GB/T39842-2021
集成电路（IC）卡封装框架
Itegratedcircuit(IC)cardpackagingframework
- 中国标准分类号（CCS）L56
- 国际标准分类号（ICS）31.200
- 实施日期2021-07-01
- 文件格式PDF
- 文本页数19页
- 文件大小1.53M
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集成电路（IC）卡封装框架
国家标准 GB/T39842一2021 集成电路(IC)卡封装框架 ItegratedeireuitICcardpackagingfraework 2021-03-09发布 2021-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标涯花管理委员会国家标准
GB/39842一2021 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草
请注意本文件的某些内容可能涉及专利
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由工业和信息化部提出
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口
本标准起草单位;山东新恒汇电子科技有限公司
本标准主要起草人:朱林,邵汉文、王广南、陈锋
GB/39842一2021 集成电路(IC)卡封装框架 范围 本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规 则、包装、贮存和运输
本标准适用于IC卡封装框架,包括接触式IC卡封装框攀和非接触式Ic卡封装框架
规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的
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GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验B;高温 GB/T2423.17电工电子产品环境试验第2部分;试验方法试验Ka;盐雾 GB/T2423.50环境试验第2部分;试验方法试验Cy;恒定湿热主要用于元件的加速试验 GB/T2423.51-2020环境试验第2部分;试验方法试验Ke;流动混合气体腐蚀试验 2828.1计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限(AQL.)检索的逐批检验抽样计划 GB 3922纺织品色牢度试验耐汗溃色牢度 GB GB 13557 印制电路用挠性覆铜箱材料试验方法 16545一2015金属和合金的腐蚀腐蚀试样上腐蚀产物的清除 GB/T16649.2识别卡带触点的集成电路卡第2部分;触点的尺寸和位置 GB/T16921一2005金属覆盖层覆盖层厚度测量X射线光谱法 GB/T17554.1识别卡测试方法第1部分:一般特性测试 GB/T25933一2010高纯金 GB/T25934一2010(所有部分)高纯金化学分析方法 GB/T326422016平板显示器基板玻璃表面粗糙度的测量方法 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件
3.1 c卡封装框架Iccardpackagingframework 由绝缘材料与带图形的导电材料叠压而成,是保护芯片的载体,也是芯片与外部设备进行信息交换 的接口
注:从数据传输方式上可分为单界面接触式IC卡封装框架、双界面接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装 框架
3.2 ardpackagimglramewrk sideIC 单界面接触式Ic卡封装框架single 只能以接触的方式,实现与外部设备信息交换的IC卡封装框架
GB/T39842一2021 3.3 非接触式IC卡封装框架 ontaeessICeardpackagingframework 只能以射频等非接触的方式,实现与外部设备信息交换的IC卡封装框架
3.4 双界面c卡封装框架dablesidleIceardpAackaeimeramerk 能够通过物理直接接触的方式实现与外部设备的信息交换,也可以通过射频等非接触的方式实现 与外部设备的信息交换的IC卡封装框架
3.5 6PinIc卡封装框架6PinIceardpaekagingframework GB/T16649.2规定的6个触点(C1,C2,C3、C5,C6,C7)的接触式IC卡封装框架
注见图1,图3
3.6 8PinIc卡封装框架8PinIceardpackagingframework GB/T16649.2规定的8个触点(c1,C2,c3,C4.,C5,C6,c7,C8)的接触式Ic卡封装框架
注:见图2、图4
3.7 接触面contactside 接触式IC卡封装框架传递信息时,IC卡封装框架上与外部设备接触的导电体图形表面
3.8 压焊面bondingside 接触面的对立面,芯片的承载面,封装面
3.9 齿孔sproekethole C卡封装框架每边一排边孔,设备通过此边孔传送IC卡封装框架,并用于定位IC卡封装框架的 位置
注:见图1,图2,图3图4
3.10 接触块contaetpin 位于Ic卡封装框架接触面上,包含GB/T16649,2规定触点的导电体图形 注:见图1、图2、图8、图9
3.11 腔孔cavity 位于1C卡封装框架压焊面的绝缘基材上,用于放置芯片的孔
注:见图3,图4
3.12 压焊孔bondinghole 位于Ic卡封装框架压媒面的绝缘基材上,用于压焊金线的孔
注:见图3、,图4、图8、图9
3.13 压焊点 bOndin ipad 位于双界面IC卡封装框架压焊面上的导电体图形,用于压焊金线的金属点
注;见图5,图6,图7,图9
GB/39842一2021 3.14 压焊块bondingbloek 位于双界面IC卡封装框架压焊面上的导电体图形,用于连接卡基天线的金属块
注:见图5、图6、图7、图10
齿孔 接触块 6Pin单/双界面Ic卡封装框架接触面 图 齿孔 CI C2 C6 C6 C2 C6 G3 C3 C7 C3 C7 C7 8 C4 C4 C8 C4 5 cs ar CG CI O 2 G C6 c G3 C 3 C3 C3 C7 C4 C4 C4 c8 C4 c3 接按触块 c5 cI C5 C2 c6 2 C2 C6 c6 C3 C3 C3 c7 G7 图28Pin单/双界面c卡封装框架接触面 齿孔 可 问 口 G 腔孔 爸 5 压焊孔 口 口 总 O 口 图36Pin单界面IC卡封装框架压焊面
GB/T39842?2021 ? ? ? ?48PinIc?? ? ? ?56Pin?c??
GB/39842一2021 压娜点 焊接块 压孔 图68Pin双界面IC卡封装框架压焊面 压焊点 郑接块 口可当口回 图7非接触式IcC封装框架 技术要求 4.1集成电路(IC)卡封装框架结构 4.1.1单界面接触式IC封装框架截面图见图8
GB/T39842一2021 接触块 表面处理层 导电金属层 绝缘材料层 表面处理层 压焊孔 图8单界面接触式IC封装框架截面图 4.1.2双界面接触式IC封装框架截面图见图9 接触块 表面处理层 导电金属层 绝缘材料层 压娜孔 表面处理层 压娜点 图9双界面接触式IC封装框架截面图 4.1.3非接触式Ic封装框架截面图见图1o.
烨接块 表面处理层 导电金属层 绝缘材料层 图10非接触式IC封装框架截面图 4.2外形尺寸及公差 接触块最小尺寸及位置应符合GB/T16649.2中触点尺寸和位置的规定
外形尺寸及公差见表1
外形尺寸标注示意图见图11,图12,图13
GB/39842一2021 表1外形尺寸及公差 参数 单位 符号 标称值 公差 士0,02 C卡封装框架总厚度 mmm w 士0.075 35 c卡封装框架宽度 mmm 4.75 士0,03 X向齿孔巾心距离 mmm 31.83 士0,02 Y向齿孔中心距离 mm 1.422 S,S 士0,05 齿孔径 mm 士0,02 x向腔孔中心距离 mm 士0,02 Y向腔孔中心距离 mm 1.585 士0.075 齿孔中心到框架边距离 mm B.,B、 士0,02 腔孔到参考点距离 mm 士0,02 压焊孔、腔径 mm 171 士0.2 x向36个齿孔间距 mmm X 士0.075 mmm 接触块到参考点距离 士0.075 mmmm 0.25 be mm 士0.05 导线间距 0.25 士0,03 mmm 不良品标记孔径 l.5 士0.1 mmm 心 士0.1 tmmm 不良品标记孔到参考点距离 mm 士0.l 参考点 图11外形尺寸1
GB/T39842一202 图12外形尺寸2 图13外形尺寸3 4.3镀层 4.3.1镀层厚度 镀层厚度应符合表2的规定
表2镀层厚度 接触面 压焊面(不包括腔孔 代号 Am 4m Au Au 闪锁(Flash 1.4一3.0 0.20.5 l.43.0 0.0130.03 0.20.5 M 1.43.0 0.0250.08 0.2 1.4一3.0 0.0300.08 0.2 0.0500.15 2.0 0.0600.15 l6 G 2.06.0 0.l000.20 3l6 0.30.6 W 2.06.0 0.1500.20 16 0.350." 其他 按客户要求 按客户要求 按客户要求 按客户要求 4.3.2金属层表面粗糙度 金属层表面粗糙度应符合表3的规定
表3金属层表面粗糙度 参数 指标 接触面金属层粗糙度 R=(微观不平度十点高度)<3m 压媒面金属层粗糙度 R=(微观不平度十点高度)<4m
GB/39842一2021 4.3.3镀金层纯度 镀金层纯度应符合GB/T259332010的规定
4.4金属层剥离强度 金属层与绝缘层的剥离强度应不小于1N/mm. 4.5外观要求 4.5.1单个IC卡封装框架表面平整度 单个IC卡封装框架表面平整度应不大于50Amm
4.5.235m宽度Ic卡封装框架翘曲 35mm 宽度IC卡封装框架翘曲应不大于1 mm
4.5.3压焊孔表面平整度 压焊孔表面平整度应不大于104m 4.5.4腔孔表面平整度 腔孔表面平整度应不大于30m 4.5.5压悍孔、腔孔溢胶最大值 压焊孔、腔孔溢胶最大值E应不大于100m,见图14
4.5.6压焊孔、腔孔毛刺最大值 压焊孔、腔孔毛刺最大值M应不大于100"m,见图15
图14溢胶示意图 图15毛刺示意图 4.5.7镀层外观 镀层表面应致密、平滑,色泽均匀呈镀层本色,不准许有起泡、玷污、斑点、水迹、异物、发花、短路、断 路等缺陷
应无明显污点,脱落,镀层漏镀,镀层划痕
4.6可靠性 4.6.1耐温性 耐温性应符合表4的规定
GB/T39842一2021 表4耐温性 项目 试验条件 合格判据 高温锡媒 温度288C士5,持续时间10s 导电金属与绝缘材料不分层 导电金属与绝缘材料不分层 温度稳定性 温度260C士5,持续时间3min 恒定湿热 温度8C,相对湿度85%,持续时间504h 导电金属与绝缘材料不分层 温度121C士2,绝对气压0.2MPa,相对 导电金属与绝缘材料不分层 高压蒸煮 湿度100%,持续时间24h 24h后金属层剥离强度大于0.2N/mmt 4.6.2耐化学性 人工汗液的配制方法应符合GB/T3922的规定
耐化学性应符合表5的规定
表5耐化学性 项目 合格判据 5%氧化钠溶液浸泡1min 外观无明显变化 外观无明显变化 5%乙酸溶液浸泡1min 5%碳酸钠溶液浸泡1min" 外观无明显变化 60%乙醉溶液浸泡1 min 外观无明显变化 10%蔗糖溶液浸泡1tmin 外观无明显变化 FuelB(IS(O1817)浸泡1min 外观无明显变化 50%的乙烯乙二醇浸泡1min 外观无明显变化 人造汗液碱溶液浸泡24h 外观无明显变化 人工汗液酸溶液浸泡24h 外观无明显变化 4.6.3盐雾 盐雾应符合表6的规定
表6盐雾 项目 表面厚度代号 合格判据 盐雾试验(24h 全部 水洗后,表面电阻<500mn 盐雾试验(48h P、T 酸洗后,腐蚀点<100个/e 盐雾试验(96h M、L,S、D.G、w、其他 酸洗后,腐蚀点100个/em" 4.6.4流动混合气体腐蚀 流动混合气体浓度应符合GB/T2423.51一2020中表1方法1的规定
流动混合气体腐蚀96h,酸洗后腐蚀点<100个/em" 10
GB/39842一2021 检验方法 5.1外观检验方法 5.1.1检验环境 检验人员在检验IC卡封装框架外观时,应在10万级的洁净室中,穿无尘衣、戴无尘帽、戴口罩、戴 手指套,不能直接用手去触摸IC卡封装框架表面,避免因裸手接触造成IC卡封装框架污染
5.1.2 目测方法 1C卡封装框架检验时,应使用专用的、配有电机和光源的框架检验工作台,工作台应干净,平整
检验时应在光源下,胞卡封装框架0cm一0cm.眼睛与集成电路(c)卡封装框架表面保持 士30°的角度,进行目测,见图16 检渊人员 光源 30 0” lc卡封 装框架 桌子 图16目测 5.1.3外观测量方法 外观测量方法按表7的规定
表7外观测量方法 检验项目 检验要求章条号 检验方法 外形尺寸及公差 4.2 使用满足测量精度的量具或工具进行测量 -2005测量 镀层厚度 4.3, 按GB/T16921 按GB/T13557测量 金属层剥离强度 4,4 金属层表面粗糙度 4.3.2 按GB/T32642一2016测量 镀金层纯度 4.3.3 按GB/T25934一2010测量 5.2可靠性检验方法 可靠性检验方法按表8的规定 表8可靠性检验方法 检验项目 检验要求章条号 检验方法 按附录A进行高压蒸煮测试 按GB/T2423.2进行温度稳定性测试 4.6. 耐温性 按GB/T2423.50进行恒定湿热测试 按附录B进行高温锡媒测试 1
GB/T39842一2021 表8(续 检验项目 检验要求章条号 检验方法 耐化学性 4.6.2 按GB/T17554.1测试 盐雾 4.6.3 按GB/T2423.17、,GB/T165452015测试 4.6.4 按GB/T2423.512020,GB/T16545一2015测试 流动混合气体腐蚀 6 检验规则 6.1检验分类 检验分为 出厂检验; a b) 型式检验 6.2出厂检验 6.2.1检验批 个检验批应由相同类型,在相同的条件下,采用相同原材料和工艺生产,并在同一时间内提交检 验的产品组成
6.2.2抽样方案 应按GB/T2828.1规定的一般检查水平I和一次正常抽样方案,从提交的检验批中按表9规定随 机抽取试样
表9抽样 出厂检验 型式检验 检验项目 检监要求章条号 分组 抽样方案 00% A组 外观要求 50/0 外形尺寸及公差 4.2 镀层厚度 4.3.1 金属层剥离强度 4.4 金属层表面粗糙度 4.3.2 4.3.3 AQL=0.65 B组 镀金层纯度 50/0 4.6. 耐温性 耐化学性 4.6.2 盐雾 4.6.3 4.6.4 流动混合气体腐蚀 6.2.3检验程序 应按表9规定进行检验 12
GB/39842一2021 A组检验100%进行,剔除不合格品;B组检验从通过A组检验的检验批中,按表9规定抽样进行
6.2.4判定 个或多个试样有一项或多项检验未通过表9规定的检验,则判定为不合格 6.2.5拒收批 若检验批中不合格品数大于表9中AQL值所对应的允许不合格判定数时,则加倍抽样,对不合格 项目进行复检,若复检仍不合格时,则判定该批不合格
6.3型式检验 6.3.1通则 下列情况之一者,应进行型式检验 a新产品生产试制定型鉴定 b) 正式生产后,原材料、工艺等发生较大改变,可能影响产品性能时 产品停产3个月及其以上,恢复生产时 c d)出厂检验结果与上次检验存在较大差异时
6.3.2抽样方案 按表9规定
检验程序 6.3.3 应按表9规定进行检验
50 个试样先进行A组检验，经A组检验合格后,再进行B组检验
B组的检验项目应按有关产品规范中的规定进行
6.3.4判定 个或多个试样有一项或多项检验未通过表9规定的检验,则型式试验不合格 包装规格 7.1包装 IC卡封装框架以卷状的形式,中间加隔离膜进行包装后,再用塑料袋包装进行抽真空
每两卷为 -箱,标签标识向上 注:如有特殊要求,以与客户签订的订单合同为准
7.2标签 每盘IC卡封装框架均需带有标签
标签上须标明以下内容 制造单位名称(或商标); a b) 客户产品编号; 厂内产品编号; ce d)合格数和缺陷数; 接头数 ee fD 批号; 13
GB/T39842一202 表面处理日期; 8 h)合格章
8 贮存 1cC卡封装框架原包装密封储存且符合以下贮存条件,保质期12个月(从表面处理日期开始) 温度:20C士5
a b相对湿度;50%士10%
无腐蚀性污染(如Hs,sO.、NaCl)
c 运输 O IC卡封装框架在运输装卸过程中,外包装不应破损,注意轻拿轻放,不能投掷、重压,避免日晒 雨淋
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GB/39842一2021 附 录 A 规范性附录 高压蒸煮试验 A.1目的 在高压蒸汽条件下,以加速的方式评价导电金属层与绝缘材料层的抗潮湿能力
A.2设备 高压蒸汽试验箱,工作区域绝对气压达到0.2MPa(2bar),并有压力和温度指示装置
A.2.1 A.2.2试验箱用水的电阻率应大于500Qm
A.2.3试验箱结构牢固,并有安全装置,以保证试验安全进行
A.2.4放置试样架在实验过程中不应被水浸淹,同时水也不能溅到试样上
A.3试验条件 试验条件如下 试验温度;121C士2C; a b 试验压力:绝对气压0.2MPa 试验湿度;相对湿度100% c 试验时间:24h
d 试验程序 A.4 A.4.1初始检测 对试样进行外观检查(必要时做金相分析),确保导电金属与绝缘材料不分层
A.4.2试验方法 将试样放在试验架上,当试验箱的温度、压力满足A.3的试验条件时,开始计时,到达设定时间24h 后,将试样取出
A.4.3恢复 将试样在正常气候条件下恢复24
A.4.4最终检测 对试样进行外观必要时做金相分析)和金属层剥离强度检测
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GB/T39842一2021 附 录 B 规范性附录 高温锡焊试验 目的 B.1 评价导电金属层与绝缘材料层的抗高温焊接的能力
B.2设备 B.2.1具有可控恒温器的电热焊锡槽,容积要能足以保证试样浸人以后,与槽壁槽底的距离不得小于 10mm， ,焊锡槽里的成分如下 锡59%一60%; a b) 铺5%最大; 铜:1%最大; d 呻:0.05%最大: 铁;0.02%最大; e fD 铅:其余部分 B.2.2焊料中的杂质(如铝、锌,觞等)含量不得有损于焊料的特性
B.2.3所采用的助焊剂为25%的松香、75%的异丙醇,并加人松香含量为0.5%的二甲基氨氯化物(分 析纯. B.3试验条件 试验条件如下 试验温度:288C士5C; a b 试验时间:10s士1s B.4试验程序 B4.1初始检测 按有关规范规定,对试样进行外观检查(必要时做金相分析),确保导电金属与绝缘材料不分层
B.4.2试验方法 先将试样浸放人助焊剂中,然后再浸人到焊锡槽内,浸润时间为10士1s,将试样取出冷却至室温， 用适当的溶剂清除掉试样上的助焊剂
B.4.3恢复 将试样在正常气候条件下恢复24h
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GB/39842一2021 B.4.4最终检测 按有关规范规定,对试样进行外观(必要时做金相分析)检验 17
了解集成电路（IC）卡封装框架GB/T39842-2021
集成电路是计算机、通信、工业、汽车及消费类电子产品等领域中不可或缺的核心器件。而IC卡作为一种智能卡，其重要性随着移动支付、电子门票等应用场景的增多也越来越被人们所认知。而一个好的IC卡封装框架可以提高芯片的稳定性和可靠性。
GB/T39842-2021《集成电路（IC）卡封装框架》标准由国家技术监督局批准发布，旨在规范IC卡封装框架的设计和制造，提高芯片的品质和应用性能。
该标准主要包括以下内容：
- 封装框架的定义和术语
- 封装框架的要求和分类
- 封装框架的尺寸和外形
- 封装框架的材料和制造工艺
- 封装框架的质量检验方法和标志
其中，封装框架的要求和分类是该标准的核心部分。根据不同的应用场景，将IC卡封装框架分为4类：C0、C1、C2、C3，每一类又可分为多个子类别。
在制造过程中，必须按照该标准规定的要求来设计和制造IC卡封装框架，并对其进行严格的质量检验，以确保成品符合要求。
总的来说，GB/T39842-2021标准的发布，将为IC卡封装框架的设计和制造提供更加统一的规范，有助于提高芯片的品质和应用性能，为相关领域的发展提供更强的支撑。
