300mm硅单晶抛光片

300mm硅单晶抛光片

国家标准 GB/T29506一2013 硅单晶抛光片 300mm 300mmpolishedmeystallinesilieonwaters 2013-05-09发布 2014-02-01实施 国家质量监督检验检疫总局 发布 国家标准化管理委员会国家标准
GB/T29506一2013 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口 本标准起草单位;有研半导体材料股份有限公司有色金属工业标准计量质量研究所 本标准主要起草人:闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊
GB/T29506一2013 300m硅单晶抛光片 范围 本标准规定了直径300mm、p型(100)晶向、电阻率0.5Qcm一20Q”c规格的硅单晶抛光片 的术语和定义.技术要求,试验方法,检测规则以及标志.包装,运输、贮存等 n直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足 本标准适用于直径300mmm 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片 规范性引用文件 凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 件 凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分;按接收质量限(AQL.)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T1l073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射x光荧光光谱测试方法 GB/T26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm 硅单品 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508300mm 硅单晶切割片和磨削片 Ys/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMMF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
GB/T29506一2013 要求 4.1物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求 4.2几何参数及表面要求 硅抛光片的儿何参数应符合表1的要求 硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格,由供需双方 协商解决 表1300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项 指标 硅片厚度(中心点/Am 775 厚度允许偏差/um 士20 总厚度变化/am" 1.5 45 翘曲度/pm 总平整度(TIR)/ s 1.0 /Am 局部平整度(SFQR)(25mm×25mm)/m 0.1o 80 >0.12m 局部光散射体LISs 40 >0.16Am 正表面/(个/cm= 15 0,.2Mm 表面金属含量/原Cu/Cr/Fe/Ni 1.0X10" 子数/cm A/Zn/K/Na/Ca 5.0Xl0 5.0×1o'" 体金属(铁)含量/原子数" /cm' 4 晶体完整性 3 4.3.1晶体完整性应符合GB/T29504的要求 4.3.2氧化诱生缺陷与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关,氧化诱生缺陷指标由供需双方协商 确定 4.4表面取向 硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合GB/T29508的要求 4.5基准标记 硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合GB/T29508的要求 4.6直径及直径允许公差 硅抛光片的直径及直径允许公差应符合GB/T29508的规定
GB/T29506一2013 4.7表面质量 硅抛光片表面质量应符合表2的规定 表2抛光片表面质量目检要求 目 序号 项 最大缺陷限度 划伤 无 蚀坑 无 雾 无 无 亮点/个/片 区域沾污 无 正 崩边 无 表 裂纹,鸦爪 无 面 凹坑 无 沟(槽 无 10 小丘 无 桔皮,波纹 无 刀痕 无 12 13 崩边 无 肯 14 裂纹,鸦爪 无 表 区域沾污 无 15 面 刀痕 16 无 4.8边缘轮廓 硅片经边缘倒角及边缘抛光,抛光处理后的边缘轮廓应符合Ys/T26的要求,特殊要求可由供需 双方协商确定 试验方法 硅抛光片的导电类型测量按GB/T1550进行 5.1 5. 2 硅抛光片电阻率测量按GB/T6616进行 5.3硅抛光片径向电阻率变化的测量按GB/T11073进行 5.4硅抛光片间隙氧含量测量按GB/T1557进行 5.5硅抛光片代位碳含量测量按GB/T1558进行 5.6硅抛光片厚度、总厚度变化及总平整度测量按GB/T29507进行 7 5. 硅抛光片局部平整度测量按GB/T19922进行
GB/T29506一2013 5.8硅抛光片翘曲度测量按SEMIMF1390进行 5.9硅抛光片局部光散射体测量按GB/T19921进行 5.10硅抛光片表面金属含量测量按GB/T24578进行,或按供需双方协商的方法进行 5.11硅抛光片体内金属(铁)含量测量按Ys/T679进行 5. 12硅抛光片的晶体完整性测量按GB/T1554进行 .13硅抛光片氧化诱生缺陷检验按GB/T4058进行 S 硅抛光片表面取向量按GB/T1555进行 14 .15硅抛光片切口基准轴取向测量按GBy/T13388进行 5. 5 .16硅抛光片切口尺寸测量按GB/T26067进行 5. 7 硅抛光片直径测量按GB/T14140进行 5. .18硅抛光片表面质量检验按GB/T6624进行 硅抛光片边缘轮廓测量按Ys/T26进行 检验规则 6.1检查和验收 “品应由技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质量保 6.1.1 证书 6.1.2需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符 时,应在收到产品之日起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决 6.2组批 硅抛光片以批的形式提交验收,每批应由按照用户要求的同一规格的硅抛光片组成 6.3检验项目 6.3.1每批抛光片抽检的项目有;直径、晶向及其偏离度、切口基准轴取向、切口尺寸、导电类型,电阻 率、径向电阻率变化、间隙氧含量、替位碳含量、硅抛光片厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度、目检表面 质量、氧化诱生缺陷,边缘轮廓 6.3.2局部平整度、局部光散射体尺寸及数量、表面金属沾污、体金属(铁)含量等项目由供需双方协商 后进行检验 6.4抽样 6.4.1对于非破坏性检测项目,检测按GB/T2828.1一般检验水平l,正常检验一次抽样方案,或由 供需双方协商确定的抽样方案进行 6.4.2对于破坏性检测项目,检测按GB/T2828.1特殊检验水平S-2,正常检验一次抽样方案,或由供 需双方协商确定的抽样方案进行 6. 5 检验结果的判定 6.51导电类型、晶向检验若有一片不合格,则该批产品为不合格 6.5.2其他检验项目可以按照6.4进行抽检,接收质量限(AQL)见表3 也可以对产品进行全数检 验,或按供需双方协商的方法进行
GB/T29506一2013 表3硅抛光片检验项目及接收质量限 序号 检验项目 接收质量限(AQL 电阻率 1.0 径向电阻率变化 1.0 间隙氧含量 1.0 代位碳含量 1.0 厚度 1.0 总厚度变化 翘曲度 1.0 总平整度 1.0 局部平整度 1.0 局部光散射体尺寸及数量 2.5 表面金属含量 1.0 12 体金属(铁)含量 1.0 氧化诱生缺陷 2.5 13 切口基准轴取向 14 切口尺寸 15 1.0 16 直径 1.0 17 边缘轮廓 2.5 亮点 1.0 区域沾污 1.0 表 划份 而 18 累计1.o 崩边,裂纹 质 沟槽、凹坑,小丘、桔皮、波纹等 累计1.o 量 刀痕 1.0 累计 2.5 标志,包装,运输和贮存 7.1硅抛光片应在洁净间内装人专用的抛光片装运盒,外用洁净的塑料袋和防潮、防静电的铝箔袋依 次密封,双层包装 每个抛光片盒应贴有产品标签 标签内容应包括 a)产品名称(牌号); b)产品规格 e)片数 产品批号; d e)出厂日期 7.2经双层包装的片盒再装人一定规格的外包装箱,并采取防震、防潮措施 包装箱内应有装箱单,外
GB/T29506一2013 侧应有“小心轻放”“防潮”,“易碎”、“防腐”等标识,并标明 a)需方名称,地点 产晶名称、牌号; b 产品片数及重量; c d 供方名称 7.3产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震、防潮措施 7.4产品应贮存在清洁、干燥的环境中 质量证明书 每批产品应有质量证明书,其内容应包括 供方名称 a 产品名称及规格、牌号; b 产品批号; c d)产品片数(盒数); 各项参数检验结果和检验部门的印记 e f出厂日期

300mm硅单晶抛光片GB/T29506-2013

随着科技的不断发展，硅单晶材料在电子、半导体等领域中得到了广泛应用。其中，300mm硅单晶抛光片是制备芯片的关键材料之一。

300mm硅单晶抛光片是在硅单晶圆坯上采用机械化学方法制备而成的精密材料。该材料具有高度纯净性、表面平整度好、精度高等特点。它可用于半导体器件、显示器件、太阳能电池、LED等高科技领域，并被誉为半导体材料中的“钻石”。

而GB/T29506-2013是我国对于300mm硅单晶抛光片的标准，它规定了300mm硅单晶抛光片的技术要求、检验方法、标志、包装、运输以及质量证明文件等内容。按照这个标准制造的300mm硅单晶抛光片可以保证其质量和性能稳定，被广泛应用于国内外半导体、光电子等领域。

总之，300mm硅单晶抛光片是现代高科技领域中不可或缺的材料。通过了解GB/T29506-2013标准，我们可以更好地了解这种材料的特点和应用，为科技发展做出更大的贡献。

300mm硅单晶抛光片的相关资料

和300mm硅单晶抛光片类似的标准

GB/T29508-2013

300mm硅单晶切割片和磨削片

2022/10/21 23:06:02 现行

GB/T29506-2013

300mm硅单晶抛光片

2022/10/21 23:01:28 现行

GB/T29504-2013

300mm硅单晶

2022/10/21 22:56:17 现行