300mm硅单晶切割片和磨削片

300mm硅单晶切割片和磨削片

国家标准 GB/T29508一2013 300m硅单晶切割片和磨削片 300mmmonoerystalMinesilieonaseutslieesandgrindedslices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共利国国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T29508一2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口 本标准起草单位;有研半导体材料股份有限公司有色金属工业标准计量质量研究所 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊
GB/I29508一2013 300m 硅单晶切割片和磨削片 范围 本标准规定了直径300mm,p型、<100>晶向、电阻率0.5Q”cm~20Qcm的硅单晶切剐片和 磨削片(简称硅片)产品的术语和定义、技术要求,试验方法、检验规则以及标志,包装、运输、贮存等 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切、磨削制备的圆形硅片,产品将进一步加工成抛光片， 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1554 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1555 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1557 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB 1558 计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB 2828. 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB 6616 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB 6624 硅片径向电阻率变化的测试方法 GB l1073 硅片参考面结晶学取向x射线测量方法 GB 13388 硅片直径测量方法 GB 14140 GB/T14264半导体材料术语 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 Ys/T26硅片边缘轮检验方法 SEMIMF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件 技术要求 物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定
GB/T29508一2013 4.2几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定 硅片所有在表1中未列出的参数规格,按供需双方协商提供 用户有特殊要求的,由供需双方协商提供 表1硅片几何参数要求 项目 指标 硅片直径/mm 301 直径允许偏差/nmm 士0.3 硅片厚度(中心点)/m 9l0 士15 厚度允许偏差/m 割 20 总厚度变化/m 片 翘曲度/m 50 崩边/mm 0.8 有 切口 硅片直径/mm 300 直径允许偏差" mm 士0.2 82o 硅片厚度(巾心点)/m 磨 士15 厚度允许偏差/pm 总厚度变化/4m 1.2 翘曲度/m 45 无 崩边 4.3晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定 4.4表面取向 4.4.1硅片的表面取向为<100> 4.4.2 硅片表面取向偏离不大于0.5° 4.5基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求 表2硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 士1 深度 l.00*没# /mm 角度/("y 90
GB/T29508一2013 4.6表面质量 4.6.1硅切割片崩边的径向延伸长度应符合表1的规定 每个崩边的周长不大于2mm,每片崩边总 数不能多于3个,每批硅片中崩边硅片数不得超过总片数的3% 4.6.2硅片不允许有裂纹、,缺口 4.6.3硅片经清洗干燥后,表面应洁净,无色斑,无沾污 硅切刚片不得有明显切割刀痕 4.6.4 4.6.5硅磨削片表面应无划伤,亮点、刀痕,崩边 4.7边缘轮廓 硅片经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26和G;B/T26067的规定,特殊要求可由供需 双方协商确定 试验方法 5.1硅片导电类型测量按GB/T1550进行 5.2硅片电阻率测量按GB/T1551或GB/T6616进行 5.3硅片径向电阻率变化测量按GB/T11073进行 5.4硅片间隙氧含量测量按GB/T1557进行 5.5硅片代位碳含量测量按GB/T1558进行 5.6硅片直径测量按GB/T14140进行 硅片厚度、总厚度变化及平整度测量按GB/T29507进行 5.7 5.8硅片翘曲度测量按SEMIMF1390进行 55 .9硅片晶体完整性检验按GB/T1554进行 5. 10硅片表面取向测量按GB/T1555进行 5.碰片切口尺寸的测量救GB;T20e7进行 5.12硅片切口基准轴取向测量按GB/T13388进行 13硅片表面质量检验按GB/T6624进行 5. 5.14硅片的边缘轮廓检验按Ys/T26进行 检验规则 6.1检查和验收 6.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质 量保证书 6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验 若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不 符时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决 6.2组批 硅片以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅片组成 6.3检验项目 每批硅片抽检的项目有;导电类型、晶向及其偏离度、电阻率及径向电阻率变化、厚度和总厚度变 化,翘曲度、表面质量、直径、切口基准轴取向及切口尺寸,边缘轮廓、晶体完整性等
GB/T29508一2013 6 抽样 6.4.1对于非破坏性检测项目,抽样按GB/T2828.1一般检验水平l,正常检验一次抽样方案进行 或由供需双方协商确定的抽样方案进行 4.2对于破坏性检测项目,抽样按GB/T2828.1特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案,或按供 6. 需双方协商确定的抽样方案进行 6.5检验结果的判定 6.5.1导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格 6.5.2其他检验项目可以按照6.4抽检,其接收质量限(AQL)值见表3 也可进行全数检验,或按供 需双方协商的方法进行 表3硅片检验项目及接收质量限 接收质量限(AQL) 序 号 检验项目 电阻率 1.0 径向电阻率变化 1.0 间隙氧含量 代位碳含量 1.0 直径 1.0 厚度 1.0 总厚度变化 1.0 翘曲度 1.0 切口基准轴取向 10 切口尺寸 1.0 1 边缘轮廓 2.5 崩边 1.0 沾污 1.5 划伤,亮点 2.0 表面质量 裂纹、缺口 12 1.0 刀痕 色斑 1.0 累计 2.5 标志、包装、运输和贮存 7.1硅片用相应规格的盒子包装,每个片盒应贴有产品标签 标签内容至少应包括 a 产品名称(牌号); 产品规格、片数; b e)产品批号; d 出厂日期
GB/T29508一2013 7.2片盒装人一定规格的外包装箱,采取防震、防潮、防污染措施 包装箱内应有装箱单,外侧应有“小 心轻放",“防潮”“易碎”等标识,并标明 a)需方名称、地点; b) 产品名称,牌号; 产品件数 c) 供方名称 d 7.3产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施 7.4产品应贮存在清洁、干燥的环境中 质量证明书 每批产品应有质量证明书,其内容应包插 a)供方名称 b) 产品名称及规格、牌号; 产品批号 产品片数(盒数); d 各项参数检验结果和检验部门的印记 e) 出厂日期

300mm硅单晶切割片和磨削片GB/T29508-2013

在半导体、光电子等高科技领域中，硅单晶材料是一种非常重要的材料。而300mm硅单晶切割片和磨削片，则是制备硅片的关键工具之一。

300mm硅单晶切割片是将硅单晶圆坯通过机械切割的方法制备而成的精密工具。它具有高度纯净性、尺寸精度高、表面平整度好等特点。该工具可以用于硅片、玻璃、蓝宝石、陶瓷及其他类似材料的加工。

而300mm硅单晶磨削片则是采用机械化学抛光法制备而成的工具。它具有高度纯净性、表面平整度好、工作效率高等特点。该工具可用于半导体材料、光电子材料、陶瓷材料等的加工中。

GB/T29508-2013是我国对于300mm硅单晶切割片和磨削片的标准，它规定了这两种工具的技术要求、检验方法、标志、包装、运输以及质量证明文件等内容。按照这个标准制造的300mm硅单晶切割片和磨削片可以保证其质量和性能稳定，被广泛应用于国内外半导体、光电子等领域。

总之，300mm硅单晶切割片和磨削片是制备硅片的重要工具。通过了解GB/T29508-2013标准，我们可以更好地了解这两种工具的特点和应用，为科技发展做出更大的贡献。

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