太阳电池型号命名方法

太阳电池型号命名方法

国家标准作 GB/T22962001 太阳电池型号命名方法 Designationmethodofsolareells photovoltaicdevice 2001-09-28发布 2002-05-01实施 中华 民共，和国 发布 国家质量监督检验检疫总局国家标准
GB/T22962001 目 次 前言 范围 引用标准 单体太阳电池型号命名方法 太阳电池组件、板、子方阵、方阵的型号命名方法 附录A(提示的附录太阳电池型号命名示例
GB/T22962001 前 言 本标准是太阳光伏能源系统的基础标准之一 GB/T2296-1980o(太阳电池型号命名方法》在我国 光伏产业发展过程中起到了基础标准的作用 随着太阳光伏能源系统的发展,国际、国内光伏产业在近 二十年来有了很大的进步和变化 为了适应光伏产业日益发展的需要,所以对GB/T2296一1980(《太阳 电池型号命名方法》进行了修订 修订后的标准在保持GB/T2296一1980《太阳电池型号命名方法》基本框架结构的同时,补充了国 际、国内新技术的有关内容;对单体元素半导体太阳电池的型号命名,补充了第五部分内容,表示太阳电 池的其他特征;同时,补充了原标准中没有的单体化合物半导体太阳电池的型号命名方法;对太阳电池 组件、板、子方阵,方阵的型号命名,加人了第二部分内容,表示其额定电压,使修订后的标准既具有与原 标准较好的继承性,又能适应未来国际、国内新技术的需要 本标准从实施之日起,同时代替GB/T2296一198o 本标准的附录A是提示的附录 本标准由信息产业部提出 本标准由全国太阳光伏能源系统标准化技术委员会归口 本标准起草单位;信息产业部电子标准化研究所、信息产业部电子第十八研究所 本标准主要起草人;周耀宗、孙传濒、郭增良、杜福生,刘春勋
国家标准 GB/T22962001 太阳电池型号命名方法 代替GB/T2296一198o ationethodofsolarcells Desigmat photovoltaicdevice 范围 本标准规定了太阳电池(包括单体、组件、板、子方阵、方阵)型号命名方法 本标准适用于同质结、异质结、肖特基势垒及光电化学型的太阳电池 引用标准 下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文 本标准出版时,所示版本均 为有效 所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性 GB/T2297一1989太阳光伏能源系统术语 单体太阳电池型号命名方法 3.1单体太阳电池型号 单体太阳电池型号命名用符号、阿拉伯数字、化学元素符号、乘号、短斜线等来表示 术语按 GB2297规定 3.2单体太阳电池型号命名分类 单体太阳电池型号命名方法分为;单体元素半导体太阳电池型号命名方法和单体化合物半导体太 阳电池型号命名方法两部分 3.3单体元素半导体太阳电池型号命名方法 3.3.1单体元素半导体太阳电池型号命名的组成 单体元素半导体太阳电池型号命名由五部分组成,型号命名示例见附录A(提示的附录) 第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 表示太阻电池其他特征 表示太阻电池尺寸 表示太阻电池主要特征或预区材料 表示太阻电池基体材料或基体材料衬底材料 表示太阻电池类型 3.3.2型号组成各部分的符号及含义 3.3.2.1第一部分用符号表示太阳电池类型,见表1 国家质量监督检验检疫总局2001-09-28批准 2002-05-01实施
GB/T22962001 表1太阳电池类型符号表 符号 同质结太阳电池 异质结太阳电池 肖特基势垒太阳电池光电化学太阳电池 3.3.2.2第二部分用符号表示太阳电池的基体材料和衬底材料 见表2 表2基体材料和衬底材料符号表 符 符 号 义 N型单晶硅材料 玻璃 D P型单晶硅材料 不锈钢 多晶硅材料 陶瓷 H 非晶硅材料 聚酰亚胺膜 其它材料 3.3.2.3第三部分用符号表示同质结电池特征,见表3 肖特基势垒电池顶区材料符号见表4 表3同质结电池特征符号表 号 A 常规太阳电池 B 有背表面场的太阳电池 D 有表面钝化层的太阳电池 有防阴影功能的太阳电池 有背反射器的太阳电池 浅结密栅的太阳电池 有孔式卷包电极的太阳电池 K 有表面场的太阳电池 聚光型太阳电池 N 弱光型太阳电池 叠层太阳电池 R 有绒面的太阳电池 有双面栅电极的太阳电池 膜太阳电池 有V型槽表面的太阳电池 W 有边缘卷包电极的太阳电池 Z 有局部背扩散结构的太阳电池 表4肖特基势垒电池顶区材料符号表 符 号 银 U 镇 w 金 x 其他材料
GB/T22962001 3.3.24第四部分用阿拉伯数字表示太阳电池的尺寸数值 矩形用相邻两边长度相乘,或用相邻两边 长度和厚度相乘表示;圆形用直径表示;半圆形用直径/2的形式表示;其他形状电池用表示电池面积大 小的阿拉伯数字后加s表示 单位为毫米(Gmm) 3.3.2.5第五部分用符号表示太阳电池的其他特征 此部分与前四部分用短横线连接,特征的符号拨 表3规定 此部分为非必要部分 3.4单体化合物半导体太阳电池型号命名方法 3.4.1单体化合物半导体太阳电池型号命名的组成 单体化合物半导体太阳电池型号命名由三部分组成 型号命名示例见附录A(提示的附录) 第一部分第二部分第三部分 表示单体化合物半导体太阳电池尺寸 燕深出给货食牌修限告n结林料 表示单体化合物半导体太阻电池中pn结的数且 3.4.2型号组成各部分的符号及含义 3.4.2.1第一部分用阿拉伯数字和J组成的符号共同表示单体化合物半导体太阳电池p-n结的数目， 符号及含义见表5 表5单体化合物半导体太阳电池符号表 号 1 21 符 3 4J nl 单结 四结 含义 双结 三结 n结 3.4.2.2第二部分用化学元素符号表示单体化合物半导体太阳电池p-n结材料,基体材料或基体材料 /衬底材料,当衬底材料不是半导体材料时,其符号同表2 表示顺序由太阳电池顶区(太阳光人射处)开 始 在p-n结及衬底材料的化学符号间,单体整片太阳电池用短斜线连接,单体机械叠层太阳电池用短 横线连接 3423第三部分用阿拉伯数字表示太阳电池的尺寸数值 矩形用相邻两边长度相乘,或用相邻两边 长度和厚度相乘表示;圆形用直径表示;半圆形用直径/2的形式表示;其他形状电池用表示电池面积大 小的阿拉伯数字后加S表示 单位为毫米(mm). 太阳电池组件,板、子方阵,方阵的型号命名方法 4.1太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号 太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号命名用符号和阿拉伯数字表示 4.2太阳电池组件、板、子方阵或方阵型号命名的组成 太阳电池组件、板、子方阵或方阵的命名通常由四部分组成 子方阵或方阵可省去第四部分,型号命 名示例见附录A(提示的附录》. 第一部分 第二部分第三部分第四部分 表示太阳电池组件、或板的外形尺寸 表示太阳电池组件、板、子方阵或方阵中单体电池材料 表示太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额定电压 表示太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额定功率
GB/T22962001 4.3型号组成各部分的符号及意义 4.3.1第一部分用阿拉伯数字表示在标准测试条件下,太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额定功率、 单位为瓦(w). 4.3.2第二部分用圆括号加阿拉伯数字表示在标准测试条件下,太阳电池组件、板、子方阵或方阵的额 定电压,单位为伏(V. 43.3第三部分单体元素半导体太阳电池按3.3.2.2规定来表示;单体化合物半导体太阳电池拨 3.4.2.2规定来表示 4.3.4第四部分用阿拉伯数字表示太阳电池组件或板的外形尺寸数值 用相邻两边长度相乘表示 单 位为毫米(mm).
GB/T2296-2001 附 A 录 (提示的附录) 太阳电池型号命名示例 A1单体元素半导体太阳电池型号命名示例 示例1: D 100X100 工 表示长100mm,宽100mm的矩形单体太阳电池 表示有背表面场的太阳电池 表示基体材料为P型单晶硅 表示同质结 示例2: 5 D 表示直径为75mm的圆形单体太阻电池 表示常规太阻电池 表示基体材料为P型单晶硅 表示同质结 示例3: T C 75/2 表示直径为75mm的半圆形单体太阻电池 表示常规太阻电池 表示基体材料为N型单晶硅 表示同质结 H/G 200×400 示例4: 表示长2001 ,宽400r 的矩形单体太阻电池 mm mm 表示薄膜太阻电池 表示基体材料为韭晶硅，衬底材料为玻盥 表示异质结 12×30 N HG 示例5: 工 表示弱光型太阻电池 表示长12mm,宽30mm的矩形单体太阻电池 表示薄太阻电池 表示基体材料为韭晶鲑，衬底材料为玻璃 表示异质
GB/T2296-2001 示例6: 123S D A 表示面积为12amm,,圆形,矩形 以外他形状的太阳电池 表示常规太阳电池 表示基体材料为P型单晶硅 表示同质结 A2单体化合物半导体太阳电池型号命名示例 示例7: GaAs/GaAs20X40XO.4 表示长0m宽40mm,厚0.4mm的 楚龙童体太阻电池 表示有础化！卫结,以融化嫁为衬底的 体太电池 表示单结 示例8: GaAs/Ge 50 1 表示真径为50mm的 龙量床太电池 表示有呻化pn结,以错为衬底的 童体片太电池 表示单结 示例9:2！GanP/GnAs40x20xo.2 表示长40mm,宽20mm,厚0.2mm的 龙童体太崖电池 表示有镶钢磷p-n结,呻化嫁p-n结,以呻化嫁为衬底的 体整芹太电迪 表示双结 GalnP/GaAs/Ge50 示例10: 2 表示直径为50mm的 圆形单体太阳电池 里结,绅化翼pn结.以错为村底的 表示有镶锻磷p 革体片太阳电池 表示双结
GB/T22962001 示例11: GalnP/GaAs/Ge6O 30C 表示长60rmmm宽30rmm的 矩形单体太阻电池 表示有镶钢磷！n结种化蚁pn结错p-n结 以错为衬底的单体整片太阳电池 表示三结 示例12: 2IGaAsGaSb40/2 素巫真轻为40m的 形量体太阳电池 表示有神化镶p卫结饼化嫁p-n结 的单体机械叠层太电池 表示双结 GaAsSi 示例13: 2] 75 表示真径为75mm的 龙量述太阻电他 表示有化锋P"结硅pn结的 童体机械太电迪 表示双结 A3太阳电池组件、板、子方阵、方阵的型号命名示例 示例14:346.9H/G400×1200 表示长400mm,宽1200mm的太阻电池板 表示太阻电池板的基体材料为韭晶硅衬底材料为玻 表示在标准测试条件下的额定电压为16.9V 表示在标准测试条件下的额定功率为34W 示例15: 134048 表示太阳电池方阵的基体材料为P型单晶硅 表示在标准测试条件下的额定电压为48V 表示在标准测试条件下的额定功率为1340w