集成电路制造设备术语

集成电路制造设备术语

国家标准 GB/T40577一2021 集成电路制造设备术语 IerminologytorintegratedeireuitICmanufaeturingequipment 2021-10-11发布 2022-05-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标涯花管理委员会国家标准
GB/40577一2021 目 次 前言 范围 2 规范性引用文件 基础术语 晶体生长加工设备 掩模制造设备 光刻与刻蚀设备 掺杂设备 8 薄膜淀积设备 23 清洗设备 24 0封装设备 1 检测设备 27 公用部件 12 34 参考文献 37 索引 38
GB/40577一2021 前 言 本文件按照GB/T1.1一2020<标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草 请注意本文件的某些内容可能涉及专利 本文件的发布机构不承担识别专利的责任 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/Tc203)提出并归口 本文件起草单位;电子技术标准化研究院、浙江晶盛机电股份有限公司、中电科电子装备集团 有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、上海微电子装备 集团)股份有限公司、东莞市中半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司 本文件主要起草人:张军华,冯亚彬、曹可慰、曹建伟、裴会川朱亮、周哲,武小娟、杜若听、唐彩红、 丁晓民,傅林坚.魏唯.田祷.,刘英斌,李国平,卫发宏智
GB/40577一2021 集成电路制造设备术语 范围 本文件规定了集成电路(IC)制造设备的基本和常用术语,包括基础术语,晶体生长加工设备、掩模 制造设备、光刻与刻蚀设备、掺杂设备、薄膜淀积设备、清洗设备、封装设备、检测设备的术语及公用部件 术语 本文件适用于集成电路制造设备的设计开发、生产和应用,也适用于集成电路制造设备的科研,教 学和出版工作 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件 基础术语 3.1 可靠性reliability 在规定的条件下,设备在一定时间内执行其预定功能的能力 3.2 可用性availability 当需要时,设备处于可以执行其预定功能的可能性 3.3 维修性maintainabhility 在规定时间内,设备保持在或恢复至能够执行其预定功能的状态的可能性 3.4 平均故障间隔时间meantimebetweenfailure;MTBF 可修复产品两次相邻故障之间的平均时间 注MTBF又称为“平均无故障时间”,是衡量设备的可靠性指标,单位为“小时()”,是体现设备在规定时间内保 持功能的一种能力 3.5 平均维修时间meantimmetorepair;MTR 可修复产品从出现故障到修复所需时间的平均值 3.6 meantimetofailure;MTF 平均失效时间 系统能够正常运行的平均时间
GB/T40577一2021 晶体生长加工设备 4. owthfurnace 单晶生长炉mooerystalgro 以高温熔化方法由原材料制备或提纯单质或化合物半导体单晶锭的设备 4.1.1 "owthfurnace 直拉单晶炉Czochralskimonoerystalgre 在适当的温度和工作气氛控制下,将特制的单晶籽晶与熔化于堆蜗内的高纯多晶材料相接触,并在 籽晶与堆蜗的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶,使熔体不断沿籽晶晶向结晶,直接拉制成单晶 锭的设备 注又称为“切克劳斯基法单晶炉” 4.1.1.1 磁场直拉单晶炉magnetieCchralskimonerystalgrowthfurnace 在熔化硅料的堆蜗外围,施加有效磁场,抑制熔料的热对流,以控制晶体的氧、碳含量,改善晶体的 微缺陷,从而达到提高晶体质量目的的直拉单晶炉 注磁场直拉单晶炉的磁场设备依据磁场方向可分为横向磁场、纵向磁场、钩形磁场三种类型 4.1.1.2 液封直拉单晶炉liquideneapsulatedCz0chralskimonoerystalgrowthfurmace 利用过压惰性气体及漂浮于熔体表面的液态封盖剂来维持合成条件,并阻止高蒸气压元素挥发,以 拉制GaAs或其他化合物单晶锭的直拉单晶炉 4.1.1.2.1 高压直拉单晶炉hiehpressureCzchralskimoncrystalgrowthfurmace 反应室内惰性气体压力在2MPa以上的液封直拉单晶炉 4.1.1.2.2 中压直拉单晶炉mediumpressureCzchralskimonocrystalgrowthfurnace 反应室内惰性气体压力在0.5MPa一2MPa之间的液封直拉单晶炉 4.1.1.2.3 低压直拉单晶炉lowpressureCzchralskimonwerystalgrowthfurmace 反应室内惰性气体压力在0.3MPa左右的液封直拉单晶炉 4.1.2 悬浮区熔单晶炉floatngzonemonerystalgrowthfurnaee 在高真空或惰性气体保护下,利用加热线圈将高纯的多晶硅棒局部加热熔化,熔区在熔硅的表面张 力、加热线圈磁托浮力和环境压力作用下处于悬浮态,然后从熔区下方引人旋转着的籽晶,籽晶与悬浮 态的熔硅相熔接,以一定的速度将熔硅拉制成单晶硅锭的设备 4.1.3 水平区熔单晶炉horizontalzonemonoerystalgrowthfurnace 以密封石英管维持合成或单晶生长条件,以矩形截面石英舟盛放GaAs或其他化合物原料,当该石 英反应管与窄区段加热区域按一定速度相对水平移动时,高温合成的GaA、或其他化合物熔体即在冷 却的一侧沿籽晶晶向结晶,并得到进一步提纯的单晶生长设备 4.2 .cutingmchine 截断机ingot 通过切割,对单晶棒进行去头部,尾部,取样片,切段的一种晶体加工设备
GB/40577一2021 4.3 滚磨机ingtgrindingmachine 通过金刚石磨轮将单晶棒外径磨削成所需直径棒料的设备 注又称为“滚圆机” 4.4 铁磨机milin ingandgrindingmachine 在单晶棒上磨削出平边参考面或定位槽的设备 4.5 切片机slicing Sa 将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几何尺寸和所需厚度薄片的设备 4.5.1 内圆切片机internaldiametersaw 利用内圆刃部镀有金刚石磨料的环形不锈钢体刀具将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几 何尺寸和所需厚度薄片的设备 4.5.1.1 立式内圆切片机vertiealinternaldiametersaw 单晶棒晶轴方向呈垂直(竖直)方向的内圆切片机 4.5.1.2 卧式内圆切片机horizontalinternaldiametersaw 单晶棒晶轴方向呈水平方向的内圆切片机 4.5.2 外圆切片机extermaldiametersaw 利用外圆刃部镀有金刚石磨料的圆形刀具,将半导体单晶等硬脆棒材切割成具有精确几何尺寸和 所需厚度薄片的设备 4.5.3 多线切割机multiwiresaw 通过成组高速运动的金属丝(带动磨料)或金刚石切割线,以单向循环或往复循环运动的方式,将半 导体等硬脆材料一次同时切割成批量薄片的一种切割加工设备 4.5.3.1 游离磨料多线切割机freeabrasivemwlti-wirsaw 通过成组高速运动的金属丝,带动切削液内的游离磨料对材料形成磨削,将半导体等硬脆材料一次 同时切割成批量薄片的一种切割加工设备 4.5.3.2 金刚石多线切割机diamondmmtiwiresaw 通过成组附有固定金刚石磨料的金属线的高速运动对材料形成磨削,将半导体等硬脆材料一次同 时切割成批量薄片的一种切割加工设备 4.6 倒角机edgeroundingmachine 为防止晶片在后续加工过程中边缘产生破损、擦伤或在边缘形成不正常生长层,通过成型磨轮将切 割晶片的锐利边缘修整磨削)成特定形状(R型或T型),使晶片边缘棱角锐度降低的设备 4. achine 研磨机lappingmat 利用研磨浆料,通过机械研磨去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕,减小晶片表面损伤层深度,改
GB/T40577一202 善晶片平整度和表面粗糙度的设备 4.7.1 双面研磨机doublesidelappingmachine 通过驱动晶片相对上、下磨盘作行星式或其他形式的运动,同时对晶片的两侧表面进行机械磨削的 研磨机 4.7.2 单面研磨机sinelesidelappnmaehine 晶片的一面经粘附或真空吸附固定在研磨载具上,驱动载具旋转并施加压力,使晶片另一面与研磨 盘进行磨削的研磨机 4.8 磨片机grinder 采用金刚石磨轮,通过机械磨削去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕及表面损伤层,改善晶片表面 质量的设备 4.8.1 双面磨片机doablesidegrimder 采用金刚石磨轮,对晶片上、下两面同时进行机械磨削,以去除晶片表面因切割工艺造成的锯痕及 表面损伤层,改善晶片的翘曲度、平整度及平行度的磨片机 注:双面磨片机主要用于加工直径300mm及以上晶片 4.8.2 单面磨片机singlesidegrinder 采用金刚石磨轮,对晶片的一面(正面)进行机械磨削,进一步去除晶片表面损伤层厚度,改善晶片 的总厚度变化和表面粗糙度的磨片机 注:单面磨片机主要用于300mm及以上晶片双面磨片后的表面精加工、200mm晶片双面研磨后的表面精加工， 或者品片刻蚀后的表面精加工 4.9 晶片腐蚀机slieeeching" machine 利用化学反应去除机械加工对晶片造成的损伤层、加工应力和沾污等的设备 4.10 化学机械抛光机echemical-meehanicealpolisher 利用抛光液化学腐蚀和磨料机械研磨的联合作用,改善晶片表面形貌质量,降低晶片表面粗糙度， 提高晶片的整体平整度和局部平整度的设备 4.10.1 双面抛光机doublesidepolisher 同时对晶片两面进行抛光的化学机械抛光机 4.10.2 单面抛光机singlesidepolisher 对晶片单面进行抛光的化学机械抛光机 注主要用于100mm一300mm之间晶片的单面抛光,用来提高晶片单面的平整度及粗糙度的加工设备 4.10.3 边缘抛光机eteepisher 利用化学机械抛光方法,对晶片边缘及切口槽或平边进行抛光,以降低微粒附着在晶片边缘及切口
GB/T40577一2021 槽或平边的可能性,改善晶片边缘及切口槽或平边的粗糙度,并使晶片具有较好的机械强度的设备 4.10.3.1 抛光盘式边缘抛光机polishing-plateelgepolisher 采用抛光盘对晶片边缘进行抛光的化学机械抛光机 4.10.3.2 抛光桶式边缘抛光机polishing-drumedgepolisher 采用抛光桶对晶片边缘进行抛光的化学机械抛光机 4.11 晶片清洗机sliceceaningmachine 通过物理和化学清洗方法,去除晶片加工后表面残留的磨料颗粒、有机物及金属沾污等杂质的 设备 4.12 晶片退火炉slceannealingfurnace 在氢气或稀有气氛下,将温度升至特定温度范围,通过保温、降温,将晶片表面附近的氧挥发脱除 使内部的氧沉淀分层,减少晶片表面附近的杂质含量及缺陷,使晶片表层形成相对洁净区的设备 注:也称为“高温炉” 4.12.1 水平式晶片退火炉horizomtalsliceannealinm urnace Re 反应室呈水平结构布局的晶片退火炉 注:简称为“水平式退火炉” 4.12.2 立式晶片退火炉yertiealslieeamnealingfurmace 反应室呈垂直结构布局的晶片退火炉 注:简称为“立式退火炉” 掩模制造设备 5.1 坐标刻图机crdinatograph 早期的一种利用数字化仪控制进行掩模原图刻划的设备 即利用在平台表面作两维运动,相对直 角坐标轴准确定位的刻刀,对置于台面上的红膜按设计数据刻线,并经人工剥膜,以形成适当放大倍率 的集成电路原图的装置 5.2 数字化仪digitize 从集成电路平面设计图上读取反映图形特征点的坐标值如顶点坐标),并将其转化为刻图机或其 他制图设备可识别的适当格式的图形数据处理装置 5.3 自动制图机automatiedrafer 在计算机控制下,直接按照输人的图形数据,在涂覆漆膜或者红膜的透明基片上以刻膜,剥膜方式 制作放大的集成电路原图,或以彩色笔绘图方式在图纸上绘制放大的体现各层图形之间套刻关系的 装置
GB/T40577一2021 5.4 初缩照相机firstreduetioncamera" 利用光学成像原理,将集成电路原图按适当比例缩小,并成像在乳胶板的感光膜上,以形成中间掩 模的轨道式可变倍率的大型照相设备 注:又称为“一次缩小照相机” 5.5 精缩照相机photorepeater;step-and-repeatsystem 由高分辨率光学缩小成像系统和精密定位工作台组成,将中间掩模图形按适当比例缩小到实际尺 寸,并按分步重复方式或异图分布方式在乳胶板或匀胶铬板的感光膜上曝光形成为图形阵列,从而制备 阵列掩模版的曝光设备 注又称为"“光学分步重复机,分步重复照相机、掩模重复照相机” 5.6 图形发生器patterngenerator 通过各种曝光方式在感光材料上曝光出掩模图形的掩模曝光设备 5.6.1 光学图形发生器optiealpatterngenerator -种利用计算机辅助制造掩模图形的光学曝光设备 在计算机控制下,利用可变机械狭缝(或固定 矩形模块)光闹,通过具有特定缩小倍率(通常25倍缩小)的透镜成像系统,利用闪光灯(或秉灯与快门 配合)和工件台移动协调动作,把计算机输人的集成电路数据按顺序曝光,在工作台的感光板上拼接成 完整集成电路中间掩模 5.6.2 ptege 激光图形发生器laser enerat0r 利用聚焦激光光束,由计算机控制,按照输人的图形信息直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出掩 模图形的光学掩模制造设备 又称为“激光直写系统” 注:激光图形发生器属于无掩模光刻设备 5.6.2.1 基于数字微镜器件的激光直写系统laserdreetwritimgystembasedondigitalmieromirrordeiee 采用数字微镜器件作为“数字掩模”,取代传统的投影光刻机的中间掩模版,通过透镜微缩,把数字 微镜器件中的每一个近十微米级的镜片反射光缩小到亚微米级光斑,直接投影到基片的光学掩模制造 设备 5.6.2.2 准分子激光图形发生器exeimerlaserpattermgeerator 以准分子激光器做闪光光源的机械狭缝扫描方式或激光狭缝扫描方式的光学图形发生器 5.6.3 电子束掩模制造系统eeetronbeammaskmanufaeturingsystem" 利用计算机控制的聚焦电子束进行光棚扫描或矢量扫描,直接在涂覆有光敏材料的基片上曝光出 掩模图形的掩模制造设备 注:又称为“电子束图形发生器” 5.6.3.1 变形束电子束光刻机yrtableshapeeletrnbhewmlhwgraplyystemn -种可变束斑的电子束曝光系统 利用电子光学系统中的静电偏转电极将可移动的第一光闹(大
GB/T40577一2021 的矩形窗口光闹)的像投影在第二光闹上，第一光闹窗口的像和第二光闹窗口重合部分便形成可改变 形状和尺寸的电子束斑 在曝光过程中,根据集成电路版图的单元图形结构和大小,改变光闹大小,由 大矩形束斑拼接大尺寸图形,以细条图形曝光小尺寸图形,从而提高电子束曝光效率、 注，也称为“可变矩形束电子束曝光系统” 5.6.3.2 成形束电子束光刻机shapedeleetronbeamlithographysystem -种束斑形状和尺寸固定的电子束曝光系统 利用电子光学系统中第一光闹(大的矩形窗口光 的像移动到一定位置后保持不变地投影在第二光上,第一光阙窗口的像和第二光闹窗口重合部分便 形成一个形状和尺寸固定的电子束斑 注:也称为“固定矩形束电子束曝光系统” 5.6.3.3 rasterscaneleetronbeamlitho 光栅扫描电子束光刻机 h0graphysystem -种全掩模有效区域内选择性扫描曝光的电子束曝光系统 在工作台移动和电子束以光栅扫描方 式相配合下构成的两维扫描场中,通过静电通断电路按输人图形数据控制电子束通断,进行选择性 曝光 5.7 掩模光刻胶涂覆设备photoresistcoaterformask-making 利用液体的表面张力和基片高速旋转的离心力将光刻胶均匀地涂覆在基片表面的设备 5.8 掩模保护膜安装仪peliclemountinginstrument 用于在中间掩模版上安装掩模保护膜,以隔离空气中的颗粒和其他环境污染物等缺陷对掩模图形 层的污染的精密装置 5.9 掩模图形数据处理系统proeesingsystemformaskpatterndata 将数据传输常用的GDs格式(或其他格式)的数据转换成曝光设备能够接受的专用格式数据,并 进行版图曝光场切割和各种数据变换处理的设备 5.10 掩模复印机maskcopier 将集成电路主掩模图形进行接触复印,复制副主掩模或者工作掩模的曝光设备 注又称为“翻版机” 5.11 掩模修补设备askrepairsystem 与掩模缺陷检查设备连接,利用各种高能辐射束及热沉积或者光化学气相淀积材料对掩模或中间 掩模的透明缺陷或不透明缺陷进行修复的设备 5.11.1 激光掩模修补设备lasermaskrepairsystem" 利用适当波长的激光对特定金属有机物反应剂的光化学气相淀积作用和对掩模图形材料的热蒸发 作用,以聚焦扫描激光束分别定域修复铬掩模或中间掩模透明缺陷和不透明缺陷的设备 5.11.2 聚焦离子束掩模修补设备feusedionbeamask rplrsystlen 利用聚焦离子束进行定域溅射刻蚀以去除多余的铬材料,以去除不透明缺陷,同时还具有利用物理
GB/T40577一202 方法打磨透明缺陷表面产生的不透明缺陷,以实现透明缺陷修补的设备 光刻与刻蚀设备 6 6.1 光刻机lithe hographysystem 利用光化学反应作用,在圆片表面涂覆的光刻胶层绘制电路图形信息的曝光设备 注:又称为“曝光机” 6.1.1 掩模光刻机maskaligner 利用光化学反应作用.通过掩模版将电路图形信息转印到圆片表面涂覆的光刻胶层的光学曝光 设备 6.1.1.1 接触式光刻机contactaligner 使掩模版与圆片精确对准并紧密接触,将掩模图形等倍地转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备 6.1.1.2 接近式光刻机proximityaliger 使掩模版与圆片精确对准,掩模版与圆片之间保持被惰性气体填充的一定间隙,将掩模图形等倍地 转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备 6.1.1.3 投影光刻机projeetionaligner 利用光学成像方法,将掩模版图形按照一定比例、方向投影到圆片基底上,并在基底所涂覆的感光 材料中形成图形潜像的光学曝光设备 6.1.1.3.1 分步重复光刻机waferstepper -种利用特定尺寸规格的静态曝光视场和固定缩小倍率的投影物镜,将掩模图形转印在圆片光刻 胶层的,具有分步重复功能的投影光刻机 6.1.1.3.2 步进扫描投影光刻机seastepper -种同时具有子场扫描投影曝光和缩小分布重复拼接曝光功能的光学曝光设备 6.1.1.3.3 浸没式光刻机immmersiomscamner 通过将镜头像方下表面与圆片上表面之间充满液体(通常是折射率为1.挂的超纯水),以提升成像 系统的有效数值孔径的步进扫描光刻机 6.1.1.4 红外光刻机infraredmaskaligner 利用红外光的透射性能,从反面观察圆片图形,进行圆片背面标记图形与掩模图形的对准和曝光的 设备 6.1.1.5 远紫外光刻机farlraviolemaskaligner 采用波长范围200nm~300nm的远紫外光作为曝光光源,通过接触/接近或投影曝光的方法,将
GB/40577一2021 掩模图形转印在圆片光刻胶层的光学曝光设备 注:又称为“远紫外掩模对准机” 6.1.1.6 extremeultravioletmmask 极紫外光刻机 algnmer 采用波长范围10nm14nm的极紫外光作为曝光光源,通过步进扫描方式将掩模图形转印在圆 片光刻胶层的光学曝光设备 6.1.1.7 准分子激光光刻机execimmerlasermaskaligner 将准分子激光器产生的远紫外光作为曝光光源,通过接触/接近或投影曝光的方法,将掩模图形转 印在圆片光刻胶层的光学曝光设备 6.1.1.8 X射线光刻机X-raylithograpysystem 用波长范围0.4nm5nm的x射线,以面曝光的方式将掩模图形等倍转印在圆片光刻胶层的曝 光设备 6.1.1.8.1 接近式x射线光刻机prtimitrxrastoeaphyys ystem 利用x射线曝光源,使x射线掩模与圆片精确对准并在其间保持一定间隙,以拷贝复印方式将掩 模图形等倍转印在圆片光刻胶层的面曝光设备 6.1.1.8.2 X射线圆片步进光刻机x-raywaferstepper 利用X射线曝光源,使掩模与圆片精确对准并在其间保持一定间隙,以步进投影方式将掩模图形 等倍成像在步进重复运动的圆片光刻胶层的曝光设备 6.1.2 无掩模光刻机masklesslithographysystenm" 不通过掩模版,利用计算机输人的地址和图形数据控制光束或带电离子束直接在圆片光刻胶层直 接绘制电路图形的曝光设备 注:又称为“直写光刻机" 6.1.2.1 电子束光刻机eleetronbeamlithography ystem 利用计算机输人的地址和图形数据控制聚焦电子束在涂覆感光材料的圆片上直接绘制电路版图的 曝光设备 注又称为“电子束直写系统” 6.1.2.1.1 纳米电子束光刻机 eleetrnbeamlithographysys nan0 yStem 用于纳米尺度集成电路或掩模版加工的电子束光刻系统 注:又称为“纳米电子束直写系统” 6.1.2.1.2 多电子束光刻机mwtipleeleetronbeaml lithgraphysystemm 利用计算机输人的地址和图形数据,同时控制多束聚焦电子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路 图形的曝光设备 注:又称为“多电子束直写系统” 6.1.2.1.3 高斯束电子束光刻机Gaussianeleetronbeamlithographysystem 束斑的电子密度呈高斯分布的电子束光刻系统
GB/T40577一2021 6.1.2.1.4 圆形束电子束光刻机eireulareleetronheamlithographysystem 束斑的电子密度呈圆形截面的电子束光刻系统 6.1.2.1.5 高斯圆形束电子束光刻机Gaussianroundelectronbeamlithographsystem 束斑的电子密度呈高斯分布的圆形截面的电子束光刻系统 6.1.2.1.6 矢量扫描电子束光刻机veetorseaneleetronbeamlithographysystem 采用矢量式扫描曝光的电子束曝光系统 注:曝光过程中,由电子束按规定的子场宽度(如250nm)的尺寸对写场内的最接近起始点的图形单元开始进行连 续扫描填充式曝光,当 个单 单元图形扫描曝光完成后,电子束直接偏转到临近图形单元进行扫描填充式曝光、 整个写场图形组扫描曝光完成后,工件台移动到下一个写场的位置,继续进行矢量扫描曝光,直至整个圆片图 形曝光完成 6.1.2.1.7 电子束投影光刻机eetronbeamprojeetionlithographysystem 以镂空掩模作为光闹,把镂空掩模图形成像到圆片表面电子抗蚀剂膜上,实现电子束缩小投影曝光 的设备 6.1.2.1.8 电子束字符投影光刻机eletronbeamceharacterprojeetionlithographysystem" 电子束投影光刻系统的一种,用制备有系列基本图形元素的镂空模板代替电子光学柱中光阙,通过 控制系统选择其中一个或者几个在圆片表面电子抗蚀剂上曝光,如同字符可拼写出复杂图形的电子束 曝光设备 6.1.2.1.9 电子投影光刻机elettnprgetionthugraphysystem 将紫外光照射涂有光电发射材料的石英衬底金属掩模所产生的光电子,经电场加速和磁场聚焦,垂 直投射到圆片光刻胶层上,使之产生等倍掩模图形潜象的面曝光设备 6.1.2.2 离子束光刻机ionbeamlithographysystem 利用计算机输人的地址和图形数据控制聚焦离子束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光 设备 注:又称为“离子束直写系统” 6.1.2.2.1 掩蔽离子束光刻机maskedionheamthugreaptyystem 用准直离子束穿过与圆片接近的镂空金属箔掩模,对圆片光刻胶层进行曝光,以形成微结构图形潜 像的曝光设备 6.1.2.2.2 mprjetionthwgraphysystem 离子束投影光刻机iombeam 利用整形后的聚焦离子束,将透过镂空中间掩模的图形缩小投影在圆片上,通过工件台的移动在圆 片上分步重复成像,使光刻胶层产生掩模图形潜象的离子束曝光设备 6.1.2.2.3 聚焦离子束扫描光刻机foeusedionbheamscanlithographysystem 在计算机控制下,通过工作台运动和静电偏转,使聚焦离子束在偏转场内按输人图形数据对圆片光 刻胶层进行分区扫描曝光的设备 10
GB/T40577一2021 6.1.2.3 激光直写光刻机laserdlireetwritinglithographysystem 利用计算机输人的地址和图形数据控制激光光束直接在圆片光刻胶层直接绘制电路图形的曝光 设备 6.1.3 双面光刻机dhlesilethugrphysstem 可同时在圆片两面涂覆的光刻胶层绘制电路图形信息的曝光设备 6.1.4 纳米压印设备namoimprintequipment 利用纳米图形掩模使圆片上的聚合物涂层变形,然后采用特定方式使聚合物涂层固化,从而完成图 形转印的设备 6.2 涂胶显影设备coatingandresistdeveopingequipmment 在光刻工艺过程中,与光刻机配套使用,自动完成涂胶、显影及烘烤等工艺的一体化处理系统 6.2.1 涂胶设备coatingequipment 在圆片表面均匀涂覆光刻胶或其他胶质液体的工艺设备 注:又称为“匀胶机” 6.2.1.1 旋转式涂覆设备spincoatingequipment 在高速旋转下,利用离心力和液体表面张力使光刻胶或其他胶质液体均匀地涂覆在圆片上的工艺 设备 6.2.1.2 喷雾式涂覆设备sprayingcoatingequipment 通过超声波使光刻胶或其他胶质液体雾化为微小颗粒并以一定的压力通过喷嘴喷出,在基片表面 形成均匀的胶液层,通过相应处理,以实现在基片表面形成均匀胶膜的工艺设备 6.2.2 显影机rnestdleelpnmgs stem 用显影液对圆片上曝光形成的光致抗蚀图形潜象进行化学处理,除去可溶解材料,使曝光图形固化 的设备 6.2.2.1 超声显影机ultrasonicresistdevelopin ingsystem 利用超声波振荡产生的作用力,使显影液空化和乳化,对曝光后的圆片完成显影的设备 6.2.3 烘干炉bakimgfurmace 通过红外线或其他加热方法,对擦片,涂胶、显影后的圆片进行烘干或坚膜处理的加热炉 6.3 刻烛设备etchingequipment 利用腐蚀媒质对显影后圆片未被抗蚀层遮蔽的区域进行刻蚀,除去不需要的材料,形成所需图形的 设备 注:分为干法刻蚀设备和湿法腐蚀设备 11
GB/T40577一2021 6.3.1 湿法腐蚀机wetetcher 使用液态的化学刻蚀剂与圆片上未被抗蚀剂遮蔽区域的材料发生反应,除去不需要材料,形成所需 图形的设备 6.3.1.1 槽式腐蚀机benehtypeetecher 将圆片置于化学药液槽体中完成刻蚀的设备 6.3.1.2 单片湿法腐蚀机singlewafterweetcher 利用化学药液对圆片逐个刻蚀,以去除硅、氧化硅、氮化硅及金属膜层的设备 注又称为“单片刻蚀机" 6.3.1.3 喷射腐蚀机sprayetcher 将腐蚀液以辐射状喷向处于水平放置的旋转圆片表面,以完成刻蚀的湿法刻蚀设备 6.3.1.4 带式喷射腐蚀机betingsprayeteher 将腐蚀液喷射到由传送带载动的圆片表面,以完成刻蚀的湿法刻蚀设备 6.3.2 干法刻蚀机dryecher 以化学反应等离子体、荷能离子或离子束作为腐蚀媒质,对显影后基片未被抗蚀层遮蔽的区域进行 刻蚀,除去不需要的材料,形成所需图形的设备 6.3.2.1 等离子体刻蚀机plasmaeteher 利用等离子体直接或间接地产生刻蚀气体,使其与圆片上未被抗蚀层遮蔽区域的材料发生反应,以 完成刻蚀的设备 6.3.2.1.1 电容耦合等离子体刻蚀机capaeitivelycoupledplasmaeeher 由射频(或直流)电源通过电容耦合的方式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备 6.3.2.1.2 电感耦合等离子体刻蚀机induetielycoupledplasmaetcher 将射频电源的能量经电感线圈,以磁场耦合的形式在反应腔内产生等离子体并进行刻蚀的设备 6.3.2.1.3 电子回旋共振等离子体刻蚀机eletrm.yeloin etcher uneplaema reS0nal 利用电子在磁场中的回旋共振原理,在低气压条件下获取高浓度等离子体并进行刻蚀的设备 6.3.2.1.4 螺旋波等离子体刻烛机 helieonwaveplasmaetcher 利用横向的电磁波与纵向的磁场发生耦合形成的螺旋波增强等离子体化学活性和增强等离子体密 度的等离子体刻蚀机 6.3.2.1.5 桶形等离子体刻蚀机barreplasmaetcher 通过低压气体放电,使垂直于圆桶式反应器轴线排列的圆片表面原子与等离子体中的活性基反应 12
GB/40577一2021 离子反应,进而完成刻蚀的设备 6.3.2.1.6 隧道式等离子体刻蚀机tunnelplasmaetcher 内部设有法拉第罩的桶形等离子体刻蚀机 6.3.2.1.7 平板型等离子体刻蚀机panarypeplasmaeeher 将射频能量加到一对平行平板电极上,对置于阴极的晶片进行等离子体刻蚀的设备 6.3.2.1.8 表面波等离子体刻烛机 surfacewaveplasmetcher 利用由微波形成的表面波获取等离子体并进行刻蚀的设备 6.3.2.1.9 微波等离子体刻蚀机microwaveplasmaeteher 以特定频率的微波能激励反应室中的气体,产生等离子体,利用等离子体中的化学活性离子进行刻 蚀的设备 6.3.2.1.9.1 自偏压微波等离子体刻蚀机 micerowaveplasmaetcherwithitselrbiasvoltage 利用加在载片台上的高频能量所产生的直流偏压,使材料既受由微波产生的等离子体中活性基的 化学腐蚀,又受到自偏压加速离子的轰击腐蚀的微波等离子体刻蚀机 6.3.2.1.10 直流溅射离子刻蚀机dlireeteurrent(DC) )sputteringionetcher 利用直流能量激励惰性气体产生等离子体,并以靶上的偏压加速正离子轰击基片,对非掩蔽区基片 材料进行溅射腐蚀的设备 6.3.2.1.11 高频溅射离子刻蚀机highfrequeney(HF)sputteringionetcher 利用高频能量激励惰性气体产生等离子体.并以高频电场产生的自偏压加速正离子轰击基片,对非 掩蔽区基片材料进行溅射腐蚀的刻蚀设备 6.3.2.2 etcther; RIE 反应[式]离子[辅助]刻蚀机 reactiveion 同时兼有物理和化学两种作用,同时利用等离子体中的活性粒子和带电离子完成材料刻蚀的设备 6.3.2.2.1 磁场增强反应离子刻蚀机magnetieallyenhancedreactieionetcher 带有直流磁场的反应离子刻蚀设备 6.3.2.2.2 磁控反应离子刻机magnetronreactiveionetcher 在平板电极之间或阳极背面加磁场,以通过等离子体密度的平板型反应离子刻蚀机 6.3.2.2.3 平板型反应离子刻蚀机planarypereaetiveioneteher 利用加在一对平行平板电极阴极上的射频能量,激励中性气体产生含活性基的等离子体,使置于阴 极上的基片既受等离子体中活性基的腐蚀,又受到阴极暗区压降加速的正离子溅射腐蚀的刻蚀设备 6.3.2.2.4 六边形反应离子刻蚀机reacetiveionetcherwithhexagonalgeometry 将高频能量加到作为反应器内壁的直筒六面体阴极上,使置于其上的基片既受等离子体中活性基 13
GB/T40577一202 的腐蚀,又受到阴极暗区压降加速的正离子溅射腐蚀的刻蚀设备 6.3.2.3 离子束刻烛机ionbeameteher 利用等离子体产生的低能离子轰击圆片,通过物理溅射去除材料的刻蚀设备 6.3.2.3.1 反应离子束刻蚀机reaetieionbheametcher 以化学反应性气体的荷能离子束轰击基片表面,使基片材料在受到溅射腐蚀的同时,又受到化学反 应腐蚀的刻蚀设备 6.3.2.3.2 化学辅助离子束刻蚀机 chemicalassistediombeametcher 将能与基片材料起化学反应的气体直接送到离子束刻蚀机中的被刻蚀基片附近,使基片材料在受 到溅射腐蚀的同时又受到化学反应气体腐蚀的刻蚀设备 6.3.2.3.3 微波反应离子束刻蚀机reactiveionheametcherwithmerwave 用以微波能量激励化学反应气体产生等离子体的离子源代替普通反应离子束刻蚀机中的离子源 如考夫曼离子源)的刻蚀设备 6.3.2.4 eehingequp 等离子刻蚀机plasma ment 利用等离子体中的活性粒子及离子与被刻蚀材料表面发生化学反应去除材料的工艺设备 63.2.5 atomicla etcher 原子层刻蚀机 ayer 对被刻蚀材料以原子层级别逐层进行刻蚀的设备 6.4 去胶机restiststrippingequipment 在圆片完成刻蚀后,去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备 6.4.1 湿法去胶机 wetresiststrippingequipment 利用化学溶解作用,采用去胶液去除圆片表面作为阻挡层的光刻胶的设备 6.4.2 等离子体去胶机plasmaresist strippingequipment 利用氧气氮气或氢气等离子体中的活性粒子,与光刻胶发生反应,使之分解并挥发的干法剥离 设备 6.4.3 超临界态二氧化碳去胶机supereritiealcarbondioxideresiststrippingequipment 当二氧化碳处于超临界状态时具有极高的溶解能力,利用超临界二氧化碳去除光刻胶或残留物的 设备 6.5 蒸气顶处理机 steampreprocessingsystem 用适当材料的蒸气对涂胶前的圆片进行化学脱水处理,以增强光刻胶对圆片的附着力的设备 14
GB/40577一2021 掺杂设备 7.1 扩散炉diffusionfurmace 利用热扩散原理,将掺杂元素渗人圆片内并使其具有特定浓度分布的工艺设备 7.1.1 卧式扩散炉horizontalditftusionfurnaee 加热炉体,工艺炉管及承载晶片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的扩散炉 7.1.2 立式扩散炉vertiealdirfusionfurnaee 加热炉体、工艺炉管及承载晶片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的扩散炉 7.1.3 双温区扩散炉dowbleteperaturezwnedrusionfurnaee 有两个工作温度独立控制的恒温区的扩散炉 7.2 离子注入机ioniplanter 将掺杂物质以离子形式在电场中加速到一定能量,并通过掩膜注人圆片内,以形成特定深度、浓度 和导电类型的掺杂图形的设备 注:离子注人机按束能量高低分为低能离子注人机、中能离子注人机、高能离子注人机和兆伏离子注人机;按着靶 束流大小分为小束流离子注人机,中束流离子注人机,强流离子注人机和超强流离子注人机 7.2.1 低能离子注入机loeneryionimplanter 束能量在100keV以下的离子注人机 7.2.2 中能离子注入机 mediumeneryionimplanter 束能量在100keV至300keV之间的离子注人机 7.2.3 高能离子注入机highenerionimplanter 束能量在300keV以上,l000keV及以下的离子注人机 7.2.4 兆伏离子注入机megaeleetronvoltionimplanter 束能量在1MeV以上的离子注人机 7.2.5 小束流离子注入机loeurentionimplanter 着靶束流在100nA至100MA之间的离子注人机 7.2.6 中束流离子注入机 mediumcurrentionimplanter 着粑束流在100A至2000A之间的离子注人机 7.2.7 强流离子注入机highcurrentionimplanter 着靶束流在2mA至30mA之间的离子注人机 15
GB/T40577一2021 7.2.8 超强流离子注入机superhighcurentionimplanter 着靶束流在30mA以上的离子注人机 7.2.9 氧离子注入机oxygenionimplanter 将氧离子高浓度地注人圆片内部,以形成二氧化硅绝缘层的强流离子注人机 7.2.10 卧式离子注入机horizontalion implanter 整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿水平方向放置的离子注人机 7.2.11 立式离子注入机vertiealionimplanter 整个光轴或质量分析器后的光轴部分沿垂直方向放置的离子注人机 7.2.12 聚焦离子束注入机fneusedbeamionimplanter 由场致发射离子源、聚焦透镜,质量分析器和离子束偏转系统等构成的,在电子计算机控制下以微 细聚焦离子束直接按输人图形数据,在圆片内制作掺杂图形的离子注人机 7.3 电子束掺杂机eleetronbeamdopimgsystem 利用聚焦高能电子束扫描轰击涂有掺杂剂层的圆片表面,对圆片指定区域进行扩散掺杂的设备 7.4 激光掺杂机laserdopingsysem 利用高功率密度的脉冲激光束辐照涂有掺杂剂层的圆片表面,对圆片指定区域进行扩散掺杂的 设备 7.5 退火炉annealingfurace 圆片经过氧化、扩散、外延、离子注人、蒸发电极等工艺后,用于退火热处理以消除晶格缺陷和晶格 损伤的热处理设备 7.5.1 卧式退火炉horizontalannealingfurnaee 加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的退火炉 7.5.2 立式退火炉vertiealamnealigfurnaee 加热炉体、工艺炉管及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的退火炉 7.5.3 快速退火炉rapidthermalannealingfurnaee -种能将圆片温度迅速上升到设定工艺温度并快速降温的退火设备 注;快速退火炉升温或降温速率比常规退火炉快,反应室温度加热至高温(例如1100C)仅需数秒时间. 7.5.4 常压退火炉atomosphericpressureannealingfurnaee 石英管反应室气体为常压的退火炉 7.5.5 amnealingturmaee 负压退火炉low pressure 石英管反应室气体为负压通常在1.01×10'Pa~l.01×10Pa)的退火炉
GB/40577一2021 7.5.6 激光退火炉 laseranealingfurnace 利用脉冲或连续波大功率激光束扫描的方法,使圆片表层瞬时加热,以实现再结晶的退火炉 7.5.7 电子束退火炉eleetronbheamannealingfurmae 利用高能量密度的聚焦电子束扫描轰击的方法,使圆片表层瞬时加热,以实现再结晶的退火炉 7.5.8 离子束退火炉imnbheam.ammeaingfunaee 利用大束流高能氢,氧离子束轰击的方法,使圆片表层瞬时加热,以实现再结晶的退火炉 7.6 快速热处理设备ripdthrmpwestinglpm ment 以适当加热源对圆片等材料进行快速加热与冷却的短时高温处理,以完成快速退火、快速热氧化、 快迷热氮化.快速热扩散.,快速热化学气相淀积,解棚等离子体氮化以及金属硅化物生成.外延等工艺的 设备 7.7 氧化炉oxidationfurnace 在中高温下通人特定气体,使圆片表面发生氧化反应,生成二氧化硅薄膜的热处理设备 7.7.1 卧式氧化炉horizontaloxidationfurace 加热炉体、工艺管反应室及承载圆片的晶舟如石英舟、碳化硅舟等)均水平放置的氧化炉 7.7.2 立式氧化炉vertieanloxidationfurnace 加热炉体、,工艺管反应室及承载圆片的晶舟(如石英舟、碳化硅舟等)均垂直放置的氧化炉 7.7.3 常压氧化炉atomwspheriepressureoxidatonfuraee 石英管反应室内气体为常压的氧化炉 7.7.4 高压氧化炉highpressureoxidationfurnace 在不锈钢管反应室内输人高压稀有气体和高压氧化气体,在高压下通常在1.01×10Pa一2.02× 0Pa)完成氧化工艺的氧化炉 7.7.5 负压氧化炉lowpressureoxidationfurnaee 石英管反应室气体为负压(通常在1.01×10'Pa~1.01×10Pa)的氧化炉 薄膜淀积设备 8.1 物理气相淀积设备physicalvapordepositioneqipment 利用热蒸发或受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等物理过程,将物质原子从源物质转移至衬底 材料表面,并在衬底表面淀积形成均匀薄膜的工艺设备 8.1.1 真空蒸镀设备 vacuumevaporator 在真空条件下,加热固体材料使其汽化或升华后凝结淀积到特定温度的衬底表面,形成均匀薄膜的 17
GB/T40577一2021 工艺设备 8.1.1.1 电阻加热真空蒸镀设备 resistanceheatingVacuumevap0rator 利用电阻加热方式使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备 8.1.1.2 电子束真空蒸镀设备eleetronbeamvacuumevaporator 利用高能电子束轰击源材料,使之受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备 8.1.1.3 高频感应加热真空蒸镀设备highfrequeneyinductionheatingvacuummevaporator 利用高频感应加热,使源材料汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空蒸镀设备 8.1.1.4 激光加热真空蒸镀设备 laserheatingvacuumevaporator 将激光束聚焦在源材料上,使源材料受热汽化或升华后淀积到衬底上形成均匀薄膜的真空燕镀 设备 8.1.1.5 离子束真空蒸镀设备ionbeamvaeuumevaporator 使源材料蒸发、电离形成离子束,并以低能离子束直接在衬底表面淀积形成均匀薄膜,或以低能聚 焦扫描离子束直接在衬底表面淀积形成均匀薄膜的真空镀膜设备 8.1.2 溅射淀积设备sputteringdepositioncquipment 利用电场加速带电离子并轰击源材料靶,人射离子在与靶表面原子碰撞过程中,将靶表面原子溅射 出来并在衬底表面淀积形成均匀薄膜的设备 8.1.2.1 直流物理气相淀积设备direetcurrentphysiealvaprdepositionequipment 靶材作为阴极,衬底作为阳极 在直流高压作用下,靶材与衬底之间的工艺气体(通常为氯气)电离 形成等离子体,等离子体在电场中加速后轰击靶材,使靶原子溅射出来并淀积到衬底上形成均匀薄膜的 设备 注:又称为“真空直流二极溅射设备”“阴极溅射设备” 8.1.2.2 射频物理气相淀积设备radiofe ositionequipment "equencCyphysicnlvapordep0 采用射频电源作为激励源,可以溅射导体和非导体粑材,并在衬底上淀积形成均匀薄膜的物理气相 淀积设备 8.1.2.3 sition 磁控溅射淀积设备magnetronsputteringdepos equipment 在靶材阴极)背面安置磁体,磁体与直流电源(或交流电源)系统形成磁控溅射源的物理气相淀积 设备 注又称为“磁控物理气相淀积设备” 8.1.2.3.1 直流平面磁控溅射淀积设备Dcplanarmagneticsputeringdepositionequipment 在阴极背面安置磁体,利用磁场控制电子飞行轨迹,以提高离化率,降低溅射电压的直流物理气相 淀积设备 18
GB/T40577一2021 8.1.2.3.2 射频平面磁控溅射淀积设备Rrplanarmagnetronsputteringdepositionequipment 在非对称的两块平行板电极上,将面积较小的阴极通过隔直电容与射频电源耦合而产生自偏置负 电位,源材料靶与阴极相连,衬底置于接地阳极上的磁控溅射淀积设备 8.1.2.3.3 圆柱形磁控溅射淀积设备clindricalmagnetromsputteringdepositionequipment 由内部设有电磁铁的圆柱形阴极和与其同轴的圆筒形阳极组成的磁控溅射淀积设备 8.1.2.3.4 空心阴极磁控溅射淀积设备holloweathodemagnetronsputteringdepsitionequpmment 由圆柱形阳极和与其同轴的圆筒形空心阴极组成的磁控溅射淀积没备 8.1.2.3.5 s型枪磁控溅射淀积设备Sgunmagnetronsputteringdepositionequipment 在外部设有环状永磁体的圆环形阴极和中心阳极间加上直流或射频电压以形成环状等离子体的磁 控溅射淀积设备 8.1.2.4 三极溅射淀积设备triodesputteringdepusitionequpment 在二极溅射系统中增加一个电极,控制靶和衬底之间的阻抗,使溅射在较低电压下发生的溅射淀积 设备 8.1.2.5 吸气剂溅射淀积设备getterspatteringdepositionequpment 利用溅射薄膜对杂质气体具有极强吸附作用的特性,先向无需溅射薄膜的衬底周围区域溅射适当 材料的薄膜,使之吸附杂质气体,净化溅射气体,然后再对衬底溅射淀积所需材料,以制备纯净薄膜的溅 射淀积设备 8.1.2.6 非对称交流溅射淀积设备asymmetrieACsputteringdepsitionequipment 在阴阳二电极之间加有正负大小不同的交流电压,以使杂质气体原子从淀积薄膜中逸出的纯净薄 膜射频二极溅射淀积设备 8.1.2.7 pterimgdlepsitomequpment 等离子体溅射淀积设备plasma S9 用热阴极发射的电子或高频激励等方法使低压惰性气体放电,形成等离子体的低压、低能、高离子 电流溅射设备 8.1.2.8 a spterine 反应溅射淀积设备reaetie nsitionequipment GD 在惰性气体中混人适当比例的反应气体或仅用反应气体进行溅射的设备 8.1.2.9 离子束溅射淀积设备iom-beamsputterimgdepositionequipmemt 以从独立的氲离子源引出的荷能离子束轰击源材料靶面,使源材料溅射并均匀淀积到衬底表面的 溅射淀积设备 8.1.2.10 反应离子束溅射淀积设备reaetiveion-heamsputteringdepsitionequipment 用荷能氲离子束轰击源材料靶的同时,将反应气体添加到衬底附近,或直接用含有反应离子和氲离 19
GB/T40577一202 子的荷能离子束轰击源材料靶,以在衬底表面淀积源材料反应物薄膜的溅射淀积设备 8.1.2.1 1 离子化物理气相淀积设备ionizedphysiealvapordepositionequipment 将从靶材上溅射出来的金属原子通过不同方式使之等离子化,通过调整加载在衬底上的偏压,控制 金属离子的方向与能量,以形成均匀薄膜的溅射淀积设备 8.2 化学气相淀积设备chemmicalvapordeposition(cVD)eqipment 通过混合化学气体并发生化学反应,从而在衬底表面淀积薄膜的工艺设备 8.2.1 常压化学气相淀积设备atmosphericpressurechemiealvapordepsitionAPCVD)equipment 在反应气体压力接近大气压力的条件下,将气态反应源匀速喷射至加热的固体衬底表面,使反应源 在衬底表面发生化学反应,反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备 8.2.2 低压化学气相淀积设备Iow chemiealvapordeposition(LPCVD) preSSure egquipment 在加热和反应气体压力处于7.6Pa~760Pa的条件下,利用气态原料在衬底表面发生化学反应,反 应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备 8.2.3 等离子体增强化学气相淀积设备 enhancedchemiealvapordeposition(PECVD) plaSma eguipment 气态前驱物在等离子体作用下发生离子化,形成激发态的活性基团,活性基团扩散到衬底表面并发 生化学反应,反应物在衬底表面淀积形成薄膜的设备 8.2.3.1 管式等离子体增强化学气相淀积设备 tubularplasmaenhacedchemicalvapordep0sition (T-PECVD)equipment 反应器形状为管状,外绕有射频加热线圈,线圈两端有环形带状电极的等离子体增强化学气相淀积 设备 8.2.3.2 平板式等离子体增强化学气相淀积设备 dlepsitn plateplasa-enhancedchemicalVapor P-PECVD eguipment 将射频功率输送到位于反应器内的两块对称平行平板上,基片放于靠电阻或红外灯辐射加热的接 地电极上的等离子体增强化学气相淀积设备 8.2.3.3 osition 微波等离子体增强化学气相淀积设备 mierowaveplasmaenhaneelchemiealvapordepos M-PECVD)equipment 等离子体发生的频率对应于微波频率范围的等离子体增强化学气相淀积设备 8.2.3.4 radiofr 射频等离子体增强化学气相淀积设备 requeneyplasmtrenhaneedchemiealvapordepositon RF-PECVD equipment 等离子体发生的频率对应于射频频率范围的等离子体增强化学气相淀积设备 8.2.3.5 ition 高密度等离子体增强化学气相淀积设备highdensitsplasn ma-enhancedchemicnlvapordep0s HD-PECVD eguipment 以较高能量的离子化的原子或分子,轰击衬底,引起溅射,从而有效地消除薄膜淀积过程中形成的 20
GB/T40577一2021 悬垂结构,形成对沟槽及孔隙自下而上填充的等离子体增强化学气相淀积设备 8.2.4 chemical 等离子体化学气相淀积设备plasmac vapordepsitioequipment 利用反应性气体辉光放电等离子体的热能引发反应剂气体的化学反应,在热衬底上淀积薄膜的低 压化学气相淀积设备 8.2.4.1 圆筒形等离子体化学气相淀积设备 eylindricplasmachemicalvapordep0sitionequipment 石英圆筒形反应器外绕有射频加热线圈,线圈两端有环形带状电极的等离子体化学气相淀积设备 8.2.4.2 sition 微波等离子体化学气相淀积设备miecrowaveplasmachemieal .dleps Vapor 1eguipment 利用微波激发气体放电所产生的化学活性物质在低温、低压下发生化学反应的等离子体化学气相 淀积设备 8.2.5 金属化学气相淀积设备 metalchemialvapordep0sitioneguipment 采用含金属的前驱物通过化学反应实现金属薄膜淀积的设备 8.2.5.1 sition 热反应金属化学气相淀积设备 hermalreactionmetalchemicalvapordepos onequipment 金属前驱物与其他气体(或金属前驱物自身)通过托盘加热激发化学反应或热分解)实现金属薄膜 淀积的设备 8.2.5.2 等离子体增强金属化学气相淀积设备plasmaemhaneedmetalchemieal vapordepositionsquipm 1ent 通过等离子体离子化分解前驱物与加热结合激发化学反应,实现低温低杂质的金属薄膜淀积的 设备 8.2.6 原子层淀积设备atomiclayerdeposition(ALD)equipment 通过稀有气体的吹扫隔离交替通过衬底表面的两种(或多种)前驱物,使得前驱物仅在衬底表面通 过化学吸附发生反应,以准单原子层形式周期性生长,从而在衬底上实现薄膜淀积的设备 8.2.7 光化学气相淀积设备photochemicalvapordepositionequipment 利用适当波长的光辐照对特定反应气体的光分解、光敏化反应或热分解作用,实现薄膜生长的化学 气相淀积设备 8.2.8 laserassistchemicaly osition(LA-CVD 激光化学气相淀积设备 vapordep0 equipment 利用激光的作用使气体发生化学反应,在衬底上实现薄膜生长的化学气相淀积设备 注又称为“激光诱发化学气相泌积设备” 8.2.9 电子回旋共振等离子化学气相淀积设备eletrm.oernresmaneecvDequpment 将特定频率微波通过波导管引人等离子共振腔,共振腔由磁场线圈环绕,微波能量被吸收,产生电 子回旋共振，气体大量电离,产生很高的等离子体浓度,进而在衬底上实现薄膜生长的化学气相诧积 设备 21
GB/T40577一2021 8.2.10 金属有机化合物化学气相淀积设备metalorganiechemiealvapordeposition(MocVD)qupment 用金属有机化合物和氢化物作为反应源的化学气相淀积设备 8.2.11 电子辅助化学汽相淀积设备eleetronassistedchemiealvapordepsitioneqwpent 用基座上施加的正偏压对衬底上方热丝所发射的电子进行加速以促进成膜反应的低压化学气相淀 积设备 8.3 外延设备epitaxyequipment 以热能激励适当反应剂发生化学反应,或直接以半导体元素作为原材料,在衬底上按照衬底晶向生 长单晶薄膜的工艺设备 8.3.1 气相外延系统vaporphaseepitaxy(vPE)system 使气态化合物经过化学反应,在衬底表面形成与衬底具有相同(或相似)晶格排列的单晶薄膜的外 延设备 注;气相外延系统通常用于化合物半导体外延材料的生长,如GaAs,(GaN等 8.3.1.1 金属有机化合物气相外延系统nmetalorganieapor phaseepitaxyNMOVPE)system 使气态金属有机化合物发生化学反应,在衬底表面形成与衬底具有相同或相似)晶格排列的单晶 薄膜的外延设备 注，通常用于复杂结构的化合物半导体材料生长,如l-V族半导体和l-V族半导体等 它可以精确控制各种化 合物半导体层次的组分、厚度、掺杂水平等参数,制作出PN结类型的发光管激光器、探测器、太阳电池等光电 材料,以及场效应晶体管FET,高电子迁移率品体管HEMT等微被材料 DvPE因为产能大,成本低,是目 Mo 前应用最广泛的化合物半导体外延设备 8.3.1.2 氢化物气相外延系统hydridevaporphase "epiay(PE)sy ystem 以碘炖(AsH),氨气(NH,)等氢化物作为反应原材料,外延生长-V族化合物半导体材料的外延 设备 注:氢化物气相外延系统可以用来制备GaAs、lnP,GaN等材料以及复杂结构 8.3.1.3 低压气相外延系统lowpressurevaporeptaxysystem 反应室内气体压力低于0.1MPa的气相外延系统 8.3.2 液相外延系统liquidphaseepitaxw(LPE)system 将半导体材料和惨杂剂溶于低熔点金属游剂中,并呈饱和或过饱和状态,使游液与单品衬底接触， 通过逐渐降温控制溶质析出,在衬底表面形成与衬底相似晶体结构及晶格常数的单晶薄膜的外延设备 8.3.2.1 ontrollinglqudeptyystem 微处理机控制的液相外延炉 micr0cOmputer 用微处理机代替程序,对炉温进行闭环控制,对石英舟和炉体进行开环控制的液相外延系统 8.3.3 分子束外延系统 molecularbea epitaxy(MBE)system 在超高真空条件下,将半导体和掺杂元素以原子束或分子束形式喷射到加热的衬底表面,在衬底上 22
GB/40577一2021 进行吸附、迁移而沿着衬底晶轴方向生长单晶薄膜的外延设备 注:MBE外延具有生长速度低,生长厚度精确可控、生长过程有多种监测方法等优点,但是有设备维护成本高、外 延成本高,产量低等缺点，一般用于科研和某些特定材料的制备 8.3.4 化学束外延系统chemicalbeam "ewlt axsystem 在超高真空条件下,将皿族元素烧基化合物、V族元素氢化物和掺杂剂元素以分子束形式喷射到 受热的衬底表面,使其在衬底表面发生化学反应并沿着衬底晶轴方向生长化合物单晶薄膜的外延设备 注相对于MBE不同的是,化学束外延使用的原材料从元素形式变为气态化合物形式,其余外延条件基本相同 8.3.5 离子团束外延系统ionclusterbeamepitaxy(ICBE)system 使源材料蒸气在高真空条件下喷射形成松散的原子团利用加速电子轰击原子团使原子团部分离 子化,通过加速电极控制其速度,使其与衬底撞击时碎裂成单个低能原子,在衬底表面形成致密薄膜的 外延设备 8.3.6 低能离子束外延系统loweneryionbheamepitaxysystem 利用强流离子源产生成膜材料,经加速聚焦成束,用质量分析器从离子束中分离出所需的离子,然 后再次聚焦、偏转、减速(由高能变为低能)和中和(由低能离子变为中性原子或分子),在衬底表面形成 均匀薄膜的外延设备 清洗设备 9.1 干法清洗设备dryeleaningequipment 在气态环境中去除前一道工序在圆片上产生的微尘颗粒、有机物及金属等异物和沾污的设备 g.1.1 等离子体清洗机plasmaeleaningmachine 利用等离子体产生的活性粒子与圆片表面异物发生化学反应从而去除异物的清洗设备 g.1.2 蒸气态清洗机vaprphasecleaningmachine 利用汽化的清洗剂去除圆片表异物的清洗设备 g.1.3 低温喷雾清洗机cryogenieaerosoleeaningmachine 将气液并存态的稀有气体经高压喷头喷人相对低压的反应室,使其转化为结晶态的烟雾,与圆片表 面异物发生作用而去除异物的清洗设备 g.1.4 超临界流体清洗机supereriticaltuidcleaningmachine 在临界温度和临界压力下,使用具有液体和气体中间特性状态的流体作为清洗剂,去除圆片表面异 物的清洗设备 9.2 epmemt 湿法清洗设备wetcleanin R 采用特定的化学药液和去离子水,对圆片表面进行无损伤清洗,以去除制造工艺过程中产生的颗 23
GB/T40577一202 粒、自然氧化层、有机物、金属沾污、牺牲层、抛光残留物等的清洗设备 9.2.1 槽式清洗机bench-ypeeleaningmachine 将圆片置于化学药液槽体、去离子水槽体中进行清洗的设备 9.2.1.1 多槽清洗机multiplebathcleamingmachine 具有多个槽体,不同清洗工序在不同槽体中完成的槽式清洗机 9.2.1.2 单槽清洗机single bathceamingmachine 多个清洗工序均在同一个槽体中完成的槽式清洗机 9.2.2 单片湿法清洗机singlewaferweteeaningmaehine 对圆片逐个进行请洗,以去除圆片表面颗粒、有机物、自然氧化层,金属杂质等污染物的设备 9.2.3 纳米喷射单片清洗机 nanospraysinglewafereleaningmachine 利用高压气体,辅助液体微雾化成极微细的液体粒子,并将其喷射至圆片表面以完成清洗的设备 9.2.4 超声清洗机ultrasoniceleaner 利用超声波在液体介质中产生的声波振荡清洗圆片或掩模表面污染物的设备 9.2.5 兆声清洗机megasoniccleaner 利用频率20倍于超声波的声波在液体介质中产生的振荡清洗圆片或掩模表面污染物的设备 9.2.6 waferscrubbe 单片刷洗机single er 对圆片逐个进行清洗,以去除圆片表面颗粒为主要工艺目的的设备 注:又称为“擦片机” 封装设备 10 0.1 圆片键合机waferbonder 通过化学或物理反应将圆片与圆片、玻璃或者其他材料永久结合起来的工艺设备 10.2 圆片临时键合/解键合机temporary waferbonding/debondingmachine 为了进行减薄及其他一系列工艺处理,将圆片临时键合至刚性承载(玻璃或圆片)衬底上,再通过化 学分解、光分解、热分解等使临时键合的圆片分离的工艺设备 0.3 圆片减薄机wafergrinder 利用安装在空气静压电主轴上的金刚石磨轮,磨削吸附在吸盘上的圆片,使圆片厚度变薄的设备 10.3.1 polishng" machine 圆片减薄抛光一体机wafergrindimgamd" 可用同时完成圆片减薄和抛光工艺的设备 24
GB/T40577一2021 10.4 划片机scribhingmachine 在制有完整集成电路芯片的半导体圆片表面按预定通道刻划出网状沟槽,以将其分裂成单个芯片 的设备 10.4.1 砂轮划片机diengsaw 利用高速旋转、镀有金刚石磨料的砂轮沿圆片的划切片通道进行切割或开槽的设备 0.4.1.1 半自动砂轮划片机semiautomaticdicingsaw 被切割圆片的安装与卸载作业需手动操作,仅切割工序以自动化方式进行的砂轮划片机 0.4.1.2 全自动砂轮划片机 automaticdieingsaw 从圆片装载、位置校准、切割、清洗/干燥到卸载的全部工序以自动化方式进行的砂轮划片机 10.4.2 激光划片机lasersaw 利用高能激光束照射在圆片表面或内部,通过固体升华或蒸发等方式进行切割或开槽的设备 10.4.2.1 干式激光划片机drylasersaw 加工用激光束通过非水介质或不通过介质直接传导至被划切圆片上的激光划片机 0.4.2.2 湿式激光划片机wetlasersaw 融合激光束和水刀的混合切割工艺,通过水射流将激光束引导至被划切圆片上的激光划片机 10.4.2.2.1 微水导激光划片机laermtrjeldicin ingsaw 加工用激光束通过高压微水柱作为导引介质传导至被划切圆片上的激光划片机 10.4.2.2.2 微水束光纤稠合激光划片机lasermierojeoptiealfibereouplingdlicingsaw 加工用激光束在进人微水柱之前是采用光纤稠合方式完成传导的微水导激光划片机 0.4.2.3 半自动激光划片机 semi-automaticlasersaw 被切割圆片的安装与卸载作业需手动操作,仅切割工序以自动化方式进行的激光划片机 10.4.2.4 automaticlasersaw 全自动激光划片机 从圆片装载、位置校准、切割清洗/干燥到卸载的全部工序以自动化方式进行的激光划片机 10.5 裂片机wafersplitter 以外力使划片后的圆片按裂片沟槽开裂将连为一体的多个芯片分成独单个芯片的设备 0.6 植球机ballmountingmachine 为了实现芯片与外部电路相连接,用于制造芯片凸点的工艺设备 25
GB/T40577一2021 10.7 芯片键合机diebonder 将芯片安装固定在封装基板或外壳预定位置的工艺设备 注:也称为“粘片机”“装片机”或“固晶机” 10.8 引线键合机wirebonder 利用导电引线连接封装内部芯片焊区和引脚的焊接工艺设备 注:也称为“球焊机"“压焊机”“焊线机”或“绑定机” 10.8.1 超声引线键合机 ultrasonicwirebonder 依靠超声振动能量转换成的热能使金属引线与封装内部芯片焊区和引脚连接的键合机 0.8.1.1 超声楔焊机ultrasonicwedgebonmder 采用楔形劈刀进行压焊的超声引线键合机 10.8.2 金丝球焊机enldwirebalumder 在适当温度和压力下,使烧成球形的细金丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.8.2.1 热声金丝球焊机therm0sonigodwireballbonder 压丝劈刀附加有超声振动源的金丝球焊机 10.8.2.2 无尾金丝球爆机 taillessgoldwireballbonder 焊接后焊点不留尾丝的金丝球焊机 10.8.3 铝丝球焊机Alwireballbonder 在适当温度和压力下,使烧成球形的细铝丝端头与芯片焊区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.8.4 铜丝球焊机Cuwirebalbonder 在适当温度和压力下,使烧成球形的细铜丝端头与芯片煤区和封装基板上的焊点相熔焊的设备 10.9 倒装键合机lipchipbonder 使芯片正面朝下,芯片上的凸点直接与封装基板、引线框架或圆片上的焊盘连接的键合设备 10.10 回流焊炉reflowoven 通过热回流,进行0级封装的倒装芯片锡凸点焊接或者1级封装的器件表面贴装焊接的设备 注:简称“回流炉” 0.11 助焊剂清洗机fluxeleaner 用于清洗芯片凸点回流焊接、特殊芯片凸点倒装焊接器件的助焊剂的设备 10.12 塑封机plstiemldng machine 利用模塑技术对集成电路芯片进行塑料封装的工艺设备 26
GB/40577一2021 10.13 冲切成型机trimandformingmachine 具备上料、冲塑、切筋、成型、分离、收料等功能,用于集成电路芯片塑封后进行冲切成型的设备 注:又称为“切筋成型机" 10.13.1 自动冲切成型机automatictrimandformingmachine 可以自动完成上料,冲塑切筋成型、分离、收料等功能的集成电路塑封芯片冲切成型设备 10.14 打标机markingmachime 为了识别和追溯,在封装好的集成电路模块表面制作标识(包括制造商的信息、产地及芯片代码等 信息)的设备 10.14.1 油墨打标机inkmarkingmachine 利用油墨在集成电路模块表面制作标识的打标设备 0.14.2 激光打标机lasermarkingmachine 利用激光束使表层物质发生化学物理变化而刻出痕迹,或者使表层物质燕发而露出深层物质,或者 通过光能烧蚀掉部分物质,在集成电路模块表面制作标识的打标设备 10.15 平行缝悍机parallelseamwedingmaechine 在适当压力下,以电阻加热方法使矩形金属管壳与管座的边沿逐点焊接的气密封装设备 10.16 环形缝焊机cireularseamsealingmachine 在适当压力下,以电阻加热方法使圆形金属管壳与管座边沿进行一次性焊接的气密封装设备 10.17 玻璃陶瓷封装机gassceramicpackagingmachine 将载有管芯的管座熔焊到玻璃陶瓷管壳上的气密封装设备 10.18 激光布线机laserpantography 采用选择性金属激光化学气相淀积及二氧化硅的淀积与选择刻蚀,直接在计算机控制下,按输人的 设计数据对通用集成电路芯片制作特定双层金属互连图,以完成专用集成电路芯片制造的设备 10.19 合金炉alloyingfurnaee 把材料加热到一定温度并维持一段时间,然后自然冷却,以实现金属电极和半导体欧姆接触的一种 热处理设备 检测设备 11. 晶片检测设备sliteetestingandmeasurimgequipment 在材料制备过程中,对经切割、研磨、抛光或外延加工的晶片按相应规范进行机械、电气参数检查测 27

集成电路制造设备术语GB/T40577-2021解读

集成电路制造设备是生产集成电路的关键设备，对于保障集成电路产业的发展具有重要作用。为了明确集成电路制造设备相关术语的定义和标准，国家标准化管理委员会发布了GB/T40577-2021标准，该标准适用于集成电路制造设备及其相关领域的技术交流、产品设计、生产制造等方面。

GB/T40577-2021标准主要包括以下几个方面的术语：

• 总体术语：涵盖了集成电路制造设备的基本概念和分类、工艺流程等方面的术语，如原材料处理设备、曝光设备、蚀刻设备等。
• 设备组件术语：指集成电路制造设备中的各个组成部分，如光源、控制器、感应器等。
• 设备工艺术语：指集成电路制造设备的各种工艺过程和操作，如曝光、蚀刻、离子注入等。
• 设备性能术语：指集成电路制造设备的相关性能参数和测试方法，如分辨率、精度、稳定性等。

总的来说，GB/T40577-2021标准为集成电路制造设备领域的技术交流提供了统一的术语标准。因此，在集成电路制造设备的设计、生产和使用中，必须严格遵守该标准的要求，并不断优化设备的性能和工艺流程，以推动集成电路产业的发展。

集成电路制造设备术语的相关资料

和集成电路制造设备术语类似的标准

GB/T3431.2-1986

半导体集成电路文字符号引出端功能符号

2022/11/6 12:19:36 现行

GB/T12842-1991

膜集成电路和混合膜集成电路术语

2022/11/5 17:26:35 现行

GB/T14032-1992

半导体集成电路数字锁相环测试方法的基本原理

2022/11/3 21:04:02 现行

GB/T14031-1992

半导体集成电路模拟锁相环测试方法的基本原理

2022/11/3 20:58:24 现行

GB/T14030-1992

半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

2022/11/3 20:48:13 现行

GB/T14029-1992

半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理

2022/11/3 20:40:32 现行

GB/T14115-1993

半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理

2022/11/3 19:03:57 现行

GB/T14114-1993

半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理

2022/11/3 18:55:36 现行

GB/T14129-1993

半导体集成电路TTL电路系列和品种PAL系列的品种

2022/11/3 18:27:16 现行

GB/T15136-1994

半导体集成电路石英钟表电路测试方法的基本原理

2022/11/6 2:38:19 现行

GB/T15138-1994

膜集成电路和混合集成电路外形尺寸

2022/11/6 2:06:39 现行

GB/T4376-1994

半导体集成电路电压调整器系列和品种

2022/11/6 1:13:49 现行

GB/T6798-1996

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

2022/11/4 21:03:39 现行

GB/T3436-1996

半导体集成电路运算放大器系列和品种

2022/11/4 20:45:23 现行

GB/T18392-2001

中华人民共和国组织机构代码证集成电路(IC)卡技术规范

2022/11/2 9:13:52 现行

GB/T20103-2006

膜分离技术　术语

2022/11/1 13:08:08 现行