信号abmormalmagnetiememorysignal 磁记忆检测仪在被检件表面扫查获取的随时间或空间突变的信号 2.6 磁记忆检测通道Mret hannel 磁记忆检测仪器采集、处理磁记忆信号的物理通道
2.7 多通道磁记忆检测仪multichamnelmagneticmeorytestinginstrument 具有多个检测通道的磁记忆检测仪器
2.8 磁记忆传感器MMITsensor 具有拾取磁记忆信号并转化为电信号的检测元件或单元组件
GB/T12604.10一2011 2.9 磁记忆阵列传感器MMr arraysensor 按直线、矩阵等方式规则排布的多单元集成的传感器 2.10 0-dislocation 磁位错磁滞回线magneto- hysteresis 在弱磁环境中,由于位错团在磁铸壁的钉扎引起的磁滞回线
2.11 局部稳定性破环区的临界值 eriticalsizeoftheloealzonesofinstabilityoftheshellofacompo- nent 铁磁性金属工件在载荷作用下丧失稳定性而产生的金属层两个最近滑移稳定带之间的最小距离
注:金属工件的临界值由两个最近的自有漏磁场极值之间的距离表示,该极值与壳体尺寸成倍数关系
自有漏磁场的强度SL.Fintensity 用磁记忆检测方法在铁磁性金属材料或悍缝表面测得的漏磁场强度的参数
2.13 自有漏磁场的梯度SMILFgradient 在两个检测点测得的法向漏磁场强度的差值与两点间的距离之比的绝对值
2.14 梯度因子taetororsLrgradient 自有漏磁场的最大梯度值与其平均值之比
2.15 强屈评价因子ealatingttfthemterldematieapaltsy 相应于金属强度极限的自有漏磁场最大梯度值与相应于金属屈服极限的自有漏磁场平均梯度值 之比 两个检测通道之间的基准距离basedistancebetweentwoMMTehannels L 调整传感器时设定的两个测量通道之间的距离
2.17 ngpoints 磁记忆信号的记录间距distancebetweentwoadjacentMINIsigmalrecordim 记录磁记忆信号时两个相邻测量点之间的距离
2.18 磁记忆检测仪的标定calibrationofthe usedtomeasurethemetalmagneticmemory equipment 磁记忆检测仪的标定包括对磁场强度测量的标定和测量距离的标定,对磁场强度的标定是在参考 磁场中调整磁记忆仪器和传感器,使仪器显示与参考磁场一致的过程;对测量距离的标定是在参考长度 上调整长度测量传感器使磁记忆仪器显示与参考长度一致的过程
2 19 干扰因素interferefaetors 使被检测对象的磁记忆信号失真的因素
注:干扰因素主要包括 1 检测对象附近存在的强磁场源和不均匀磁场源; 2 检测对象上存在外来的铁磁制品
GB:/T12604.10一2011 3) 检测对象上存在的外部磁场和来自电焊的磁场 存在人工磁化等
4 2.20 磁记忆信号平面显示图MIMsignalplanardisplay 以被检对象表面X或Y或Z)轴方向磁场强度为横坐标,Y(或Z或X)轴方向磁场强度为纵坐标 显示磁记忆信号随时间或位移变化的 二维轨迹图形
如图1
PositiO2091nm 物理道号 P1 墨 增益 25,0dB 数字进波 关 作用范围 当前通道 "0 "" 检测 校准报警分析 程序 显示 其它 图1平面显示图(与时基扫描同屏显示) 2.21 磁记忆信号时基显示图MIsignaltimc-basedisplay 在仪器屏幕水平方向上连续标出随时间变化的磁记忆信号图形
如图2 Position 物理语号 增益 26.0dB 数字虑波 作用范围 当前通道 检测显示校准报警分析其它程序 a阴影显示模式 图2磁记忆信号时基显示图
GB/T12604.10一2011 Position: 45825e Z 物理道号 增益 26.0dB 数字波 关 作用范围 当前通道 检视 程序 显示校准报警分析其它 h曲线显示模式 图2(续 2.22 磁记忆信号A扫描显示图MMIsignal display alA-Scan 用带有定位功能的磁传感器进行检测,并在仪器屏幕相应标尺上连续标出磁记忆信号的图形
如 图3
7500 700o 650o 6oo0 550 HO 450 400o 3500 30oo 50 20o0 500 -50o -10 -o0 2 -250o -3000 -3500 -400o 400.08O0.0I200.0I60O.02000.02400.028O0.03200.036O0.O 20o.060o.oo0.o400.080a.02200.0260o.0300o.o340o.o38o.0 n》阴影显示模式 图3磁记忆信号A扫描显示图
GB:/T12604.10一2011 7500 00 60 5500 5000 4500 4000 3500 300o 2500 2000 1500 0 500 -500 -1o0 -1500 -20o0 -500 -3000 -3500 -400o 00.0Gon.OHo0.040.oTN00202C.030.03400.038oo.0 b 曲线显示模式 图3(续) 2.23 磁记忆信号极坐标显示图rsgal c00rdinateSG sdisplhey polar 用带有定位功能的磁传感器进行周向检测时,在仪器屏幕相应极坐标上标出自有漏磁场强度值的 闭合曲线
如图4
2700 3000 240o 2100 3300 1800 300 1500 600 1200 900 a阴影显示模式 图4磁记忆信号极坐标显示图
GB/T12604.10一2011 270c 2400 3000 2100 3300 180o 300 1500 600 1200 b曲线显示模式 图4(续 2.24 磁记忆信号色斑显示图MIMrsignalcolorandsplashdisplay 用带有定位功能的,同一方向的阵列磁传感器进行检测时,在仪器屏幕相应位置上连续标出以不同 颜色代表的自有漏磁场强度值图形 23分m2 回x 文伴(编辑(围形(G查看0M工具D窗口C帮助 ex 暖 45 0 5 的10511s11612025202m3001s304期0 图5磁记忆信号色斑显示图 2.25 磁记忆信号三维显示图MMIsignalthreedimensionsdisplay 用阵列磁传感器单次扫查或单个磁传感器多次扫查自有漏磁场强度值时,在空间平面(X-Y)上形 成的关于自有漏磁场强度(B或B、或B)的图像
GB:/T12604.10一2011 全记忆数狐分新系技-[GwinmeEDSmEM5200EM52M1009.mm 文腐福E图形(查看工具窗口帮 C 团 ao匹l小中6 保存当前文伴 图6磁记忆信号三维显示图
无损检测术语磁记忆检测GB/T12604.10-2011
随着工业技术的不断发展，人们对产品质量的要求也越来越高。而传统的毁损式检测方式在一定程度上增加了生产成本。无损检测技术应运而生，它能够实现对零部件的检测和评估，同时又不会对被检测对象造成损伤。其中一项重要技术便是磁记忆检测。
一、什么是磁记忆检测？
磁记忆检测是一种利用材料在外加磁场下的磁学特性进行检测的方法。通过对被检测物体表面施加磁场，可以将材料内部存在的缺陷信息转化为磁学信号，并在材料表面形成相应的磁感应线圈。通过对这些线圈的监测，可以获得被检测对象内部缺陷的位置、形态、大小等信息。
二、磁记忆检测的优势
相对于其他无损检测技术，磁记忆检测有以下优势：
- 不需要对被检测物体进行接触或接触式探伤，能够非接触地快速检测；
- 在一定程度上可以检测出材料的微小缺陷，提高了检测的灵敏度；
- 可对复杂结构的材料进行检测，如弯曲管道和异形零件等；
- 检测过程中不会产生电磁辐射和声音等有害因素，对环境无污染。
三、GB/T12604.10-2011标准介绍
GB/T12604.10-2011是中国国家标准化管理委员会发布的关于无损检测术语的标准之一，其中包括了磁记忆检测的相关术语和定义。该标准对磁记忆检测的实施范围、检测原理、设备和操作技术等方面做出了规定，对于保障磁记忆检测的准确性和可靠性具有重要意义。
四、磁记忆检测应用领域
磁记忆检测已经广泛应用于各个领域：
- 航空航天领域：飞机发动机叶片、涡轮盘等零部件的检测；
- 制造业领域：轨道交通、工程机械、汽车零部件等产品的质量控制；
- 核电领域：核电站压力容器、管道及配件等关键设备的检测；
- 石油化工领域：储罐、管道等设备的检测。
可以看出，磁记忆检测技术在各个领域都具有广泛的应用前景。
五、总结
磁记忆检测是一种高效、非接触式的无损检测方法。该技术通过对被检测对象表面施加磁场，利用材料的磁学特性检测材料内部可能存在的缺陷信息。与其他无损检测技术相比，磁记忆检测具有检测灵敏度高、检测范围广、环境友好等优势。同时，GB/T12604.10-2011标准也为磁记忆检测提供了重要的技术支持和规范。未来，随着科技的不断进步，相信磁记忆检测技术将会更加成熟、广泛地应用于各个领域中。
