锗单晶和锗单晶片

锗单晶和锗单晶片

国家标准 GB/T5238一2019 代替GB/T52382009 错单晶和鳍单晶片 Monoerystalinegermaniumandmonerystalinegermaniumsliees 2019-06-04发布 2020-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 币国国家标准化管理委员会国家标准
GB/T5238一2019 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准代替GB/T52382009《错单晶和储单晶片》 与GB/T5238一2009相比,除编辑性修改外 主要技术变化如下 -修订了标准适用范围,将“外延衬底”改为“红外光学部件”(见第1章,2009年版的第1章) 规范性引用文件中删除了GB/T1552,GB/T5254,增加了GB/T1555,GB/T14264、 GB/T14844,GB/T26074(见第2章,2009年版的第2章); -增加了术语和定义见第3章); 修订了牌号表示方法(见4.1,2009年版的3.2) 增加了非惨杂情单晶的要求(见第4章7 断面电阻率不均匀度改为径向电阻率变化,并修订了其要求(见4.,2.3,2009年版的3.3.1.1l); 修订了电阻率小于1.0Qem n错单晶的少数载流子寿命要求(见4.2.4.2009年版的3.3a.2) -修订了错单晶晶体完整性的要求(见4.2.6.1,2009年版的3.3.1.4) 修订了直径10mm~100mm错单晶的直径相对允许偏差的要求(见4.2.7,2009年版的3.3.2.1); 错单晶的要求(见4.2.7); 增加了直径大于100mm 删除了长度的要求(见2009年版的3.3.2.1); 增加了错单晶表面质量的要求见4.2.8); 修订了储单晶片几何参数的要求(见4.3.2,2009年版的3.3.2.2); 修订了错单晶片表面质量的要求(见4.3.3,2009年版的3.3.3); 修订了组批、检验项目、取样及检验结果的判定(见第6章,2009年版的第5章). 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAc/Tc203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(sAc/Tc203/SC2)共同提出并归口 本标准起草单位中储科技有限公司、云南临沧鑫圆错业股份有限公司、广东先导稀材股份有限公 司、有色金属技术经济研究院、北京合能阳光新能源技术有限公司 本标准主要起草人;柯尊斌、刘新军惠峰、朱刘、尹士平、杨素心、肖宗墉 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: GB/T5238-1985,GB/T5238一1995,GB/T5238一2009 GB/T157131995
GB/T5238一2019 储单晶和错单晶片 范围 本标准规定了错单晶和错单晶片的要求,试验方法、检验规则、标志,包装、运输、贮存、质量证明书 及订货单(或合同内容 本标准适用于制备半导体器件、,激光器组件、红外光学部件用的错单晶和错单晶片 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1553硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T3828.一2012计数抽样检验程序第1部分;拨接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样 计划 GB/T5252错单晶位错腐蚀坑密度测量方法 GB/T14264半导体材料术语 半导体材料牌号表示方法 GB/T14844 GB/T26074错单晶电阻率直流四探针测量方法 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件 要求 4.1牌号 错单晶和错单晶片的牌号表示应符合GB/T14844的规定 4.2错单晶 4.2.1导电类型 错单晶的导电类型分N型、P型两种 4.2.2电阻率 错单品的电阻率应符合表1的规定
GB/T5238一2019 表1 电阻率p(23C士0.5c" 导电类型 掺杂剂 Qncm Ga 0.00145.0 0.,00145.0 P型 In Au+(Ga(In 0.55.0 Sb 0.00145.0 N型 非掺杂 35,050.0 4.2.3径向电阻率变化 错单晶的径向电阻率变化应符合表2的规定 表2 直径d 径向电阻率变化(绝对值) mm 10100 80 2.5l50 >120 4.0220 >200 8.0350 >300 600 16.0500
GB/T5238一2019 4.2.5晶向及晶向偏离度 错单晶的晶向为(100)>、(111>,其晶向偏离度应不大于2 4.2.6晶体完整性 不同用途错单晶的位错密度应符合表4的规定 4.2.6.1 表4 位错密度 用途 个/cm 半导体器件 1000 激光器组件 5000 红外光学部件 <100000 4.2.6.2错单晶不应有位错堆,星形结构 错单晶中单根小角晶界和位错排的长度均应不大于3mm 小角晶界和位错排的总长度均应不大于错单晶直径的1/6 4.2.7几何参数 错单晶的直径和直径相对允许偏差符合表5的规定 表5 直径d 直径相对允许偏差 不大于 mmm 5% 10l00 >100~200 10% >200300 <15% 注1:直径及直径相对允许偏差指未滚圆错单晶的尺寸 注2直径相对允许偏差指同一根错单品最大直径和最小直径之差与平均直径的比值 4.2.8表面质量 滚圆后的错单晶表面应无裂纹、孔洞,划痕,柱面应无未滚到之处 4.3错单晶片 4.3.1总则 错单晶片的导电类型电阻率、径向电阻率变化,少数载流子寿命、晶向及晶向偏离度晶体完整性 应符合4.2的规定,质量由供方保证 4.3.2几何参数 储单晶片的几何参数应符合表6的规定
GB/T5238一2019 表6 几何参数 要求 允许偏差 直径d 士0.05 300 mm 厚度 0.4一50.0 士0.05 mm d<100 <0,02 平行度 mmm d>100 <0.03 d100 S0.02 圆度 nmmm d>100 S0.03 倒角尺寸 0.2~0,8 士0.10 mmm 士5" 倒角角度 45"或30" 表面粗糙度Ra"/pnm 1.0 仅适用于红外光学部件用的错单晶片 4.3.3表面质量 4.3.3.1储单晶片的崩边长度应不大于0.5mm,每个崩边的圆周弦长应不大于2mm,且每片错单晶片 上崩边个数应不大于2个 4.3.3.2错单晶片表面不应有裂纹、孔洞、明显刀痕或划痕 4.3.3.3错单晶片经清洗干燥后,表面应洁净,无色斑、无油污、无残胶、无水溃 4.4其他 需方如对储单晶和储单晶片有特殊要求,由供需双方协商并在合同中注明 5 试验方法 5.1错单晶导电类型的测试按GB/T1550的规定进行 5.2错单晶电阻率和径向电阻率变化的测试按GB/T26074的规定进行 5.3储单晶少数载流子寿命的测试按GB/T1553的规定进行 5.4错单晶晶向及晶向偏离度的测试按GB/T1555的规定进行 5.5储单晶晶体完整性测试按GB/T5252的规定进行 5.6错单晶和错单晶片几何参数的测试按表7的规定进行 表7 参数 检测仪器 直径 分度值为0.001mm千分尺或3影像仪 厚度 分度值为0,001mm千分尺 平行度 分度值为0.01mm百分表
GB/T5238一2019 表7(续》 参数 检测仪器 倒角尺寸,倒角角度 3D影像仪 圆度 圆度仪 表面粗糙度 表面粗糙度仪 5.7错单晶和错单晶片的表面质量用目视检查,如有需要用相应精度的量具测量 检验规则 6 6.1检查和验收 6.1.1产品应由供方质量检验部门进行检验,保证产品质量符合本标准或订货单(或合同)的规定,并 填写产品质量证明书 6.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定 不符时,应在收到产品之日起2个月内向供方提出,由供需双方协商解决 如需仲裁,仲裁取样由供需 双方共同委托仲裁机构进行 6.2组批 产品应成批提交验收 每批单晶或错单晶片应由同一牌号、同一尺寸、同一用途、同一电阻率范 围的产品组成 6.3检验项目 产品应成批提交检验 每批错单晶的检验项目应符合表8的规定 每批错单晶片应对几何参数、 表面质量进行检验 表8 检验项目 半导体器件,激光器组件用错单晶 红外光学部件用错单品 导电类型 电阻率 径向电阻率变化 少数载流子寿命 晶向及晶向偏离度 晶体完整性 几何参数 表面质量 注;“、/"表示逐批检验;“o"表示供需双方协商确定是否检验;“x"表示不予检验 6.4取样 6.4.1错单晶的检验取样按表9的规定进行
GB/T5238一2019 表9 取样位置 检验项目 取样数量 要求的章条号 试验方法的章条号 导电类型 4.2.1 5.1 电阻率 4.2.2 5,.2 径向电阻率变化 4,2.3 5,2 错单晶的头、 尾各切1片 少数载流子寿命 4.2.4 5.3 逐根 晶向及品向偏离度 4.2.5 5,4 4.2.6 5.5 品体完整性 4.2.7 5.6 几何参数 表面质量 4.2.8 5.7 6.4.2错单晶片几何参数的检验取样按GB/T2828.12012中一般检验水平I,正常检验一次抽样方 案进行;表面质量的检验逐片进行 6.5检验结果的判定 6.5.1错单晶的导电类型电阻率,径向电阻率变化,少数载流子寿命、晶向及晶向偏离度、晶体完整性 中任一检验结果不合格时,则重新取样对该不合格项目进行重复检验,若检验结果仍不合格,判该根错 单晶不合格 错单晶的几何参数,表面质量的任一检验结果不合格时,判该根错单晶不合格 6.5.2 6.5.3错单晶片儿何参数的接收质量限(AQL.)为0.40 6.5.4错单晶片的表面质量检验结果不合格时,判该片储单晶片不合格 标志,包装、运输、贮存和质量证明书 7.1标志 7.1.1产品应密封于透明塑料袋或相应尺寸的型模中,并贴上标签,其上注明 供方名称及商标; a b 产品名称; 产品批号 ) 规格尺寸; e 净重 n 生产日期 7.1.2产品应包装成箱,箱外注明: 供方名称; a) b) 产品名称; 产品批号; e d 毛重、净重; “小心轻放”“防腐”和“防潮”字样 e 7.2包装、运输、贮存 7.2.1将密封后的产品装人符合环保要求的包装箱内,箱内空隙用填料塞紧 包装箱外用包扎带
GB/T5238一2019 捆紧 7.2.2产品在运输和贮存过程中应防止机械损伤,并防腐蚀、防受潮、防震动、防沾污 7.3质量证明书 每批产品应附有质量证明书,其上注明 供方名称,地址、电话、传真; a b 产品名称和牌号; 产品批号 c d 产品数量; 分析检验结果和质量检验部门印记 本标准编号; 出厂日期或包装日期) g 订货单(或合同内容 本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容 产品名称; a b 产品牌号; 技术要求 c 产品数量 d 本标准编号; e 其他 f