通信用光电探测器组件技术要求

通信用光电探测器组件技术要求

国家标准 GB/T24366一2009 通信用光电探测器组件技术要求 Iechniealrequirementsofoptoelectronicdetectormoduleforcommunieation 2009-09-30发布 2009-12-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管蹬委员会国家标准
GB/T24366一2009 通信用光电探测器组件技术要求 范围 本标准规定了通信用光电探测器组件的技术要求 本标准适用于数字应用光通信系统以及模拟应用光通信系统中的光电探测器组件 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准 GB/T114992001半导体分立器件文字符号 GB/T15651 -2003半导体分立器件和集成电路第5-2部分:光电子器件基本额定值和 2 特性 SJ/T11363一2006电子信息产品中有毒有害物质的限量要求 ITU-TG.657(2006)接人网使用的弯曲损耗不敏感的单模光纤和光缆的特性 ITU-TG.957(2006 与同步数字体系有关的设备和系统的光接口 术语和定义、缩略语 术语和定义 下列术语和定义适用于本标准 3.1.1 OMA加压灵敏度stressedreceiversensitivityinOMIA 在规定制速率和规定的正弦抖动加压条件下,并满足随机比特差错率要求时,光接收机在R点 见IU-TG.957图)所能接收到的最小光调制幅度OMA 它考虑了在应用条件下,光接收饥所具 有并允许的最坏消光比、脉冲上升和下降时间、光发射侧的光回损,连接器性能劣化和测试容差所引起 的功率代价 3.1.2 击穿电压breakdownvoltage 输人光功率等于零,逐渐增加APD的反向偏压,暗电流随之增大,当暗电流达到10nA(或100uA) 时所对应的反向偏压称为APD的击穿电压 3.1.3 光电倍增因子mutplieationfaetor APD在规定温度、光波长、光功率和反向偏压下,有培增时的光电流L与无倍增时光电流Io之比 3.1.4 频响平坦度 frequeneyresponseflatness 在某一频率范围内的响应值偏离其最佳拟合直线的最大值 3.1.5 lurterdlisttin 二阶失真second ion 在多频道模拟传输系统中,由于系统的非线性传输特性,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶 项的互调失真,其中二阶项引起的互调失真称为二阶失真
GB/T24366一2009 3.1.6 三阶失真thirdorderdistorton 在多频道模拟传输系统中,由于系统的非线性传输特性,多频率的模拟信号会相互调制而产生多阶 项的互调失真,其中三阶项引起的互调失真称为三阶失真 3.2缩略语及符号 下列缩略语和符号及GB/T1l499,GB/T15651.2一2003的缩略语和符号均适用于本标准 AvalanchePhotoDiode APD 雪崩二极管 Secondorderdistortion 二阶失真 rs Thirdorderdistortiom 三阶失真 Electro-StaticDischa 静电放电 harge NonReturntoZero 非归零 O OpticalModulationAmplitude 光调制幅度 o0 OpticalReturnIoss 光回波损耗 Photodiode 光电二极管 黑 ‘P-type'-Intrinsic-N-type P型-本征-N型 PRBs Pseudo-RandomBitSequence 伪随机比特序列 RoHS TheRestrictionoftheUseof 电气、电子设备中限制使用某些有 CertainHazardousSubstancesin 害物质指令 ElectricalandElectronic Equipment TIA TransimpedanceAmplfier 跨阻抗放大器 分类 应用类型 按照应用类型的不同,可以分为2类:数字应用光电探测器组件、模拟应用光电探测器组件 光电探测器组件的管芯类型 4.2 按照光电探测器组件的管芯类型的不同,可以分为2类;PIN/TIA光电探测器组件、APD/TIA光 电探测器组件 4.3波长 按波长的不同,可以分为2类;短波长光电探测器组件、长波长光电探测器组件 光输入类型 按照光输人类型的不同,可以分为2类;可插拔光电探测器组件、尾纤光电探测器组件 技术要求 PIN/TIA光电探测器组件 5.1.1极限工作条件 PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件如表1所示,除非另有规定,适用整个工作温度范围 表1PIN/TIA光电探测器组件的极限工作条件 符 单 位 参数名称 最小值 最大值 885 贮存温度 Tm 40 S 75" 工作管壳温度 T 40 85"
GB/T24366一2009 表1(续 单 符 位 参数名称 最小值 最大值 焊接温度 260s I'd RH % 95 相对湿度 4.o" 0.5 TIA工作电压 V. -0.5 6.0 Y 20 PIN反偏电压 -0.5 o 输人光功率 dBm VVs ESD阔值 500 30 尾纤最小弯曲半径" mmmm 15" 尾纤最大抗拉强度" 9.8 商业级要求 工业级要求 接时间小于10s d仅适用于TIA工作电压的典型值等于十3.30V时 仅适用于TA工作电压的典型值等于十5.0V时 基于标准人体放电模型 只仅适用于带尾纤的探测器组件 仅适用于ITU-TG.657光纤 5. 1.2光电特性 PIN/TIA光电探测器组件的光电特性如表2所示 表2PIN/TIA光电探测器组件的光电特性 要 求 特 性 号 单 位 条 最小值 最大值 400 1100 光响应波长 nm 1260 1700 推荐使用十5V、 TIA工作电压 种 +3.3V系列中的 灵敏度(最小可探测光功 VR,A,PRBS码型,速率和误码率按 lBnm 率 规定,NRZ VR,入、PRBS码型、速率和误码率按 过载光功率 Pm lBm 规定,NRZ 11.5 dB 动态范围 D VR、入、PREBS码型、速率、误码率和 OMA加压灵敏度" -7.5 dBm 所加抖动按规定,N2 ORL 12 dB 光回波损耗" 入按规定 带宽 -3dB,VR、入和中按规定 MHz
GB/T24366一2009 表2(续 要 求 符 号 单 位 特 最小值 最大值 注:除非另有规定,Te=25 a10GE适用 "适用时 APD/TIA光电探测器组件 5.2.1极限工作条件 APD/TIA光电探测器组件的极限工作条件如表3所示,除非另有规定,适用整个工作温度范围 表3APD/TIA光电探测器组件的极限工作条件 参数名称 符 号 位 最小值 最大值 贮存温度 85 T0 40 -5 75" 工作管壳温度 T 40 85！ 26o T 焊接温度 相对湿度 % RH 95 -0.5 4.0 TIA工作电压 -0.5 6.0 APD反偏电压 V'R 输人光功率 p dBm ESD值 Vesn 500 30 尾纤最小弯曲半径" mm 5" 尾纤最大抗拉强度" 9.8 商业级要求 工业级要求 焊接时间小于10s 仅适用于TIA工作电压的典型值等于十3.30V时 仅适用于TA工作电压的典型值等于十5.0V时 基于标准人体放电模型 只仅适用于尾纤探测器组件 仅适用于ITU-TG.657光纤 5.2. 2 光电特性 APD/TIA光电探测器组件的光电特性如表4所示
GB/T24366一2009 表4APD/TIA光电探测器组件的光电特性 要 求 性 符 号 件 单 位 特 最小值 最大值 1100 400 光响应波长 nm 128o 1700 10 光电倍增因子 M VR、入和中按规定 VR、A、PRBS码型、速率和误码率按 灵敏度 dBm 规定,NRZ VR、A、PRBS码型、速率和误码率按 过载光功率 dBm Pn 规定,NRZ 光回波损耗 ORL. 入按规定 25 dB 推荐使用十5V、 TIA工作电压 十3.3V系列中的一种 击穿电压 Vk =101A 75 击穿电压温度系数 0,2 MHz 带宽 3dB,VR.入和小 按规定 注，除非另有规定,T=25c 5.3模拟应用的IN-PD光电探测器组件 5.3.1极限工作条件 PIN-PD光电探测器组件的极限工作条件如表5所示,除非另有规定,适用整个工作温度范围 表5PIN-PD光电探测器组件的极限工作条件 参数名称 最小值 最大值 单 位 85 贮存温度 T 40 工作管壳温度 T -40 85 焊接温度 T 260" RH % 95 相对湿度 PIN反偏电压 V8 0.5 20 工作电流 mA 10 输人光功率 ? dBmm 50o'" EsD阅值 令 30 尾纤最小弯曲半径 mmm 15d 尾纤最大抗拉强度" 9.8 a焊接时间小于10s 基于标准人体放电模型 c仅适用于尾纤探测器组件 d仅适用于ITU-TG.657光纤
GB/T24366一2009 5.3.2光电特性 PIN-PD光电探测器组件的光电特性如表6所示 表6PIN-PD光电探测器组件的光电特性 要 求 性 符 号 单 位 特 最小值 最大值 1100 400 光响应波长 nm 1100 1700 响应度 长波长、VR、入按规定 0.8 A/w VR、V、V、调制速率、载噪比按 最小可探测光功率 dBm 规定 光回波损耗 ORL. 入按规定 35 dB × 暗电流 =0,V按规定 nA 反向电压 1 GH2 带宽 3BY和6我牌 V x dB 频响平坦度 频率范围按规定 R 二阶交调失真 C'SO 70 dB vR.a,中、和按规定 三阶交调失真 C'TB VR、入、中、f和f按规定 -8o dBe C 注:除非另有规定,Ta=25 5 环保符合性 产品中的组成单元分类应符合SI/T11363一2006中表1要求,有毒有害物质的含量应符合 SI/T11363一2006中表2的要求