300mm硅单晶

300mm硅单晶

国家标准 GB/T29504一2013 300mm硅单晶 300mmmoerystalinesitom 2013-05-09发布 2014-02-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T29504一2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口 本标准起草单位;有研半导体材料股份有限公司、有色金属工业标准计量质量研究所、万向硅 峰电子股份有限公司、宁波立立电子股份有限公司 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、卢立延、张果虎、楼春兰、刘培东、向磊
GB/I29504一2013 300mm 硅单晶 范围 本标准规定了直径300mm、p型、(100)晶向,电阻率0.5Qcem一20Q”cm硅单晶的技术要求 试验方法、检验规则以及标志,包装、运输、贮存等 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路1Ic用线宽0.134m及以下技 术需求的300mm硅单晶抛光片 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551一2009硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1557 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073一2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 Ys/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件 技术要求 4.1直径 滚圆后的硅单晶直径为301mm,允许偏差士0.3mm 其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允 许偏差由供需双方商定 4.2电阻率 4.2.1硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表1的规定 表1硅单晶电学参数 径向电阻率变化 电阻率 项目 导电类型 掺杂元素 Q c 指标 研 0.5一20 <10
GB/T29504一2013 4.2.2径向电阻率变化如要求按照其他方案进行,由供需双方商定 4.3晶向 4.3.1硅单晶晶向为(100)晶向 4.3.2硅单晶晶向偏离度不大于1" 4.4氧含量 硅单晶的间隙氧含量应不大于1.0×10原子数/em,氧含量的径向变化具体指标可按需方要求 提供 4.5碳含量 硅单晶的碳含量应不大于2×10"原子数/cm,或由供需双方商定提供 4.6晶体完整性 4.6.1硅单晶的位错密度应不大于10个/em 4.6.2硅单晶应无孔洞和裂纹等 4.6.3硅单晶的其他缺陷要求由供需双方商定 4.7体金属(铁)含量 硅单晶的体金属(铁)含量应不大于5×10"原子数/cenm',或由供需双方商定提供 4.8头尾标记 滚圆后的硅单晶应有区分头尾的标记 试验方法 5.1硅单晶的直径测量按GB/T14140进行 5.2硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行 5.3硅单晶的电阻率测量按GB/T1551一2009中直排四探针法进行 5.4硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073一2007的B方案进行 5.5硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行 5.6硅单晶的氧含量按GB/T1557进行 硅单晶的碳含量按GB/T1558进行 5.7 硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行 硅单晶的体金属(铁)含量按Ys/T679进行 硅单晶的头尾标记采用目视检测进行 6 检验规则 检查和验收 6.1.1 产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质 量保证书
GB/T29504一2013 6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符 时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决 组批 硅单晶以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅单品锭组成 检验项目 每根硅单晶的检验项目有直径、导电类型,晶向及晶向偏离度,头尾标记 6.3.1 6.3.2供需双方协商一致,可对下列项目进行检验;电阻率、径向电阻率变化、氧含量,碳含量、晶体完 整性、体金属(铁)含量 6.4取样 关于硅单晶的取样位置及取样数量的规定见表2 表2硅单晶取样规定 要求的 检验或试验方 取样位置 取样数量 检验项目 章条号 法的章条号 任意 逐根 直径 4.l 任意 逐根 4.2 5,2 导电类型 每批产品随机抽取20%的试样 电阻率 单晶头尾 4.2 5.3 5根9根晶锭抽取2个试样， 径向电阻率变化 单晶头尾 4.2 5.4 5根晶锭以下抽取一个试样 晶向及品向偏离度 任意 逐根 4.3 5.5 单晶头部 氧含量 4.4 5,6 i每批产品随机抽取20%的试样 碳含量 单晶尾部 4.5 5.7 5根9根品抽取2个试样， 4.6 晶体完整性 5.8 单晶尾部或供需双方协商位置 5根晶锭以下抽取1个试样 体金属铁)含量 单晶尾部或任意位置 4.7 5,9 头尾标记 任意 逐根 4.8 5.10 6.5检验结果的判定 6.5.1直径、导电类型,晶向及晶向偏离度和头尾标记有一项不合格,判该硅单晶为不合格 6.5.2电阻率、径向电阻率变化、氧含量、碳含量、晶体完整性、体金属(铁)含量检验结果有一项不合 格,判该批产品不合格 标志,包装、运输和贮存 7.1包装、标志 7. .1.1硅单晶用聚苯烯(泡沫)逐根包装,然后将经过包装的晶锭装人包装箱内,并装满填充物,防止品 锭松动 7.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”“防潮”、“易碎”等标识,并标明:
GB/T29504一2013 需方名称、地点 a b 产品名称,牌号 e)产品件数及重量(毛重/净重); d供方名称 7.2运输、贮存 7.2.1产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震防潮措施 7.2.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中 质量证明书 每批产品应有质量证明书,其内容应包括 供方名称; a b)产品名称及规格、牌号; 产品批号; c 产品净重及单晶根数 各项参数检验结果和检验部门的印记 出厂日期

300mm硅单晶GB/T29504-2013介绍

硅单晶是半导体材料中最重要的一种，广泛应用于微电子、光电子、太阳能电池等领域。在微电子领域，硅单晶是制造芯片的基础材料。为了规范300mm硅单晶的生产和使用，在国家标准化委员会的领导下，制定了GB/T29504-2013《300mm硅单晶》标准。

该标准对300mm硅单晶的定义、分类、物理化学指标、检测方法、评定规则等方面做出了明确规定。

其中，300mm硅单晶按照其用途可以分为太阳能级和半导体级两类。该标准还规定了硅单晶中各种化学成分的含量要求，如B、P、Fe、Al等，同时对硅单晶的杂质、氧含量、折射率等物理指标也做出了详细规定。

此外，该标准还规定了硅单晶的检测方法，包括化学成分分析、晶体结构分析、杂质浓度测定等多种方法，保证了硅单晶产品的质量和安全。

值得一提的是，该标准在硅单晶中加入氧含量的限制，有效解决了半导体芯片制造过程中的氧污染问题，提高了芯片性能的稳定性和可靠性。

总之，GB/T29504-2013《300mm硅单晶》标准的制定，对于规范硅单晶的生产和使用具有重大意义，有利于推动我国微电子产业的发展，提高我国科技水平和竞争力。

300mm硅单晶的相关资料

和300mm硅单晶类似的标准