磷化镓单晶

磷化镓单晶

国家标准 GB/T20229一2006 磷化家 单 晶 Galliumph0sphidesinglecrystal 2006-10-01实施 2006-04-21发布 国家质量监督检验检疫总局 发布 中 国国家标准化管委员会国家标准
GB/T20229一2006 化 家单 晶 磷 范围 本标准规定了非掺杂、掺s,掺Te的n型磷化嫁单晶锭及单晶片的牌号、技术要求、试验方法、检验 规刚以及标志,包装,运输,贮存等 本标准适用于高压液封直拉法(HPLEC)制备的磷化嫁单晶材料(以下简称单晶) 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款 凡是注日期的引用文件,其随后所有 的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本 凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828(所有部分计数抽样检验程序 GB/T4326非本征半导体单晶霍耳迁移率和霍耳系数测量方法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GJB3076磷化嫁单晶片规范 要求 3.1牌号 磷化镶单晶的牌号表示方法为 HPLECGaP口)-( -表示晶向 -表示导电类型,括号内的元素符号表示掺杂剂 -表示磷化嫁单晶 -表示高压液封直拉法 示例HPLEC-GaPN(S)-(111),表示高压液封直拉法掺硫n型(111)晶向磷化嫁单晶 3.2磷化嫁单晶锭特性 磷化嫁的导电类型为n型 3.2.1 3.2.2磷化嫁单晶锭的掺杂剂、霍耳迁移率和电阻率应符合表1的规定 表1磷化嫁单晶的导电类型、掺杂剂电学参数 载流子浓度 迁移率/ 电阻率/ 导电类型 掺杂剂 [enm'/(Vs)1 cm n cm 2×1078×1o" >100 01o 掺杂n型 2×107~8×1o'? 10'1o Te >l00 非掺n型 0,5×1072×1o7 >l10
GB/T20229一2006 3.2.3磷化单晶锭的晶向为(111) 3. .2.4磷化嫁单晶锭的直径为50.8mm. 3.2.5磷化单晶锭的表面应无裂纹、无李晶线、无夹杂、无微孔等 3.3磷化嫁单晶片特性 3.3.1磷化嫁单晶片的电学参数应符合表1的规定 3.3.2磷化镶单晶片的位错密度应不大于5×10em 3.3.3磷化嫁单晶片的表面应无裂纹、无李晶线,无微孔、,无桔皮、,无白雾等 3.3.4磷化镶单晶片的几何参数应符合表2的规定 表2磷化综单晶片的几何参数 直径偏差/mmm 直径/nmm 厚度/ 厚度偏差/pm /pm 士0.5 50,8 285 士15 注;其他要求由供需双方商定 试验方法 磷化嫁单晶导电类型测试方法按GB/T1550规定的方法进行 4.2磷化嫁单晶电学参数测试方法按GB/T4326规定的方法进行 磷化镶单晶晶向测量方法按GB/T1555规定的方法进行 4.4磷化嫁单晶外形尺寸测量方法用精度为0.02mml 的游标卡尺和精度为0.005mm的千分尺 测量 4.5磷化嫁单晶位错密度测量方法按GJB3076规定的方法进行 44 6 磷化嫁单晶片厚度和厚度变化测量方法按GB/T6618规定的方法进行 检验规则 5.1检查和验收 磷化嫁单晶锭及单晶片应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规 5.1.1 定,并填写质量证明书 .1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行复检 复检结果与本标准及订货合同的规定不符时 5. 应在收到产品之日起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决 组批 磷化嫁单晶锭及单晶片以批的形式提交验收,每批应由同一牌号,相同规格的磷化嫁单晶锭或单晶 片组成,或以单晶锭为单位构成批 检验项目 5. 3 每批磷化嫁单晶锭应检测导电类型电学参数,品向、位错密度,对于单品片还要检测品片的直径、 厚度和厚度变化 其他性能由供方根据生产情况进行定期检测或抽检,如需方有特殊检测要求,由供需 双方协商检测项目 5.4取样 构成批的单晶锭从两端按所需晶面取样检测,头尾各切两片 单晶片的每批产品、各项目的检测采 用GB/T2828一般检查水平l,正常检查一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定 5.5检验结果的判定 导电类型,晶向,电学参数及位错密度检验若有一片不合格,则判定该批产品不合格 5.5.1 其他检验 项目及单晶片合格质量水平(AQL)见表3、表4
GB/T20229一2006 表3磷化嫁单晶锭的检验项目 序号 检验项目 取样位置 取样数量/个 检验方法 迁移率 单品锭两端 各2 电阻率 单晶锭两端 各" 4.2 单品锭两溜 各2 载流子浓度 4.2 位错密度 单晶锭两端 各2 4.5 表4磷化嫁单晶片的检验项目及合格质量水平 序号 检验项目 取样位置 取样数量 检验方法 合格水平(AQL 随机 直径 44 厚度 随机 4.6 厚度变化 随机 4.6 5.5.2抽检不合格的磷化嫁单晶片,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格单晶片可 重新组批 5.5.3当出现其他缺陷时,该批产品由供需双方协商处理 标志,包装、运输、贮存 6.1标志 瞬化嫁单晶绽应装人洁净的塑料袋内,每个袋外应贴有标签 单晶片应装人专用的品片盒中 6.1.1 外用洁净的塑料袋密封 每个晶片盒应贴有产品标签 标签内容至少应包括;产品名称(牌号),规格 片数,批号及日期 装锭袋和片盒再装人一定规格的外包装箱,采取防震、防潮措施 6.1.2包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”、“防震”、“防潮”“易碎”的标识,并标明 需方名称,地点; a b产品名称,牌号,单晶绽的编号及晶片序号 生产厂名称,商标; o d)片数,批号 2 6. 内包装 晶片经检验后,装人包装盒内,应防止单晶片松动,并附有合格证书 6.3外包装 将装有晶片的包装盒装人包装箱内,并用软填料将箱塞满,使盒在箱内不致移动,然后钉盖,固紧 6. 运输和贮存 产品在运输过程中应防止化学物质腐蚀、轻装轻卸,勿挤勿压,并采取防震防潮措施 产品应贮存 在清洁、干燥的环境中 质量证明书 6. 5 每批磷化嫁单晶锭及单晶片应附有产品质量证明书,注明 供方名称、地址、电话、传真; a b) 产品名称(牌号). 片数,批号; e 各分析检验结果和技术(质量)监督部门印记 d 供应状态; 规格; f 本标准编号; g h)出厂日期