GB/T14112-2015
半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范
Semiconductorintegratedcircuits—SpecificationforstampedleadframesofplasticDIP
- 中国标准分类号（CCS）L56
- 国际标准分类号（ICS）31.200
- 实施日期2016-01-01
- 文件格式PDF
- 文本页数25页
- 文件大小819.68KB
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半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范
国家标准 GB/T14112一2015 代替GB/T14112一1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semieomduetwrintegratelcireuts一 SpeeifieationfiorstampedleadframesofplastieDu 2015-05-15发布 2016-01-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T14112一2015 目 次 前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 技术要求 4.1引线框架尺寸 4.,2引线框架形状和位置公差 4.3引线框架外观 4.4引线框架镀层 4.5引线框架外引线强度 4.6铜剥离试验 银剥离试验 4.7 检验规则 检验批的构成 5.1 5.2鉴定批准程序 5.3质量一致性检验 订货资料 标志、包装、,运输、贮存 7.1标志、包装 7.2运输、贮存 附录A(规范性附录)引线框架机械测量 附录B(规范性附录引线框架高温和机械试验 16 附录c(资料性附录批允许不合格率(TPD)抽样方案
GB/T14112一2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
本标准代替GB/T14112一1993《半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范》
本标准与GB/T14112-1993相比主要变化如下 关于规范性引用文件;增加引导语;抽样标准由GB/T2828.1一2012代替IEC410;增加引用 文件GB/T2423,.60-2008,S20129; 增加术语和定义,并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义; 标准“4.2引线框架形状和位置公差”中,增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的 有关要求; 修改了标准中对“侧弯”的要求(见4.2.1);原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm,本标 准在整个标称长度上进行规定 修改了标准中对“卷曲”的要求(见4.2.2);原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150 mm" 本标准根据材料的厚度进行规定 修改了标准中对“条带扭曲”的要求(见4.2.4);原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5 mm,本标 准将框架扭曲修改为条带扭曲,并根据材料的厚度进行规定 修改了标准巾对“引线扭曲”的要求(见4.2.5);原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值,本标谁删除了内引线端点最大扭曲值的规定 -修改了标准中对“精压深度”的要求(见4.2.6);在原标准的基础上,增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求 修改了标准中对“绝缘间隙”的要求(见4.2.7):原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm,本标准 修改为0.l" mm; -修改了标准中对“精压区共面性”的要求见4.2.8):原标准中规定了引线框架条宽大于 50.8mm,精压区共面性为士0.25mm, n,本标准修改为士0.2mm: 修改了标准中对"芯片粘接区斜度"的要求(见42.9).原标准巾分别规定了受压和不受压悄说 下的斜度,本标准统一规定为在长或宽每2.54mm 尺寸最大倾斜0.05 mm; 对标准的“4.3引线框架外观”中相应条款进行了调整,原标准对引线框架外观要求按“功能 区、其他区域”分别表示;本标准按“毛刺,凹坑、压痕和划痕”分别描述,并对原标准中“划痕”的 要求适当加严,即在任何区域内“划痕”均不得超过1个; -修改了标准中对“局部镀银”的要求(见4.4.1.2);原标准中规定镀银层厚度不小于3.54m(平 均值),本标准修改为不小于3; Bm; -修改了标准中对“镀层外观”的要求(见4.4.2):在原标准的基础上,增加了对镀层外观的相关 要求; -增加了“铜剥离试验”的有关要求(见4.6); 增加了“银剥离试验”的有关要求(见4.7); -修改了标准中对“检验要求”的要求;修改了原标准中Ala、Alb、A2分组的检测水平及AQL 并对Ala,Alb,B2a,B2b分组进行合并;原标准中B组采用LTPD抽样方案,本标准将B1 B2,B3修改为AQL抽样方案,并增加C3,C4检验的抽样要求; 修改了标准中对“贮存”的有关要求:原标准镀银引线框架保存期为三个月,本标准规定为6个 月(见7.2). 川
GB/T14112一2015 请注意本文件的某些内容可能涉及专利
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由工业和信息化部提出
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口 本标准起草单位;厦门永红科技有限公司
本标准主要起草人:林桂贤、王锋涛、洪玉云
本标准所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T141121993
GB/T14112一2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 范围 本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检 验规则
本标准适用于双列(IP)冲制型引线框架
单列冲制型引线框架亦可参照使用
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件
凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T2423.60一2008电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验U:引出端及整体安 装件强度 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T7092半导体集成电路外形尺寸 GB/T14113半导体集成电路封装术语 S20129金属镀覆层厚度测量方法 术语和定义 GB/T14113中界定的以及下列术语和定义适用于本文件
3.1 标称长度nominallength 引线框架图纸上规定的条长
3.2 精压区共面性atotalareaofprecisiompresure 引线框架内引线端部精压区域相对于基准高度的高度差 3.3 areasubsidence 芯片粘接区下陷chipbonding 引线框架芯片粘接区受压下陷的程度,即为芯片粘接区与未受压前的高度差,俗称打凹或打弯 深度
技术要求 4.1 引线框架尺寸 引线框架的尺寸应符合GB/T7092的有关规定,并符合引线框架设计图纸的要求
GB/T14112一2015 4.2引线框架形状和位置公差 4.2.1侧弯 侧弯在整个标称长度上不超过0.051 mm
4.2.2卷曲 卷曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍
4.2.3横弯 横弯小于标称条宽的0.5%
4.2.4条带扭曲 条带扭曲在整个标称长度上不超过材料厚度的2倍
4.2.5引线扭曲 引线扭曲不超过3"30' 4.2.6精压深度 图纸上表明的尺寸为精压前尺寸,在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下,精压深度不大 于材料厚度的30%
最小精压深度受最小键合区要求的限制,最大精压深度受最小引线间距要求的限 制,参考值为0.015mm0.06mm
4.2.7绝缘间隙 相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.1nmm
4.2.8精压区共面性 n时,精压区共面性应符合表1的规定
材料厚度为0.25mm 表1精压区共面性 单位为毫米 引线框架条宽 精压区共面性 士0.1o 25, 25.450.8 士0.13 >50.8 士0.2 4.2.9芯片粘接区斜度 在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm,测试从角到角进行 4.2.10芯片粘接区下陷 芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算,公差为士0.05mm
4.2.11芯片粘接区平面度 芯片粘接区平面度测试从中心到拐角进行,拐角测量点规定为离每边0.127 处,平整度不大于 mm
GB/T14112一2015 0.005mm 4.2.12引线框架内部位置公差 所有引线框架的特征中心相对于边框上定位孔中心线实际位置公差应在士0.05 1之内
mm 4.3引线框架外观 4.3.1毛刺 垂直毛刺最大为0.025mm,水平毛刺最大为0.05mm.
4.3.2凹坑、压痕和划痕 在功能区和外引线,凹坑和压痕深度不应超过0.008mm,最大表面尺寸为0.013mm
在非功能区 内,凹坑和压痕深度不应超过0.025mm,最大表面尺寸不应超过0.051mm;划痕最大尺寸宽×深; 0.075mm×0.030mm,数量不超过1个
4.3.3表面缺陷 无镀层部位应呈金属材料本色,无锈蚀,发花等缺陷
4.4引线框架镀层 4.4.1镀层厚度 4.4.1.1局部镀金 局部镀金引线框架,其镀金层厚度不小于0.7m(平均值),任意点不小于0.6Am. 4.4.1.2局部镀银 局部镀银引线框架,其镀银层厚度不小于3m(平均值),任意点不小于2.5anm
4.4.1.3全部镀银 全部镀银引线框架,其镀银层厚度在功能区部分不小于3Am(平均值),任意点不小于2.54m,其 他区域不小于1Am.
4.4.2镀层外观 镀层表面应致密、平滑,色泽均匀呈镀层本色,不允许有起皮、起泡、玷污,斑点,水迹、异物发花等 缺陷
应无明显污点、脱落或镀层漏镀,无贯穿整个镀层的划痕
全部镀银的轨条部分允许有不明显的发花
4.4.3镀层耐热性 镀层经高温试验后应无明显变色,不允许有起皮,起泡,剥落、发花、斑点等缺陷
4.4.4键合强度 引线框架精压区应易于键合,键合强度大于40mN
GB/T14112一2015 4.5引线框架外引线强度 引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂
4.6铜剥离试验 胶带上的铜覆盖面积超过引线框面积之10%即判为不合格
4.7银剥离试验 胶带上不允许银层粘附
检验规则 5.1检验批的构成 -个检验批可由一个生产批构成,或由符合下述条件的几个生产批构成 a)这些生产批是采用基本相同的材料、工艺、设备等制造出来的 b每个生产批的检验结果表明,材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的 质量要求 若干个生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周,除另有规定外,最长不得超过一个月
5.2鉴定批准程序 5.2.1鉴定检验由A组,B组.C组检验组组成
5.2.2鉴定后的引线框架应按5.3的规定进行质量一致性检验 5.2.3对于已鉴定的引线框架,当发生以下任一情况时,应重新进行鉴定 修改了引线框架设计图纸; a b生产制造技术改变(包括生产场地的改变); 停止生产半年以上(如果该生产线生产另一种已鉴定的引线框架,且主要工艺未作改变,则可 c 以认为生产是连续的. 重新鉴定时,必须进行A组、B组和C组检验
在检验没有结果之前,这些引线框架不得交付 使用
5.3质量一致性检验 5.3.1组成 质量一致性检验由A组、B组、C组检验组组成
5.3.2A组检验 A组检验应逐批进行,其检验中的分组见表2
表2A组检验 分组 检验或试验 试验方法章条号 检验要求章条号 毛刺检验按附录A中A.13,其他用满足测量精度的量具 引线框架外观 Al 4.3.14.3.3 或工具进行测量 镀层外观 目检 4.4.2
GB/T14112一2015 5.3.3B组检验 B组检验应逐批进行,其检验中的分组见表3
表3B组检验 分组 检验或试验 试验方法章条号 检验要求章条号 B1 引线框架尺寸 用满足测量精度的量具或工具进行测量 4,l 引线框架形状和位置公差 附录A中A.l一A.12 B2 4.2.l一4.2.12 B3 锁层厚度 其试验方法引用s20129 4.4.l 4.4.3 B4 镀层耐热性 附录B中B1 5.3.4c组检验 c组检验为周期检验,应每三个月进行一次,其检验中的分组见表4
表4C组检验 分组 检验或试验 试验方法章条号 检验要求章条号 键合强度 附录B中B.2 4.4." GB/T2423.602008 C2 外引线强度 4.5 试验Ual 铜剥离试验 附录B中B.3 4.6 C4 银剥离试验 附录B中B.4 4.7 5.3.5检验要求 5.3.5.1抽样方案 A组和B1B3组检验采用AQL抽样方案见表5
B4和C组检验采用1TPD抽样方案见表6
抽样以条为计数单位
表5A组和B1、2、3组检验的抽样要求 正常检验一次抽样 分组 AQI lIL(检验水平 Al 2.5 A2 2.5 B1 l.5 S3 2.5 2 B3 S3 11.5
GB/T14112一2015 表6B4和C组检验的抽样要求 分组 LTPD B4 30 C1 30 C2 30 C3 30 C4 30 采用AQL抽样方案时,应根据GB:/T2828.1一2012正常检验一次抽样;采用LTPD抽样方案时 应根据本标准附录c确定抽样方案
AQL(和检查水平)及LTPD值是对整个分组而言,而不是对其中某一单项试验而言
逐批检验的样品应从该检验批中抽取
周期检验的样品应从通过了A组和B组检验的一个或几 个检验批中抽取
5.3.5.2批拒收判据 不符合A组和B组检验要求的批为不合格批
如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一 一项试验要求,将使该批引线框架被拒收,质量一致性检验即可停止
分组中的 如果一检验批在质量一 致性检验中不符合A组或B组要求,而且未被重新提交,则该批即判为拒收批
5.3.5.3重新提交的批 通过采用尺寸校正,镀层清洗后重镀的方法,可以对初次提交的不符合A组或B组检验要求的批 经返工后重新提交
重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架
每个检验组(A组或B组只能 重新提交一次
重新提交的批应与其他批分开,并清楚标明为重新提交的批
重新提交的批对初次提 交的全部不合格试验分组,应采用加严检验,随机地重新抽样
B组检验不合格而重新提交时,应包括 A组检验 5.3.5.4试验设备故障或操作人员失误时的程序 如果确认引线框架失效是由于试验设备故障或操作人员失误引起的,应将失效记人试验记录
质 量管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架,替代的引 线框架应进行规定的全部试验
5.3.5.5周期检验不合格的程序 如果周期检验不合格,且不是由于设备故障或操作人员失误所引起,则应执行下述规定 立即停止引线框架的放行; a b)调查不合格的原因,并根据调查结果对以后的生产批实施解决质量问题的措施 从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验
试验合格的批可以 放行
只有连续三个检验批通过这些分组的检验后,才能恢复正常的周期检验
5.3.6放行批证明记录 应编写放行批证明记录,并对记录的准确性负责
放行批证明记录的内容应包括:
GB/T14112一2015 制造单位名称、商标和地址; a b)引线框架的型号和规格; 放行批证明记录周期的起止日期; d所做的试验项目及试验结果
订货资料 若无其他规定,订购引线框架至少需要以下资料 a)型号,规格 设计图纸的编号; b e)数量 标志、包装、运输、贮存 7.1标志,包装 包装中应有检验合格证,标明制造单位名称、产品型号和规格、数量、批号及检验批代码
内包装应采用化学中性的防潮包装,并保证产品不受损坏和站污
外包装应保证产品在贮存、运输过程中不受损伤,不变形
其上注明“怕雨”“易碎”字样
7.2运输、贮存 产品在运输过程中应防止雨淋,受潮
产晶应贮存在环境温度为10C一35C相对湿度小于60%,周围无腐蚀性气体的库房内
自生产日期起算,镀金引线框架保存期为6个月,镀银引线框架保存期为6个月
GB/T14112一2015 附录A 规范性附录 引线框架机械测量 A.1侧弯 A.1.1 目的 测量引线框架侧面的直线度
A.1.2测量方法 用满足测量精度的量具或工具进行测量,其测量部位见图AI最大值部位 条长 侧弯值 基准面 图A.1引线框架侧弯 A.2卷曲 A.2.1目的 测量引线框架长度方向的平面度
A.2.2测量方法 用满足测量精度的量具或工具进行测量,其测量部位见图A.2
基准面 卷曲值 精压面 -卷曲值 卷曲值 条长 基准面 -精压面 图A.2引线框架卷曲
GB/T14112一2015 A.3横弯 A.3.1目的 测量引线框架宽度方向的平面度
A.3.2测量方法 用满足测量精度的量具或工具进行测量,其测量部位见图A.3
条宽 横弯值 毛边 基准面 毛边 横弯值 图A.3引线框架横弯 A.4条带扭曲 目的 A.4.1 测量引线框架的翘曲度
A.4.2测量方法 用满足测量精度的量具或工具进行测量
被测端的一边扭曲时,测量部位见图A.4a);被测端的两 边扭曲时,测量部位见图A.4b
压住 压住 扭曲值 因卷曲引起的框架扭曲值=4 一 图A.4 引线框架条带扭曲
GB/T14112一2015 A.5引线扭曲 A.5.1目的 测量引线框架内引线的扭曲量
A.5.2测量方法 测量步骤如下 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行
a 把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定乙平面 b 把显微镜聚焦在内引线精压表面的边缘上,在距内引线端点0.25mm处对内引线进行测量
应确保在精压平面上聚焦,而不是在轧制边上
记下焦点高度为A 转动测微计的轴,使平面移至规定的距离,并重新调节显微镜焦距,确保两个焦点均在精压平 D 面上,而不在轧制边上,测出焦点高度B,其与焦点高度A之差即为引线扭曲值,见图A.5
图A.5引线框架引线扭曲 A.6精压深度 A.6.1 目的 测量引线框架键合区的精压量
A.6.2测量方法 用满足测量精度的量具或工具进行测量,其测量部位见图A.6a)和图A.6b)
压宽度 图A.6引线框架精压深度 10o
GB/T14112一2015 A.7绝缘间隙 A.7.1目的 测量引线框架精压区端点间,精压区端点与芯片粘接区间的间隔距离 A.7.2测量方法 测量步骤如下 用投影仪的零中心线对准如图A.7“1”处的端点边,记录在零线的数据
再用投影仪的零中心 线对准如图A.7“2”处的端点边测微计读数之差即为相邻两精压区端点间的间隔
用同样方法测图A.7“3”处的端点边与芯片粘接区“4”处间的间隔 b -- C 引线框架绝缘间隙 图A.7 A.8精压区共面性 A.8.1 目的 测量引线框架精压区是否处于同一平面
A.8.2测量方法 测量步骤如下 a)将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、,Y移动轴平行
b)把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面
把显微镜聚焦在如图A.8引线连筋1处的中点,焦点高度为零
再将焦点移至另一引线连筋 2处的相应点上,并重新聚焦
两个焦点高度的平均值为基准高度
将焦点移至精压区3处,并在距端点0.254mm处重新聚焦,记录相对于基准高度的高度差， 减去已知的精压深度,即得出实际的精压区共面性数值
用同样方法依次对每个精压区进行测量,准确记录每个读数的正(十)或负(一)值,最大值减去 最小值为内引线脚精压区共面性 1l
GB/T14112一2015 测量 基准面 口s7 引线连筋一 图A.8引线框架精压区共面性 A.9芯片粘接区斜度 目的 A.9.1 测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度
A.9.2测量方法 测量步骤如下: a)将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与x、,Y移动轴平行
把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定乙平面 b e)测试点应在距芯片粘接区切割边缘0.127mm处
把显微镜聚焦在如图A.9的目标1处,其 焦点高度为零
d转动测微计的轴使其移至目标2处,重新调节显微镜焦距,测出焦点高度即为芯片粘接区的 斜度
用同样方法分别测量目标3和目标4,得出芯片粘接区的最大斜度
芯片粘接区 引线连筋 图A.9引线框架芯片粘接区斜度 12
GB/T14112一2015 A.10芯片粘接区下陷 A.10.1 目的 测量引线框架芯片粘接区受压下陷的程度
A.10.2测量方法 测量步骤如下 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行
把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定乙平面 b 把显微镜聚焦在如图A.10的目标1处(l.27mm的中点),焦点高度为零
再将焦点移至2处 1.27mm的中点),并重新聚焦
两个焦点的高度差即为芯片粘接区下陷值
用同样的方法测量目标3和目标4处的芯片粘接区下陷值
芯片连接区连筋 A部放大 A部放大 0.25mm1.27mm 0,互m" 1.2n mmm 引线连筋 图A.10引线框架芯片粘接区下陷 A.11芯片粘接区平面度 A.11.1目的 测量引线框架芯片粘接区的平面程度
A.11.2测量方法 测量步骤如下 a)将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与X、Y移动轴平行
b把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面
c 把显微镜聚焦在如图A.11芯片粘接区的中心点,其焦点高度为零
再将焦点移至目标1处 距芯片粘接区切割边缘0.127mm),测出焦点高度即为芯片粘接区该点的高度
d)用同样的方法分别测量目标2、目标3和目标4,分别得出芯片粘接区在该点的高度
1,2、3、4点中的最大值即为该区域的芯片粘接区平面度
e 13
GB/T14112一2015 中心点 芯片连接区 引线连筋 Z 图A.11引线框架芯片粘接区平面度 A.12引线框架内部位置公差 A.12.1目的 测量引线框架内部位置公差
A.12.2测量方法 测量步骤如下: a将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直,并与x.Y移动轴平行
把引线框架按引线平面朝上放置,并固定在夹具的底座轨条上后确定Z平面
b 把显微镜聚焦在如图A.12边框上定位孔的中心点,其坐标尺寸为零
c d)分别移动显微镜至如图A.12引线框架的特征中心1、2、3,分别读出其X或Y坐标特征值,该 值与图标尺寸的实际误差即为该部位的引线框架内部位置公差
定位孔中心点 图A.12引线框架内部位置公差 14
GB/T14112一2015 A.13毛刺 A.13.1 目的 测量引线框架边缘垂直和水平方向上多余的母体材料的高度和长度
A.13.2测量方法 A.13.2.1垂直毛刺 测量步骤如下 把显微镜聚焦在如图A.13的A点,焦点高度为零; a 将显微镜移至毛刺尖部B点,并重新聚焦,焦点的高度差即为垂直毛刺值
b A.13.2.2水平毛刺 测量步骤如下 调节显微镜的零中心线,使其对准如图A.13的C点,记录读数; a b)水平移动显微镜的载物台,对准毛刺尖D点,该横向移动量即为水平毛刺值
水平毛刺 图A.13引线框架毛刺 15
GB/T14112一2015 B 附 录 规范性附录 引线框架高温和机械试验 B.1镀层高温试验 B.1.1 目的 评定引线框架镀层经受高温的能力
B.1.2试验方法 试验步骤如下 a)将镀层表面质量合格的受试引线框架放人450C士10C的烘箱内保持2mins b)取出引线框架,在正常大气条件下恢复到室温后进行目测检验 B.2键合强度试验 B.2.1 目的 确定引线框架镀层能否符合本标准规定的键合强度的要求
B.2.2试验方法 试验步骤如下 a)从每条受试引线框架中任选2个单元框架,每个单元框架任取2个精压区; b 用金丝球焊机将6254m金丝与精压区键压后,在与框架平行方向用测力计测试
B.3铜剥离试验 B.3.1目的 检验镀铜层的结合力
B.3.2试验方法 试验步骤如下: 将受试引线框架放置在氮气保护条件下、热传导方式为金属间直接接触的240C士10C烘箱 a 内保持10min;从烘箱内取出在正常大气条件下恢复至室温; 用粘着力(10士1)N/25mm的测试胶带粘在引线框架的非镀银面,过1nmin后以45"快速将胶 b 带从框架上撕开,胶带是否能把引线框的铜材带下
B.4银剥离试验 B.4.1目的 检验镀银层的结合力
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GB/T14112一2015 B.4.2试验方法 试验步骤如下: 将受试引线框架放置在热传导方式为金属间直接接触的450C士10烘箱内保持2 ,从 a min 烘箱内取出在正常大气条件下冷却3min; b)用粘着力(10士1)N/25mm的测试胶带粘在引线框镀银区,过1min后以45"快速将胶带从框 架上撕开,观察银层是否粘附在胶带上
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GB/T14112一2015 C 附 录 资料性附录 批允许不合格率(LTPD)抽样方案 C.1概述 C.1.1总则 本附录中规定的程序适用于所有的质量一致性检验要求
C.1.2样品的抽取 应从检验批或子批中随机抽取样品
在连续生产的情况下,只要符合检验批的构成要求,制造单位 可在生产期间按确定的周期方式抽取样品
c.1.3不合格 -个样品在一个分组的一项或几项试验中不合格,则应判为一个不合格品
C.2抽样方法 C.2.1样品量 每个分组的样品量根据规定的LTPD值由本附录的表C.1中查得
制造单位可以选取多于规定 的样品量,但允许不合格品数不得超过表c.1中与所规定的样品量相应的合格判定数
C.2.2合格判定程序 第一次抽样时,选定一个合格判定数,根据判定的LTPD值确定相应的样品量并进行试验
如果 样品中出现的不合格数不超过预先选定的合格判定数,则判为该检验合格
如果出现的不合格数超过 预选的合格判定数,可确定一个追加样品量,使总的样品量符合C.2.1的规定
表C.1使用于给定检验 批给定分组的第一次抽样,也使用于包括追加样品量在内的总样品量的确定 c.3追加样品 制造单位可在原有样品的基础上追加一定的样品量,但每一检验分组只能追加一次,且追加的样品 应经受该分组所包括的全部试验
总的样品量(最初的加上追加的样品量)应根据表c.1中选定的新的 合格判定数确定
C.4多重判据 如果一组样品有一个以上的合格判据,则这一组样品中的全部样品应受约于这一分组的全部判据
在表c.1中,合格判定数应对于规定的LTPD列中小于或等于实际样品量的最大样品量
C.5百分之百检验 允许制造单位对“非破坏性”的各检验分组进行百分之百检验
如果检验批的不合格率超过规定的 18
GB/T14112一2015 LTPD值,则该分组检验不合格
经百分之百检验的批重新提交时,必须按加严检验的LTPD值进行 百分之百检验
C.6加严检验 加严检验应按表C.1中比规定的严一级的LTPD值进行
19
GB/T14112一2015
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半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范GB/T14112-2015解读
半导体集成电路是当代信息技术的核心，而其封装则直接影响着其性能、可靠性、生产效率等多个方面。随着现代化制造工艺的不断提高，塑料封装已经成为了主流，而其中最常见的就是双列封装。而对于这类封装的引线框架，在其制作过程中需要遵循一系列规范，以保证其品质和可靠性。
GB/T14112-2015《半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范》正是针对这一问题而制定的国家标准。该标准包含了引线框架的设计、尺寸、材料、加工、检验等多个方面的规范，旨在为生产厂家提供一份科学有效的制作标准。
规范内容
GB/T14112-2015主要包含以下规范内容：
- 术语和定义：对于标准中涉及到的术语、概念进行详细解释。
- 引线框架设计：包括框架形状、引脚排列、引线排布等多个方面。
- 尺寸：包括引线框架的外形尺寸、引脚长度、引线长度等多个方面。
- 材料：规定了引线框架所使用的材料种类、机械性能指标、化学性能指标等方面。
- 加工：包括冲制、成型、焊接、测试等多个环节的规范。
- 检验：规定了引线框架在各个加工环节中所需要进行的检测、测试等内容。
应用范围
GB/T14112-2015适用于半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架的设计、生产和检验。其具体适用范围包括：
- 材料和制造商：适用于各类引线框架的设计、生产和检验，无论其用于何种应用领域。
- 设计和制造：适用于引线框架的设计和制造，无论其用于何种应用领域。
- 使用：适用于半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架的使用单位和检测机构。
总结
GB/T14112-2015《半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范》是一份非常重要的国家标准，提供了对于半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架制作的科学有效的规范。生产厂家在实际生产过程中应该遵循该规范，以保证产品品质和可靠性。同时，使用单位和检测机构也应该根据该规范进行检验和验证，以确保产品符合标准要求。
总之，GB/T14112-2015《半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范》是一份非常重要的标准文件，对于半导体集成电路行业具有重要的指导和推动作用。各方应该积极遵守并推广该标准的应用。
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