国家标准 GB/T12964一2018 代替GB/T12964一2003 硅单晶抛光片 Momerystallimesilionpolishedwafers 2018-09-17发布 2019-06-01实施国家市场监督管理总局发布币国国家标准化管理委员会国家标准
GB/T12964一2018 前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草本标准代替GB/T129642003《硅单晶抛光片》,与GB/T12964-2003相比,除编辑性修改外主要技术变化如下修订了适用范围,将“本标准适用于直拉硅单晶研磨片经腐蚀碱薄进行单面抛光制备的硅抛光片”改为“本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于20mm的鞋单晶抛光片产品主要用于制作集成电路,分立元件,功率器件等,或作为硅外延片的衬底"见第" 1章,2003年版的第1章修订了规范性引用文件，删除了GB/T1552.GB/T1554.GB/T1555、GB/T1558 GB/T13387.GB/T13388.GB/T14140.GB/T14143,增加了GB/T12965、GB/T19921、 GB/T24578,GB/T29507,GB/T32279,(GB/T32280、Ys/T28、YS/T679(见第2章,2003 年版的第2章) -删除了原标准中的具体术语内容,改为“GB/T14264界定的术语及定义适用于本文件”见第3章,2003年版的第3章) 修订了硅抛光片的分类删除了“按硅单晶生长方法分为直拉(CZ)和悬浮区熔(FZ)" ”,增加了 “按表面取向分为常用的(100、(11o、{1l1)三种”见4.2.2,2003年版的4.1) r“哇抛光片的直径.表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径入.切口尺寸,参考增加了面位置和切口位置应符合GB/T12965的规定如有需要,由供方提供各项检验结果” (见5.1 一删除了表1中主、副参考面长度、切口、主参考面直径的要求,修订了直径允许偏差、厚度、总厚度变化、翘曲度、总平整度的要求,增加了弯曲度的要求,增加了直径不小于125mm硅抛光片的局部平整度的要求(见表1,2003年版的表1) 将晶体完整性的要求列在5.1,由供方提供检验结果(见5.1,2003年版的5.3) 修订了氧化诱生缺陷的要求,改为“硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/cm,或由供需双方协商确定”(见5.4,2003年版的5.3.2) -删除了原标准的表面取向、基准标记的内容(见2003年版的5.4、5.5) 增加了150 mm,200mm直径硅抛光片的表面金属和体金属(铁)含量的要求(见5.5,5.6) 修订了边缘轮廓的要求,由“硅抛光片须经边缘倒角,倒角后的边缘轮廓应符合YS/T26的规定,特殊要求可由供需双方协商确定”改为“硅抛光片的边缘轮廓形状、尺寸应符合 GB/T12965的规定,且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物,特殊要求可由供需双方协商确定”(见5.7,2003年版的5.7). -将表面质量要求中的“亮点”改为“局部光散射体(颗粒)”,并修订了局部光散射体(颗粒)的要求(见表2,2003年版的表4). 修订了检验项目,改为“每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、,翘曲度、总平整度,表面质量(除局部光散射体外)进行检验导电类型,径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷,表面金属、体金属(铁),边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定”(见 7.3.1、7.3.2) -增加了“氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁),边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定”见7.5.2)
GB/T12964一2018 -增加了订货单(或合同)内容(见第9章). 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/Tc203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口本标准起草单位;有研半导体材料有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、浙江海纳半导体有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、天津市环欧半导体材料技术有限公司本标准主要起草人:孙燕、卢立延、徐新华、张海英、楼春兰、杨素心,潘金平、张雪囱本标准所代替标准的历次版本发布情况为 GB/T129641996、GB/T129642003
GB/T12964一2018 硅单晶抛光片范围本标准规定了硅单晶抛光片(简称硅抛光片)的牌号及分类、要求,试验方法、检验规则、标志,包装、运输、贮存质量证明书和订货单(或合同)内容本标准适用于直拉法,悬浮区熔法(包括中子煌变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm的硅单晶抛光片产品主要用于制作集成电路、分立元件,功率器件等,或作为硅外延片的衬底规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 6621硅片表面平整度测试方法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB 12962硅单晶 GB/T12965硅单晶切割片和研磨片 T GB 14264半导体材料术语 T GB 14844半导体材料牌号表示方法 GB T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB 24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB T 29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T32279硅片订货单格式输人规范 GB/T32280硅片翘曲度测试自动非接触扫描法 Ys/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T28硅片包装 Ys/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
GB/T12964一2018 牌号及分类 4.1牌号硅抛光片的牌号表示按GB/T14844的规定进行 4.2分类 4.2.1硅抛光片按导电类型分为N型、P型两种 4.2.2硅抛光片按表面取向分为常用的(100、110、(1l1}三种 nmm、76,2mm、100mm1、125mm、150mm和200mm六种 4.2.3硅抛光片按直径分为50,8 5 要求 5.1理化性能硅抛光片的掺杂剂,少数载流子寿命、氧含量、碳含量,晶体完整性应符合GB/T12962的规定;础抛光片的直径、表面取向及其偏离度、参考面长度(主参考面直径),切口尺寸,参考面位置和切口位置应符合GB/T12965的规定如有需要,由供方提供各项检验结果 5.2电学性能硅抛光片的导电类型电阻率及径向电阻率变化应符合GB/T12962的规定 5.3几何参数硅抛光片的几何参数应符合表1的规定,表1中未包含的几何参数或对表1中几何参数有其他要求时,由供需双方协商确定表1几何参数项目要求直径/mm 50.8 76.2 100 125 150 200 直径允许偏差/mm 士0.5 士0.5 士0,5 士0.5 士0,5 士0,2 >220(F2) >220(FZ) >300(FZ >600(FZ) 厚度(中心点/丝m1 280 381 525(cZ 525或625(cZ 675(cZ 725(cZ 士20 士20 士2o 士15 士15 士15 厚度允许偏差/m 总厚度变化/4nm s8 <1o L6 <5 <4 <10 <40 二40 弯曲度/4m 25 二30 二40 40 60 60 背面多晶加背封背面多晶加背封二40 40 翘曲度/4mm 25 30 40 40 <60 6o 背面为多品加背封背面多品加背封)
GB/T12964一2018 表1(续项目要求总平整度(TIR)/4m S1.5 二2.0 s0.8 局部平整度 SBIR (25 (15mmX15mm(15mm×15mm) rmm×25mm) 边缘扩展， PUA100% 二0.3 sroR Am 15mm×15mm 25mm×25mm 5.4氧化诱生缺陷硅抛光片的氧化诱生缺陷应不大于100个/em',或由供需双方协商确定 5.5表面金属 150mm、.200mm直径硅抛光片表面的单个金属元素(Na、Ca、Al,Cr、Fe、,Ni,Cu、Zn)的含量(原子数)应不大于5×10cm-? 5.6体金属(铁 150mm,200mm直径硅抛光片的体金属(铁)含量(原子数)应不大于5×10"em-,或由供需双方协商确定 5.7边缘轮廓硅抛光片的边缘轮廓形状,尺寸应符合GB/T12965的规定,且硅抛光片边缘轮廓的任何部位不允许有锐利点或凸起物,特殊要求可由供需双方协商确定 5.8表面质量硅抛光片的表面质量应符合表2的规定,其中对局部光散射体(颗粒)的要求可由供需双方协商确定表2表面质量序号项目要求划伤无蚀坑无雾无正 50.8 100 76.2 125 150 硅抛光片直径/ mmm 200 表 >0.2丝m <20 <15 面局部光散 >0.34mm <30 <20 <5 <？局部光散射体(颗粒) 射体直径 >0.5Am 个/片其他供需双方协商确定
GB/T12964一2018 表2(续要求序号项目区域沾污无崩边裂纹、鸦爪凹坑正沟槽无表面 1c 小丘 1 无橘皮、波纹线痕 12 杂质条纹" 13 崩边 15 裂纹、鸦爪背 16 区域沾污无表面 17 无线痕酸或碱腐蚀、外吸除、背封等处理或由供需双方商定背表面处理 18 电阻率不大于0.020ncm的硅抛光片,允许有杂质条纹 5.9其他硅抛光片的激光刻字、边缘抛光等其他要求由供需双方协商确定 6 试验方法 6.1导电类型的测试按GB/T1550的规定进行 6.2电阻率的测试按GB/T6616的规定进行 6.3径向电阻率变化的测试按GB/T11073的规定进行 6.4厚度和总厚度变化的测量按GB/T6618或GB/T29507的规定进行,仲裁时按GB/T29507的规定进行 6.5弯曲度的测量按GB/T6619的规定进行 6.6翘曲度的测量按GB/T6620或GB/T32280的规定进行,仲裁时按GB/T32280的规定进行 6.7总平整度的测量按GB/T6621或GB/T29507的规定进行,仲裁时按GB/T29507的规定进行 6.8局部平整度的测量按GB/T29507的规定进行 6.9氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行 6.10表面金属含量的测定按GB/T24578的规定进行,或按供需双方协商的方法进行 6.11体金属(铁)含量的测定按Ys/T679的规定进行,或按供需双方协商的方法进行 6.12边缘轮廓的检验按YS/T26的规定进行 6.13表面质量(除局部光散射体外)的检验按GB/T6624的规定进行 6.14局部光散射体(颗粒)的检验按GB/T19921的规定进行
GB/T12964一2018 检验规则 7.1检查和验收 7.1.1产品应由供方技术质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规定,并填写产品质量证明书 7.1.2需方可对收到的产品进行检验若检验结果与本标准或订货单(或合同)的规定不符时,应在收到产品之日起3个月内向供方提出,由供需双方协商解决 7.2组批产品以成批的形式提交验收,每批应由同一牌号、相同规格的硅抛光片组成每批硅抛光片应不少于25片 7.3检验项目 7.3.1每批产品应对电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度,翘曲度、总平整度,表面质量除局部光散射体外)进行检验 7.3.2导电类型、径向电阻率变化、局部平整度、氧化诱生缺陷,表面金属、体金属(铁),边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)是否检验由供需双方协商确定 7.4取样 7.4.1非破坏性检验项目的检验取样按GB/T2828.1一2012 -般检验水平I、正常检验一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案 7.4.2破坏性检验项目的检验取样按GB/T2828.1一2012特殊检验水平S-2、正常检验一次抽样方案进行,或由供需双方协商确定抽样方案 7.5检验结果的判定 7.5.1导电类型的检验结果中若有一片不合格,则判该批产品为不合格其他检验项目的接收质量限 AQL)见表3 表3接收质量限序号检验项目接收质量限(AQL 1.0 电阻率径向电阻率变化 l.0 厚度 l.0 总厚度变化 l.0 1.0 弯曲度翘曲度 1.0 总平整度 1.0 局部平整度 l.0
GB/T12964一2018 表3(续序号检验项目接收质量限(AQL 划伤、蚀坑 1.0 区域沾污 1.0 崩边、裂纹,鸦爪累计1.o 表面质量累计1.0 凹坑、沟(槽),小丘、橘皮,波纹线痕、杂质条纹累计1.0 累计 2.0 7.5.2氧化诱生缺陷、表面金属、体金属(铁)边缘轮廓、局部光散射体(颗粒)、雾、背表面处理的检验结果判定由供需双方协商确定 7.5.3抽检不合格的产品,供方可对不合格项进行全数检验,除去不合格品后,合格品可以重新组批 8 标志、包装运输、贮存和质量证明书 8.1标志硅抛光片的包装箱内应有装箱单,外侧应有“小心轻放”“防潮”“易碎”“防腐”等标识,并标明供方名称; a) 产品名称,牌号; b 产品件数或数量 c 8.2 包装硅抛光片的包装按Ys/T28的规定执行,或由供需双方协商确定 8.3运输产品在运输过程中应轻装轻卸,勿压勿挤,并采取防震防潮措施 8.4贮存产品应贮存在清洁、干燥的环境中 8.5质量证明书每批产品应有质量证明书,其上写明: a 供方名称; b 产品名称、牌号; 产品批号; 产品片数盒数); 各项参数检验结果和检验部门的印记
GB/T12964一2018 fD 本标准编号; 出厂日期 g 订货单(或合同)内容本标准所列产品的订货单(或合同)应符合GB/T32279的规定,或由供需双方协商确定

硅单晶抛光片GB/T12964-2018介绍

硅单晶抛光片是一种高精度材料加工工具，广泛应用于半导体、光电子、新能源等领域。GB/T12964-2018作为硅单晶抛光片的标准，对产品的制造、性能以及检测方法做出了详细规定。

1. 硅单晶抛光片GB/T12964-2018的标准介绍

GB/T12964-2018标准适用于各种硅单晶抛光片的制造和使用，包括硅单晶抛光片的分类、尺寸、形状、表面质量、化学成分、物理性能、机械性能、加工性能、包装、运输和存储要求等方面的规定。

2. 硅单晶抛光片的特点

硅单晶抛光片具有以下特点：

高硬度：硅单晶的硬度仅次于金刚石和碳化硼，可以达到9.0级以上。
高纯度：硅单晶具有很高的纯度，化学性质稳定。
高热稳定性：硅单晶的热膨胀系数小，热稳定性好。
高机械强度：硅单晶的抗拉强度高，耐磨损性好。

3. 硅单晶抛光片的制造方法

硅单晶抛光片的制造方法主要包括以下步骤：

原料准备：选用高纯度硅单晶粒作为原料。
熔制：将硅单晶粒放入石英坩埚中，在惰性气氛下加热至熔点，然后冷却形成硅单晶棒。
修整：将硅单晶棒表面修剪去不良部分，使其成为规则的棒形。
切割：将硅单晶棒切割成片状。
抛光：将硅单晶片进行机械加工和化学处理，得到高质量的硅单晶抛光片。

4. 硅单晶抛光片的应用领域

硅单晶抛光片广泛应用于以下领域：

半导体材料制造：硅单晶抛光片是制造芯片、太阳能电池等半导体材料的重要工具。
光学领域：硅单晶抛光片可以制作高精度的反射镜、透镜等光学元件。
新能源领域：硅单晶抛光片可以制作高效的太阳能电池和锂离子电池等新能源器件。
其他领域：硅单晶抛光片还可用于制作微机械、传感器、生物芯片等。

5. 硅单晶抛光片的质量控制

硅单晶抛光片的质量控制主要涉及以下方面：

尺寸控制：硅单晶抛光片的尺寸应符合标准规定，尤其是厚度控制很关键。
表面质量控制：硅单晶抛光片的表面质量影响着器件的性能，需要进行严格的检测和控制。
化学成分控制：硅单晶抛光片的化学成分对其性能有重要影响，需要确保其纯度。

6. 硅单晶抛光片的检测方法

硅单晶抛光片的检测方法包括以下方面：

X射线衍射：用于确定硅单晶的晶体结构。
全息干涉术：用于检测硅单晶片的厚度和平整度。
原子力显微镜：用于检测硅单晶片的表面形貌。

总之，硅单晶抛光片是一种重要的高精度材料加工工具，其制造和质量控制需要遵循GB/T12964-2018标准。随着半导体、光电子、新能源等领域的发展，硅单晶抛光片的应用前景十分广阔。