区熔锗锭

区熔锗锭

国家标准 GB/T11071一2018 代替GB/T11071一2006 错 区 锭 熔 Zone一-refinedgermaniumingot 2018-12-28发布 2019-07-01实施 国家市场监督管理总局 发布 币国国家标准化管理委员会国家标准
GB/11071一2018 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准代替GB/T11071一2006《区熔错锭》,与GB/T11071一2006相比,除编辑性修改外主要技 术变化如下 范围进一步明确为“本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料,经区熔提纯工艺制备得到 的区熔储锭 2Ge-0区熔储锭主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶;ZGe-！ 区熔错锭主要用于制备红外光学用的错单晶、太阳能电池用的错单晶及各类错-铬、错-硅合金 等”见第1章. -增加了区熔储锭在(23士0.5)C下电阻率的要求(见3.2) 一根错锭的最大与最小截面面积之差不大于平均截面面积的15%"修改为“同一根区熔错 “同一 锭的头尾两端的高度差不大于4mm”(见3.3,2006年版的3.3) mm500mm”修订为“长度应不小于100mm”(见3.3,2006年版的3.3) “锭长100 -增加了区熔储锭的表面应无孔洞的要求(见3.4,2006版的3.4) 本标准由有色金属工业协会提出 本标准由全国有色金属标准化技术委员会(sAC/TC243)归口 本标准起草单位;云南临沧鑫圆错业股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、中错科技有限 公司、衡阳恒荣高纯半导体材料有限公司、广东先导稀材股份有限公司,锡林郭勒通力储业有限责任公 司、云南东昌金属加工有限公司 本标准主要起草人;包文东、普世坤,李贺成、冯德伸、惠峰、范德胜,朱知国、李正美、董汝昆、朱刘、 尹士平、王晓华 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 GB/T11071一1989,GB/T110712006
GB/11071一2018 熔错锭 区 范围 本标准规定了区熔储锭的要求、试验方法、检验规则、标志,包装,运输、贮存、质量证明书和订货单 或合同)内容 本标准适用于以还原错锭及错单晶返料为原料，经区熔提纯工艺制备得到的区熔储锭 ZGe-0区 熔储锭主要用于制备半导体及高纯错探测器用的高纯错单晶;ZGe1区熔储锭主要用于制备红外光学 和太阳能电池用的储单晶及各类错-铬,错-硅合金等 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 Ys/T602区熔储锭电阻率测试方法两探针法 要求 3.1产品分类 区熔储锭按电学性能分为两个牌号;ZGe-0、ZGe-1 Ge -阿拉伯数字,表示产品等级 表示区熔鳍锭 3.2电学性能 区熔错锭的电学性能应符合表1的规定 电阻率可选择采用在20或23C的条件下进行测试， 并满足表1的规定 表1电学性能 电阻率/Qcm) 检测单晶的参数(77K 牌号 载流子浓度 载流子迁移率 (23士0.5) 20士0.5)C cm cm/(VS) 50 么Ge-0 >47 <1.5×10 >3.7×10" Gie-1 47 50 3.3尺寸外形 区熔锗锭的横截面应为梯形,同一根区熔储锭的头尾两端的高度差应不大于4mm 区熔锗锭的
GB/T11071一2018 上宽应不小于26mm,下宽应不小于21mm,高度应不小于23mm,长度应不小于100mm. 3.4表面质量 区熔错锭的表面应呈银灰色光泽,无氧化膜、裂纹,孔洞和浮渣 3.5其他 需方如对产品电学性能和尺寸外形等有其他特殊要求,可由供需双方另行商定 试验方法 4.1区熔错锭的电阻率检验按Ys/T602的规定沿区熔错锭底面的中心线纵向进行检验,点间距不大 于30 mm 4.2错单晶的载流子浓度和载流子迁移率的检验按GB/T4326的规定进行,测试样品从头部切取 4.3区熔错锭的横截面尺寸用游标卡尺进行测量,长度用直尺进行测量 4.4区熔储锭的表面质量用目视检查 检验规则 S 5.1检查和验收 5.1.1产品应由供方技术监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准(或订货合同)的规定,并填写 质量证明书 5.1.2需方应对收到的产品按本标准的规定进行检验,如检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符 时,应在收到产品之日起1个月内向供方提出,由供需双方协商解决 如需仲裁,仲裁取样按5.4进行 5.2组批 区熔错锭应成批提交验收 每批应由同一牌号的产品组成,每批不大于100kg 5.3检验项目 5.3.1每批产品应对电阻率、尺寸外形、表面质量进行检验 5.3.2ZGe-0牌号的产品需制成错单晶后对载流子浓度,载流子迁移率进行检验 5.4取样和制样 5.4.1尺寸外形和表面质量的检验应逐根进行 5.4.2电阻率的检验取样按总根数的10%抽取 5.4.3ZGe0牌号产品的载流子浓度和载流子迁移率的取样按每批随机抽取1根,并按附录A规定的 方法将其制备成错单晶 捡验结果的判定 5.5 尺寸外形或表面质量的检验结果不合格时,判该根产品不合格 5.5.1 5.5.2电阻率的检验结果不合格时,判该批产品不合格 5.5.3ZGe-0牌号产品的载流子浓度或载流子迁移率的检验结果不合格时,判该批产品不合格,或由供 需双方协商确定
GB/11071一2018 标志,包装、运输、贮存和质量证明书 6.1标志 6.1.1每根区熔睹锭应密封于聚乙烯薄膜袋中,并在袋上贴上标签,注明供方名称,商标、牌号和批号 6.1.2区熔错锭应成箱包装,每箱应注明: 供方名称; a b 产品名称和牌号; 批号 c 6.2包装 6.2.1将密封于聚乙烯薄膜袋中的区熔错锭放在泡沫塑料垫的凹槽内,然后叠放人符合环保要求的包 装箱内,并用填料塞紧,以防区熔储锭窜动 每箱区熔储锭质量不大于50kg 包装箱外用包扎带捆 牢,箱外应有“防震”“防潮”“防腐蚀”字样或标志 ZGe0牌号区熔错锭装箱时,若客户有需求,可在其中放人按附录A制备的错单晶及检测样品 6.2.2 错单晶和检测样品分别密封装在聚乙希薄膜袋内,并计人批重,并在箱外注明“内有检测样品” "字样 6.3运输、贮存 区熔错锭在运输和贮存过程中要防止机械损伤、防腐蚀、防潮、防震动 6.4质量证明书 每批产品应附有质量证明书,其上注明: 供方名称、地址、电话、传真; a D 产品名称和牌号; 批号; c d)分析检验结果和技术监督部门印记 本标准编号; e 出厂日期(或包装日期). fD 订货单(或合同)内容 本标准所列材料的订货单(或合同)应包括下列内容 产品名称; a 牌号; b 尺寸外形电阻率及其他特殊要求; c 数量; d 本标准编号; ee fD 其他
GB/T11071一2018 附 录 A 规范性附录) 检测用错单晶的制备方法 方法原理 A.1 ZGe-0牌号的区熔储锭,，经腐蚀、清洗烘干,装炉,制备成25mm内30mm的鳍单晶,用于测试其 载流子浓度、载流子迁移率,进而用以判断区熔锗锭的质量 A.2试剂材料 A.2.1盐酸;优级纯及以上 A.2.2硝酸:优级纯及以上 A.2.3氢氧化铵;优级纯及以上 A.2.4丙酮:MOS级 A.2.5过氧化氢:优级纯及以上 A.2.6氢气:露点小于一70,含氧量小于1×10‘% A.2.7叙气;露点小于一70C,含氧量小于2X10-'% A.2.8籽晶;用电阻率大于47Qem(23C士0.5C)的错单晶制作,晶向为(1l1)或(100) A.3设备 A.3.1单晶炉 氢气净化器 A.3.2 A.3.3管状沉碳炉 A.4试样 将抽取的区熔储锭打断成块,同籽晶一起置于石英烧杯中,倒人去离子水使之淹没错块,加热到 90C100C,然后倒人氢氧化铵(A.2.3)和过氧化氢(A.2.5)(水、氢氧化铵和过氧化氢体积比为100o :2:3),剧烈反应3min一5min后放出腐蚀液,迅速倒人去离子水.冲洗并煮沸至中性,取出籽晶 烘干 A.5部件的清洗处理 A.5.1将制备错单晶用的石墨堆蜗,加热器、保温简等石墨部件,用盐酸硝酸=3:1(体积比)混合溶 液在常温下浸泡24h A.5.2浸泡后的石墨部件,用去离子水冲洗煮沸至中性(用pH试纸检查),烘干后放人单晶炉内 在 真空度不小于6.65×10-'Pa,温度不低于1300C的单晶炉内煅烧2h A.5.3石英培蜗内壁吹砂打毛后,用盐酸:硝酸=3:1(体积比)混合溶液浸泡24h,再用去离子水冲 洗至中性,烘干
GB/11071一2018 A.5.4以流量为500mL/min的氧气流过装有丙酮的容器,把丙酮带人管状炉内,在温度(1000士5)C 使石英堪蜗沉碳1h A.5.5将沉碳后的石英堆蜗用去离子水煮沸、冲洗、烘干 A.6错单晶的制备 A.6.1取不低于1000g的区熔储锭,进行腐蚀清洗表面晾干后,将试料放人单晶炉内的石英堆蜗中 A.6.2关好炉门,抽真空至真空度大于2.66×10-Pa A.6.3通人纯氢气至常压后,在氢气流量为1L/min的条件下升温熔料 如果采用纯氧气为保护气 体,则通人纯缸气至常压后停止通气,在密闭的情况下升温使储料熔化 A.6.4错料熔化后,降温到引晶温度并稳定,以籽晶转速为15r/min30r/min,堆蜗转速4r/min 10r/min,拉晶速度为1.0 nmm/min1.,2mm/min拉制错单晶 mm30mm A.6.5错单晶直径控制在25 A.6.6熔体全部拉完后缓慢降温,待炉内温度降至室温后打开炉门,取出错单晶

区熔锗锭GB/T11071-2018介绍

什么是区熔锗锭？

区熔锗锭是一种用于半导体材料制备的原材料，在电子工业、光电子器件等领域得到广泛应用。

区熔锗锭的特性

区熔锗锭具有高纯度、低杂质含量、均匀性好等优良特性，使之成为高品质半导体材料的重要基础原材料。

GB/T11071-2018标准介绍

GB/T11071-2018是中国国家标准化委员会发布的《区熔锗锭技术条件》标准，该标准规定了区熔锗锭的分类、技术条件、检验方法、包装、标志和贮存等内容。

区熔锗锭的分类

根据不同的生产工艺和材料纯度要求，区熔锗锭可以分为N型、P型、I型等多个品种。

区熔锗锭的生产工艺

区熔锗锭的主要生产工艺包括向下拉制法、单晶硅棒法、坩埚下熔法等。

GB/T11071-2018标准的实施意义

GB/T11071-2018标准的发布和实施，有利于规范区熔锗锭的生产、检验和质量控制，提高我国半导体材料的自主创新能力和市场竞争力。

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2022/8/7 5:11:53 现行